随着工业环境日益自动化和互联，电力以太网的需求正在上升，旨在通过单根电缆提供可靠的电力和数据，简化部署和可扩展性，支持工业应用。为了提供工业级解决方案，Microchip扩展了其广泛的单端口和多端口PoE解决方案，包括其PD-9601GCI Midspan，旨在满足工业应用及其复杂环境中的IEEE 802.3bt标准。Microchip的PD-9601GCI中段与现有的PC-9601GC单端口室内PoE中段不同，因为它是工业级，设计旨在减少复杂的电气作业和额外电源插座的需求，同时通过单根以太网线传输最高90W的电力和10/100/1000 Mbps的数据速率。该设备具备支持远程或复杂工厂及户外环境的可靠运行的功能和能力，最大限度地减少停机时间和支持问题：密封、抗震的金属外壳，符合入侵保护（IP）等级：IP等级为IP30。延长工作温度：设计用于维持-40°C至75°C的温度范围。扩展电源输入选项： 支持20V-60V的双直流输入。增强的工业级浪涌防护： 有助于防止工业环境中的电压尖峰。工业安装：包括DIN导轨、墙挂或面板安装选项。与工业自动化设备的兼容性测试：有助于减少制造商的集成和可靠性问题。中跨安装在网络交换机之后，将电力注入以太网线路，使其能够同时提供电力和数据。这些设备为在偏远或复杂环境中部署PoE提供了便捷且经济高效的解决方案。中跨与物联网设备捆绑，使制造商能够提供即插即用的解决方案，支持网络供电。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
22
2026/7/17 14:02:51
1x1mm封装内0-10dB衰减新的XAT系列通过MMIC固定衰减器重新定义了射频小型化。这些衰减器采用超紧凑的2引脚1×1mm QFN封装，为下一代高密度设计节省了大量PCB空间。XAT系列基于坚固的GaAs半导体工艺，具有双向、完全吸收的架构，可提供出色的通带平坦度、典型的16dB回波损耗，以及从直流到45GHz的一致、可重复的性能。该系列具有高达2W的输入功率处理能力，可提供要求苛刻的射频应用所需的性能和可靠性。非常适合尺寸、性能和可靠性至关重要的测试和测量、卫星通信、雷达、电子战/电子对抗、电信基础设施和5G系统。主要特点：1x1mm 2引脚 QFN型封装2W功率处理能力极佳的回波损耗0至10分贝衰减值免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
32
2026/7/15 14:37:15
金升阳重磅推出R5S系列芯片级DC/DC电源：性能更优、成本更低、可靠性更强，满足加强绝缘，主要用于需要小体积高隔离、低隔离电容、低漏电流的电源应用场合，为工控、医疗、电力、 仪器仪表等行业提供更卓越的供电解决方案。B0505-R5S系列优势安全性/可靠性高① 5kVAC隔离电压，加强绝缘，满足医疗、电力等严苛场景的需求，双保险架构，降低了漏电、击穿风险。 ② -40℃ to +125℃ ，超宽温域，极寒不僵、酷热不怂。③ 内置软启动、过温保护、输出过载保护和短路保护功能，多重保护，安全可靠。④ 3.3V、3.7V、5.0V、5.4V四挡电压随心调，一颗芯片满足多种供电应用场合，库存管理更轻松，BOM更精简。⑤ ±150kV/us CMTI ，超强抗干扰；⑥ 高EMI性能，满足CLASS B，确保设备在复杂电磁环境中稳定工作。集成化/体积小①SOIC16 封装，10.3 x 10.3 x 2.5mm，芯片级电源产品，节省PCB设计电路面积。产品特点● 隔离电压5kVAC，加强绝缘 ● 效率高达63%● 宽工作温度范围：-40℃ to +125℃ ● 输出电压可调 3.3V、3.7V、5.0V、5.4V ● ±150kV/us CMTI● SOIC16 封装，10.3 x 10.3 x 2.5mm● 内置软启动、过温保护、输出过载保护和短路保护功能● 高输出电压精度 ±1%● 满足国产化，自主可控免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
