TDK公司宣布，TDK将在美国开始为多款苹果产品制造先进传感器。该举措建立在与苹果超过30年的合作基础上，将使两家公司通过日美合作强化其先进传感器制造能力，并通过在美国工厂生产，促进更可靠的传感器供应链。在苹果当前的美国制造计划计划背景下，这是日本公司首次在美国为苹果生产零部件。TDK不仅与苹果合作开发下一代传感器以增强移动功能，还开发了电子元件和可充电电池等多种设备。苹果首席运营官Sabih Khan表示：“TDK是长期合作伙伴，我们很高兴他们加入了我们的美国制造项目。”“苹果致力于与供应商合作——比如TDK——在美国制造更多产品，这一举措再次强有力地展示了当我们投资先进美国制造业时，能够共同取得多大成就。”谈及双方合作，TDK总裁兼CEO斋藤昇评论道：“基于与苹果长达十年的合作关系，当苹果询问我们在美国还能做些什么，超越现有关系时，TDK将此视为进一步发展关系的机会，以全新方式发展。我们非常自豪能与苹果合作，加速美国制造业。我们与他们一样致力于在美国做更多工作，我们的团队也与他们在美国的团队并肩工作。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/30 10:46:44
金升阳SE系列是专为应对传统接触器在体积、功耗与成本三大核心痛点而推出的一站式电源控制解决方案。SE系列搭载自研IC芯片，集成宽电压输入、节能控制与高兼容性设计，全面适配E/D系列等主流接触器壳架，满足9A至95A电流规格需求。严格遵循GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准，品质有保障。因此被广泛适用于工业自动化领域，可用于对小体积、低成本和低功耗等方面有严格要求的用电场景，如行吊起重设备、电梯控制系统及部分交流配电系统（如电加热、照明控制）等。SE系列特点成本优化 高兼容性1.支持单线圈无短路环设计替代双线圈方案，降低物料成本50%；2.支持铜包铝线圈方案，应对贵金属价格波动，灵活控制成本；3.宽电压输入（24-60V、90-275V等）,适配全球电网标准。体积小巧 静音节能1.较同类产品体积减小50%，轻松适配空间受限场景；2.灵活调配线圈电流，有效实现噪音抑制；3.视在功率低至5.5VA，节能降耗可达90%。高可靠性 安全护航1.智能IC驱动，抗晃电能力强，防止脱扣；2.内置EMC/浪涌防护，保护功能齐全;3.无电解电容设计,显著延长电气寿命。应用场景1、空间狭窄场景因为体积小巧，安装灵活，因此可以有效覆盖9-95A电流规格接触器产品，应用范围广。可用于自动化生产线等高频率操作的需求，减少异常停机所造成的经济损失。2、电网波动大地区接触器搭载金升阳宽压节能专用模块后，可显著提升宽电压范围输入和抗晃电能力，能有效应对电压暂降，保障关键设备连续运行。可用于优化煤矿行吊设备供电，关键配电回路不脱扣，提升电力系统的可靠性。3、噪声敏感场所SE系列能通过电子控制线圈的方式，可显著降低接触器的运行噪音，改善在办公、医疗、住宅等邻近区域造成的噪声污染。可用于智慧照明设备电源通断、智能家居中的大功率电器（如中央空调、热水器）控制等场景，显著提升生...
