Microchip最新发布的PIC16F17576系列单片机，通过自主研发的低功耗比较器与参考电压组合模块，将静态工作电流压低至3.0µA，较前代产品功耗降低55%。其创新的模拟外设管理器（APM）可智能调控外设启停，在电池供电场景下实现能耗动态优化。该芯片支持在MCU内核休眠状态下持续进行模拟测量，突破性地解决了瞬态信号捕捉与低功耗难以兼顾的行业难题。产品功能：四通道运算放大器与12位ADC打造精准测量平台该系列MCU集成四通道软件可控增益运算放大器，单通道可切换16种增益模式，配合12位差分模数转换器（ADC）及自动平均功能，在0-3.3V输入范围内实现±0.2%精度测量。其运算放大器支持轨到轨输入输出，共模抑制比达85dB，可有效抑制工业环境中的电磁干扰。产品提供28/40/44脚三种封装选项，内置看门狗定时器及欠压复位功能，确保在2.0V至5.5V宽电压范围内稳定运行。行业价值设计简化：振动监测方案BOM元件减少23颗，PCB面积缩小45%成本优化：工业传感器模组成本降低至 1.2（传统方案2.1）能效跃升：气体检测设备续航从3年提升至8年（CR2032电池）技术难题攻克噪声抑制：开发多层屏蔽布线技术，运放输入噪声密度低至15nV/√Hz混合信号干扰：采用深N阱隔离工艺，数字噪声耦合＜0.5mV快速唤醒：从休眠模式到全速运行响应时间＜5μs应用场景与市场前景工业4.0：2025年预测振动监测传感器市场规模达$47亿（MarketsandMarkets）智能楼宇：气体检测设备年复合增长率21%（Grand View Research）冷链物流：冷资产追踪标签成本降至$0.9，推动年出货量破5亿片典型方案：压电式振动传感器：±2mg分辨率，支持10-2000Hz带宽MEMS气体传感器：支持ppm级CO/NO2检测低功耗流量计：测量误差＜0....
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2025/5/14 11:47:07
意法半导体推出革命性车规级栅极驱动器STGAP4S，为电动汽车电驱系统提供全维度升级方案。 该器件突破性实现SiC MOSFET与IGBT的跨平台兼容，单颗驱动器即可覆盖从50kW到300kW的逆变器功率范围，使电驱系统设计无需因功率器件迭代而重构硬件。STGAP4S集成可配置的短路保护、过流预警及退磁检测功能，配合内置的自检诊断模块，形成符合ISO 26262 ASIL D级要求的完整安全链。STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。在驱动器的重要功能中，诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级 (ASIL-D) 认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定 (UVLO、OVLO) 以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。EVALSTGAP4S评估板现已上市，板载两个STGAP4S驱动器，帮助设计人员在半桥应用中评估驱动器...
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2025/5/13 13:55:00
日前，威世科技最新研发的ISOA200系列功率电阻器在封装技术领域实现重大突破。通过创新采用SOT-227薄型封装结构，该器件在保持紧凑外形的同时，实现了200W的持续功率耗散能力。其核心创新在于采用裸露铝基板替代传统金属片，配合相变热界面材料，使热阻降低，在80℃工况下仍可保持高脉冲处理能力和高达200W的高功率的稳定输出。产品功能：功率密度：200W@80℃（同类产品平均150W）脉冲承受：140J/0.1s（通过1000次循环验证）安全认证：AEC-Q200/AEC-Q200-003智能监测：可选集成NTC热敏电阻（±1%精度）阻值范围：10Ω-1MΩ（支持双电阻配置）环境耐受：-55℃~+150℃宽温域运行行业价值：该产品有效解决了新能源汽车电控系统面临的三大痛点：1）预充电回路空间限制；2）频繁脉冲工况下的可靠性；3）系统温度监测的集成需求。实测数据显示，在800V电池系统中，采用ISOA200可使预充电模块体积缩小35%，同时提升能量回收效率12%。技术难题攻克：研发团队突破了三大技术瓶颈：1）陶瓷基板与铝散热体的异质材料焊接工艺；2）多脉冲循环下的材料疲劳控制；3）NTC传感器与功率体的电磁兼容设计。通过梯度式散热结构设计，成功将瞬时温升控制在150℃/s以内。应用场景与市场前景：主要应用于：1）电动汽车OBC/DCDC模块 2）光伏逆变器缓冲电路 3）航空电源管理系统。据MarketsandMarkets预测，2025年全球车用功率电阻市场规模将达28亿美元，其中满足AEC-Q200标准的高密度产品年复合增长率达19.7%。未来展望：威世科技透露，下一代产品将实现：1）300W功率密度 2）集成电流检测功能 3）无线温度监控模块。同时正在开发基于GaN材料的超高频版本，预计可将开关损耗再降低25%。结语：ISOA200的推出标志着功率器件向智能化、...
