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三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程

2023/11/6 14:50:11
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11月3日消息,据外媒报导,韩国三星电子近日告诉投资者,该公司将于2024年下半年开始使用其第二代3nm(SF3)制程技术及性能增强版的4nm(SF4X)制程技术来生产芯片。预计凭借这两个制程节点,将显著提高三星在晶圆代工市场的竞争地位,并藉由新制程来争取生产客户的新型产品。

三星电子在一份声明中表示,由于移动市场需求的反弹,加上高性能计算(HPC)市场需求的持续增长,预计整体市场将触底反弹,迈向增长方向。“因此,我们将在2024年下半年量产第二代3nm制程,以及用于HPC领域的第四代4nm制程技术来增强技术竞争力。”

根据现有数据显示,三星第二代3nm(SF3)制程技术,是针对第一代3nm(SF3E)制程技术的重大的升级。虽然目前第一代的3nm技术仅用于制造加密货币挖矿应用的小型芯片。但三星表示,其第二代3nm技术将通过允许在同一单元类型内,使用不同的环绕删极(GAA)晶体管/纳米片信道宽度,以进一步提供更大的多功能性设计。

尽管三星没有直接比较两代3nm制程的差异,但三星表示,第二代3nm制程技术比第二代的4nm米制程技术(4LPP)提供了更重大进步。其中,包括在相同功率和复杂性的情况下,执行性能提高了22%,或者在相同频率和晶体管数量下,功耗降低34%。而且,芯片面积也将减少21%。第二代3nm制程技术将于2024年下半年进入大批量生产阶段,同时比第一代3nm制程有更好的复杂设计选择。

另外,三星的4nm系列程技术也在不断发展当中。对此,三星则准备推出强化版的4nm(SF4X)制程技术,以为数据中心使用的高性能CPU和GPU进行而定制化的生产,这也将是近年来第一个专为高性能计算(HPC)应用而设计的制程节点。

三星的强化版的4nm制程技术有望将性能提高10%,同时功耗降低23%。虽然,三星尚未透露此比较的基准,但很可能参考了他们的当前标准的4nm制程技术流程。这种增强版制程是通过重新设计晶体管的源极和漏极区域、重新评价其在潜在高应力条件下的性能、应用先进的晶体管级设计技术协同优化(T-DTCO)以及实施来达成的。

报导强调,三星希望凭借着完善的MOL构架,使强化版的4nm制程技术能实现60mV的CPU硅验证最低工作电压(Vmin),将断态电流(IDDQ)的变异性降低10%,确保稳定的高电压(Vdd)运行以上1V且不会影响性能,并提高SRAM的制程程度。

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