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2026/3/27 10:59:38
德州仪器 (TI) 新发布新型隔离式电源模块，帮助从数据中心到电动汽车 (EV) 等众多应用领域提升功率密度、效率和安全性。UCC34141-Q1 和 UCC33420 隔离式电源模块采用 TI 的 IsoShieldTM 技术，这种专有的多芯片封装解决方案在隔离式电源设计中，功率密度比分立式解决方案高出多达三倍。TI 高压产品副总裁兼总经理 Kannan Soundarapandian 表示，“封装创新正在革新电源行业，而电源模块正处于这场变革的前沿，”“TI 的新型 IsoShield TM 技术满足了电源工程师最迫切的需求：更小巧的解决方案，兼具更高的效率和可靠性，以及更快的上市速度。这再次体现了 TI 致力于推进功率半导体技术发展，以帮助解决当今工程挑战的决心。”TI 封装技术重新定义功率密度长期以来，电源设计人员一直采用电源模块来节省宝贵的电路板空间并简化设计流程。随着芯片尺寸接近物理极限，小型化也变得日益重要，封装技术的进步正在进一步推动性能和效率的提升。TI 的新 IsoShield TM 技术将高性能平面变压器与隔离式功率级封装于一体，提供功能、基础和增强隔离功能。它支持分布式电源架构，通过避免单点故障帮助制造商满足功能安全要求。封装技术的进步可使得解决方案尺寸缩小多达 70%，同时提供高达 2W 的功率，从而为需要增强隔离的汽车、工业和数据中心应用提供紧凑、高性能和可靠的设计。通过电源创新提升数据中心和电动汽车性能在当今不断发展的数据中心和汽车设计中，功率密度创新至关重要。满足这些应用的设计要求始于先进的模拟半导体，这些元件能够实现更智能、更高效的运行。随着全球数据中心不断扩展以满足指数级增长的需求，高性能电源模块必须在更小的空间内集成更多功率。借助 TI 的 IsoShield TM 封装技术，设计人员可以在紧凑的尺寸下实现更高的功率密度，从而确保全球...
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2026/3/26 13:44:46
Vishay推出了一款新型紧凑型、即用线性位置传感器，旨在高精度性能下满足高要求环境。Vishay Sfernice 40 LHE采用非接触霍尔效应技术，实现线性精度低至±1%（全行程），分辨率12微米，寿命超过1000万次——所有设计均采用节省空间的35毫米×14.5毫米×28毫米。前一代设备可提供最高10毫米的电行程，而40 LHE将此功能扩展至40毫米。结合其高精度和分辨率，该设备非常适合需要小位移监测的伺服环运动控制系统，如基础设施完整性监测（“桥梁和建筑中的裂缝计”）、数字农业（树轮计）、在线过程测量、工业自动化系统中的机器人抓钳以及医疗机器人抓钳。该传感器还将应用于电动自行车和摩托车、铁路设备与船舶以及农业机械的节气门和踏板位置传感器。为了在恶劣环境中可靠运行，40 LHE采用IP67密封保护，能承受高达20克的高频振动和高达50克的冲击。集成的反向电压和过压输入保护（分别为-10伏直流和+20伏直流）通过消除外部保护电路降低成本。该设备易于灵活集成自动化系统，提供模拟比例法或数字（PWM）输出信号，并配备多功能的“双面”固定孔，可水平或垂直安装。作为“真正通电”设备，40 LHE在开机时立即报告位置，无需重新校准、重新定位或初始化程序——即使断电后也是如此。这进一步降低成本，无需电池备份。该设备提供弹簧回位选项，并可根据要求定制以满足最严苛的需求，RoHS标准供电电压为5伏直流±10%，典型供电电流为16毫安。推荐的负载电阻为模拟和PWM输出均为1 kΩ。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/26 13:39:37
英飞凌科技与全球固态变压器（SST）解决方案DG Matrix达成合作，共同提升电力转换效率，助力AI数据中心和工业电力应用接入公共电网。本次合作中，DG Matrix将采用英飞凌最新一代碳化硅（SiC）技术，应用于其Interport™多端口固态变压器平台。这将加强DG Matrix的半导体供应链，提高其SST系统的效率、功率密度和可靠性，相关系统已在全球范围内部署应用。 英飞凌科技高级副总裁兼工业与基础设施业务首席营销官Andreas Weisl表示：“AI数据中心和新一代电气化系统需要在不影响可靠性的前提下达到更高的效率和功率密度。借助英飞凌领先SiC功率半导体所实现的固态技术，能够实现这种更高级别的性能和价值。因此，我们很高兴能为DG Matrix提供最新一代SiC技术，助力其构建可扩展的高性能电力基础设施。DG Matrix的多端口固态变压器架构，为电力转换提供了创新的方案。”固态变压器是一种基于半导体技术的先进电力转换设备，可替代传统的铜铁变压器。其优势在于更高的效率、大幅提升的功率密度（体积更小、重量更轻）并且具有更高的可扩展性。与传统变压器相比，固态变压器体积可缩小至前者的1/14，重量可减轻至其1/401，部署速度也大幅提升。作为一项面向未来的核心技术，固态变压器能够连接公共电网与AI数据中心等高能耗应用与工业应用，并实现对电压、电能质量和能量流的主动控制。它可将电网提供的中压电直接转化为AI数据中心、电动汽车（EV）充电基础设施、可再生能源系统及工业微电网等应用所需的低压电。英飞凌预计未来五年全球面向固态变压器的半导体市场规模有望达到10亿美元。DG Matrix首席执行官、联合创始人Haroon Inam表示：“我们的多端口架构可充分发挥SiC的性能潜力。英飞凌最新一代SiC器件加强了我们的供应链，提升了我们Interport™平台的效率、功率密度和可...