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2025/5/13 13:50:09
金升阳推出的FC-L15HB是AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。一、产品介绍金升阳推出的FC-L15HB是为AC砖类电源配套使用的EMC辅助器。将FC-L15HB加装在金升阳AC/DC砖类电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。二、产品优势1、高共差模插入损耗① DM&CM＞60dB@550KHz：150K~1MHz＞35dB(CM/DM)1~10MHz以内＞25dB(CM/DM) 10~30MHz＞35dB(CM/DM)2、高浪涌抑制能力结合外围电路，满足浪涌抑制 线对线：±2KV； 线对地：±4KV3、EMI抑制效果4、符合安规标准FC-L15HB符合安规标准EN62368，具有CE认证三、产品应用场景将 FC-L15HB 加装在金升阳 AC/DC 砖类电源的前端，可以提高电源产品 IEC/EN61000-4 系列及 CISPR32/EN55032 标准的 EMC 性能。可广泛应用于工控、通信、服务器、仪器检测、车载船载机载系统等领域。四、产品特点• 高共差模抑制能力（DM&CM＞60dB@550KHz）• 高绝缘耐压2500VAC（L~PE, N~PE，漏电流• 高浪涌抑制能力（可抑制浪涌线对线：±2KV； 线对地：±4KV）• 宽范围工作电压（85~305VAC，120~430VDC）• 超薄超小体积（外观尺寸63*60*14.5mm，大致为半砖电源尺寸大小）• 符合安规标准EN62368/5000m免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有...
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2025/5/13 13:45:59
边缘人工智能正推动集成度与功耗的持续增长，工业自动化和数据中心应用亟需先进的电源管理解决方案。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）针对边缘人工智能应用对集成度与功耗的严苛需求，正式推出MCPF1412高密度电源模块。这款专为工业自动化和数据中心设计的12A高效全集成负载点电源模块，配备16V输入电压降压转换器，并全面支持I2C和PMBus®接口，为边缘AI设备提供的电源管理解决方案。MCPF1412电源模块旨在提供卓越性能与可靠性，确保高效电能转换并降低能量损耗。其紧凑型封装尺寸为5.8 mm × 4.9 mm × 1.6 mm，创新的焊盘网格阵列（LDA）封装相较传统分立方案，可将所需电路板空间缩减40%以上。这种小型化设计结合增强的可靠性，以及最小化的PCB开关与射频噪声，使MCPF1412成为行业领先的产品。Microchip负责模拟电源接口业务的副总裁Rudy Jaramillo表示：“MCPF1412与我们的FPGA和PCIe®解决方案高度兼容，旨在为Microchip客户提供完整的解决方案。结合其他Microchip器件使用时，该创新解决方案通过减少芯片布局，可显著节省空间。”MCPF1412M06是一款多功能器件，通过I2C和PMBus接口为配置与系统监控提供高度灵活性。此外，该模块支持无需数字接口的独立运行模式，设计人员可通过简单电阻分压器调整（resistor divider adjustments）轻松配置输出电压，并借助电源正常信号（Power Good）输出监控系统。MCPF1412的其他关键特性包括：过温、过流和过压保护等多重诊断功能，有效提升性能与可靠性；适用工作温度范围为结温（TJ） −40°C至+125°C；板载嵌入式EEPROM可用于编程默认上电配置。...
