半导体制造商ROHM宣布，开发出650V耐压第4代IGBT，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。应用示例车载电动压缩机车载HV加热器（PTC加热器，冷却液加热器）工业设备用变频器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/25 15:09:01
Vishay通过推出两款汽车级PIN光电二极管环境光传感器，扩展其光电子产品线，在恶劣环境中提供更强的光学精度和长期可靠性。AEC-Q102 通过认证，Vishay 半导体的 VEMD4210FX02 和 VEMD5525FX02 具有与人眼响应高度匹配的光谱灵敏度——峰值波长为 530 nm——且无红外（IR）波长凸起。发布的设备设计用于汽车应用，包括中央信息显示（CID）、抬头显示器（HUD）和雨光隧道（RLT）系统中的自动光控，以及工业设备的背光调光。通过消除光谱敏感曲线中的红外凸起，这些设备确保了在这些应用中能够精确测量可见光，且不受不必要的红外影响。此外，这些器件优越的角度特性确保了无论入射光线角度如何，都能保持稳定的光谱精度，从而实现一致且可靠的光测量性能。对于空间有限的应用，VEMD4210FX02提供典型的反向光电流0.014 μA，灵敏度范围从470 nm到610 nm，采用紧凑的0805封装，辐射灵敏面积仅为0.42 mm²。对于需要增强灵敏度的应用——尤其是在低光环境下——VEMD5525FX02提供0.11 μA的反向光电流和480 nm至590 nm的灵敏度范围，采用俯视QFN封装，具有较大的7.5毫米2辐射灵敏面积。两部分均配备可润色侧翼，便于光学焊点检测。该传感器符合RoHS标准，不含卤素，采用Vishay Green标准，具备符合J-STD-020标准的湿度敏感等级（MSL）4，地板寿命为72小时。该设备支持无铅（Pb）回流焊接，工作温度范围为-40°C至+110°C。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/24 11:08:47
意法半导体正式推出 VL53L9小型一体化直接飞行时间 3D 激光雷达模块，为高分辨率空间测距市场树立了一个新的产品标杆。该模块在小巧高性价比的封装中集成尖端技术，输出图像数据可直接用于微控制器(MCU)和高性能传感器上的低算力边缘 AI 系统，适合机器人、工业自动化、智能楼宇、AR/VR、医疗健康等各种应用。ST的FlightSense™ VL53L9可适用于许多行业，包括：– 机器人：提高自主导航的小目标检测、SLAM(同步定位建图) 和避障能力-工业自动化：准确地测量料罐和料仓内物体体积，提升运营效率与库存管理水平– 智能楼宇与智能家居：提供可靠的人体存在检测和人数统计功能，同时在保护用户隐私– 增强/虚拟现实及消费电子：高级手势识别、人体追踪和手指骨骼追踪，改进沉浸式交互体验– 健康医疗：跌倒检测和状态监测方案，适用于养老看护与病患安全保护提升3D感知的准确度和能效VL53L9可以测量2268个区位（54×42），视场角更是达到 54°×42°，可以捕捉3D 深度图细节，精准识别小物体、轮廓和边缘。该模块采用意法半导体自研堆叠式BSI SPAD传感器技术，搭配创新的超表面透镜（MOE），能够快速准确地测量测距，测量范围 5 厘米至 9 米，准确度1%，帧率100 帧/秒。提供边缘AI直接可用数据，集成化设计简化系统集成VL53L9摒弃传统点扫描技术，采用双扫描泛光照明光源，可以减少运动图像的伪影畸变，消除探测盲区，提升小物体的检测准确度，同时拍摄二维红外图像与三维深度图像。VL53L9大幅简化了数据后处理工作，让低算力小微控制器能够高效运行各类边缘 AI 应用。这款一体化模块还集成dToF处理单元与专用电源管理芯片，出厂前无需任何调校，进一步降低集成难度、系统成本和复杂度。紧凑封装VL53L9 是 一个12.8mm ×...
