美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年3月5日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升级消费品中红外（IR）遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路。这些增强型解决方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN封装，以即插即用方式替代该系列中现有的器件，同时提供2.0 V至5.5 V的更宽电源电压范围，高37 %的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能。Vishay VSOP383xx系列前置放大器电路采用紧凑型封装，在更宽的电压范围内实现低功耗，从而延长电池寿命，并节省移动设备的空间。通过使用Vishay最新的自有IC技术升级组件，可确保产品的长期供货，并缩短向客户交付产品的周期。作为现有解决方案的直接替代产品——没有机械差异且电气特性相似，这些器件不需要对PCB进行重新设计，有助于节省成本。 前置放大器电路的设计目的是与光电二极管配合使用，用于电视、音响、游戏机、机顶盒（STB）、音频设备等的红外遥控。针对这些产品中的遥控功能，器件增强了对不同种类的灯的抗干扰能力，并且对电源电压上的纹波噪声提供了很高的抗扰度。此外，该解决方案不易受2.4 GHz和5 GHz频率的电磁干扰（这些电磁干扰可能导致不必要的输出脉冲）影响，因此可以放置在Wi-Fi天线附近，以提高设计灵活性，同时，器件在明亮阳光下的稳定性使其适合户外使用。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，载波频率有36 kHz（VSOP38336）和38 kHz（VSOP38338）两种。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:30:14
NAND Flash与DRAM市场供需正在改善，2025年NAND Flash合约价预计将于第二季底回升，并持续至年底。主要原因来自于原厂减产与供应紧缩。自2024年第四季起，三星及铠侠/西部数据已大幅下修投片，导致2025年NAND位元供给增幅仅13%，而需求则成长15%。这使得供给吃紧情势将延续至2026 年，进一步推动价格回升。企业级SSD需求扩张，PCIe 5.0 SSD渗透率将从2024年的9%提升至2026年的61%。随着AI推理与企业数据存储需求的提升，企业级SSD将加速取代传统HDD。2025年企业级SSD市场将年增15%，而PCIe 5.0 SSD的高效能需求将进一步推升产业成长。随着NAND Flash原厂持续控制供应，2025年合约价将于第二季底回升，并持续至年底，涨幅至少可延续数个季度。高层数NAND堆叠技术的变革，使原厂的资本支出扩张受限，导致市场供给成长缓慢。DRAM市场虽然供需逐渐平衡，但价格回升动能仍不明显。2025年第一季与第二季DRAM供需比仍高于100%，显示供应仍大于需求，预计到下半年供需才会趋于平衡。与此同时，AI PC市场的崛起，将带动DDR5与LPDDR5X的需求增长。存储市场供需改善，带动NAND Flash与DRAM相关供应链企业迎来成长机会。然而，市场仍需关注以下风险，若NAND Flash原厂提前扩产，可能影响价格回升幅。DRAM市场短期内仍供过于求，价格回升动能不足。全球经济与电子产业需求变数，可能影响整体存储市场的复苏速度。未来，市场将关注企业级SSD、AI PC 与工控应用的成长潜力，这些领域将成为存储市场的主要驱动力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:23:58
英伟达公布第四财季营收后，供应链透露，英伟达再砍单CoWoS封装，且先前洽谈的CoW（Chip on Wafer）前段封装制程委外订单，最终未达共识。法人分析，台积电制程产能利用率仍接近满载，甚至高于年初产量，但随英伟达前代Hooper GPU生命周期进入尾声，总订单量可能逐渐减少，有待下一代产品GB300推出提升需求。台积电在3月2日对此传闻不予回应。一位封测供应链人士指出，近期台积电CoWoS相关订单依然供不应求，并没有被削减，可能是由于工艺和产品世代交替，甚至可能是一些客户开始布局下一代扇出型面板级封装（FOPLP），导致误会加深。此前在2025年初，市场消息传出“台积电CoWoS被削减订单”，在1月份的台积电法说会上，魏哲家以“外面谣言多，公司正在持续扩产，以满足客户需求”间接否认了削减订单的传言。黄仁勋上周也在英伟达的财报会议上明确指出，Blackwell系列芯片供应链问题已完全解决，“需求非常强劲”。业内分析，以英伟达为例，今年中Hopper架构系列H10、H100、H200等AI芯片全面停产，客户转向以Blackwell架构为主的B200或B300。但由于Blackwell架构采用的台积电CoWoS-L封装技术需要采用局部硅中介层（LSI）加上重分布层（RDL）等两种技术，因此良率仍不及先前CoWoS-S的99％，目前仅约70％至80％，产出自然不及先前水平，成为今年全年台积电CoWoS平均月产能下降的主要因素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:20:10