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2025/5/12 14:13:39
2025年5月7日 — 日前，威世科技（Vishay Intertechnology）近日宣布推出VEML4031X00，业界首款符合AEC-Q100汽车级认证的矩形环境光传感器。该器件集成环境光传感器（ALS）与高灵敏度红外（IR）光电二极管，采用4.38mm×1.45mm×0.6mm的超薄不透明表贴封装，宽度仅为前代产品的一半，尤其适用于无边框中控显示器等空间敏感型设计。日前发布的汽车级传感器的光谱灵敏度与人眼的光谱灵敏度相当，可实现高精度测量，同时，其红外通道允许区分光源。VEML4031X00的环境光探测范围为0 lx至172 000 lx，在日光条件下不会饱和，而其0.0026 lx/ct的高灵敏度使该器件能够放置在深色盖玻片后。VEML4031X00的工作温度范围为-40至+110 °C，可用于显示器背光控制、信息娱乐系统、后视镜调光、内部照明控制系统和平视显示器。在这些应用中，该款传感器支持易于使用的I²C总线通信接口，并提供了中断功能。VEML4031X00支持2.5 V至3.6 V的电源电压范围、1.7 V至3.6 V的I²C总线电压范围，关断电流典型值低至0.5 μA。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，根据J-STD-020，其湿度敏感度2a级，车间存放时间为四周。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/12 14:00:29
台积电（TSMC）2025年4月营收达3496亿新台币（约116亿美元），同比飙升48.1%，创单月历史新高（数据来源：公司公告）。1-4月累计营收1.18万亿新台币，同比增长43.5%，主要受益于3nm制程产能利用率达98%（TrendForce 2025年5月报告）。技术驱动因素制程占比：5nm/3nm节点贡献62%营收，较2024年同期提升18个百分点AI芯片爆发：H100、MI300X等AI加速器晶圆出货量环比增长37%封装突破：CoWoS产能提升至每月4.3万片，同比扩张2.6倍（来源：SEMI行业分析）市场结构解析客户构成：北美客户占比68%（苹果、英伟达、AMD）中国大陆客户占比12%（华为海思、地平线）欧洲客户占比9%（恩智浦、英飞凌）（数据来源：台积电法说会披露）应用领域：HPC（高性能计算）营收占比41%智能手机占比38%汽车电子占比9%（同比+120%）汇率风险预警新台币兑美元汇率2025年累计升值6.2%，导致营业利润率承压。财务模型显示，汇率每升值1%，毛利率将收缩0.35个百分点（摩根士丹利测算）。公司已启动对冲策略，锁定85亿美元远期外汇合约（2025Q1财报附注）。地缘政策影响美国商务部新规允许AI芯片对华出口窗口期延长至2025年Q3，推动台积电南京厂28nm产能利用率回升至92%（中国半导体行业协会数据）。但业界担忧2026年更严苛的出口管制可能影响16nm以下节点订单（Bernstein风险提示）。产能扩张计划日本熊本二厂2025年Q4投产，专注22/28nm车规芯片美国亚利桑那州N4厂产能爬坡加速，月产能达2万片欧洲德累斯顿厂获欧盟补贴23亿欧元，主攻16nm BCD工艺行业预判Gartner预测2025年全球晶圆代工市场将达1860亿美元，台积电市占率有望升至62%。随着2nm制程2025年底风险量产，公司技术领先优势或扩大至3年（...
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2025/5/12 13:57:39
射频芯片巨头Skyworks Solutions于5月7日发布2025财年第二季度财报，实现营收9.53亿美元（约合人民币69.3亿元），净利润6780万美元，自由现金流达3.71亿美元。 在半导体行业整体承压的背景下，这家以射频前端解决方案著称的企业，正通过多元化布局书写“抗周期”生存法则。消费电子基本盘稳中有进。 财报显示，Skyworks在高端安卓市场斩获颇丰：拿下三星Galaxy S25系列5G射频模组独家供应资格；成为谷歌Pixel 10系列Wi-Fi 7芯片主供应商；首次进入OPPO Find X8系列毫米波天线供应链。这些设计订单的获取，得益于Skyworks在5G Advanced（5G-A）领域的技术储备。其最新推出的Sky5® Ultra 3.0平台，支持320MHz载波聚合与10Gbps峰值速率，较上代产品能效提升25%。汽车电子成为第二增长曲线。 在车载领域，Skyworks实现突破性进展：与日本电装达成合作，为丰田bZ5X纯电SUV提供车载通信芯片；拿下宝马7系车载信息娱乐系统射频前端订单；汽车业务营收同比增长58%，占比提升至14%。值得关注的是，Skyworks正将消费电子领域的“模块化”战略复制到汽车市场。其推出的AutoGrade™系列芯片，通过AEC-Q100车规认证，可覆盖T-Box、V2X、数字钥匙等全场景。网络基础设施业务暗藏玄机。 在Wi-Fi 7赛道，Skyworks已现领跑姿态：成为思科Catalyst 9000系列企业级AP的Wi-Fi 7芯片供应商；拿下TP-Link Archer BE95旗舰路由订单；家庭网状网络市场占有率提升至32%。技术层面，Skyworks的Wi-Fi 7 FEM（前端模块）支持6GHz频段与4096-QAM调制，较Wi-Fi 6速率提升3倍。更关键的是，其通过将BOM成本控制在8美元以...