38
2026/7/15 14:05:45
Microchip 发布了VectorBlox™ 3.0加速器软件开发套件（SDK），以简化基于FPGA的AI实现并加快上市时间。VectorBlox 3.0 SDK 及相关的 CoreVectorBlox IP 免费提供给开发者，设计为一个集成工具链，简化了卷积神经网络（CNN）模型在 PolarFire® FPGA 和基于 SoC 平台上的优化、编译和部署。由于加速器能够高效跨模型规模扩展，并支持单一设备上的多个AI工作负载，客户可以在单一低功耗FPGA上整合多种视觉或传感器型AI功能。VectorBlox 3.0 支持稀疏神经网络，通过跳过零值操作，帮助高效执行基于视觉的 CNN 模型。这一能力帮助开发者加速推理性能，同时降低功耗，这对于需要在响应性与能源效率之间取得平衡的始终在线边缘AI应用来说，是一项重要优势。支持基于稀疏度的模型压缩旨在降低计算和内存需求，同时保持准确性。此外，航天器姿态网络v2（SPNv2）是一种神经网络，旨在利用视觉数据估算位置和方位，支持自主导航和太空近距离操作，应用于自主交会对接、太空碎片清除、卫星检查和编队飞行等应用。该解决方案基于中端、节能、单事件干扰（SEU）免疫的PolarFire FPGA和SoC，提供安全的启动保护、防篡改保护和高可靠性，适应恶劣环境。这些功能对于关键任务的国防、航空航天和工业部署至关重要，因为这些领域需要长寿命、数据保护和系统韧性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
28
2026/7/15 14:01:35
Vishay推出了一款采用新型SOP-5封装、宽度窄为3.6毫米的汽车用1MBd高速光耦合器。结合了400的比较跟踪指数（CTI）和业内领先的最低保证共模瞬态抗扰（CMTI）40 kV/μS，Vishay半导体VOMHA43A旨在提升信号传输质量，并在需要最高707伏峰值的隔离电压（V IORM）应用中节省空间。在电动车（EV）、混合动力车（HEV）和低速电动车（LSEV）中，光耦合器为CAN、LIN、I2C和SPI接口提供通信总线隔离，同时也为智能电源模块（IPM）驱动等隔离驱动电路应用提供服务。之前的SOP-5封装宽度为4.4毫米，而VOMHA43A中较窄的SOP-5则需要更少的PCB空间，同时支持可堆叠设计。该设备的最低CMTI是最近竞争对手的两倍多，增强了对电突以及射频和电磁干扰问题的坚固性。虽然竞争设备提供567伏峰值的最大重复峰值隔离电压，但光耦合器的707伏峰值隔离电压性能满足400伏电池系统的需求。该VOMHA43A由一个GaAlAs红外发射二极管组成，光学耦合着集成光电探测器和高速晶体管。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。光耦合器具有开集电极输出功能，允许设计师在与不同逻辑系统接口时调整负载条件，而探测芯片上的法拉第屏蔽使器件能够拒绝并最小化高输入到输出的共模瞬态电压。该光耦合器符合RoHS标准且无卤素，工作温度范围为-40°C至+125°C，且与主要竞争零件针脚对针脚兼容，提供直接替换，无需电气和机械重新设计。VOMHA43A特点AEC-Q102汽车认证40°C至+125°C宽温范围共模瞬态抗扰率极高，达50,000 V/μs免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
25
2026/7/10 14:09:47
半导体制造商ROHM日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。应用示例车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
