为帮助工程师在严苛安全要求下最大程度地降低设计成本与复杂性，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式推出AVR® SD系列单片机（MCU）。该系列单片机集成内置功能安全机制，专为需要高可靠性验证的应用设计，且定价不到1美元，成为首款在该价位段满足汽车安全完整性等级C（ASIL C）和安全完整性等级2（SIL 2）要求的入门级单片机。该系列单片机功能安全管理体系已通过德国莱茵TÜV认证，进一步增强了安全性能。AVR SD系列单片机具有多项硬件安全特性，包括双核锁步CPU、双模数模转换器（ADC）、全内存纠错码（ECC）、专用错误控制模块、错误注入机制以及电压与时钟监控器。这些功能大幅缩短故障检测时间并降低软件复杂度，支持实现低至1毫秒的故障检测时间间隔（FDTI）目标，有效预防危险状况并提升系统可靠性。结合Microchip的安全框架软件使用，该系列单片机可自主管理功能安全诊断，检测和处理错误，并在必要时触发安全状态。该系列单片机可用作主处理器，以最小的功耗实现关键功能，如检测热失控或监控旋转位置等传感器数据。它还是复杂系统中协处理器的绝佳候选产品，可镜像或卸载安全关键功能，适用于安全完整性等级较高的应用，最高可支持ASIL D 和SIL 3级别。Microchip负责单片机（MCU）业务部的公司副总裁Greg Robinson表示：“在设计安全关键型应用时，工程师通常只能使用昂贵而复杂的器件。通过将特定安全功能直接集成到入门级MCU中并提供支持软件框架，我们正在帮助客户以更高的效率满足严格的安全标准。借助AVR SD系列，设计人员可以大大缩短开发时间，最大限度地降低系统和认证成本。”AVR SD系列单片机符合ISO 26262（汽车）和IEC 61508（工业）国际安全标准，适用于航空航天和防务、工业自动化、汽车及医疗等多个...
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2025/3/28 13:12:26
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出RAA278830视频诊断桥接IC。作为一款高度集成的双通道低压差分信号（LVDS）LCD视频处理器，该全新IC整合设计符合ISO 26262标准ASIL B等级车载显示系统所需的多项核心功能，适用于抬头显示系统（HUD）、数字仪表盘、电子后视镜（CMS）及流媒体后视镜等关键应用场景。随着汽车安全系统对显示系统的依赖性日益增强，向驾驶员呈现清晰、无误的图像变得至关重要。丢帧、图像冻结甚至错误的警示图标都可能严重危及行车安全。RAA278830内置功能安全特性，通过监测信号完整性与视频内容本身，来有效避免任何图像损坏的问题。其内部诊断与测量引擎可检测视频冻结、色彩异常、图像破损或损坏，以及闪烁、抖动与可能遮挡驾驶员道路视线的图像（针对HUD系统）。瑞萨车载视频信号处理领域的专长瑞萨长期致力于为汽车电子应用市场提供卓越的视频信号处理解决方案。除标准模拟视频解码器外，瑞萨还推出屡获殊荣的Automotive HD-Link（AHL）产品家族，支持通过低成本线缆和连接器传输高分辨率图像。RAA278830的发布进一步扩展了已被广泛应用的瑞萨集成式LCD控制器产品线。RAA278830的关键特性双通道Open-LDI（Dual LVDS）输入/输出符合ISO 26262功能安全ASIL B等级◦ 在整个数据路径中实施CRC、奇偶校验、BIST及冗余安全机制视频诊断功能◦ 对输入/输出视频的时序，完整性和内容实时监控◦ 抖动、闪烁、遮挡及眩光检测频谱扩展技术降低系统级EMI图像增强引擎提升画质表现双通讯接口：I2C与SPI（可配置）基于SPI flash的OSD及嵌入式字体OSD◦ SPI启动功能（从SPI flash启动，无需MCU）◦ 支持多分区，可进行故障安全OTA更新紧凑型72引脚SCQFN封装（10mm x 10mm）通过AEC-Q...