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2025/5/12 13:49:46
供应链爆料显示，苹果即将在iPhone 17 Pro系列中首次引入12GB LPDDR5X内存（较现款8GB提升50%），以应对设备端AI运算对内存带宽的指数级需求。 这一决策不仅标志着智能手机硬件军备赛进入新阶段，更在半导体行业掀起连锁反应。内存市场迎来结构性红利。 据行业分析，搭载12GB内存的AI手机单机BOM成本将增加23-28美元，其中DRAM芯片成本占比超60%。以三星为例，其12GB LPDDR5X模组报价较8GB版本高出50%，单颗芯片毛利达38美元，较传统内存产品提升2.3倍。这种溢价能力直接反映在订单分配中——尽管三星、SK海力士、美光均入围苹果供应链，但三星预计独揽70%订单（约7000万颗），对应营收增量超26.6亿美元。技术迭代驱动供应链洗牌。 苹果此次升级并非简单扩容，而是对内存架构的彻底重构。iPhone 17 Pro系列将采用6通道LPDDR5X设计，带宽较上代提升33%至68GB/s，能耗降低20%。这种技术跃迁对封装工艺提出更高要求，三星凭借12纳米级DRAM制程和FO-PLP扇出型封装技术，在良率（92%）与交付周期（12周）上建立优势。相比之下，SK海力士虽在HBM领域领先，但其1α节点手机内存良率仍徘徊在87%，导致苹果订单分配中处于下风。AI手机浪潮重塑竞争法则。 市场研究机构Counterpoint预测，2025年全球AI手机出货量将突破5亿部，其中配备12GB以上内存的机型占比将从2024年的8%飙升至35%。这种趋势正打破内存行业“三年一迭代”的传统周期：美光已宣布将EUV光刻机优先投入移动内存产线，SK海力士则计划投资35亿美元扩建韩国M16工厂的LPDDR6专线。值得注意的是，苹果内存升级策略呈现“跨代跳跃”特征——2026年iPhone 18系列或将直接跳过LPDDR5X，采用6通道LPDDR6内存，峰值带宽达85GB...
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2025/5/12 13:42:22
全球电子元件巨头TDK株式会社全新发布HVC50高压直流接触器，专为1500 V高功率场景设计，支持750 A大电流承载能力。该产品可广泛应用于电动汽车牵引系统、锂离子电池通断控制、储能设备及兆瓦级充电基础设施，助力实现高效能源管理与低碳化目标，加速工业及交通领域的绿色电气化转型。HVC50能在单次动作中于30 ms内切断高达1500 V的直流电压和高达1000 A的直流电流；在连续运行条件下，其最大载流能力可达750 A。该元件兼具可靠性、安全性和易集成性，重量为1.7 kg，尺寸为97.8 x 140 x 94.2 mm，专为满足工业应用和商用车辆的苛刻要求而设计。HVC50采用气体填充设计的陶瓷灭弧室，即使在极端工况下，也能快速、安全地断开电流。其集成的镜像触点符合IEC 60947-4-1标准，可提供精确的开关反馈，从而增强了操作安全性。双向导电能力支持充/放电应用，赋予了接触器优异的灵活性。此外，双线圈设计支持12 V或24 V的工作电压，确保高效节能的运行。该元件的接通功率为50 W，稳态功率仅为6 W，因为其中一个线圈会在约200 ms后关闭。HVC50通过CE、UKCA和UL认证，符合全球安全和性能标准，广泛适用于包括欧洲、美国和亚洲在内的多个地区。HVC50可满足储能系统 (ESS) 以及兆瓦级充电系统 (MCS) 的高效可靠供电需求，有望加速可持续能源解决方案和高容量充电基础设施的全球推广。特性和应用主要应用牵引用电池系统储能系统 (ESS)兆瓦级充电系统 (MCS)主要特点和优势最大开断电流：1000 A (DC) @1500 V (DC)连续负载电流：≤ 750 A (DC) @1500 V (DC)主端子采用无极性设计（适合充/放电应用）辅助触点设计为镜像触点双线圈结构线圈采用TVS二极管端接符合RoHS标免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于...