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2026/3/26 13:37:55
Microchip Technology宣布推出AEC-Q100二级认证、SAM9X75D5M系统封装（SiP），配备Arm926EJ-S™处理器和512 Mbit DDR2 SDRAM。该SAM9X75D5M支持最大10英寸的大屏幕尺寸和XGA分辨率，分辨率为1024×768像素。该SAM9X75D5M属于Microchip的混合MCU家族，使用户能够利用微处理器（MPU）的先进处理能力，同时访问嵌入式更高内存密度，同时保持基于MCU设计的熟悉开发环境，并可选择使用实时操作系统（RTOS）进行开发。该混合MCU SiP专为数字座舱集群、二轮和三轮车智能集群、暖通空调控制、电动车充电器等汽车应用量身定制SAM9X75D5M，通过将MPU和内存集成于一体，简化了开发流程。该设备为汽车显示器提供了充足的缓冲空间，并提供灵活的显示接口选项，包括MIPI®显示串行接口（DSI®）、低电压差差信号（LVDS）和并行RGB数据。通过简化的PCB布局，SAM9X75D5M可以降低布线复杂性，最大限度降低离散DRAM采购风险，并设计以支持长期可用性和可靠性。作为混合MCU，其架构旨在平衡成本、性能和能效，为从传统微控制器（MCU）向MPU过渡到MPU的应用提供迁移路径，以满足更高的性能和内存需求。通过将DDR2内存直接集成到封装中，SAM9X75D5M帮助设计师免受历来影响分立DDR内存市场的波动性和供电限制。这种单芯片解决方案比离散DDR内存更具可预测性，有助于消除采购独立内存组件的挑战。Microchip SAM9X75D5M产品重新定义了汽车级解决方案的标准，将高性能处理器与内存集成于一体，并将 SiP 的优势带入汽车市场，Microchip Technology MPU 业务单元企业副总裁 Rod Drake 表示。“SiP的一个优点是它提供了比传统M...
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2026/3/25 9:56:04
德州仪器 (TI)近期推出完整的 800V 直流 (DC) 电源架构，该架构基于 NVIDIA 800 VDC 参考设计，用于下一代 AI数据中心。TI 高压电源副总裁兼总经理 Kannan Soundarapandian 表示：“ AI 算力的指数级增长，正推动数据中心供电方式发生根本性变革。我们推出的这款 800 VDC 架构是一项具有重要意义的突破，它不仅能帮助数据中心运营商应对当前的电力挑战，更能为未来的 AI 工作负载需求做好准备。通过与 NVIDIA 的合作，我们正加速推动高效、可靠的 AI 基础设施部署。”解决 AI 基础设施中的关键电力问题随着 AI 工作负载的激增，数据中心的电力需求达到了前所未有的水平，传统的配电架构正接近其极限。TI 的 800VDC 架构通过在整个电力路径上最大限度地提高转换效率和功率密度来应对这些挑战，简化了配电架构，并使 AI 数据中心能够实现更高可扩展性和可靠性。TI 这一突破性方案仅需要两个功率转换级，即可将 800V 转换为 GPU 核心电源：首先通过高峰值效率的紧凑型 800V 至 6V 隔离式母线转换器，其后再通过高电流密度的 6V 至 1V 以下多相降压解决方案。这种简化架构符合 NVIDIA 的参考设计要求。完整的电源解决方案TI 将在 NVIDIA GTC 上展示全面的 800 VDC 电源架构解决方案，其中包含了多个具有行业领先规格的突破性参考设计：800V 热插拔控制器：可扩展的热插拔解决方案，用于 800V 电源轨的输入电源保护。800V 至 6V 直流/直流转换器：高密度解决方案，集成了 GaN 功率级，峰值效率可达 97.6%，功率密度超过 2000W/in3，适用于计算托盘应用。6V 至 1V 以下多相降压转换器：GPU 内核的高电流解决方案，功率密度远超 12V 设计，并具有双相功率级设计。除此之外，...