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2025/3/28 11:53:29
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出业界全新蓝牙芯片——DA14533。该芯片将射频收发器、Arm® M0+微控制器、存储器、外设和安全功能集成在一个紧凑的片上系统（SoC）设计中。作为瑞萨低功耗蓝牙®SoC产品家族中首款通过车规认证的器件，DA14533具备的电源管理功能，可简化系统集成并降低功耗。凭借经认证的蓝牙核心规范5.3软件栈和扩展温度支持，开发人员可以快速开展包括轮胎压力监测、无钥匙门禁，无线传感器和电池管理系统在内的多样化应用开发项目。优化的设计，实现能效基于瑞萨在低功耗蓝牙SoC（SmartBond Tiny产品家族）的前沿地位以及行业低功耗技术，全新DA14533融合业内电源管理功能：该产品内置集成式DC-DC降压转换器，可根据系统需求精确调节输出电压；工作状态下，其系统功耗较市场同类产品显著降低，传输时仅需3.1mA，接收时更降至2.5mA；在休眠模式下，电流更是极低至500nA。这些电源管理和节能特性有助于显著延长小型电池供电系统的使用寿命，并轻松满足轮胎压力监测系统任务配置中对功耗的严苛要求。通过AEC-Q100车规级认证，配备最新安全功能DA14533作为符合AEC-Q100 2级标准的产品，意味着其已通过严格测试，确保在极端车载环境中保持卓越品质及可靠性。此外，该产品的扩展温度范围（-40至+105°C）可进一步保证在严苛条件下的可靠性能，使之成为汽车、工业等领域对稳定性、耐用性有着极高要求系统的理想之选。该产品符合蓝牙核心规范5.3，包含最新的安全功能，可保护连接设备免受各种威胁。Chandana Pairla, VP of Connectivity Solutions Division at Renesas表示：“我们的SmartBond Tiny SoC产品家族在工业市场上取得了显著成功，迄今出货量已突破1...
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2025/3/28 11:49:09
意法半导体的 VIPerGaN65D 反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和 USB-PD (电力输送) 快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN (氮化镓) 晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz，开关损耗极小，可以搭配使用小体积的反激式变压器和无源元件，以及价格低廉的小电路板。VIPerGaN65D采用较传统的SO16n窄体封装，而VIPerGaN系列其他成员则采用5mm x 6mm DFN封装。该变换器采用零电压开关技术，可以调整谷底同步延迟，确保 GaN 晶体管导通时间始终是在漏极谐振谷底。该转换器还具有动态消隐时间功能，在输入电压上升时可保持能效，并自适应任何线路和负载条件，以最大限度地提高整体能效。此外，在输入电压范围内，前馈补偿可最大限度地减少输入峰值功率变化。VIPerGaN65D的极限电流为3.5A，当设计采用85V至265V的通用输入电压时，变换器最大输出功率可达65W，如果把输入电压提高到185V-265V，最大额定输出功率可达85W。待机功率不到30mW，符合最新国际能效标准的要求。VIPerGaN65D可用于设计小巧又便宜的快速充电器和适配器，并可用作洗衣机、洗碗机、咖啡机、电视机、机顶盒、数码相机、便携式音频播放器、无线剃须刀等设备的辅助电源。它还用于台式电脑和服务器、楼宇和家庭自动化设备、电表、家用和建筑照明以及空调的辅助电源。VIPerGaN65D集成了一个 SENSEFET晶体管 (电流检测功率 MOSFET) ，为优化能效和触发系统安全保护机制提供精确的电流检测功能，最大限度减少物料清单成本。内置安全功能包括过流保护、输出过压保护、输入...
