Microchip通过推出MTCH3380P和MTCH3240P控制器，扩展了其交钥匙电容触控系列，帮助制造商以更低的系统成本和更低的设计复杂度打造视觉吸引、无显示的HMI。 这是Microchip触控交钥匙控制器系列中首个为按钮、滑块和方向盘并行感应的设备，支持IEC/UL 60730 B类功能安全认证，运行温度高达105°C，非常适合家用电器、户外和工业应用。通过同时获取多个传感器的数据，MTCH3380P和MTCH3240P可以支持大量按钮、滑块和方向盘，同时保持快速响应时间、高信噪比（SNR）以及在嘈杂操作环境中可靠的触控检测。这种性能得益于12个并联运行的片上模数转换器（ADC）。MTCH3380P在自电容模式下支持最多38个传感器，在互电容模式下支持64个传感器，而MTCH3240P则分别支持最多24个和32个传感器，且不存在高传感器数量通常带来的获取时间惩罚。增强的触控灵敏度和抗噪能力使得通过厚重的防护材料和戴手套的用户能够可靠地进行触控检测。这些功能尤其宝贵，适用于家庭电器，如烤箱、灶台、冰箱和洗衣机，在潮湿和戴手套操作的环境中，以及户外应用，如电动车充电器、停车计时器和亭子，这些设备需要耐用的保护罩和寒冷天气下的可靠运行。支持客户驱动的IEC 60730 B类功能安全认证，MTCH3380P和MTCH3240P设备帮助制造商朝着符合法规要求努力。Microchip的触感生态系统和交钥匙控制器旨在提供加速设计、评估和测试所需的硬件、软件和开发资源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2026/10/10 13:25:28
Skyworks宣布已成功完成与Qorvo的合并。此次交易的完成，打造了一家总部位于美国，在高性能射频（RF）、电源管理，以及模拟与混合信号半导体解决方案领域的企业。此次交易将打造一家规模更大、业务更多元化的半导体企业，融合双方互补的射频、模拟，和电源技术，并拥有更强大的工程能力——约8,000名工程师，以及超过12,000项已授权和待授权专利。在移动领域，此次合并拓宽了公司的射频前端产品组合，使公司能够从日益复杂的射频技术中获益。随着5G-Advanced的演进以及行业向6G迈进，智能手机预计将支持更多频段、新频谱，和AI驱动功能，从而提升对高度集成射频解决方案的需求。在移动业务之外，此次合并使Skyworks的目标市场规模扩大了一倍以上，并建立起覆盖物理AI与互联边缘、国防与航空航天、数据中心和网络，以及汽车领域的平台；技术组合也进一步扩展至射频氮化镓（GaN）、低压电源，和有线宽带领域。Skyworks将受益于更广泛的终端市场覆盖、更强的本土制造能力，以及年化5亿美元或更高的成本协同效应；预计将在交易后的24至36个月内、即两家公司全面整合完成时实现。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
6
2026/10/10 13:21:44
Bourns®CSI2F-6918、CSI2F-7036、CSI2F-8518和CSI2F-8536系列电流感测电阻器在125°C的终端温度下提供25μΩ至200μΩ的电阻值，额定功率为36 W。每个系列的工作温度范围为-40°C至+125°C，电阻公差为±5%。功能裸铜端子高达36 W的连续功率高脉冲功率额定值最大紧固扭矩：10 Nm提供定制版本应用程序电池管理系统母线中的电流感应焊接设备中的电流传感变频器工业应用免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
10
2026/10/8 13:27:16