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2026/3/23 11:07:33
英飞凌科技近日宣布进一步扩大与NVIDIA（又称：英伟达）的合作，推进物理 AI系统架构的发展，重点聚焦人形机器人领域。双方将基于 2025 年 8 月宣布的合作继续深化合作，结合英飞凌在电机控制、微控制器、电源管理系统及安全领域的优势，以及 NVIDIA 的 AI、机器人和仿真平台，共同助力生态系统设计并推动人形机器人的部署。此外，英飞凌还将加入 NVIDIA Halos AI 系统检测实验室，共同研究设计可靠的软硬件安全基础，确保机器人在现实世界环境中能够安全、可靠地运行。人形机器人作为高度复杂的系统，必须在为人类设计的工作环境中实时感知周围环境、做出快速决策，并安全地执行任务。这一目标的实现高度依赖于一系列由半导体支撑的功能链条：感知、处理、执行、连接及能源管理。英飞凌将其半导体解决方案引入 NVIDIA 的仿真和机器人平台，共同加速实现人形机器人安全、可靠的“感知-思考-执行”这一功能链路，从而推动其更快地从实验室试验阶段走向大规模商业部署。本次合作的重点之一是在数字孪生（Digital Twins）模型中采用了英飞凌的智能执行器及特定传感器。这些虚拟模型将被部署在开放式机器人学习与仿真框架NVIDIA Isaac Sim 和 NVIDIA Isaac Lab中，让开发者能够在生产或集成硬件之前，即可在仿真环境中对机器人的运动控制与感知功能执行测试和优化。通过在开发周期的早期阶段提前锁定并解决潜在问题，客户能够缩短人形机器人的上市时间，并降低集成风险，这一点广泛适用于各种应用，包括用于物流和生产制造领域的人形机器人以及服务型机器人。基于现有的合作，英飞凌和 NVIDIA 将共同致力于开发人形机器人的通用系统架构，旨在实现超低延迟以及外形尺寸更加紧凑的设计，并提高功率密度。英飞凌将提供由 NVIDIA Holoscan Sensor Bridge 驱动的电机控制解决方...
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2026/3/23 11:03:01
瑞萨电子宣布推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wave LLC, HWLLC）平台及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，进一步扩展其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器解决方案组合。该平台支持500W及以上功率输出，可广泛应用于物联网、工业及基础设施系统。全新的HWLLC转换器拓扑结构将超高效、紧凑型电源架构从100W级设计扩展至500W级，为电动工具、电动自行车等设备打造新一代高速充电器，同时有效规避传统拓扑结构在体积、发热和效率方面的局限性。其中，核心产品RRW11011是一款集成交错式功率因数校正（PFC）与HWLLC的组合控制器，专为实现高功率密度与高效率而设计。其采用的移相控制PFC技术可有效消除纹波、减小元件尺寸并降低成本，同时提升电流均衡能力和系统稳健性。该组合控制器使设计人员能在满足USB扩展功率范围（EPR）及其它可变负载充电系统所需宽输出范围（5V至48V）的同时，有效降低工作温度。新方案还包含RRW30120 USB功率传输（USB PD）协议和闭环控制器（支持最高240W USB功率传输）、RRW40120半桥GaN栅极驱动器，以及RRW43110智能同步整流控制器。在240W USB EPR电源适配器设计中，该方案实现了高达3W/cc的功率密度和96.5%的峰值效率。HWLLC技术高达500W的宽功率范围，使其能够覆盖更广泛的充电应用市场，包括大尺寸电视显示器、吸尘器、电动工具、户外工业照明，以及部分医疗设备等高功率家电。基于HWLLC的新型AC/DC拓扑结构，还有助于设计人员突破100W USB-C充电设备的局限，转向采用240W USB EPR充电技术，从而显著缩小智能手机、笔记本电脑及众多游戏系统中专属“板砖”式充电器的体积。瑞萨的紧凑型高功率快充技术近期已被贝尔金（B...