据报道，供应链消息显示，2025年第一季度，台积电3nm制程的稼动率接近100%，5nm制程的稼动率达到105%，成功弥补了16/12nm、7/6nm制程只有60 - 65%稼动率的不足。此外，代工价格的上调也足以抵消16/12nm、7/6nm制程稼动率仅六成多所带来的不利影响。目前，尽管受到美国对中国AI芯片管制措施以及特朗普第二次上台后持续推出关税等政策的压力，但台积电的运营表现并未受到太大影响。反而，1月下旬在台湾地区发生的多起地震，对台积电的运营表现产生了一定影响。台积电于2月10日披露，受地震影响，预计2025年第一季度的收入将接近250亿美元-258亿美元指导区间的下限；毛利率仍将在57%至59%之间，营业利益率预计为46.5%至48.5%，全年展望维持不变。供应链业内人士称，台积电首季财测未作下调，主要得益于其拿下了全球客户7nm以下的大量订单。此前，台积电预计2025年将迎来强劲增长，全年营收有望迈向千亿美元大关，未来还计划挑战2千亿美元营收目标，其中AI相关营收将实现翻倍。预计在未来五年，营收将以接近20%的年复合成长率稳步增长。供应链业内人士分析，台积电凭借手中大量全球芯片大厂订单，且在市场中缺乏强劲竞争对手，关税和客户竞争对其影响较为有限。当前，台积电面临的最大挑战或许是一系列关于在美国投资的传言，例如美国政府要求其进一步扩厂，以及在英特尔复兴计划中，台积电需要承担的责任与角色。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/6 13:15:37
今年PC产业除了新世代RTX50系列电竞商机，业界持续看好AI PC成长动能，据研调机构Canalys最新报告显示，若将范围缩减至AI PC领域，2024年第4季苹果凭藉M系列芯片提早布局，成为AI PC第一大品牌，市占率高达45%，狠甩联想、惠普（HP）、戴尔（Dell）等竞争对手。Canalys报告显示，全球2024年第4季PC出货第一依然为联想，市占率25%，其次依序为惠普20%、戴尔15%、苹果10%、华硕（2357）7%、宏碁（2353）6%，整体排名变化不大。不过若将产品限定AI PC机种，则排名出现大翻转，苹果成为AI PC龙头厂。这是因为Canalys将AI PC定义为“具备单独AI运算单元，可在本机上执行AI工作”的机种，定义相较PC业界广泛，如微软定义的AI PC，AI算力必须超过一定水准。在此定义下，苹果去年第4季AI PC市占率达45%，后面依序为联想15%、惠普14%、戴尔9%、华硕9%、宏碁3%。整体PC产业当季AI PC出货量为1,540万台，AI PC占整体PC出货比重达23%；从2024全年来看，AI PC出货量占整体PC的17%，苹果市占率高达54%，其次才为联想及惠普，各占12%。PC业界普遍看好今年成长动能，包含微软操作系统Windows 10支援即将终止，以及AI PC渗透率提升等正面因素，都将推动整体PC换机潮。经济日报免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/6 13:12:54
氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：“这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。CoolGaN™ G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ；CoolGaN™ G3 80 V将采用 3.3x3.3 RQFN 封装，典型电阻为2.3 mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/5 10:54:23
2025年2月25日，英特尔发布两大全新以太网产品线——英特尔以太网控制器E830和网络适配器，以及英特尔以太网控制器E610和网络适配器，旨在满足企业、电信、云、边缘、科学计算（HPC）和AI等领域日益增长的需求。这些新一代解决方案可以提供强劲的高性能连接，同时提升能效与安全性，并降低总体拥有成本（TCO）。英特尔公司网络与边缘事业部副总裁Bob Ghaffari表示：“在万物互联的今天，网络对于商业成功和技术转型至关重要。随着英特尔以太网E830和E610产品的推出，我们正在帮助客户满足对高性能、高能效解决方案日益增长的需求，这些解决方案能够优化网络基础设施，降低运营成本并改善总体拥有成本（TCO）。”通过将英特尔至强6处理器与高性能的以太网连接相结合，英特尔全新以太网解决方案将为可扩展的数据密集型应用奠定基础，助力企业加速创新、降低成本并赢得竞争优势。得益于制程节点与以太网技术的新进展，英特尔以太网E830和E610系列在数据中心和边缘环境中的每瓦性能与安全性实现显著提升。以太网技术始终是现代网络基础设施的核心。随着AI、虚拟无线接入网（vRAN）、5G云计算、边缘及物联网（IoT）应用推动着数据与连接的需求增长，英特尔的以太网解决方案经过专门设计，可提供满足这些持续演进的需求所需的性能、可扩展性与安全性。英特尔以太网控制器E830和网络适配器能够优化高密度的虚拟化工作负载，提供灵活的端口配置、出色的时间同步能力与卓越的安全功能；英特尔以太网控制器E610和网络适配器则针对控制平面操作提供了理想的解决方案，具备出色的可管理性与卓越的能效表现。英特尔以太网E830系列：高性能和多功能连接英特尔以太网E830系列为虚拟化企业、云、电信及边缘环境中严苛的工作负载提供高性能、安全且高能效的解决方案。首批产品包括双端口25GbE PCIe和符合OCP 3.0标准的适配器，更多配...