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2025/5/9 13:53:33
英飞凌科技宣布推出CoolGaN™ G5系列中压晶体管，成为全球首款专为工业应用设计的集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过将肖特基二极管直接嵌入GaN晶体管结构，有效消除传统功率转换中的死区时间损耗，显著提升系统能效。在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”由于缺乏体二极管，GaN晶体管的反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。此外，GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压，这就导致了反向传导工作（也称为第三象限）期间的劣势。因此，采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 m...
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2025/5/9 13:50:15
据行业最新消息，三星电子成功拿下高通第二代骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite Gen 2）移动处理器的部分代工订单，计划采用其2nm制程技术进行生产，预计该处理器将于2025年下半年正式推出（数据来源：韩国《电子时报》）。这一合作标志着三星首次将2nm制程应用于高通旗舰级芯片生产，但业界分析指出，其订单规模仍远小于台积电。技术路线差异凸显工艺代差三星此次跳过3nm制程、直接以2nm切入，被视为对其3nm工艺竞争力不足的“曲线补救”。据市场研究机构TechInsights数据，台积电3nm制程良率已突破80%，而三星3nm良率仍徘徊在60%-70%之间。尽管如此，三星2nm制程通过GAA晶体管架构优化，在能效比上有望缩小与台积电的差距（数据来源：三星半导体官方技术白皮书）。订单分配折射供应链博弈尽管三星入局，但高通仍将大部分订单交给台积电，后者将采用升级版N3P制程生产主供版本。这种“双源代工”模式既保障了产能弹性，也符合高通近年来推动供应链多元化的战略。Counterpoint Research预测，2026年台积电在高端芯片代工市场的份额仍将维持在75%以上。产品节奏暗藏市场变数值得关注的是，三星2nm版骁龙8 Elite Gen 2或将由2026年下半年发布的Galaxy Z Fold 8首发搭载，这与三星传统上将专属优化版芯片优先用于Galaxy S系列旗舰机的策略形成鲜明对比。行业推测，三星可能调整产品路线图，或为折叠屏机型赋予更高技术优先级（数据来源：The Elec产业报道）。技术对决引发行业期待随着两款制程版本芯片同期面世，其性能与能效表现将成为焦点。半导体分析机构SemiAnalysis指出，2nm制程在相同功耗下可实现10%-15%的性能提升，但实际表现仍需观察量产良率与散热设计。对于消费者而言，2026年高端手机市场或将迎来“同芯不同命”...
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2025/5/9 13:48:15
在2025年台积电北美技术研讨会上，半导体制造巨头台积电宣布其1.4nm制程（A14）将延续现有技术路线，无需采用ASML最新High NA（高数值孔径）EUV光刻机。这一决策与此前公布的A16工艺（2nm增强版）形成技术路线延续，标志着台积电在制程领域构建起差异化竞争壁垒。成本博弈：单次曝光VS多次曝光的经济账据台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang透露，A14工艺预计2028年实现量产，其技术路线图显示，通过优化Low NA EUV光刻机的多重曝光工艺，可在不增加工艺复杂性的前提下，实现与High NA EUV相近的线宽控制能力。ASML官方数据显示，单台High NA EUV设备售价达3.8亿美元，较现有Low NA EUV设备高出111%。台积电测算表明，采用多重曝光方案可使单片晶圆成本降低约23%，设备折旧周期延长40%。技术路线分歧：英特尔激进与台积电稳健的博弈与台积电形成鲜明对比的是，英特尔正加速推进High NA EUV技术应用。作为全球首家接收ASML TWINSCAN EXE:5000系列设备的厂商，英特尔计划2025年在Intel 18A制程中导入该技术。然而，设备高昂的采购成本与维护支出，使得单个晶圆厂建设成本激增35亿美元。随着英特尔新任CEO陈立武近期与台积电高层展开会谈，业界猜测双方或将在封装领域探索合作可能，这为半导体行业技术路线之争增添新变量。工艺创新：背面供电技术成新赛道值得注意的是，台积电A14工艺虽未采用High NA EUV，但通过创新架构设计维持性能领先。其标准版A14工艺采用第二代纳米片晶体管技术，而计划2029年推出的A14P版本将首次引入背面供电网络（BSPDN），实现15%性能提升。更值得关注的是，台积电预留了技术升级窗口——A14X高性能版本或将根据High NA EUV设备成本变化，在2030年后评估导入可行性...