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2026/6/23 16:32:34
ROHM推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。ROHM始终在推进满足市场需求的电源IC开发工作。在这过程中诞生的升降压电源IC “BD83070GWL”，此次，作为更适用于尖端应用的解决方案，ROHM新开发并开始提供实现了超小型安装面积“BD83070GWL参考板”。“BD83070GWL”是一款升降压DC-DC转换器IC，其开发目标是成为通过小型电池等供电的电子设备的“低功耗环保器件的标杆”，实现了高达97%的效率和2.8μA的超低静态电流。此次开发的参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计,由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成，实现了12.87mm²（3.3×3.9mm）的超小型安装面积。因此，与采用普通升降压电源IC（包括内置线圈型）的配置相比，该参考板在安装面积方面具备显著优势。此外，作为参考设计，ROHM还公布了包括电路图案和物料清单（BOM）等在内的设计信息，这不仅便于客户评估使用，还能轻松扩展应用于客户的量产设计。＜应用示例＞・可穿戴设备（智能手表、智能戒指、生物感测设备等）・移动设备（AR/VR设备、智能手机等）・物联网设备（AI传感器节点、BLE设备、智能锁、小型无人机等）・小型电池供电设备（无线耳机、数字钥匙、电动牙刷等）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/23 16:29:57
法国的人工智能抱负正在加速。通过法国2030、2025年人工智能行动峰会以及今年的选择法国峰会，数十亿美元的投资承诺，进一步巩固了法国作为欧洲领先人工智能基础设施发展目的地之一的地位。作为这些努力的一部分，Mistral正在法国北部的Bruyères-le-Châtel市镇建设一座新的44兆瓦数据中心。Mistral的首次部署已在去年巴黎GTC大会上实现，已投入运行，配备18,000台NVIDIA GB200系统——为公司到2027年在欧洲实现200兆瓦计算容量的路线图奠定基础。NVIDIA Blackwell平台旨在帮助AI工厂在固定功率预算内最大化吞吐量，结合更高性能的每瓦硅片与提升数据中心吞吐量的软件特性，在电力受限环境中实现数据中心吞吐量。Mistral还与法国公共投资银行Bpifrance、人工智能公司以及先进科技投资公司MGX和NVIDIA合作，扩展Campus AI网络，该网络以计划建设的1.4吉瓦设施为核心，使其成为欧洲最大的人工智能园区之一。这一势头反映了法国人工智能基础设施投资的更广泛浪潮。欧洲公有云提供商Scaleway现提供NVIDIA Blackwell B300-SXM实例，为开发者和企业提供按需加速计算。公牛和富士康宣布将在欧洲生产NVIDIA Vera Rubin NVL72。系统将在富士康位于捷克共和国的工厂制造和初步测试，随后在法国昂热的公牛工厂组装、集成并进行全面验证。由八家法国领先企业组成的财团已提交投标，计划在法国设立欧洲人工智能超级工厂，以加强欧洲人工智能基础设施并加速人工智能的普及。与此同时，施耐德电气与英伟达合作，制定了千兆瓦级AI工厂的蓝图，帮助组织加速AI基础设施的部署。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请...
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2026/6/22 11:00:28
于德国慕尼黑当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决，法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外，法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害赔偿。此次判决标志着英诺赛科在相关系列诉讼中的第三次和第四次败诉，上述每项判决均认定英诺赛科的产品侵犯了英飞凌的专利。此前，德国及美国的法院和监管机构已多次裁定英诺赛科产品侵犯英飞凌的知识产权。其中包括2025年8月1日德国的初审裁决，以及2026年5月7日美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会裁定英诺赛科在氮化镓技术领域侵犯了英飞凌的一项专利。目前，围绕英飞凌其他专利的侵权诉讼程序仍在美国和德国持续推进中。氮化镓在实现高性能、高能效的功率系统中发挥着关键作用，广泛应用于可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动汽车（EV）等多个领域。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/22 10:55:55
继LRN65-20B系列超低纹波电源以优异性能获得市场高度认可后，金升阳正式推出全新LRN150-20Bxx系列150W超低纹波开关电源。其主要是基于金升阳自研精密供电技术架构，实现了平台化功率升级，可精准满足高端医疗、半导体测试、精密工业控制等领域中大功率精密负载的供电刚需。该系列具备的优势：超低纹波、高精度输出：突破大功率供电降噪难题，全电压、全负载工况下实现有效值0.3mV（Typ）、峰峰值1mV（Typ）超低纹波输出，从源头抑制供电杂波干扰，保障精密设备信号采集与检测数据精准稳定。电磁兼容能力：整机满足EMI CLASS B标准，传导余量15dB+、辐射余量10dB+，可适配复杂电磁工况，规避设备电磁干扰问题，保障系统长期可靠运行。高稳定、低干扰：浮地电压mV级别，极低漏电流＜75μA，有效抑制共模干扰，电位稳定、安全余量足，适配精密电子与测控设备。宽工况、强抗扰特性：支持85-264VAC/100-370VDC宽范围输入，可承受305Vac/5s高压冲击，工作温度覆盖-30℃ to +70℃，适配电网波动及高低温严苛场景，确保设备持续不间断工作。安全高效、功能灵活：搭载4000VAC高隔离防护，整机效率最高达89%，兼顾安全与节能。支持±10%电压可调、Sense远端补偿及远程遥控功能，可有效解决长线压降问题，适配各类自动化集成场景。体积小：相较行业同功率产品体积缩小20%，采用无风扇被动散热与半胶封金属结构，静音低故障、可靠性高。并且该系列通过1000小时双85老化、温度冲击测试；满足标准：设计满足EN62368、 医疗ES/EN60601、EN61558、EN60335、GB4943、半导体F47认证标准。常见应用主要有：1.仪器仪表2.精密的医疗器械3.音频处理等对纹波噪声敏感的需求行业免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行...