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2025/3/5 10:48:43
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布其最新推出的三款微控制器（MCU）产品群已成功获得PSA一级认证，并附带欧盟《网络弹性法案（CRA）》的合规性扩展。此次认证由Applus+实验室进行，标志着瑞萨在网络安全领域以及对即将出台的欧盟法规合规性方面迈出重要一步。获得认证的RA4L1 MCU产品群是采用Arm® Cortex®-M33（CM33）内核的32位低功耗微控制器（MCU），支持Arm TrustZone®技术，在低电压运行、低功耗和高性能之间实现了理想的平衡。其集成的低功耗功能、安全引擎和通信接口使这些产品成为工业自动化、家用电器、智能家居、消费电子、楼宇/家居自动化，以及医疗/保健应用领域的理想之选。获得认证的RA8E1和RA8E2 MCU产品群均基于Arm® Cortex®-M85（CM85）架构，专为包括工业自动化、家用电器、智能家居系统和医疗设备在内的广泛应用而设计。RA8E1 MCU产品群支持Arm Helium™技术，适用于视觉和语音AI应用；RA8E2 MCU产品群则内置图形LCD控制器，可用于人机界面（HMI）解决方案。PSA认证作为全球领先的安全框架，由Arm与行业合作伙伴于2019年共同建立。该框架已推出针对其一级认证的扩展，以满足即将实施的欧盟《网络弹性法案》合规要求。这项新法规将于2027年12月成为强制性规定，广泛适用于各种数字产品。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“我们很自豪能够站在物联网安全领域的前沿。瑞萨获得PSA一级认证及CRA合规扩展，充分彰显了我们致力于为客户提供安全、面向未来解决方案的坚定决心与承诺。”David Maidment, seni...
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2025/3/5 10:42:35
2025 年 3月 3 日，中国——意法半导体的 STM32C0系列微控制器 (MCU) 新增三款产品，为设计人员带来更高的设计灵活性，提供更高的存储容量、更多的接口和CAN FD选择，以增强通信能力。STM32C0高性价比系列的新产品STM32C051配备最高64KB的闪存，适合对存储空间要求更高而STM32C031 MCU又无法满足的应用设计，最多48引脚的封装具有更多的接口和用户I/O通道。另外两款新产品STM32C091和STM32C092的闪存容量扩展到256KB，采用最多64引脚的封装。此外，STM32C092还增加了一个CAN FD接口，有了片上CAN FD接口，用户可以削减 BOM物料清单成本，简化工业通信和网络设备的硬件设计，充分利用协议升级后的灵活性、速度和有效载荷能力。意法半导体通用 MCU 部门总经理 Patrick Aidoune 表示：“作为 STM32系列中注重成本的产品线，STM32C0系列为开发者提供很高的设计灵活性，片上闪存容量从32KB到256KB ，并集成丰富的外设接口。现在，STM32C091/C092的大容量闪存和 RAM可以让设计人员把图形用户界面软件与主应用程序都存放在微控制器上，利用 ST的TouchGFX工具创造悦目娱心的使用体验，简化开发过程。”作为 STM32 系列经济实惠的入门级产品，STM32C0 MCU包含广泛使用的接口，例如，无晶振 USB 全速设备和USART，以及定时器和模拟/数字转换器 (ADC)。为了完善注重成本的功能组合，这个经济设计具有片上时钟，电源输入只有一个，可以节省更多的外部元件，例如，计时器、去耦电容，降低物料清单成本 (BOM)。节省外部元器件还可让PCB电路板变得更小、更简单。STM32C0全系MCU为开发人员带来了更多的好处，包括 ST的延长产品寿命计划，确保ST的芯片在工业项目的整个...