Bourns®CRK2725系列金属带宽端电流感测电阻器专为电流感测和电源管理应用而设计。表面贴装电阻器在70°C时提供5 W的额定功率，电阻值为0.2 mΩ至1 mΩ，工作温度范围为-55°C至+170°C，电阻温度系数为±100 ppm/°C，阻抗公差为±1%和±5%。功能宽端子设计，散热性能卓越低电感<5nH低热电动势<40µV/°C低至0.2 mΩ的超低电阻应用程序电流检测电源步进电机驱动器输入放大器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
6
2026/10/8 13:22:51
Bourns 将发布新的MF-ASMF系列(MF-ASMF005X、MF-ASMF008X、MF-ASMF010X)。这些超小型、表面贴装PPTC可复位保险丝是用于现代便携式电子产品的小型化、低电阻可复位保险丝。最新添加的0402（0.04 x 0.02英寸）尺寸较小，保持电流（I_hold）范围为0.05 a–0.10 a，最大电压（V_max）范围为6 VDC–9 VDC。功能紧凑型设计，节省电路板空间（0402占地面积）快速跳闸时间（TTT），以防止过电流事件与ENIG端子具有出色的可焊性对称设计和0.6毫米的低轮廓应用程序可穿戴设备中小型锂离子和聚合物电池电路的过电流保护PC主板中的I/O和信号线保护移动设备中低功率电池和充电电路的保护传感电路保护手持和便携式游戏设备的接口保护电子阅读设备、数码相机和其他便携式电子设备的保护免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
7
2026/10/8 13:19:17
Bourns®BTN08G系列由0805尺寸的SMD NTC热敏电阻组成，专为热传感而设计。封装尺寸为高安装可靠性提供了足够的粘合面积。该系列在25°C下的最大额定功率为240 mW，工作温度为-40°C至+125°C，适用于一般电子设备、电源和工业设备。功能高度稳定的电气特性结构高度可靠工作温度：-40°C至+125°C应用程序电池组电源LED显示屏、照明网络设备工业系统移动和便携式电子产品免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2026/10/8 11:53:19
Bourns宣布发布为德州仪器TIDA-010938 10 kW GaN基单相串逆变器参考设计开发的五个磁性元件，支持电池储能系统（BESS）。该设计包含两个串输入，每个串输入最多可支持10个串联的光伏（PV）面板，以及一个可支持80 V至500 V电池堆的储能系统端口。从串输入到电池存储系统的额定功率高达7.2 kW。可配置的DC-AC转换器最多可支持3.6 kW进入230 V单相电网连接。设计包括三个阶段：两个光伏输入，每个都有一个DC-DC升压转换器带有双向DC-DC转换器的电池输入带DC-AC转换器的逆变器输出级该系统使用两个按功能划分的板。DC-DC板包括用于单个串输入的两个输入DC-DC转换器和用于电池级的一个DC-DC转换器。DC-AC板包括DC链路电容器、DC-AC转换器和滤波电路。该套件适用于光伏串逆变器、电池储能系统和功率转换系统（PCS），特别是在使用高频开关拓扑的紧凑设计中。下述是五个磁性元件的相关信息：MAG-3002411 PFC电感器MAG-3002411型是一种大电流PFC电感器，专为德州仪器TIDA-010938 10 kW GaN基单相串逆变器参考设计的DC-DC升压级而设计。电感器在负载条件下提供稳定的电感，以支持光伏输入级中受控的电流纹波和高效的功率转换。其优化的绕组结构和低直流电阻有助于提高高功率升压转换器级的效率和热性能。功能专为TIDA-010938 10 kW GaN基单相串式逆变器设计支持高频GaN开关（~130 kHz级）高电流能力，饱和电流可达25 A针对DC-DC升压级进行了优化最大限度地减少纹波电流和传导损耗符合RoHS标准应用程序串式逆变器电池储能系统（BESS）功率转换系统（PCS）GaN基高频功率转换器大功率DC-DC升压（PFC）级MAG-3002515 EMI滤波电感器MAG-300251...