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2026/6/22 10:51:59
Vishay发布其新款IHDV高压功率电感系列的首四款设备（汽车级IHDV-0808AC-3A和IHDV-1008BB-3A，以及商用IHDV-0808AC-30和IHDV-1008BB-30），并且结合了180°C的持续高温运行和软饱和性能，应用于下一代汽车、能源和工业系统。专为需要1.5 kV隔离电压的设计设计，提供紧凑型0808（20毫米 x 14毫米 x 14毫米）和1008（25毫米 x 20毫米 x 23毫米）两种机壳尺寸。Vishay Dale器件采用了PET塑料线圈绝缘体，支持1.5 kV隔离电压。得益于粉末状铁合金芯，其软饱和行为使电感在负载下保持稳定，有效调节纹波电流，同时承受高达其热额电流五倍的瞬态涌入电流。对于高频滤波，IHDV器件提供的阻抗明显高于同尺寸的铁复合电感。0808型号在峰值频率80 MHz时阻抗为1 kΩ，而1008型号在25 MHz时提供2.8 kΩ阻抗——阻抗是同类电感器的三倍，频率为四倍。这些设备的典型应用包括车载充电器、电池充电电路、功率因数校正（PFC）和高压直流电池滤波。IHDV-0808AC-3A 和 IHDV-0808AC-30 提供紧凑的表面贴装封面，体积约为 1008 型号的三分之一，而较大尺寸的 IHDV-1008BB-3A 和 IHDV-1008BB-30 的优势在于其穿孔端子设计，在恶劣环境中提供最大机械强度。这四款设备均符合RoHS标准，无卤素且采用Vishay Green设计，均配备额外支撑销以增强抗冲击和抗震性能。此外，汽车用IHDV-0808AC-3A和IHDV-1008BB-3A也获得了AEC-Q200认证。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/22 10:46:18
瑞萨电子宣布，瑞萨旗下子公司已完成对总部位于加利福尼亚奥克兰的软件开发商Pictorus的收购。通过收购Pictorus，瑞萨获得了基于云的行为建模平台，加速嵌入式系统开发，将工程体验从点工具之外，提供基于模型的系统设计的互联平台。此次收购将提升瑞萨365的价值，瑞萨新发布的平台统一了电子系统开发从发现到开发及生命周期管理的环节。它将使工程师能够可视化地设计、表达和模拟系统行为和意图，加快应用开发周期。作为云原生平台，它将有助于确保完整的数字线索，实现从系统建模到软件实施再到设备部署的数字连续性。这使瑞萨更接近实现其数字化愿景：通过与Altium共同创建电子系统设计与生命周期管理平台，使电子设计面向更广泛的市场，促进更多创新。在汽车、机器人和工业设备领域，软件定义解决方案正迅速发展，使得系统早期验证和开发速度成为关键的竞争优势。这使得收购的时机极为有利。将Pictorus整合进Renesas 365，通过支持设计约束和系统行为优化的先进系统工程，使开发更快、更易接近。工程师可以通过在网页浏览器中绘制框图，描述设备应有的行为，从而可视化地设计系统行为。编写代码不再必要，因为Pictorus会自动将图解转换为真实的可执行嵌入式软件，这些软件用坚固、内存安全的Rust生成，支持C/C++和Python互操作性。这些能力使开发更快更高效，加快了上市时间。“结合现有架构建模能力与行为建模和仿真，推动了雷萨365系统设计的发展，”雷萨研发与数字产业副总裁、软件与数字化副总裁Leigh Gawne表示。“此外，Pictorus的技术将通过快速的虚拟原型设计和代码生成推动进一步的左转，加速探索与评估，实现更快、更优的设备选择，”他补充道。Pictorus 由拥有数十年开发高端环境车辆软件经验的工程师创立，其起源于一个普遍的挫败感：构建生产级嵌入式系统需要过多分散的工具和工作流程。Picto...