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2025/3/4 13:21:36
随着NAND Flash厂商积极减产以维持供需秩序，市场预期NAND Flash下游将于今年第二季进入补库存周期，NAND Flash合同价也有望于第二季底开始上涨，涨价趋势至少可持续至年底，NAND Flash下半年有望转为供不应求。法人预估，群联为极少数有望切入NAND原厂所主导的企业级SSD市场的第三方供应商，其次，群联自去年第四季起大规模购入低价库存，并把握NAND于下半年供不应求的机会中提高市场占有率，目前已有多位潜在客户处于验证阶段，预估公司2025全年企业级SSD营收有望缴出年增翻倍的佳绩。市场预估，宜鼎2025年DRAM及NAND Flash模块出货量将年增19%及15%，主要受惠于工控产业复苏，以及DRAM在网通领域市场占有率提升。由于工控产业2025年有望迎来两位数以上增长，看好2025年为工控边缘AI爆发性增长元年，而DeepSeek出世有助于提高市场对边缘AI领域的关注度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/3 13:19:58
MediaTek 将于 2025 年世界移动通信大会（MWC 2025）期间推出 5G-A 调制解调器解决方案 M90。MediaTek M90 符合 3GPP Release 17 和 Release 18 标准，提供高达 12Gbps 的下行传输峰值速率，可通过 3GPP Release 17 2T-2T 上行链路传输切换技术（Uplink TX switching）提升 20% 性能。MediaTek M90 支持 Sub-6GHz（FR1，至高可达 6CC-CA）和毫米波（FR2，至高可达 10CC-CA）网络连接，并提供 5G 双卡双通、双数据传输功能。MediaTek M90 内置 MediaTek 调制解调 AI 技术（MediaTek Modem AI，MMAI），引入了可提升设备能效和通信性能的 AI 模型。AI 模型可识别数据流量模式以优化功耗和延迟，还可通过检测设备方向和使用场景提供更出色的网络连接体验。MMAI 中的智能天线（Smart Antenna）技术可利用 AI，借助聚合的大规模天线阻抗和信号数据，训练高性能模型，以 99.5% 的准确率实现精确的使用环境识别，并通过优化用户连接助力数据吞吐量提升高达 24%。MediaTek 无线通信技术本部群资深本部总经理范明熙表示：M90 调制解调器的 AI 和 5G 功能可为设备制造商提供更大的设计灵活性，从而实现更具差异化的性能表现。作为经过高度集成和优化的整体解决方案，MediaTek M90 可在各类设备中带来卓越的用户体验。MediaTek 致力于推动 5G-A 的发展，同时我们已在构建向 6G 网络演进的技术。MediaTek M90 还集成了卫星通信（非地面网络）技术，支持面向低速率连接应用的 3GPP IoT-NTN 和面向高速率连接服务的 NR-NTN 技术，展现 MediaTek 基...
