PE42722B-Z射频开关IC的规格参数、特性及引脚图
2025/1/10 14:03:22
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PE42722是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为DOCSIS 3.0/1电缆调制解调器和机顶盒等电缆应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42722成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。
规格参数
开关配置:SPDT
最小频率:5 MHz
最大频率:1.794 GHz
介入损耗:0.85 dB
关闭隔离—典型值:29 dB
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:pSemi
特性
•支持DOCSIS 3.0/1要求
•卓越的谐波性能
•跨频带最佳线性度
•低插入损耗和高隔离性能
•1.5 kV HBM的高ESD性能
•封装–32引线5×5mm QFN
引脚图
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PE42440是基于UltraCMOS®工艺技术开发的HaRP™增强型SP4T射频开关。这种通用交换机包含四个相同的RF端口，可用于高达3000 MHz的多种应用。它将板载CMOS控制逻辑与低压CMOS兼容控制接口集成在一起，不需要隔直电容器。此符合RoHS标准的零件采用标准的3 x 3 x 0.75 mm QFN封装。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi单位重量:123.145 mg点击购买：PE42440MLBB-Z特性•HaRP™-增强技术，实现无与伦比的线性•插入损耗极低：1000 MHz时为0.45 dB，2000 MHz时为0.5 dB•极高隔离度：1000 MHz时为34 dB，2000 MHz时为28 dB•极高的ESD耐受性•用于2针控制的集成解码器•4.5Ω串联导通电阻低•不需要隔直电容器•封装：16引脚3×3×0.75mm QFN引脚图
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PE43712是一款50Ω、HaRP™技术增强型7位RF数字步进衰减器（DSA），支持9 kHz至6 GHz的宽频范围。它具有无毛刺衰减状态转换的特点，支持1.8V控制电压，工作温度范围扩展到+105°C，使该设备成为许多宽带无线应用的理想选择。PE43712是PE43601和PE43701的引脚兼容升级版本。集成数字控制接口支持衰减的串行可寻址和并行编程，包括在通电时对初始衰减状态进行编程的能力。PE43712覆盖了0.25 dB、0.5 dB和1 dB步长的31.75 dB衰减范围。它能够在4 GHz内保持0.25 dB单调性，在5 GHz内保持0.5 dB单调性和在6 GHz内保持1 dB单调性。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则不需要外部隔直电容器。规格参数衰减:31.75 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:7 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:2.45 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:9 kHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT工作电源电压:5.5 V点击购买：PE43712B-Z特性•0.25 dB、0.5 dB和1 dB的灵活衰减步长，最高可达31.75 dB•无故障衰减状态转换•单调性：0.25 dB至4 GHz，0.5 dB至5 GHz，1 dB至6 GHz•工作温度延长至+105°C•具有串行寻址能力的并行和串行编程接口•封装——32引线5×5mm QFN应用3G/4G无线基础设施陆地移动无线电（LMR）系统点对点通信系统引脚图
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