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2025/3/27 13:15:17
Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon140 mΩ)（用于支持LED驱动器和功率因素校正(PFC)应用），以及650 V器件(RDSon350 mΩ)（适用于AC/DC转换器）。Nexperia E-mode GaN FET技术凭借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的开关性能。这些新器件提供了业界领先的品质因数(FOM)，因此非常适合用于高效电源解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/27 13:08:13
全球半导体制造龙头台积电今日确认，将于4月1日正式开放2nm制程晶圆订单预订，标志着半导体工艺正式迈入2纳米时代。据供应链消息，2nm制程的市场需求远超预期，多家国际科技巨头已提前排队锁定产能，竞争态势激烈。台积电披露，为应对2nm制程的强劲需求，公司同步在高雄和宝山两大工厂加速产能部署。其中，高雄工厂将于3月31日举办扩产启动仪式，首批2nm晶圆将于4月底前运抵位于新竹的宝山超级晶圆厂进行后续加工。业内人士分析，这种"双厂联动"模式将显著提升2nm制程的量产效率。首批获得2nm产能配额的客户名单备受关注。苹果公司不出意外地占据首位，其订制的A20仿生芯片将采用该制程技术，预计搭载于2026年下半年发布的iPhone 18系列。该芯片在能效比和晶体管密度上较3nm工艺将有显著提升，为新一代iOS设备带来更强的运算性能和更持久的续航能力。除苹果外，AMD、英特尔、博通及亚马逊AWS等科技巨头也在积极争取2nm产能。台积电表示，已规划到2025年底实现每月5万片2nm晶圆的产能目标，届时高雄和宝山工厂将全面释放产能。不过，2nm制程的高昂成本同样引人注目——每片晶圆报价预计突破3万美元大关，较3nm工艺上涨约30%。为帮助客户分摊研发成本，台积电将于4月前推出创新的"CyberShuttle"服务。该技术允许客户在单一测试晶圆上完成多组芯片设计验证，通过共享测试资源有效减少流片次数，从而降低整体研发支出。分析师指出，这项服务对于中小IC设计企业而言具有特别价值，有望降低制程的准入门槛。随着2nm制程的量产推进，台积电在半导体制程领域的领先地位进一步巩固。该制程技术采用GAAFET（环绕栅极晶体管）架构，相比FinFET在功耗控制、性能提升及面积优化上均有重大突破，将成为未来高性能计算、AI加速及5G通信等领域的关键基础设施。免责声明：本文...
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2025/3/27 11:58:47
德州仪器近日推出了全球超小型 MCU，进一步扩展了品类齐全的 Arm® Cortex®-M0+ MSPM0 MCU 产品组合。MSPM0C1104 MCU 采用晶圆芯片级封装 (WCSP)，尺寸仅为 1.38mm2，大小约相当于一粒黑胡椒粒，让设计人员能在不影响性能的情况下，优化医疗可穿戴器件和个人电子产品等紧凑型应用的布板空间。"在耳塞和医疗探头这类超小型系统中，布板空间是一种稀缺而宝贵的资源，"德州仪器的 MSP 微控制器部副总裁兼总经理 Vinay Agarwal 表示。"得益于这款全球超小型 MCU，我们的 MSPM0 MCU 产品组合将会带来无限可能，让我们的日常生活体验变得更智能、更互联。"德州仪器的 MSPM0 MCU 产品组合包含 100 余款具有成本效益的 MCU，可以提供可扩展的片上模拟外设配置和多种计算选项，因而可增强嵌入式设计的传感和控制能力。该系列器件已于日前亮相于德国纽伦堡盛大举行的国际嵌入式展。超小封装，无限可能消费者不断提出要求，希望电动牙刷和触控笔等日常电子器件不仅尺寸更小、价格更低，而且能够具备更多功能。要在缩小产品尺寸方面进行创新，工程师愈发需要使用小巧的集成元件，以便在维持布板空间的同时增加功能。MSPM0C1104 MCU 充分发挥了 WCSP 封装技术的优势，通过精心的功能选配以及德州仪器的成本优化方案，使其 8 焊球 WCSP 的尺寸仅为 1.38mm2，较同类产品小 38%。此 MCU 搭载 16KB 内存，1 个 12 位三通道模数转换器，6 个通用输入/输出引脚；并且兼容标准通信接口，如通用异步收发器 (UART)、串行外设接口 (SPI) 和内部集成电路 (I2C)。这款全球超小型 MCU 集成了精准的高速模拟元件，工程师因而能够在不增加布板尺寸的情况下维持嵌入...