37
2026/7/10 14:02:31
金升阳推出 DS 系列直流接触器专用控制模块，其搭载自研IC芯片，硬核优势拉满；2ms 极速响应，兼容单线圈、铜包铝线圈结构，整机小巧省空间、运行低功耗、设备适配兼容性强。严格遵循GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准，性能合规、品质稳定。DS系列直流接触器专用控制模块可广泛适用于充电桩、储能及光伏领域，可用于对小体积、低成本有特殊要求的场景，例如行吊起重设备、电梯控制系统，以及部分交流配电系统（如电加热、照明控制）等。极致小巧 响应敏捷1.采用小型化封装工艺，面积比同类产品缩减62%；2.支持2ms极速关断，高效灭弧，有效延长电气寿命；3.支持9-36VDC宽压输入，多兼容性，可精简产品选型成本优化 品质可靠1.支持“单线圈”+“铜包铝”设计，灵活应对市场变化；2.支持宽温域运行，工作温度可达-40至+85℃，耐候性强；3.支持3600次/h的高频空载开关,长寿耐用，安全护航产品特点● 极致小巧，设计灵活,● 支持9-36VDC宽压输入● 支持2ms极速关断● 支持“单线圈”和“铜包铝”设计● 空载开关机操作频率可达3600次/h● 工作环境温度：-40℃至+85℃● 支持定制DS系列应用场景主要如下：1. 直流充电桩设计极致小巧、灵活易集成，支持9-36VDC宽压输入，可显著增强宽电压范围适应能力与抗晃电性能，有效应对电压暂降，保障关键设备连续运行。同时，兼容12V（乘用车）与24V（商用车）辅助电源供电，提升充电桩系统的通用性与供电可靠性。2. 储能系统支持2ms极速关断，能够大幅缩短电弧持续时间，降低触头烧蚀，从而有效提升接触器电气寿命。适用于储能电池主回路控制，可增强输电系统的安全性与稳定性。3. 光伏系统支持“单线圈”和“铜包铝”设计，空载开关操作频率高达3600次/h，且工作温度范围宽至-40℃～+85℃。适用于光伏组件的...
浏览次数：
27
2026/7/9 14:09:24
Microchip宣布，其MPLAB® XC Pro编译器和MPLAB机器学习（ML）开发套件现已免费向客户开放。通过在个人和团队环境中无限安装，这些工具为开发者免费提供先进的优化功能和集成的嵌入式机器学习工作流。“我们的重点是优化使用Microchip设备的工程师开发体验，”Microchip开发工具、MCU及无线业务部门副总裁Greg Robinson表示。“通过取消许可费并免费提供高性能工具，我们消除了创新的障碍。客户现在可以利用我们优化的编译器和集成的机器学习能力，高效地从设计到部署。”MPLAB XC Pro 编译器此前通过付费许可层级提供，采用高级技术以缩小代码大小、降低内存占用、提升执行速度，并生成高效且架构优化的嵌入式应用代码。这些专业级能力使开发者能够简化Microchip 8位、16位和32位微控制器（MCU）及微处理器（MPU）产品线的嵌入式设计。MPLAB 机器学习开发套件模型构建器（MPLAB Machine Learning Development Suite Model Builder）是一款 MPLAB 或 Microsoft® Visual Studio® Code （VS Code®） 插件，用于生成优化的 AI 和物联网传感器识别代码，也免费提供。这使开发者能够构建和部署端到端嵌入式机器学习解决方案，并有助于在资源受限设备上高效部署边缘智能。通过提供 VS Code 的 MPLAB 机器学习，Microchip 进一步致力于满足开发者在他们选择的环境中的需求，提供更灵活、更易用的开发体验。免费开发工具的转变也延伸到了Microchip的MPLAB XC功能安全编译器。这些编译器获得TÜV SÜD认证，支持安全关键应用，帮助实现行业功能安全标准的合规，并在需要时提供认证文档和支持...