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2026/6/18 14:26:49
Coherent近期在德克萨斯州舍曼市为一座扩建的制造大楼举行了奠基仪式。该公司制造激光、光学元件和化合物半导体，这些设备用于连接人工智能系统——并运营着其称之为全球首个6英寸磷化铟晶圆厂的工厂。英伟达创始人兼首席执行官黄仁森和Coherent首席执行官吉姆·安德森出席了仪式，谢尔曼市长肖恩·特曼和德克萨斯经济发展与旅游执行董事阿德里安娜·克鲁兹也发表了致辞。扩建后的建筑将扩大生产与芯片、服务器和数据中心之间以光速传输数据的InP晶圆——现代人工智能基础设施的光学骨干。这正是将承诺转化为建设的里程碑：是美国先进半导体制造扩展的具体一步。“人工智能是终极通用技术，”黄在奠基仪式上与安德森的对话中说。“因为智能是根本的——处理信息、推理和解决问题的能力——它影响着每一个行业。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/18 14:15:23
Vishay扩展其第7代1200伏FRED Pt®超快整流器平台，新增六款eSMP®系列SMPC高压封装设备。1A、2A和3A整流器针对工业、汽车和能源应用进行了优化，不仅在同类器件中提供了反向恢复电荷（Qrr）和正向电压降的最佳权衡，还提供了最低的结电容和恢复时间。整流器包括VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V和VS-E7SX0312-M3V，以及符合AEC-Q101认证的VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V和VS-E7SX0312HM3V。为减少开关损耗并提高效率，这些器件结合了50纳秒的快速恢复时间，Qrr降至典型105 nC，正向电压降降至1.45 V，结电容降至7.25 pF。坚固的整流器在紧凑的封装中提供最高70安培的非重复峰值浪涌电流，封装尺寸为4.3毫米×6.5毫米，外形低为1.1毫米，与TO-277A的封装兼容。结合最小5.4毫米的爬行距离和比较跟踪指数（CTI）≥600（材料组I）的成型复合材料，这些设备根据IEC 60664-1高压应用要求，减少元件数量并降低物料清单成本。VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V、VS-E7SX0312-M3V、VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V和VS-E7SX0312HM3V将作为夹持、缓冲和自由轮二极管，用于回扫辅助电源和高频整流器，实现自举驱动功能，同时为最新的快速开关IGBT（晶体开关）和高压硅/硅碳MOSFET提供去饱和保护。这些设备的典型应用包括工业驱动和工具、电动汽车（EV）的车载充电器和电机、能源发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LEDSEPIC电路。整流器采用平面结构和铂摻杂的寿命控制，保证系统可靠性和稳健性，同时优化的储存电荷和低恢复电流可最大限度减少开关损耗并降低...
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2026/6/17 11:17:48
近期，瑞萨电子宣布已将连接技术团队正式并入嵌入式处理器事业部。通过将连接技术与嵌入式处理器团队整合至同一组织架构，瑞萨得以提供完整且协同的平台——融合计算、无线连接、安全、开发工具及长期产品支持于一体。最新推出的 RA6W1 和 RA6W2 无线 MCU，便是这一理念的结晶。RA6W1 双频 Wi-Fi 6 MCU 与 RA6W2 Wi-Fi 6 +低功耗蓝牙（Bluetooth LE）组合 MCU，彰显了瑞萨通过战略收购所凝聚的三种技术合力：瑞萨坚实的 RA MCU 架构（基于 Arm® Cortex® 内核），在灵活配置软件包（FSP）生态中提供丰富外设。Dialog Semiconductor 技术专长，带来超低功耗蓝牙解决方案。Celeno 的技术积淀，在高性能、Wi-Fi 领域拥有深厚传承。在全新的 RA6W1 与 RA6W2 MCU 中，这些技术已深度融合为同一产品系列，单颗芯片即可提供双频 Wi-Fi 6、可选集成低功耗蓝牙、强大的安全机制以及可运行的应用程序。设计者可借此打造无需外部主 MCU 的高性价比独立 IoT 终端，亦可将 RA6W1/2 作为连接“伴侣”，搭配更高性能的主处理器。无论选择哪种方式，设计者都能依托统一的 RA 生态，共享通用工具、软件及支持服务。例如，智能恒温器和智能锁需持续联网以实现远程控制与监测，但却常受限于功耗预算。借助 RA6W1 与 RA6W2，设计者可利用 Wi-Fi 6 的目标唤醒时间（TWT） 和“睡眠连接”模式——让设备在保持联网的同时，睡眠状态功耗可低至 200nA，在 Wi-Fi 节能模式 DTIM10 下功耗亦可低于 50μA。在工业领域，电机控制企业可利用 RA6W1/2 将现场部署控制器的运行数据上传至云端，实现预测性维护与空中下载（OTA）固件更新。他们无需因引入各类第三方无线电模块而...