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2025/3/26 11:21:00
OPTIREG™电源管理芯片（PMIC）产品组合可实现高效电压调节，提供了带有直流-直流（DC/DC）和线性稳压器以及跟踪器的前置和后置稳压器架构。除供电外，该系列还集成了额外的监控和控制功能，支持客户开发用于安全相关应用的汽车ECU。为了进一步支持开发人员，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司持续扩大 OPTIREG™ PMIC系列的产品组合，推出了符合高标准汽车系统要求的集成式多轨电源解决方案OPTIREG™ PMIC TLF35585。TLF35585能够为 AURIX™和其他微控制器（MCU）提供可靠的供电，满足更高功能安全要求，从而实现稳健的系统。因此，这款新型电源解决方案适用于严苛汽车环境中的功能安全应用，尤其是在底盘、动力总成、域控和传动领域。TLF35585 PMIC包含一个升压降压预调节器，可为微控制器电源、通信电源和精确电压基准提供后置稳压电压轨。。它还带有两个跟踪器，跟踪参考电压，以向板外传感器供电。TLF35585的主要监控功能有可配置的窗口看门狗（时间触发器）、功能看门狗（问题和响应触发器）、错误引脚监控和电压监控器。为了与MCU进行交互，这款PMIC还提供16位 SPI、中断和复位功能。该产品达到ISO 26262最高系统安全级别ASIL D，并且结温范围扩展到最高175°C。其宽开关频率范围可提高效率，并支持小型滤波器元件的使用。此外，该IC还集成了灵活的状态机、带有定时器的唤醒功能和待机稳压器，因此用途广泛。OPTIREG™ PMIC TLF35585采用小型VQFN-48封装或TQFP-48封装，这两种封装均为热增强型封装，并且完全达到 AEC-Q100标准（0 级）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/26 11:19:04
全球晶圆代工领域正加速迈向2纳米技术节点，台积电、三星及英特尔三大巨头均计划在年内实现2纳米制程量产，标志着制程竞争正式进入2纳米时代。根据集邦科技分析，综合产品布局与产能规模考量，台积电有望在2纳米世代继续保持领先地位。近期行业动态显示，英特尔已宣布其18A制程技术准备就绪，预计2025年上半年完成客户设计定案；三星自研的2纳米Exynos 2600处理器亦传出投片消息；台积电则定于3月31日于高雄举办2纳米晶圆厂扩产奠基仪式，三大代工厂在2纳米赛道的竞速态势日趋激烈。集邦科技半导体研究处副处长乔安指出，尽管三家厂商均定于本年度实现2纳米量产，但市场格局将呈现明显分化。台积电凭借既有客户基础与产能优势，预计将成为今年2纳米市场的主要供应者。三星方面，当前2纳米制程客户群相对有限，主要依托自有System LSI部门消化产能，提升良率与客户服务质量是当务之急。技术实现层面，三星虽在3纳米节点率先采用环绕栅极（GAA）架构，但据韩媒披露，其2纳米Exynos 2600试产良率仅约30%。反观台积电，虽首次在2纳米节点导入GAA技术，良率表现已达三星的一倍以上。乔安强调，三星作为全球存储芯片龙头，长期形成的"标准化产品供应"模式在代工领域面临挑战。以AI芯片巨头英伟达为例，尽管曾尝试与三星合作，最终仍回归台积电怀抱，凸显三星在客户需求响应机制上的改进空间。至于英特尔，乔安认为其现有的CPU生产模式与晶圆代工业务存在显著差异。传统晶圆厂需同时处理30-40种工艺制程，单一客户可能涉及10余款产品，生产弹性要求远高于英特尔现有体系。建议英特尔调整制程架构，增强多产品兼容能力，方可提升代工市场竞争力。其与联电的战略合作，被视为技术互补与业务拓展的双向利好。受益于3纳米技术的代际优势，台积电已囊括绝大多数AI芯片订单，市场份额持续扩张。展望2纳米节点，台积电预计前两...