浏览次数：
22
2026/7/9 14:03:54
Abracon出ADID-R-0017和ADID-R-0018，这两款微型LTCC射频双工器支持同时868/915 MHz和2.4 GHz工作，采用超紧凑的1.6 x 0.8 x 0.6毫米（0603/1608）封装。它在sub-GHz 路径中插入损耗为 0.65 dB，在 2.4 GHz 仅有 0.4 dB，具有 >28 dB 的带间隔离，3 W 功率处理，低频端口对 2400–2500 MHz 的 35 dB 抑制，高频端口对 698–960 MHz 的抑制为 32 dB。配合Abracon的多频段天线、SP3T射频开关和TCXO，ADID-R-0017和ADID-R-0018非常适合亚马逊Sidewalk、Mioty、Wi-SUN、M-Bus、LoRaWAN、Sigfox和Z-Wave设计结合BLE，包括双频物联网传感器、智能电表、智能建筑网关、USB加密狗、资产追踪器、可穿戴医疗设备和小型无人机。具备特色同时实现亚GHz和2.4 GHz的操作超紧凑型：1.6 x 0.8 x 0.6 毫米超低插入损耗：<频段间0.65 dB高隔离率：典型的 >28 dB3瓦功率处理能力强带外衰减：>32 dB优点使用双频天线连接两台无线电即使是最微小的物联网设计也能兼容保持续航并延长电池寿命无误的干净带分离能承受满功率LoRa发射突发加速FCC、ETSI及监管认证应用亚马逊Sidewalk、Mioty、Wi-SUN和无线M-Bus。LoRa、LoRaWAN、Sigfox和Z-Wave无线模块亚GHz+2.4 GHz物联网传感器和网关智能电力、水和燃气表智能建筑与家庭自动化能源生成与储存免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行...
浏览次数：
20
2026/7/8 14:07:24
Ampleon宣布推出G1M3438P70C，一款全集成的70瓦GaN Doherty功率放大器模块，旨在满足5G大规模MIMO基站的高性能和集成需求。覆盖3.4 GHz至3.8 GHz频段，该模块结合了高射频性能与先进的偏置控制和监控能力，简化系统设计，同时实现高效率、高增益、线性性和可靠性。G1M3438P70C通过集成多尔蒂功率放大器与智能偏置控制集成电路，提供预配置且经过充分测试的PA解决方案，降低设计工作量，同时保持在不同工作条件下的稳定性能。模块核心是GaN Doherty架构，峰值输出功率约为48 dBm，典型的漏极效率约为48%，平均输出功率为39 dBm，同时全频段增益水平为30 dB。该设备支持最高400 MHz的宽瞬时带宽操作，展现出优异的增益平坦性和线性度，非常适合现代高PAR 5G信号和多载波运行。G1M3438P70C的一个关键区别在于其集成的偏置控制器，包含预配置的查找表和独立的数模转换器，以实现温度下的自主栅极电压调节。这使得模块能够在无需外部校准的情况下保持最佳偏置状态，显著降低系统复杂度，并确保在不同热环境中稳定运行。集成的温度传感器、监控功能和故障报告系统进一步提升了可靠性，实现了系统的实时感知和保护。该模块还通过50 Ω个输入输出匹配实现无缝系统集成，消除了对复杂外部匹配网络的需求。其紧凑的12毫米×8毫米LGA封装实现了高功率密度和高效的板级实现，支持大规模MIMO无线电单元的扩展需求。该G1M3438P70C设计用于实际部署，具备强劲的坚固性，包括在特定工作条件下承受高达10：1的负载不匹配条件，确保即使在动态射频环境中也能可靠运行。结合快速TDD门切换和基于I²C的可配置性，该模块为TDD和FDD系统架构提供了所需的灵活性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有...