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2026/6/16 14:37:32
ROHM推出600V耐压超级结MOSFET新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 × 2.3mm）两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压（VGS(th)）设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。R60xxXNx系列新增信号主要有：R6020XNJ3、R6022XNJ3、R6027XNJ3、R6038XNJ3、R6049XNJ3、R6061XNJ3、R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6038XNX3、R6020XNX、R6027XNX、R6038XNX、R6049XNX、R6061XNX、R6038XNZ4、R6061XNZ4、R6086XNZ4、R60A4XNZ4R60xxWNx系列新增信号主要有：R6055WNZ4、R6077WNZ4、R6024WNJ2、R6035WNJ2、R6024WNJ3、R6035WNJ3、R6055WNJ3、R6059WNJ3免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/16 14:33:30
安森美onsemi推出GaNEXUS™氮化镓功率产品组合，首批样品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该产品组合适用于对电力需求高的应用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器人与工业自动化，以及能源基础设施等。与传统硅基方案相比，GaNEXUS通过实现更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，有效应对上述挑战。这些优势帮助客户能够在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器人及工业电源系统等应用设计中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同时提升整体系统能效与响应速度，并降低系统成本。GaNEXUS旨在优化现代电源系统中的电能转换与电源管理。将GaNEXUS与安森美的Treo平台（集成感知、控制、保护及电源管理）配合使用时，可提供完整的系统级电源解决方案，实现更智能、更可靠、更稳健的系统表现。这种系统级方案有助于客户简化整个电力传输链的设计复杂性，加速开发与认证速度，降低散热与冷却需求，并优化性能。在包括AI服务器48V中间母线转换器（IBC）、电池备用单元（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可实现：磁性元件尺寸缩小约30%–60%功率密度提升约1.5–2倍能效提升约0.5%–2%（取决于拓扑结构）降低开关损耗，改善热性能与控制稳定性在AI电源机架、高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级等高压应用中，GaNEXUS可实现：在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度提升约1.5–2倍能效提升约0.5%–1%，在规模化部署时显著优化热性能并改善运营成本更低损耗可减轻紧凑型高功率系统中的热应力GaNEXUS Smart降低系统风险，简化功率级设计，从而加快认证速度并提升可靠性GaNEXUS器件采用增强散热的封装，...
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2026/6/15 14:14:58
安森美onsemi宣布率先在业界推出在线设计工具Elite Pairing Studio，使工程师能够突破传统器件级选型方式，根据特定应用需求快速确定推荐的SiC MOSFET与栅极驱动器配对组合。该交互式工具简化了配对行为与权衡取舍的评估，有助于加速电力电子设计的开发进程，同时作为安森美更广泛工具集的入口，用于进行系统级的性能和能效分析。工作原理这一基于云端的环境为工程师提供了在安森美官网（onsemi.com）上的安全、专属的工作区，他们可基于输入参数，通过直观流程探索不同器件配对方案。该工具基于行业标准公式及真实应用性能计算，对所选SiC MOSFET与多种栅极驱动器组合进行分析，其评估逻辑对用户清晰可见且可追溯。通过Elite Pairing Studio，工程师可检查每种配对的关键指标，包括：开关时序栅极电压与电流（V/I）波形相对于器件额定值的电压过冲裕量开通与关断等开关能量损耗这些洞察使工程师能够对比与应用相关的配对权衡，并提前了解影响电磁干扰（EMI）及可靠性裕量的因素。结果通过交互式波形查看器呈现，使工程师在设计进入全面系统级仿真前就能做出更明智的配对决策。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/15 14:09:36