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2025/3/26 11:09:46
微控制器（MCU）是现代电子产品的核心器件，在边缘设备上开发最新的人工智能模型和在MCU上部署模型的工作流程，对开发者来说是一项极大的挑战。如果将带有硬件神经网络加速器（NPU）的高性能MCU与AI模型推理优化后相结合，开发人员就能更快地将AI模型部署到低功耗MCU中。为此，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布PSOC™ Edge MCU系列开始支持NVIDIA® TAO 模型。英飞凌PSOC™ Edge MCU系列采用 Arm® Cortex®-M55 处理器和 Ethos-U55微型NPU，提升了边缘设备机器学习（ML）能力。这个多功能MCU系列结合强大的NVIDIA TAO 模型和适配套件，将极大简化高精度视觉AI模型的创建、定制、优化和部署。英飞凌科技物联网计算和无线产品线高级副总裁Steve Tateosian表示：“NVIDIA是人工智能/机器学习领域的关键角色，因此我们与我们在视觉、音频和语音应用领域的主要客户对此次集成非常期待。通过在我们的PSOC™ Edge产品系列中集成NVIDIA TAO模型，我们将赋予开发者创建更智能、更高效系统的能力。这些系统在网络边缘工作，并且快速、精准地解决现实世界中的挑战。这显著加快了工业自动化、医疗、汽车以及智能物联网解决方案中支持机器学习相关应用的上市速度。”NVIDIA机器人和边缘计算副总裁Deepu Talla表示：“NVIDIA TAO为远端边缘带来了计算机视觉模型和优化部署流程的最新发展成果。英飞凌PSOC™ Edge与NVIDIA TAO的集成极大地简化了在各种设备上开发和部署定制AI的过程。”NVIDIA TAO的支持将会覆盖整个PSOC™ Edge系列，并提供完整的开发生态系统，包括工具、库和相关文...
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2025/3/24 13:45:11
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 发布了下一代STM32高能效短距离无线微控制器 (MCU)，可简化消费电子产品和工业设备与物联网的连接。STM32WBA6新系列微控制器用于物联网智能设备，例如，穿戴医疗设备、健康监测器、动物项圈、电子锁、远程天气预测传感器等。新系列无线微控制器集成容量更大的内存和更多数字系统接口，同时保持能源效率，在新兴的产品设计中可以处理更丰富的功能。STM32WBA6 MCUs还内置可以通过SESIP3和 PSA Level 3认证的安全资产，例如，加密算法加速器、TrustZone® 隔离、随机数生成器和产品生命周期管理，有助于客户满足即将出台的 RED 和 CRA 法规的要求。意法半导体通用 MCU产品部总经理 Patrick Aidoune 表示：“稳健可靠的标准化无线连接是物联网成功的关键。STM32WBA6新系列MCU具有更丰富的功能和更大的存储容量，可满足智能家居、医疗、工厂和农业等高端应用的需求。现在，有了这些产品，客户可以加快开发速度，满足消费电子和工业市场对新产品的需求：功能更多，性能更强，尺寸更小，能耗更低。”STM32WBA6新系列微控制器的无线子系统支持蓝牙、Zigbee、Thread、Matter等在 2.4GHz频段运行的网络协议，并允许设备同时使用多种协议进行通信。这样，智能家居网桥等网络系统就可以通过蓝牙与业主的手机App通信，同时还可以通过 Zigbee 等Mesh网络管理照明或恒温器。STM32WBA6 系列还有单协议产品，以满足看重简单和性价比的客户需求。技术说明：· 通过集成处理器内核、外设接口和无线子系统，STM32WBA6 MCU 可帮助产品开发人员简化新设计，缩小产品尺寸，节省电子物料清单成本。与之前的 STM...