浏览次数：
31
2026/7/8 13:59:29
Ampleon宣布推出B11G4450N91D，一款全集成的双节三级4.4–5.0 GHz多尔蒂MMIC驱动单元——专为GaN最终主导的宏无线电系列中的宏驱动级而设计，旨在为无线电架构师提供更清晰、更快速的线性线性路径。GaN理所当然地成为了宏观期末的默认选项。但驱动级——信号链中连接DSP和GaN输出的关键环节——决定了线性线性化的成败。一个噪声大、离散、难以匹配和特征化的驱动单元会在上游造成DPD的麻烦，限制期末考试的实际余裕。B11G4450N91D直接回应了这个问题。它基于LDMOS——Ampleon的遗留技术，在驱动功率水平下AM-AM和AM-PM特性上固有优势——带来了驱动级在GaN最终世界中所缺乏的线性纪律。这种线性优势因完全集成而更加突出：载波和峰值放大器、输入分流、输出合并和预匹配网络，全部集成在一个紧凑且特性良好的封装中。更少的离散组件，更简洁的PCB电路板，以及设备间一致的行为，使DPD模型训练更快、更可重复地跨生产批次。平均输出功率为35.4 dBm，增益29.4 dB，且在整个4.4–5.0 GHz频段拥有大瞬时带宽，B11G4450N91D为您的GaN终音单元提供了其额定的余量。独立的载波和峰值偏置控制在不同工作模式下提供了真正的调优灵活性，而10：1的VSWR稳健性和稳固的热管理确保了在5G宏部署持续高利用率需求下稳定的性能。特性：集成输入分配器集成输出合路器高线性设计用于大射频和瞬时带宽操作载波和峰值偏置的独立控制集成静电防电保护集成偏置栅开关源阻抗：50 Ω;高功率增益免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
20
2026/7/8 13:55:25
Vishay推出了四款全新40伏TrenchFET® Gen IV标准级n通道功率MOSFET，采用6.15毫米×5.15毫米PowerPAK® SO-8单封装。Vishay Siliconix SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP 和 SIR5408DP 优化了电机控制电路的噪声环境，结合了大于 2.5 V 的高门极-源阈值电压和 Qgd / Qgs 比值小于 1。它们满足特定应用的需求，SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP和SIR5408DP提供典型导通电阻值范围，范围从0.9毫瓦到2.5毫瓦（10 V），栅极电阻值从32.6 nC到82 nC。MOSFET均100%通过RG和UIS测试，符合RoHS标准，且不含卤素。设备规格如下图：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
17
2026/7/8 13:51:22
东芝电子元件宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET—— "TPM1R408RH"。 该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。TPM1R408RH与东芝现有的SOP Advance(N)封装相比，采用SOP Advance(E)封装，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。并且还提供支持开关电源电路设计的工具。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
33
2026/7/7 11:36:22
兆易创新GigaDevice宣布推出全新GD24CL系列I²C通信接口的EEPROM，首发容量为256Kb。该产品系列凭借优异的可靠性指标，高速接口以及全方位的安全防护机制，能够切实满足工业、电表、能源、数字基础设施等领域对关键配置信息长期、稳定保存的严苛需求。作为兆易创新推出的首款EEPROM产品，该系列的发布进一步完善了公司的非易失性存储产品线，并将为客户智能设备的稳健运行提供更具竞争力的存储解决方案。 GD24CL系列在设计之初便紧紧围绕高可靠性这一核心指标。产品擦写寿命高达400万次，是行业传统标准的4倍，能够轻松应对高频次参数改写的严苛挑战；数据保存时间长达100年，可确保归档数据的长效稳定性；芯片内置硬件级 ECC 纠错功能，可显著提升数据完整性与系统运行可靠性。该系列还支持 -40℃~125℃超宽工作温度范围，全面适配各类应用严苛的工作环境。为了适配多元化的系统通信需求，GD24CL 系列支持100KHz、400KHz及1MHz三档时钟频率，全面覆盖从低速传感设备到高速工业控制的各类应用。同时，产品支持字节级随机读写，尤其适用于频繁更新小批量参数的应用场景，在提升操作灵活性的同时，进一步优化了系统的数据写入效率。针对复杂工况下的系统安全风险，GD24CL 系列配备了完善的硬件安全防护机制，为关键数据资产提供多重保障。芯片内置WP（Write Protect）硬件写保护功能，能够有效拦截因系统异常、软件跑飞或恶意攻击导致的数据误写。此外，产品还特别内置附加写可锁页（Additional Write lockable Page），一旦锁定，核心数据信息将不可更改，从根本上杜绝数据篡改风险，在硬件层面筑牢数据安全防线。功耗控制方面，GD24CL系列也同样具备显著优势。产品支持1.7V至5.5V的宽电压工作范围，其待机电流...