浏览次数：
5
2026/10/8 11:47:28
QPQ5000是一款高性能体声波（BAW）带通滤波器，设计频率为5000 MHz，适用于高选择性应用。该过滤器采用紧凑的2.03mm x 1.27mm密封芯片级封装。主要特性低插入损耗优秀的近距离拒绝单端操作无需外部匹配陶瓷芯片级封装密封的符合RoHS标准，无铅典型应用C波段雷达电子战抗混叠滤波免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2026/10/8 11:34:13
Vishay推出了四款采用650 V超结MOSFET的新型电源模块，采用行业标准的SOT-227封装。Vishay 半导体的 VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65 和 VS-FC50LA65 旨在实现导通损耗与开关损耗之间的最佳平衡，支持工业应用中的高效功率转换。新推出的电源模块包括三款单开关配置的器件，额定电流分别为50A、100A和150A，以及一款50A的低侧斩波器配置，集成了650 V SiC二极管。四个组件均采用最新的高效650伏超结MOSFET技术，在导通电阻与栅极电荷之间实现高度竞争的权衡。这使设计师能够在保持快速切换性能的同时减少功率损耗。VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65将用作太阳能逆变器、氢能和燃料电池系统的直流/直流变流器和直流/交流逆变器;高压直流基础设施中的辅助电子和能源运输;充电站;开关电源以及焊接和切割设备;不间断电源、照明系统和铁路电源;以及X光和MRI等医学影像设备。对于这些具有挑战性的应用环境，功率模块提供了从-55°C到+150°C的宽广温度范围。 对于现有设计，设备的SOT-227封装可直接替换竞争方案，通过消除PCB重新设计降低成本。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
8
2026/10/8 11:28:04
金升阳推出高功率密度开板医疗电源——LOFxxx-20BxxR2系列。该系列提供 200-600W 多种功率选择（200W/300W/400W/500W/600W），以高效节能、安全稳定、超小体积为核心优势；应用成熟、案例丰富，现货充足、供应无忧，为医疗、工业自动化、安控系统、智能家居等领域提供高品质电源解决方案。LOFxxx-20BxxR2系列在工艺、可靠性、质量、功率等维度实现全方位跃升：工艺更精湛，可靠性更稳固，质量更过硬，功率密度更高。该系列具备宽输入电压范围（80-264VAC/110-370VDC）与宽工作温度范围（-40℃ to +85℃），效率高达 95%，提供 3 年质保，在宽温、宽压、满载等严苛工况下依然保持稳定输出，以始终如一的超强稳定性，为客户应用提供长期可靠、安心的电源供应。LOFxxx-20BxxR2系列具备的优势：1. 电气性能与可靠性（1）宽输入电压范围：80-264VAC/110-370VDC（2）效率高达95%（600W），空载功耗0.5W（3）150%峰值功率持续3S输出，输出短路、过载、过压、过温保护（4）极低漏电流＜0.1mA，符合2XMOPP，适用于BF类医疗应用（5）超低噪音开关电源：全负载范围≤25dB2. 环境适应性与坚固性（1）宽工作温度范围：-40℃ to +85℃（2）基板覆涂三防漆，防腐防尘（3）小体积：在R1系列同尺寸基础上提升功率密度（以300W为例，R2较R1系列的225W产品，功率密度提升约1.3倍）3. 极致的安全性与电气隔离（1）符合 IEC/EN/UL/BS EN62368-1、GB4943.1、 IEC/EN60335-1、IEC/EN61558-1、IEC/EN/ES60601-1等认证标准（2）EMI符合 CISPR 32 / EN 55032 Class B 标准（3）抗扰度...