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2025/3/24 13:40:56
圣邦微电子推出 SGM38120，一款面向多摄像头和多传感器应用场景的电源管理芯片。该器件可应用于智能手机、智能手表、AR 眼镜、健康监测及智能监控等设备。SGM38120 是一款高性能的 7 通道低压差线性稳压器（LDO）电源管理集成电路（PMIC），集成了两种类型的 LDO 通道：两个低压差 N 沟道 MOSFET LDO 通道和五个高电源噪声抑制比（PSRR）及低噪声 P 沟道 MOSFET LDO 通道。这种设计使其能够满足多种电源管理需求，同时兼顾高效性和稳定性。器件特性：LDO1 和 LDO2：支持 1.4A 的输出电流；输入电压范围 0.7V 至 2.0V；可编程输出电压范围 0.528V 至 1.504V，步进 8mV；输出电压精度 1.3%。LDO3、LDO4 和 LDO6：输出电流能力 500mA；输入电压范围 1.8V 至 5.5V；可编程输出电压范围 1.504V 至 3.544V，步进 8mV；电源噪声抑制比（PSRR）表现出色，在 1kHz 频率下达到 105dB，在 1MHz 频率下仍能保持 70dB；LDO3 和 LDO4 噪声水平为 15μVRMS（典型值）；LDO6 噪声水平为 17μVRMS（典型值）。LDO5 和 LDO7：支持 750mA 的输出电流；输入电压范围 1.8V 至 5.5V；可编程输出电压包括 1.2V 以及 1.504V 至 3.544V，步进 8mV；电源噪声抑制比（PSRR）在 1kHz 时为 105dB，在 1MHz 时为 70dB，噪声水平为 17μVRMS（典型值）。为确保系统的安全性和可靠性，SGM38120 还配备了多种保护功能，包括过温保护（OTP）、输出过流保护（OCP）、欠压保护（UVP）和欠压锁定保护（UVLO）。此外，芯片还支持故障中断功能，能够及时响应异常情况，进一步提升系统的稳定性。在通信...
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2025/3/24 13:37:42
华为终端BG CEO余承东在鸿蒙智行新品发布会上披露，自3月6日开启预售以来，问界M8累计订单已突破7万台，展现出强劲的市场号召力。这款定位"家庭智慧旗舰SUV"的新车预计将于4月正式上市，成为鸿蒙智行冲击中高端市场的又一力作。问界M8以5190mm超长车身和3105mm轴距，提供5/6座双版本选择，空间表现堪称越级。其搭载1.5T增程+前后双电机系统，纯电续航最高达240km，预售价35-45万元区间精准切入主流市场。技术层面，该车深度集成华为高阶智能驾驶方案，HarmonyOS 4.0智能座舱支持双无线快充、后排娱乐屏等实用配置，动力系统综合功率达392kW，提供增程/纯电双模选择。市场分析指出，问界M8成功填补M7与M9之间的市场空白，凭借华为智驾技术赋能，有望复制前作爆款基因。随着产品矩阵的持续完善，鸿蒙智行在中高端新能源市场的竞争力将得到全面提升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/24 13:31:10
全球AI芯片巨头英伟达近日披露重大战略动向，公司计划在未来四年投入数千亿美元专项采购美国本土制造的芯片及电子产品。CEO黄仁勋在GTC全球开发者大会上强调，这一决策标志着英伟达在构建弹性供应链方面取得关键进展。根据最新披露，英伟达已实现在美国本土的制造突破：其最新一代AI芯片及数据中心服务器产品，正在台积电亚利桑那州晶圆厂和富士康得州智能工厂完成本地化生产。黄仁勋特别指出，这种"本土设计+本土制造"的双重保障模式，将显著提升供应链抗风险能力，确保关键产品的稳定供应。值得关注的是，英伟达正加速推进制造业务全面转移至美国的战略。目前在台积电美国工厂生产的GPU，已成为支撑全球AI投资热潮的核心算力组件。黄仁勋在大会上展示的战略图景显示，从基础芯片到系统级产品，英伟达正在美国本土重构完整的AI硬件生态链。该战略决策具有深刻的产业背景。今年初黄仁勋与特朗普政府的会晤中，曾高度评价美国新政府对AI领域的支持政策，认为这为本土半导体产业创造了前所未有的发展机遇。