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2026/3/23 10:57:44
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出业界首款采用耗尽型（d-mode）氮化镓（GaN）技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能（AI）数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。单级拓扑结构：提升效率，减少元件数量目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅（SiC）开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此，功率转换必须分阶段进行，并使用多个开关桥接电路。例如，典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换，随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展，但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关，导致开关数量增加四倍，整体效率降低。双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能，仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例，仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案，可省去中间的直流链路电容器，并将开关数量减半。此外，GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷，可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中，这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关，其功率效率可超过97.5%。兼具强劲性能与可靠性，兼容硅基驱动器瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证，其基于专有的常关断技术，具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压（3V）、高栅极耐压裕量（±...
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2026/3/23 10:47:38
Microchip Technology宣布其BZPACK mSiC®功率模块，旨在满足严格的高湿度高压高温反向偏置（HV-H3TRB）标准。BZPACK模块能够提供卓越的可靠性，简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统集成选项。提供多种拓扑配置，包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置，为设计者提供优化性能、成本和系统架构的灵活性。经过测试，BZPACK mSiC功率模块符合超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业和可再生能源应用的部署提供了信心。采用比较跟踪指数（CTI）600伏外壳，稳定的Rds（on）在温度范围内，以及铝氧化物（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）等基材选项，这些模块提供了卓越的绝缘、热管理和长期耐用性。Microchip高功率解决方案业务部门副总裁Clayton Pillion表示：“我们BZPACK mSiC功率模块的发布，强化了Microchip为最严苛的电力转换环境提供坚固高性能解决方案的承诺。”“通过利用mSiC技术，我们为客户提供了更简便的路径，打造高效且持久的系统，涵盖工业和可持续发展市场。”为了简化生产并降低系统复杂度，BZPACK模块采用紧凑、无底板设计，配备按压式、无焊接端子和可选预加热接口材料（TIM）。这些多功能选项使组装更快、制造一致性提高，并通过行业标准的布局实现更便捷的多采购。此外，模块设计上兼容引脚，便于使用。Microchip的MB和MC系列mSiC MOSFET为工业和汽车应用提供了强大的解决方案，并提供AEC-Q101认证选项。这些器件支持共同的门极源电压（VGS≥15V），并以行业标准封装提供，便于集成。经过验证的高压-H3TRB能力通过帮助降低因湿气引起的泄漏或击穿导致现场失效的风险，支持长期可靠性。MC系列集成了栅极电阻，提升开关控制，保持低开关能量，并在多芯片模块配置中提升稳定...
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2026/3/20 10:19:56
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电；而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下，采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目，其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组，此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671，助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660（接收端）”和“ML7661（发射端）”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此，在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备（尤其是智能戒指）所需的功率等级进行了优化。接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸，在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素，实现了超越同等产品效率水准的性能。而且，IC内部已经集成无线供电所需的固件，无需再外置主控MCU，这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。另外，由于符合NFC Forum*2标准（WLC 2.0），因此可在保持与现有设备兼容性的同...