浏览次数：
33
2026/7/7 11:28:33
Molex HSAutoLink G 连接器系统采用紧凑且符合 USCAR 标准的接口设计，提供高达 25Gbps 的多千兆以太网连接，因此非常适合应对高级驾驶辅助系统 (ADAS)、雷达、LiDAR、区域架构、沉浸式显示及中央计算模块日益增长的带宽需求。“随着汽车行业向软件定义汽车 (SDV) 转型，汽车制造商必须在确保最高水平的可靠连接的同时，克服重大的性能瓶颈。”Molex 互联移动系统 (CMS) 区域总经理 Min Kong 表示，“近二十年来，HSAutoLink 系列一直是汽车架构值得信赖的基石。基于这一传承，全新的 HSAutoLink G 系统将为 OEM 提供一条经过现场验证的升级路径，可提升供应链的灵活性和韧性，从而缩短产品上市周期。”Molex HSAutoLink G 连接器系统专为适配现有 USCAR 以太网接口设计，提供灵活且面向未来的产品设计，可在紧凑模块中减少空间占用和重量，同时简化系统集成与升级。先进的电磁干扰 (EMI) 屏蔽和受控差动阻抗设计，可在高密度环境中保障高速通信的信号完整性，有助于避免信号故障、验证延误及代价高昂的设计变更。此外，这款 Molex HSAutoLink 系列的最新力作还采用防残桩设计，在对配过程中保护触点，降低错误对配风险。贴合严苛的汽车行业验证标准，Molex 还增加了多个统一的接地触点，以增强 EMI 抑制能力，从而进一步提升性能可靠性。全新的 Molex HSAutoLink G 系列，包括端子、连接器、印刷电路板 (PCB) 端板及电缆，通过完全遵循行业标准的 USCAR 封装尺寸，为汽车整车厂 (OEM) 和一级供应商提供真正的采购可选性。这一标准化兼容性背后，有 Molex 全球制造布局和强大工程支持作为坚实后盾，并辅以大量真实环境模拟和可靠性测试，以确保产品在最为严苛的条件下实现性能优化。免责声...
浏览次数：
38
2026/7/7 11:24:19
Vishay推出了一款全新即用多匝绝对位置传感器，旨在在高强度环境中实现高精度和长期稳定性。Vishay Sfernice 34 PHE 采用非接触霍尔效应技术，实现线性度低至 ± 1%（全行程）、1°分辨率，寿命超过 1000 万次循环——全部采用直径 7/8 英寸（22.2 毫米）的机身。该位置传感器提供线性或旋转位移跟踪，10圈总电角度为3600°，价格比前一代设备低40%。结合其高精度和分辨率，使34 PHE成为伺服环运动控制系统中经济高效且具成本效益的解决方案。该装置将用于工业电机和执行器位移跟踪;用于太阳能电池板跟踪的线性执行器;流量控制阀定位;以及用于农业机械、铁路设备和船舶等应用的油门和踏板位置传感器。为了在恶劣环境中保持可靠运行，34 PHE具有IP65防护密封，能承受高达20克的高频振动和高达50克的冲击。集成的反向电压和过压输入保护（分别为-14伏直流和+28伏直流）通过消除对外部保护电路的需求降低成本。该设备可配置单一或双模拟比比法或数字（PWM）输出信号。双输出作为反向跟踪位置传感器工作，内置故障检测，提升安全性、可靠性和功能安全合规性。安装面上的集成定位销简化安装，同时防止旋转，提高校准精度和长期稳定性。作为“真正通电”设备，34 PHE在开机时立即报告位置，无需重新校准、重新定位或初始化程序——即使断电后也是如此。这进一步降低了成本，免除了电池备份的需求。该设备可根据最苛刻的需求进行定制，供电电压为5伏直流±10%，供电电流为<8.5毫安（单输出）。推荐的负载电阻为1 kΩ，适用于模拟和PWM输出。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
31
2026/7/3 15:55:42