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2025/5/9 13:46:01
全球晶圆代工龙头台积电近日官宣启动亚利桑那州第三座制程工厂建设，标志着其北美战略进入新阶段。根据规划，该项目将形成包含6座晶圆厂和2座封装厂的产业集群，预计总投资额将突破1600亿美元，创下美国制造业史上最大外资单体投资纪录。此次扩产正值全球半导体产业格局调整关键期。据行业数据显示，台积电当前承担着全球55%以上的制程芯片代工需求，其美国基地将重点承接5nm及以下尖端工艺产能。值得注意的是，在美国《芯片法案》补贴实施细则尚未明确背景下，该企业仍持续加码在美投入，凸显其应对供应链区域化变革的战略考量。产业观察人士指出，台积电的扩产计划或将重塑北美半导体生态。目前其凤凰城园区已吸引超20家上下游配套企业入驻，预计到2026年可创造超1.5万个技术岗位。随着三期工厂建设启动，美国本土芯片自给率有望从当前12%提升至2028年的28%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/7 13:44:25
国际半导体产业协会（SEMI）最新数据显示，2024年全球半导体材料市场营收规模攀升至675亿美元，较上一年度增长3.8%。这一增长主要得益于全球半导体市场的整体复苏，以及高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）等制程对高端材料需求的持续攀升。从细分领域来看，晶圆制造材料与封装材料均呈现出不同程度的增长。其中，晶圆制造材料营收达到429亿美元，同比增长3.3%；封装材料营收则为246亿美元，同比增长4.7%。这一增长趋势反映出半导体产业链上下游的协同发展，以及市场对封装技术的日益重视。值得注意的是，随着制程技术的不断推进，如DRAM、3D NAND Flash及逻辑IC等复杂制程的广泛应用，化学机械平坦化（CMP）材料和光阻剂等关键材料的需求实现了两位数的强劲增长。这些材料在半导体制造过程中发挥着至关重要的作用，其需求的增长直接反映了制程技术的快速发展和市场对高性能芯片的迫切需求。然而，并非所有半导体材料都呈现出增长态势。受产业链持续去库存的影响，尤其是成熟制程领域，硅晶圆的需求依然疲软。2024年，硅晶圆营收同比下降7.1%，成为半导体材料市场中为数不多的下滑品类。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/6 13:50:57
在半导体存储领域，三星电子与SK海力士的竞争从未停歇。近日，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，旨在通过量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM，重新夺回在DRAM市场的地位。然而，三星方面回应称，具体的DRAM产品蓝图尚未确定，这为市场增添了几分悬念。据三星内部人士透露，公司原计划在2026年第四季度量产基于4F2VCT创新结构的0a纳米级内存，但这一计划已被推迟至2028年。若VCT DRAM最终实现商业化，相关的新技术和设备投入将至少延续到2029年。这一变动无疑给市场带来了新的期待与猜测，也反映了三星在技术研发上的谨慎态度。VCT DRAM技术通过垂直排列晶体管，实现了更高的存储密度和容量，被视为存储技术的“游戏规则改变者”。然而，该技术的开发难度极大，不仅需要突破传统DRAM制程的限制，还需采用过去未曾使用过的先进封装技术。三星电子在决定下一代DRAM工艺方向时，曾在1e nm和VCT DRAM两种方案之间犹豫不决，最终选择了后者这一被认为具有“颠覆性”潜力的技术路径。这一选择，无疑彰显了三星在技术创新上的决心和勇气。与此同时，三星电子在DRAM市场的竞争对手SK海力士也在积极规划其未来技术路径。据透露，SK海力士的大致规划是从1d nm技术过渡到0a nm技术，并最终实现其所谓的VG DRAM（即3D DRAM）的商业化。这一规划显示出SK海力士在DRAM技术领域的持续创新和进取，也预示着未来DRAM市场的竞争将更加激烈。当前，三星电子正面临来自SK海力士在HBM市场的巨大压力。SK海力士已成功实现HBM3E产品的快速市场供应，并借此取得了亮眼的业绩。与之形成鲜明对比的是，三星电子的HBM3E产品却迟迟未能在市场上实现销售。此外，三星电子在DRAM市场的份额也已被SK海力士超越，这对其市场地位构成了严重威胁。为了重拾市场领导者地位，三星电子正加速将产能向HBM与DDR5产...