浏览次数：
5
2026/10/8 11:24:46
TDK扩展了MLJ1608-G系列（1.6 x 0.8 x 0.8毫米;L x W x T）多层电感用于汽车电力同轴（PoC）电路。汽车PoC允许电力和数据通过单根同轴电缆同时传输。它主要用于汽车摄像头，这些摄像头是驾驶辅助系统（ADAS）的一部分。车辆前部、后部、侧面及其他区域安装的多摄像头检测周围环境，电子控制单元（ECU）会处理这些信息，以支持安全驾驶。传统上，连接汽车摄像头与ECU需要两根电缆——一条供电，一条传输数据。PoC将这些功能整合到仅一根同轴电缆中。这减少了车辆内电缆数量，带来了更高的可靠性、更紧凑的布线、减轻车辆重量以及降低二氧化碳排放等好处。在信号处理之前，PoC系统需要一个由多个电感组成的宽带滤波器，以分离数据信号和功率。通过其专有材料和结构设计，MLJ1608-G系列凭借其1.2 μH的高电感，在300 MHz至2 GHz频段实现了高阻抗，而传统产品的电感仅为0.56 μH。在100–700 MHz范围内，其阻抗比传统元件高出1.7到2倍，从而实现了有效的噪声抑制。由于其尺寸为1608，该组件也有助于使摄像机模块更小。在汽车PoC应用电感器开发方面，TDK将继续扩展产品线，通过利用多层、线绕组和薄膜技术优化设计，满足不断变化的市场需求。通过这些努力，TDK将有助于提升PoC传输信号的质量。主要特点与优势在最高2 GHz的频率下实现高阻抗阻抗比传统元件高出1.7到2倍采用多层处理技术的紧凑型1608尺寸符合AEC-Q200标准主要应用汽车相机的PoC电路免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
5
2026/10/8 11:21:52
TDK推出了B3272*A/G/T 系列直流链路薄膜电容器，这些设备符合连续运行条件，温度最高可达+135°C，且在+105°C以下无需降额。 这些元件带有EPN介质。这种聚丙烯（PP）和环烯烃共聚物（COC）的混合物已在TDK的ModCap超高压功率电容器中得到验证。这使得汽车和工业电力电子应用中直流链路设计拥有更大的热余量。车载充电单元、xEV牵引逆变器、直流-直流转换器、工业驱动和高端电源必须在功率密度增加、密闭空间和较高环境温度下保持可靠工作。这些限制使被动元件承受日益增长的热和电应力。B3272*A/G/T系列专为满足此类应用需求而设计。该系列的额定直流电压范围为800至1200伏，额定电容值为1.0至60微法，有三种引脚间距：27.5毫米、37.5毫米和52.5毫米（B32728G，4针）。4针G型支持低电感母线接口，有助于减少快速开关逆变级的寄生环面积，而低矮T型则针对紧凑型汽车和工业装配中高度受限的布局。阻燃塑料外壳和环氧树脂密封均符合UL 94 V-0标准。该系列通过了AEC-Q200E认证并兼容RoHS，支持全球汽车和工业转换器的应用，在热余量、可靠性和紧凑集成度方面需要同时优化。主要特点和优点最高工作温度+135°C+105°C以下无降额高CV产品，紧凑2针和4针版本；提供低调的变体良好的自愈性能过电压能力低损耗，高电流能力使用寿命长（在VR和+85°C下为100000小时）主要应用要求苛刻的应用中的直流链路解决方案，如xEV牵引逆变器车载充电器汽车DC-DC转换器工业驱动器高端电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
7
2026/10/8 11:17:13
YAGEO推出IATF SLIC和Shasta共模扼流圈，该系列产品可提供61μH至22mH的电感范围、1.4A至16A的额定电流，以及9×9×3.8mm至31×25.4×12.7mm的多种封装尺寸。这些多功能SMD产品经过优化，可在低MHz频段提供峰值阻抗特性，从而有效滤除现代开关应用中关键谐波频率产生的噪声。整个系列均符合AEC-Q200标准，对于已导入IATF生产线的产品，可提供PPAP文件。产品特性丰富的封装尺寸选择MHz频段EMI滤波性能功能绝缘额定电流最高达16 A额定电压最高达800 VDC目标应用场景汽车应用EMI滤波OBC及DC/DC转换电机驱动辅助负载市场优势低成本高可靠性IATF生产标准产品系列符合RoHS & REACH要求免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