而特朗普政府的关税政策客观上加速了产业转移进程，台积电宣布追加1000亿美元美国投资，富士康亦与苹果联手在得州建立AI服务器超级工厂，显示出美国正成为全球半导体投资的新磁极。分析指出，英伟达此次战略调整不仅是对供应链安全的主动布局，更深层意义在于抢占全球AI产业制高点。通过构建"美国芯"生态闭环，英伟达进一步强化了在智能计算领域的领导地位，同时也预示着全球半导体产业格局正在发生深刻的结构性转变。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/24 13:19:39
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司扩展旗下XDP™ 数字保护产品系列，推出 XDP711-001。这是一款拥有 48 V 宽输入电压范围的数字热插拔控制器，具备可编程安全操作区域（SOA）控制且专为高功率 AI 服务器设计。该控制器拥有出色的输入及输出电压监控与报告功能，精度达 ≤0.4%，还有系统输入电流监控与报告功能，在全 ADC 范围内精度达≤0.75% ，可提升系统的故障检测和报告准确性。XDP711-001热插拔控制器采用脉冲 SOA 电流控制技术，即使在未采用最佳场效晶体管（FET）的系统中也能实现更安全的开启，从而降低系统物料（BOM）成本。这一XDP™产品系列的新成员专为驱动多个并联 MOSFET而设计，支持高功率设计这一AI服务器的关键需求。XDP711-001 采用三区块架构，该架构结合用于监控和故障检测的高精度遥测技术、针对功率MOSFET优化的数位 SOA 控制，以及能够驱动最多8个N型功率 MOSFET的高电流整合式驱动器，支持4 kW、6 kW和8 kW电力传输板（PDB）设计。这款新型热插拔控制器可在 7 V 至 80 V宽输入电压范围内运行，并能承受高达100 V的瞬时电压长达500毫秒，提供 ≤1.15% 精度的输入功率监控和报告。它具备兼容高速 PMBus™的主动监控功能，可提升系统可靠性。在严重过电流（SOC）情况下，可编程栅极关闭功能可于短短1微秒内迅速且确实地执行关闭操作。其他功能包括 IMON、PMON 以及突波抗扰能力，能进一步提高系统可用性。此外，全数字操作模式能大幅减少外部组件需求，实现紧凑的解决方案，使其成为空间受限的设计中兼具成本效益的理想选择。通过外部FET选择和一次性可编程（OTP）选项，XDP711-001可针对各种使用模式，灵活进行故障和警告侦测，以及去抖动（de-glicth）定时器的程序...
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2025/3/21 13:24:36
为满足风电轨交、精密制造等可靠性要求严苛、性能优异的应用环境，金升阳推出了高端M系列导轨——LIMF120/240/480-23Bxx系列，该系列设计参考防爆认证，60℃可满载工作，提供5年质保，且兼具防盐雾、5G抗震、三防漆保护等优势，可适应各类应用工况，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势如下 1）宽输入输出电压 ① 全球通用输入电压范围：85 - 277VAC/120 - 390VDC，支持305VAC/2H输入，可交直流两用； ② 输出可调范围宽，可有效解决长距离供电的线损问题。2）性能强大 ① 产品效率高达93%，高效环保，减少发热的同时提升了电源可靠性和使用寿命； ② 工作温度范围：-40℃ to +85℃，60℃可满载工作，适用于机房高温环境； ③ 满足1.5倍（3s）瞬态峰值功率，可与直流电机或其他大容性负载搭配使用； ④ 带PFC功能，DC OK，输出短路、过流、过压、过温保护。3）稳定可靠 ① 真空电镀外壳，基板双面三防漆、通过48h防盐雾测试，符合ANSI/ISA71.04-2013 G3等级防腐测试，可用于高污染环境； ② 通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用； ③ 符合5G振动测试标准，可有效避免振动环境导致的结构/焊接失效问题； ...
