半导体行业从诞生至今，先后经历了三代材料的变更历程。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg2.3eV）的半导体材料。据了解，我国把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 与我们熟悉的传统第一代、第二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体的代表材料受到市场的关注。全球第三代半导体产业赛道已经开启，其制成芯片可被广泛用于新一代通信、电动车等热门新兴产业。第三代半导体迎风口半导体材料其实已经历经了三代的发展，第一代是四五十年代开始以锗、硅为代表的IV族半导体材料，把人类带进电子晶体管收音机的时代，而第二代是从上世纪六七十年代开始，以III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用。第三代半导体材料的出现最早是从八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表，主导资源和能源节约，催生了新型照明、显示等新应用需求和产业。实际第三代半导体材料已经出现了很长时间，一般情况下这些材料的真正应用都需要至少十年以上的培育期。举一个例子，一个电子产品的核心部分有计算逻辑类器件（如CPU、GPU），也会有存储部分（RAM、硬盘），此外还会有提供电力和控制的模块。电子产品里面的各类器件，它的基础材料基本都是以硅Si为主，而第三代半导体就是要为未来提供能够比硅Si材料更加优良的器件核心材料。以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例...
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2021/3/4 10:33:50