英飞凌科技股份公司宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂，较原计划提前数月投产。该项目总投资达50亿欧元，是英飞凌历史上规模最大的单笔投资，也是德国近年来最大的投资项目之一，将新增1000个直接就业岗位。随着新工厂的投产，英飞凌在德累斯顿基地的产能将实现翻番，并形成全球最大的智能功率半导体和模拟/混合信号技术生产基地。新的Smart Power Fab通过全面推行数字化实现了生产效率的大幅提升，可根据市场需求将产能爬坡速度提升至以往的两倍。例如，工厂建筑及生产设备布局均通过数字孪生技术提前进行规划与优化。系统和工艺验证则借助人工智能算法完成。此外，德累斯顿工厂与英飞凌位于奥地利的菲拉赫工厂通过 “虚拟一体化工厂 (One Virtual Fab)”模式实现协同运作，使新工艺和新产品的认证速度较以往大幅提升。更快的产能爬坡能力使英飞凌能够更加高效、灵活地把握包括人工智能在内的新兴市场机遇。未来，德累斯顿生产的半导体将广泛应用于包括AI数据中心电源的高效供电的场景。同时，这些半导体还将服务于工业和汽车领域的众多应用，例如风能和太阳能发电系统以及软件定义汽车。其中一个典型应用是智能开关，它不仅能控制负载，还能实时监测电流运行状态。功率半导体与模拟/混合信号器件的协同作用，可实现更高能效和更智能化的系统解决方案， “智能功率晶圆厂”因此得名。英飞凌的Smart Power Fab还为可持续制造树立了新的行业标杆。先进的生产技术以及经过优化的能源与资源管理体系有助于降低能耗，进一步改善半导体生产的环境足迹。新工厂的制造系统无需使用天然气，并通过水处理技术和闭环水循环系统显著降低用水量。预计约90%的生产用水将实现循环利用，从而最多可回收利用约45%的能源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作...
浏览次数：
25
2026/7/3 15:51:51
Abracon的AMCV-SS系列高速多层芯片静电阻（MLCVs）提供紧凑且可靠的防静电放电（ESD）、电极速瞬变（EFT）及低至中等浪涌事件的保护。AMCV-SS系列专为当今敏感的高速低压电子设备设计，帮助保护电路免受电压瞬变的损害，同时不影响正常运行。这些MLCV提供0603到2220表面贴装封装，支持IEC 61000-4-5浪涌保护，峰值电流为8/20微秒，涵盖从9.0伏到150伏的广泛直流工作电压范围。宽广的工作温度范围，从−55°C到+125°C，确保在高要求的商业和工业应用中保持可靠性能。主要优势包括体积紧凑、响应迅速、电压覆盖范围宽且防浪涌能力强，使AMCV-SS系列成为空间受限设计中需要有效过压和静电防护的理想解决方案。具体型号信息：型号Max AC VoltageMax Varistor Voltage (Vᵦ)Min Varistor Voltage (Vᵦ)Typical Varistor Voltage (Vᵦ)Surge Current (A) @ 8/20µsEnergy Rating (J) @ 10/1000µsAMCV-SS06039.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 - 132.0 V11.0 - 108.0 V14.0 - 120.0 V20 - 120 AAMCV-SS08069.0 - 150 V6.4 - 115.0 V16.0 - 198.0 V11.0 - 162.0 V14.0 - 180.0 V60 - 600 AAMCV-SS12069.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 - 132.0 V12.0 - 108.0 V14.0 - 120.0 V150 - 500 AAMCV-SS12109.0 - 100 V6.4 - 75.0 V16.0 -...
浏览次数：
31
2026/7/3 15:44:49