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GaN Systems与Silanna半导体合作推出突破性65W ACF GaN充电器参考设计

2021/3/17 13:16:44
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    全球领先的GaN(氮化镓)功率半导体厂商GaN Systems宣布与Silanna Semiconductor合作,推出了一款基于GaN的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式(ACF)充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna Semiconductor上市,为ACF USB-C PD GaN充电器提供了一个简单的设计,为客户缩短了设计周期和产品上市时间。


    该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难,因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna Semiconductor的SZ1130 ACF PWM控制器和GaN Systems GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管,高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET,降低了BoM成本。


  GaN Systems与Silanna半导体合作推出突破性65W ACF GaN充电器参考设计


    超高密度:30W / in ^ 3(无外壳)


    高效率:峰值效率> 94%


    低温度:<95 ? C最大值部件温度


    更好的EMI设计:几乎零电压尖峰或振铃可清洁波形


    支持广泛的应用:5V/3A,9V/3A,15V/3A和20V/3.25A输出电压;USB-PD


    “ Silanna Semiconductors非常适合65W ACF设计,这是该公司开发创新解决方案的另一个例子,以认识到GaN对电源工程师的重要性日益提高,” GaN Systems首席执行官Jim Witham说道,“随着GaN成为标准建筑跨市场,很高兴看到生态系统继续增长。”

GaN Systems与Silanna半导体合作推出突破性65W ACF GaN充电器参考设计

    GaN Systems是全球领先的GaN功率半导体公司,拥有最大的晶体管组合,能独特地满足当今最苛刻的行业需求,包括消费电子、数据中心服务器和电源、可再生能源系统、工业电机和汽车电子。


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