用于GaN SG HEMT和MOSFET的200V高压侧TDI栅极驱动器IC
1EDN7136U是为驱动Infineon CoolGaN而优化的单通道栅极驱动器IC™ 肖特基栅（SG）HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。该栅极驱动器包括几个关键功能，这些功能可实现具有快速开关晶体管的高性能系统设计，包括真差分输入（TDI）、1A峰值源极和漏极电流、有源米勒钳位和自举电压钳位。由于TDI特性，只要共模电压低于150V（静态）和200V（动态），栅极驱动器输出状态完全由两个输入之间的电压差控制，与驱动器的参考（接地）电势无关。这消除了低压侧应用中由于接地反弹而导致的错误触发的风险，同时也允许1EDN7136U处理甚至高压侧应用。
特征描述
全差分逻辑输入电路，避免低压侧或高压侧操作中的错误触发
高共模输入电压范围（CMR）高达±200 V，用于高压侧操作
对共模转换速率（100 V/ns）的高抗扰度，在快速切换瞬态期间实现稳健操作
兼容3.3 V或5 V输入逻辑
1 A源/汇电流能力
有源米勒箝位器，具有5 A汇流能力，可避免感应导通
主动引导夹持
适用于驱动GaN HEMT或Si MOSFET
根据JEDEC对目标应用进行了鉴定
优势
快速切换过程中的高侧驱动和低侧接地反弹抗扰度
通过从1EDN71x6x驱动器系列中进行选择，优化了无外部栅极电阻器的开关速度
快速开关转换期间的感应导通抗扰度
通过消除空载时间内的自举电容器过充电，调节自举电压