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2025/3/3 13:12:04
2025年2月27日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些Vishay半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率，在同类二极管中，它们在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。 日前发布的二极管包括40 A至240 A的并联双二极管组件，以及50 A至90 A单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相比，这些器件具有更好的反向恢复参数，几乎没有恢复尾电流。这些器件的典型应用包括AC/DC功率因数校正（PFC），以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源（UPS）和电信电源的反激式（FBPS）和LLC转换器中的DC/DC超高频输出整流。在这些应用环境下，二极管QC低至56 nC，可实现高速开关，其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。这些二极管可在高达 +175 °C高温下工作，并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过UL E78996认证，其特点是端子之间具有较大的爬电距离，以及简化的机械设计，便于快速组装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/28 11:55:56
荷兰半导体设备厂商ASM International的第一季度收入预测超出预期，因为人工智能（AI）热潮推动了半导体设备产品的需求。ASM表示，预计第一季度收入在8.1亿欧元（8.49 亿美元）至8.5亿欧元之间，第二季度将进一步增加。相比之下，分析师平均预期为8.002亿欧元。ASM还确认了全年前景。ASM等芯片制造设备公司正受益于对运行AI模型所需的半导体的激增需求。按固定汇率计算，ASM去年第四季度订单较上一年同期增长8%，低于分析师预期。当期收入增长27%，至8.09亿欧元。这一增长得益于对所谓的GAA（全栅极）技术的需求，该技术可提高设备性能，该公司预计2025年GAA相关销售额将大幅增长。“与AI相关的细分市场继续强劲增长，但市场的其他部分表现参差不齐，”ASM CEO Hichem M'Saad表示，“对于ASM来说，这意味着我们的GAA相关应用势头强劲。”该行业发现自己处于中美贸易战升级的中心。据报道，特朗普政府正计划扩大美国遏制中国半导体野心的力度，并向盟友施压，要求其加大对中国芯片行业的限制。1月，中国初创公司DeepSeek能够以低成本创建出一款性能可与竞争对手媲美的新型AI聊天机器人，这也给该行业带来重创。这让人们对AI公司及其支持者承诺投入数千亿美元用于支持该技术发展的基础设施产生了怀疑。ASM警告称，在一年前飙升之后，中国的需求正在回落至历史水平。ASM重申，由于美国最近宣布的出口管制，其2025年的中国收入将下降。该公司预计，今年中国市场上的设备销售额将占总收入的“20%左右”。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/28 11:41:03
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出 SRF0703HA 系列双绕组屏蔽功率电感器。Bourns® 全新符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，可用于并联、串联、双电感器或变压器配置，为设计师提供卓越的额定电流与电感设计灵活性。此外，此款单一封装的双绕组电感器相比于使用两个独立电感器，提供了节省空间和降低成本的解决方案。Bourns® SRF0703HA 系列专为单端初级电感转换器 (SEPIC) 拓扑结构、汽车系统和电源供应器提供了卓越的解决方案。该系列拥有 -55°C 至 +150°C 的广泛操作温度范围，并具备磁屏蔽功能，能有效降低辐射，非常适用于需满足低噪音要求的应用场景。全新 Bourns® SRF0703HA 双绕组屏蔽功率电感器系列现已上市，全系列均符合 RoHS。RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的 含量总和少于等于 1500 ppm。
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2025/2/27 13:27:03
美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ（1-gamma）16Gbit DDR5 DRAM芯片。美光声称，它是第一个采用1-gamma（1γ）节点的公司，该节点指的是DRAM工艺技术的第六代，最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM，他们放弃了纳米测量，转而采用1x、1y、1z，现在是1α、1β和1γ。得益于美光此前在1α和 1β DRAM节点的优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如 AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供技术和更强的供应韧性。美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高达9200MT/s的速度能力，与其前代产品（采用1β技术实现的16Gbit DDR5）相比，速度提高15%，功耗降低20%以上。与上一代相比，1γ节点EUV技术使得晶圆容量密度产出提升30%，这提高了美光的经济效益，但与1β节点不同，它确实需要使用极紫外（EUV）光刻技术，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征。该内存还包括下一代高K金属栅极CMOS技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。美光执行副总裁暨首席技术与产品官Scott DeBoer表示：“美光凭借开发专有DRAM技术的专长，结合对EUV光刻技术的战略运用，打造出基于1γ节点的内存产品组合，助力推动AI生态系统发展。1γ DRAM节点实现了更高的容量密度产出，彰显了美光卓越的制造实力和效率，并使我们能够扩大内存供应的规模，满足行业日益增长的需求。”美光计划在其整个DRAM系列中引入1γ。这包括：用于数据中心的DDR5，用于边缘AI的低功耗DRAM，用于AI PC的DDR5 S...