5
2026/10/8 11:07:16
Ampleon宣布推出ART500PE，一款500W的LDMOS射频功率晶体管，专为工业、科学、医疗、广播及非蜂窝通信需求需求而设计。基于Ampleon的坚固技术，这款无与伦比的晶体管结合了1 MHz到250 MHz的宽带工作，兼具高效、卓越的热稳定性和卓越的坚固性，使设计者能够通过单一设备平台应对多种射频功率架构。该 ART500PE 在 30 V 至 65 V 的漏极-源电压范围内进行了表征，并认证至最高 65 V 的 VDS，支持广泛的射频功率架构。其高击穿电压使E类工作电压可达53 V，为高效开关模式应用提供了灵活性。该ART500PE在工业和广播系统常用的多个频率范围内提供强劲的射频性能。在41 MHz和50 V电压下，该器件提供典型的连续波输出功率330瓦，增益27 dB，耗极效率为80%。输出功率在65伏电压下可达500瓦，使得紧凑高效的射频发生器、放大器和功率转换系统成为可能。集成的双面静电阻保护支持C类工作和完整的晶体管关断。结合其坚固的器件结构，有助于在高强度工作条件下保持稳定的射频和热性能。该ART500PE适用于多种工业、医疗和通信系统，包括等离子发生器、MRI系统、粒子加速器、工业供暖和除霜设备，以及调频广播、甚高频电视发射机、非蜂窝通信设备和开关电源。该设备提供两种镜像针脚版本，分别为ART500PE1和ART500PE2。配套版本简化了推挽放大器配置的实现，并提供了更大的PCB布局灵活性。这两款设备均采用业界标准TO-247封装，支持简单的机械集成和高效的热管理。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
9
2026/10/8 10:39:48
意法半导体最新推出的微型运动传感器具备更高精度，可实现准确的事件重建，同时满足最严格的可持续材料标准。新款六轴传感器，即惯性测量单元（IMU），将应用于健身追踪器、智能标签等消费电子设备，以及工业资产监测、机器人等专业领域，还可用于摄影和农业测绘等无人机应用。同时，它们也属于 ST 可持续技术计划的一部分。在传感器具备事件还原能力后，智能设备就有能力区分不同类型事件，强化事故告警、工具使用监测、机器人示教、运动成效分析、脑震荡检测等功能。意法半导体新推出两款惯性测量单元就具备这种事件还原能力，消费级惯性测量单元 LSM6DSK320X和工业级惯性测量单元ISM6HGK256X都采用超对称陀螺仪架构，以提升传感器的测量精度，搭配宽动态范围的高精度加速度计。此外，这些功能还能提升无人机飞行稳控、结构状态监测、游戏手柄控制等应用性能。该超对称架构包含两组反相工作的镜像机电结构，可以抵消外界振动和撞击噪声干扰。这种结构搭配全差分信号链路，进一步大幅提高了检测信号的强度和抗干扰能力。紧凑的内部结构让每颗惯性测量单元IMU都可在一个封装内集成 一个陀螺仪和两个独立的加速度计。双加速度计设计让IMU能够同时测量 ±16g 的小量程扰动和±320g的高g撞击事件，宽动态范围确保IMU不会漏测任何事件，而单加速度计 IMU 在小量程和大量程模式切换期间无法执行测量任务。LSM6DSK320X消费级IMU和ISM6HGK256X工业级IMU均搭载意法半导体的机器学习内核 (MLC)，将 AI 算力直接嵌入传感器内部，以降低应用功耗，节省系统资源。除底层基础库外，开发者还可利用意法半导体的扩展库，包括 Motion XLF、传感器融合和环境感知软件，进一步优化功耗性能，提高设计灵活性，适配各类应用场景。新款IMU支持ST MEMS Studio 开发环境。LSM6DSK320...