金升阳正式推出LO10-13BxxS系列经济型开板电源，以“更优成本、同等可靠”为设计理念，为工业控制、智能设备、仪器仪表等应用提供轻量化、低成本的稳定供电解决方案。LO10-13BxxS系列具备 85–305VAC/100–430VDC超宽输入与 -25℃ to +70℃ 工业级宽温工作范围，可从容应对电网波动与严苛环境工况；同时裸机满足EMI CLASS B、EFT ±4kV，ESD 接触±8kV/空气±15kV、Surge 线对线±1KV 及3000VAC高隔离耐压要求，兼具小体积、高功率密度、同规格兼容替换等优势，安全稳定、适配性强，广泛适用于工业、办公及民用等场景。LO10-13BxxS系列优势1. 经济型设计降低成本10W 经济型定位，在确保工业级可靠性的基础上优化方案，有效降低客户整机物料成本，实现性能与投入的最佳平衡。2. 体型紧凑易集成采用60×42×18.8mm 紧凑开板结构，尺寸兼容行业主流2.5*1.8inch规格，高功率密度设计可显著节省设备内部空间；支持 PCB 插装/焊接，自带安装锁孔，安装牢固、适配便捷、有效降低适配成本，助力设备小型化设计。3. 宽压宽温支持85–305VAC/100–430VDC全球通用宽压输入，工作温度覆盖- 25℃ to +70℃，可从容应对电网波动与高低温严苛工况，保障设备长期稳定运行，降低环境因素引发的售后故障与维护成本。4. 多重防护加持该系列裸机满足EMI CLASS B等级、EFT ±4kV、ESD 接触 ±8kV / 空气 ±15kV、Surge 线对线±1KV、可承受3000VAC高隔离耐压，在复杂电磁环境下仍可稳定工作，有效降低设备误动作与故障风险。因此，LO10-13BxxS系列的内置EMI设计，能够有...
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2026/6/15 14:06:14
英飞凌科技股份公司与西门子股份公司（以下简称西门子）开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅（SiC）功率模块，用于西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器。这将提升西门子断路器保护解决方案的效率、功率密度和可靠性。AI数据中心与工厂的电气化、复杂化程度不断加深，电气故障风险也随之上升，市场也愈发需要更高效、可靠、可持续的配电系统。我们自身的碳化硅技术与西门子在配电领域的技术专长相结合，正好可以满足这一需求，确保其在关键电力应用环境中快速、安全与可靠运行。”英飞凌科技执行副总裁兼工业与基础设施业务首席销售官Andreas Weisl表示。半导体断路器（又称固态断路器）是一种保护电路免受过流（例如短路或过载）损坏的电子装置。传统机电式断路器依赖机械部件切断电流，分断速度通常为毫秒级；与此不同，西门子SENTRON 3QD2采用半导体元器件和智能保护算法实现保护功能，可实现微秒级的超高速分断，速度可比传统系统快1000倍。这一能力对直流（DC）电网至关重要，可显著提升保护效果与系统可用性，在工业制造和AI数据中心这类场景中尤为关键：一旦发生电力故障，哪怕是非常微小的分断延迟都可能造成高额的停机损失、数据丢失或昂贵的硬件损坏。此次合作聚焦关键电力应用日益增长的需求，这类应用场景中，速度、精度和可靠性至关重要。通过将英飞凌的 62 mm 1200 V CoolSiC™ MOSFET 模块集成到西门子的保护方案中，双方正合力打造更有韧性、更高效率、更适配未来发展的电力基础设施。同时该联合方案也将支持直流电网和高度电气化环境的普及，助力工业及基础设施运营商满足不断提升的性能和可靠性要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及...
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2026/6/15 13:49:40
Microchip 宣布，其位于法国南特的工厂已扩大其合格制造商名单（QML）MIL-PRF-38535认证范围，纳入QML的Y类，进一步彰显了公司致力于为航空航天和国防应用提供高可靠性半导体解决方案的承诺。南特站点将认证范围从QML的V类和Q类扩展到现在包括Y类。自1999年以来，Microchip南特基地一直保持QML认证，涵盖Q级和V类，支持最严苛的太空和国防任务需求。Y类认证的加入提升了设施能力，涵盖更多封装技术，包括非密封解决方案，实现更高集成度。凭借Y类认证，南特工厂加强了Microchip在欧洲高可靠性器件制造的布局。该厂区还持有ESCC QML和AS9100：2018认证，使其成为Microchip在航空航天和国防解决方案领域最具资质的制造基地之一。公司位于南特的设施配备了支持PIC64高性能航天计算（PIC64-HPSC）的资格认证和测试设备，这是一系列64位微处理器（MPU），具有耐辐射和耐辐射能力，适用于航天探索应用。这一能力提升了Microchip满足客户在恶劣操作环境中电气测试、鉴定和长期任务保障不断变化的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/6/15 13:44:13