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2025/2/27 13:21:12
随着人工智能飞速发展，数据中心供电需求不断攀升。金升阳重磅推出非隔离1/4砖数字电源，该电源内置PMbus数字接口，具有40-60V的输入电压范围，并提供12V非隔离稳压输出电压，不仅满足持续高效率的使用需求，同时功率密度更高，可广泛应用于数据中心、高性能服务器以及其他需求大功率工业设备等行业。一、优势特点• 小体积、大功率、高功率密度采用国际标准1/4砖，尺寸为58.4x36.8x14.8mm，功能引脚符合DOSA标准，可提供1600W连续输出功率（136A电流），峰值功率高达2300W（200A，持续时间200ms），可满足绝大部分大功率供电应用需求。• 高效能、带PMbus，保护功能齐全Ⅰ.效率高达 97.6%，输入空载电流低至100mAⅡ.自带背板散热设计，工作温度范围：-40℃ to +85℃Ⅲ.支持4pcs并联，下垂均流，均流精度10%Ⅳ.内置PMbus数字接口，支持软件调节输出电压、保护阈值等参数，可监控产品运行状态以便及时作出故障响应Ⅴ.输入欠压保护，输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护，输出短路保护，过温保护。• 自主技术优势，更高性价比此产品基于国内数字控制平台、结合金升阳自主创新的核心技术，保障产品性能的同时有效简化电路拓扑结构，大大减少核心功率器件，使得整体成本具备明显优势，真正实现更优性能与成本，性价比更高。二、产品典型应用KCR4812QBO-1600W系列主要应用于通信行业数据中心、AI服务器，适用于有高效率、高功率密度需求且可靠性高的场景，为其提供高稳定、高性能、高可靠性的优质电源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/26 13:16:47
LG显示宣布量产40英寸“Pillar-to-Pillar”（柱对柱）车载显示屏，该显示屏将安装在索尼本田移动的首款轿车Afeela上。“Pillar-to-Pillar”是一种超大型车载显示屏，从驾驶员侧挡风玻璃柱的左端一直延伸到乘客侧的右端。LG显示是业内首个量产该产品的公司，作为软件定义汽车（SDV）必不可少的下一代移动显示屏，该产品备受关注。LG显示强调，40英寸“Pillar-to-Pillar”将通过为驾驶员和乘客提供个性化的信息娱乐体验，最大限度地发挥高级SDV功能的效用。该产品无需切换屏幕即可显示SDV的高级信息娱乐功能，如驾驶信息、空调、电影和音乐播放以及游戏，从而提高便利性。虽然传统车载显示屏在同时使用多种功能时存在局限性，但40英寸的“Pillar-to-Pillar”屏幕允许用户通过其超大屏幕同时查看和控制各种信息。该产品还采用SPM模式，可控制视角以帮助驾驶员专注于驾驶。LG显示在业内首次商业化的这项技术可确保即使乘客在前方的显示器上观看电影或玩游戏，从驾驶员座位上也看不到，从而不会分散驾驶员的前方视线。此外，它首次应用局部调光技术，可降低热量和功耗，从而减少电池使用量并提高驾驶效率。还可以通过触摸超大屏幕来控制各种功能，最大限度地减少车内对物理按钮的需求。LG显示汽车业务部门负责人Kwon Geuk-sang表示，“我们将以业界的自主技术、卓越的产品竞争力和稳定的供应能力为基础，持续推出可在SDV时代提供差异化客户价值的创新解决方案。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/26 13:14:50
TDK株式会社隆重推出爱普科斯 (EPCOS) B3291xH/J4系列X1电容器。该元件专为要求严格的汽车和工业场景中的电源线电磁干扰 (EMI) 滤波应用而设计，额定交流电压最高达480 V。新的X1电容器具有优异的抗环境干扰能力，能耐受高湿度，非常适用于光伏逆变器和电动汽车车载充电器 (OBC) 等暴露于恶劣环境条件的场合。该系列产品能持续承受1000 V的直流电压，是适合高压电动汽车平台中直流电磁兼容性 (EMC) 的针对性解决方案。该系列X1电容器通过了，温度+85 °C、相对湿度为85%，电压380 V (AC) 和1000 V (DC) 的条件的1000小时高温高湿试验 (THB)，且最高工作温度可达+110 °C。该系列电容器还具有自愈特性，覆盖15 nF到10.0 µF的电容值范围，结构紧凑，尺寸从18.0 x 10.5 x 5.0 mm到57.5 x 57 x 45 mm不等，具体视电容值而定。其引线间距在15 mm到52.5 mm之间，其中较大型号配备4个引脚来增强安装在PCB板上的机械稳定性。该系列元件通过ENEC、UL和CSA标准认证。特性和应用主要应用汽车和工业场景中的EMI抑制应用X1子类（符合IEC 60384-14）跨线应用（火线到零线）适用于恶劣工况高压直流电磁干扰抑制主要特点和优势高额定电压：480 V (AC)，1000 V (DC)THB IIB等级（参照IEC 60384-14:2013 AMD:2016）气候类别 (IEC 60068-1)：40/110/56最高工作温度：+110 °C尺寸小巧符合AEC-Q200 rev. E标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/25 13:19:36