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2026/3/20 10:17:09
ADI(亚德诺)公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力，同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略，依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络，打造兼具韧性与高性能的解决方案。泰国在ADI全球制造网络中发挥着至关重要的作用。通过扩大ADI在泰布局，提升制造韧性、灵活性与产能规模，为多元市场客户提供支持，从而有力支撑公司的长期发展。新工厂的定位是智能可持续工厂，融合先进自动化、数字化制造技术与完善运营体系，兼顾高效生产与绿色环保，能够更快响应市场需求，并在瞬息万变的全球环境中，持续提供客户所期望的品质、可靠性与性能。ADI首席执行官兼董事会主席Vincent Roche表示：“泰国是ADI全球制造布局中的战略枢纽之一。此次扩建彰显了我们长期致力于将泰国及该地区打造为能够可靠且可持续地提供世界级技术的关键环节的决心。随着客户需求的不断演变，此次扩建投资将确保我们能够持续大规模交付独具优势的创新成果。”ADI全球运营与技术执行副总裁Vivek Jain指出：“新工厂极大提升了我们高效且负责任地开展测试业务的能力。凭借当地雄厚的工程人才储备、供应链优势以及支撑长期发展的产业环境，泰国已成为我们构建更加敏捷、更具韧性且面向未来的制造网络的重要一环。”提升全球供应链韧性通过更广泛的区域布局、更高的运营敏捷性以及增强的制造网络灵活性，ADI在泰国的扩产增能举措强化了公司的全球韧性战略。新工厂坐落于泰国东部经济走廊(EEC)，得益于当地完善的基础设施、优质的工程人才储备和稳定中立的运营环境，将进一步强化ADI服务全球客户的能力。推动半导体制造可持续发展新工厂依照LEED标准规划建造，彰显了ADI践行绿色制造的坚定承诺，也是ADI制造网络中首个以获得LE...
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2026/3/20 10:13:39
Vishay推出了一款新型航天级表面贴装共模扼流圈，旨在为要求高的航天、航空航天和国防应用提供EMI滤波和噪声抑制。Vishay定制磁SGCM05339非常适合氮化镓和硅碳开关应用，这些器件在波形中会形成锐利边缘，从而产生辐射辐射。共模扼流圈也将用于低矮、高电流的电源;分布式电力系统中的直流/直流转换器;以及太阳能电池板的电力转换器。为抵御这些应用的恶劣环境，该自屏蔽器件采用紧凑坚固的纳米晶芯和成型坚固结构。SGCM05339在扩展频率下提供高阻抗，支持高达14.43安的高温电流能力，并能连续工作温度范围，范围从-55°C到+130°C。该设备符合ASTM-E595排放标准，提供多种筛选选项，包括MIL-PRF-27、5级产品级T、温度等级S;MIL-STD-981家族-4，S级;以及EEE-INST-002。该SGCM05339提供1000伏RMS的介电耐阻，在500伏直流电压下绝缘电阻最低10吉瓦，并可根据匝数、线规等参数进行定制，以满足具体应用需求。设备规格表如下：部件编号SGCM05339每绕组电感320 μH 到 10 400 μH共模阻抗（类型）540 Ω到3600 Ω每绕组的直流电阻（最大）0.0029 Ω 到 0.1318 Ω等级热电流（类型）2.02 A 至 14.43 A峰值阻抗频率2.06 Hz 到 31.74 Hz泄漏（最大0.35 μH 到 7.75 μH免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/19 13:36:11
Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®（SST®）的memBrain™神经形态硬件知识产权（IP），用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元（APU）。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器（eNVM）比特单元，每瓦特提供高水平的模拟内存计算（aCIM）性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理，实现边缘和数据中心的高效AI加速：Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元（GPU）的100倍。截至目前，Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频（eNVM）解决方案，并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示：“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案，有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术，memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备：每个比特单元最多可支持8位数据（8 bpc） 存储单位纳安（nA）比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示：“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后，确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能，”Taner Ozcelik博士表示。“此外，其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性，加上SST工程团队的...