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2025/3/21 13:20:18
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出针对电动自行车、吸尘器、机器人和无人机等多种采用锂电池供电的消费产品推出锂电池组一站式管理解决方案——R-BMS F。得益于所提供的预验证固件，R-BMS F（具备固定固件的即用型电池管理系统）将显著缩短开发者的学习周期，助力其快速设计出安全、高效的电池管理系统。R-BMS F解决方案专为2-4节和3-10节串联（S）的锂离子电芯设计，包括瑞萨业界卓越的电量计IC（FGIC）、集成微控制器（MCU）和模拟电池前端、预编程固件、软件、开发工具及完整文档——所有这些都以完整的评估套件形式提供，现已准备发货。瑞萨于3月16日至20日，在美国佐治亚州亚特兰大举行的国际电力电子应用展览会（APEC）期间，在其展台（展位号#2021）上现场展示该全新电池管理系统（BMS）解决方案。预编程固件简化开发过程固件在电池管理系统中的作用至关重要，其负责监控电池的充电状态（SoC）、健康状态（SoH）、电流和温度，并主动平衡每个电芯的电压以及检测故障。然而在某些情况下，消费电子产品开发商可能因缺乏所需的高度专业化的知识，而难以开发出能够确保电池在安全温度范围内工作，并在多次充放电循环中保持足够使用寿命的控制算法。瑞萨的R-BMS F解决方案包括内置的预测试固件，可与FGIC的集成MCU配合使用。固件包含关键的预编程功能，可最大限度地延长电池寿命并确保安全运行：这些功能囊括电芯平衡、电流控制，以及电压和温度监控等。为进一步提升灵活性，电池管理系统允许开发者通过图形用户界面（GUI）设置众多参数，以满足特定要求，并针对不同的电芯化学成分调整解决方案，而无需全套的集成开发环境（IDE）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/21 13:16:49
美光科技在迎来台积电前董事长刘德音加入董事会后，近期与存储封测领域的领军企业力成达成了深度合作，大幅扩大了DRAM的委外封测订单。据悉，此次订单量激增了五成，直接推动了力成产能利用率的显著提升。力成对未来的市场前景持乐观态度，并预计存储市场在第二季度将迎来复苏。力成董事长蔡笃恭表示，公司将持续增加在AI相关技术和HBM封测领域的投入，以扩大订单量。美光科技在台湾的投资已满30周年，据统计，截至2024年，美光在台湾的投资额已累计超过1.1万亿元新台币，成为台湾最大的外商投资企业。美光与供应链伙伴建立了紧密的合作关系，并积极发展HBM技术，与SK海力士、三星等巨头共同抢占市场商机。有消息称，为了满足庞大的市场需求，美光计划在台中厂区进一步扩大HBM产能，并将部分封测产能转用于HBM封测，这使得DRAM封测产能受到挤压并出现缺口，从而促使美光扩大了委外封测的合作范围。力成预计采用堆叠式封装（PoP）技术，并有望从第二季度开始进入量产阶段。据初步估算，PoP制程的产量将实现季度增长五成，产能利用率也将大幅提升。业界分析指出，美光与力成已携手合作近十年，双方建立了深厚的默契与信任。从力成西安工厂至今，力成一直是美光DRAM和NAND Flash委外封测的重要合作伙伴。此次深度合作不仅将进一步巩固双方的合作关系，还将共同开拓AI和HBM领域的新蓝海。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/20 13:18:43