浏览次数：
11
2026/10/8 10:32:55
随着人工智能数据中心规模扩大以支持高功率GPU集群，行业正向800伏直流机架电源架构转变，以提升分配效率、提升功率密度并支持下一代服务器设计。为加速这一转型，Microchip和Navitas合作开发了适用于AI数据中心机架电源应用的800V直流转6伏直流参考设计。该平台将Microchip的数字电源控制和安全技术与Navitas的氮™化镓（GaN）电源设备结合起来，为开发者提供了实现与开放计算项目（OCP）800V直流标准一致高效电力转换的实用路径。该解决方案配备了参考硬件、软件和设计文档，有助于降低设计风险，缩短开发周期，加速下一代AI基础设施的部署。参考平台的核心是Microchip的dsPIC33AK数字信号控制器（DSC）和TA100加密认证™安全集成电路，配合Navitas的GaNFast FIELD。dsPIC33AK为高频、高效直流/直流转换提供确定性数字功率控制，而TA100则帮助建立硬件信任根，用于认证、安全启动和受保护的固件更新。这些技术共同构成了连接OCP电源设计所需的精密控制和安全基础。dsPIC33AK256MPS306系列由一个200 MHz的32位核心驱动，配备双精度浮点单元（FPU）、78 ps高分辨率脉宽调制器（PWM）以及多个12位模拟转数字转换器（ADC），最高可达40 MSPS。这些设备包含对商业国家安全算法（CNSA）Suite 2.0推荐的后量子密码算法的库支持，以及用于连接实时控制设计的硬件加速加密函数。该PDB由16×NV6034、650 V、17 mΩ GaNFast FET在主侧以叠加半桥拓扑供电。DFN8×8双侧冷却封装通过降低热阻，进一步提升氮化镓的性能优势，实现更高的连续功率运行同时保持效率。PDB目标是在1 MHz切换频率下，满载时实现高达96%的峰值效率，实现2100 W/in³的...
浏览次数：
5
2026/10/8 10:28:45
瑞萨电子宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。在800V高压直流（HVDC）电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复（Qrr=0）特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行；低导通电阻RDS（on）则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压Ga...
浏览次数：
7
2026/10/8 10:21:45
瑞萨电子宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650V GaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超紧凑型双面散热（DSC）PQFN封装，导通电阻低至20mΩ，处于650V同类产品超低导通电阻之列，可在更小空间内实现更高的功率处理能力。目前，瑞萨已向主要AI数据中心OEM和ODM客户提供该器件样品。该器件基于瑞萨第四代升级版GaN架构打造，专为下一代AI数据中心的兆瓦级功率需求而设计，支持最高700V工作电压。其目标应用包括将800V电压降至48V、12V或6V的DC/DC中间总线转换器（IBC）级，以及侧挂式电源机架中的电池备份单元（BBU）和电容器组单元（CBU）级。随着机架功率从约120kW迈向兆瓦级，空间与散热能力已成为进一步提升系统功率的关键制约因素。不同于传统的顶部散热封装，新器件可同时通过顶部和底部散热，使顶部热阻降低10%。此外，其8mm ×8mm PQFN封装的占板面积较现有10mm ×15mm TOLT封装缩小57%。该器件充分发挥瑞萨第四代升级版650V GaN技术的优势，包括低栅极电荷、低输出电容、内置具有极低反向恢复特性的续流二极管，以及无需负栅极偏置即可工作的高阈值电压。该器件可搭配标准硅栅极驱动器使用，并支持MHz级开关频率，从而减小无源元件并降低整体BOM成本，无需专用增强型GaN驱动器。全新双面散热（DSC）PQFN封装由瑞萨与主要AI基础设施客户共同定义，采用业界标准封装尺寸，为客户提供灵活的供应选择。该GaN器件与瑞萨辅助电源控制器、栅极驱动器及MCU搭配使用，可为向800V架构转型的OEM、ODM和超大规模数据中心运营商提供一站式电源解决方案。瑞萨已完成该方案的芯片级验证。基于该新器件打造并由瑞萨RA6T3 MCU...
浏览次数：
13
2026/10/8 10:18:10