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2026/3/19 13:32:39
意法半导体宣布扩展其800伏直流功率转换组合，采用两种新的架构：800伏直流转12伏和800伏直流转6伏。这些新的功率转换阶段基于NVIDIA 800伏直流参考设计开发，补充了此前推出的800伏直流转50伏解决方案。快速发展的800伏直流数据中心架构实现了更高的能效，减少了电力损失，并支持更具可扩展性和高计算密度的超大规模企业和AI计算基础设施。意法半导体创新办公室、意法半导体战略、系统研究与应用组模拟、功率与离散、微机系统与传感器集团负责人、机体微电系统与传感器集团负责人表示：“随着人工智能基础设施计算规模的快速扩展，这需要更高的电压分布和更高的密度，而这只能通过针对不同AI服务器形态的系统层面进行系统层面的系统创新与创新。“借助这些800伏直流电力分配的新变流器，ST带来了一套完整的解决方案，支持千兆瓦级计算基础设施的部署，采用更高效、可扩展和可持续的电力架构。”为不同AI服务器形态提供完整的800 VDC生态系统向12V和6V输出级的扩展反映了行业向不同服务器架构的转变，这些架构需要根据GPU生成、服务器高度、形态规格和热包线不同，实现不同功率输出拓扑，适用于大规模训练集群、推理农场和高密度AI基础设施。50V、12V和6V中间直流总线将根据机架密度、GPU配置和散热策略在AI数据中心共存。新的800伏直流转12伏变换器实现了机架级电源架的高效分配，直接传输到供电的AI加速器的电压域。新的800伏直流到6伏的路径允许OEM厂商减少转换阶段数量，并将6伏总线更靠近显卡。这减少了铜的使用，最小化了电阻损耗，并提升了瞬态性能，这对大型训练集群来说是关键的差异化因素。早在2025年10月，意法半导体推出了一款全集成的原型电力传输系统，展示了一款紧凑型基于氮化镓的LLC转换器，直接从800伏、1 MHz频率下工作，效率超过98%，功率密度卓越，且在智能手机尺寸的覆盖面积超过26...
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2026/3/19 13:28:20
意法半导体和豹式影像®公司推出了一款面向人形及其他机器人系统的多模态视觉模块。该模块结合了ST成像、3D场景映射和运动感测，并采用NVIDIA全息扫描传感器桥技术，原生集成于NVIDIA Jetson和NVIDIA Isaac开放机器人开发平台，在人形机器人的尺寸、重量和功耗限制下简化并加速视觉系统设计。Leopard Imaging首席执行官Bill Pu表示：“直接在生态系统内访问ST传感器和执行器，使我们能够标准化并简化了HSB界面上人形机器人视觉的数据采集和记录。”“机器人制造者可以使用我们的多感应视觉模块配合Isaac工具，加速学习，快速弥合'模拟与现实'的差距。”该新模块由 NVIDIA 全息扫描传感器桥驱动，通过以太网无缝集成 NVIDIA Jetson 实现实时传感器数据采集，以及 NVIDIA Isaac 开放机器人开发平台，为开发者提供开放的 AI 模型、仿真框架和库。新模块包括构建系统和应用程序接口（API）、为移动机器人精心设计的人工智能（AI）算法、示例应用、域随机化以及包含传感器模型的仿真环境。ST继续将其传感器、驱动程序、执行器、控制器和开发工具集成到NVIDIA机器人生态系统中，作为NVIDIA机器人和边缘AI的关键合作伙伴，包括高精度模型和概念验证模块。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/19 13:24:34
半导体产品供应商MACOM宣布推出其新型448G PAM4调制器驱动器，旨在加快下一代1.6T和3.2T光收发器的上市时间。每通道传输超过400G，使得开发高密度、高性能的光收发器，具备行业领先的能效，支持人工智能（AI）、机器学习（ML）和高性能计算（HPC）数据中心架构中的高容量数据网络解决方案。MACOM的新款MAOM-025408马赫-泽恩德尔驱动器和MAOM-022404 EML驱动器是业界最早支持每通道400G传输的设备之一。这些驱动采用经过验证的大批量硅工艺技术，支持多种光学平台，包括硅光子学、电吸收调制激光器（EML）和薄膜铌酸锂（TFLN）调制器，使客户能够自信地扩展下一代连接系统，降低集成风险。MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示：“我们很高兴能用全新的400G每条车道驱动球手产品突破极限。”“这些产品能够支持各种互连应用和形制。”MAOM-025408 Mach-Zehnder 驱动能提供超过 120 GHz 的射频带宽、高增益、输出电压和出色的线性度。它非常适合针对300G和400G PAM4传输的硅光子调制器。MAOM-022404 EML驱动可提供超过120 GHz的射频带宽，远超400G PAM4传输的最低要求，同时具备高增益和低功耗。它非常适合用于微分EML和TFLN调制器。MAOM-025408和MAOM-022404均可采用线键合芯片或凸起芯片，用于紧凑型翻转芯片封装，支持大规模生产，并可选择并排和三维组件。驱动偏置不需要外部组件，这使模块厂商的集成更简单，且节省了材料清单。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/3/18 10:05:07