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2025/4/30 13:25:56
一、产品介绍FC-L40Y型号产品属于40A系列电源产品配套使用的接线式EMC辅助器，适配于工作电流小于40A的机壳电源产品（例如金升阳LMF3000-20Bxx系列的大电流机壳电源）。将FC-L40Y加装在电源的前端，可以提高电源产品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032标准的EMC性能。二、产品优势1、高共差模插入损耗①共模、差模插入损耗带宽较宽，CM抑制能力最高可达80dB@1MHz，DM则可达到75dB@13MHz。 2、高浪涌抑制能力该滤波器配套电源可有效抑制浪涌，以我司产品为例，配套我司LMF3000-20Bxx系列机壳电源的实测浪涌抑制能力见下图：差模浪涌从配套前的4.4kV降至1kV，共模浪涌从配套前的6.6kV降至0.7kV。3、EMI抑制效果该滤波器配套40A以内大电流机壳电源使用，能有效提升EMI抑制效果。以我司的40A以内大电流机壳电源产品（LMF3000-20Bxx系列）为例，实测得出EMI抑制效果如下：①LMF3000-20B12配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有13dB以上。 ②LMF3000-20B24配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有8dB以上。 ③LMF3000-20B48配套FC-L40Y测试能满足Class B，余量有8dB以上。4、符合安规标准FC-L40Y符合安规标准EN62368，具有CE、UKCA认证。三、产品应用1、应用场景FC-L40Y配套金升阳AC/DC大机壳LMF3000-20Bxx系列电源，广泛应用于工控、LED、路灯控制、安防、通讯、智能家居等。四、产品特点• 高共差模抑制能力（插入损耗 CM＞80dB@1MHz； DM＞75dB@13MHz）• 高浪涌抑制能力（可抑制浪涌线对线：±4KV； 线对地：±6KV）...
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2025/4/29 10:40:04
2025年第一季度，中国智能手机市场迎来关键转折点。根据Canalys最新数据，当季国内手机出货量达7090万部，同比增长5%，结束连续三年的震荡调整期。更值得关注的是，小米以1330万部出货量、19%市场份额的成绩，自2015年后首次夺回冠军宝座，而苹果则以8%的同比跌幅滑落至第五位，创下入华以来最差季度表现。头部阵营剧烈洗牌在政策激励与技术创新双重驱动下，小米凭借40%的同比增速强势登顶。其"人车家全生态"战略成效显现，手机与智能汽车、家居设备的互联订单占比已达总销量的35%。紧随其后的华为保持稳健增长，出货1300万部，折叠屏机型贡献超四成营收。OPPO、vivo分别以1060万部和1040万部守住第三、第四席位，两者在AI影像赛道的投入使其在3000-4000元价位段市占率提升至58%。技术路线分化加剧本季度最显著的特征是AI技术对市场格局的重构。搭载本地化大模型的机型出货量突破2800万部，渗透率达39.5%，较去年同期提升17个百分点。小米MIX Fold 4凭借DeepSeek MoE架构实现端侧AI运算速度提升3倍，带动品牌高端机型销量同比增长210%。反观苹果，由于iOS生态与国产AI框架适配滞后，其15系列机型在AI应用启动速度测试中落后安卓旗舰机40%，导致在华单季度流失120万核心用户。渠道变革催生新机遇随着"AI换机潮"兴起，线上线下融合模式出现突破性进展。数据显示，支持AI功能演示的体验店客流量较传统门店高出75%，转化率提升至38%。vivo通过铺设5000家"智慧生活馆"，使其X100系列首销周期缩短至7天。值得注意的是，三线以下城市成为增长新引擎，下沉市场AI手机出货量同比激增92%，其中荣耀Play系列凭借1999元定价策略，占据该细分领域45%份额。产业链备战技术奇点Canal...
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2025/4/29 10:38:28