据Counterpoint研究团队表示，2023年第二季2024年第三季，全球智能型手机AP(Application Processor)/SoC芯片市场呈现多元变化，若依各主要芯片供货商今年第三季表现来看，联发科以36%的市场份额居第一，其第三季的整体芯片出货量小幅成长，其中5G芯片组出货量稳定，而LTE芯片组则微幅增长。数据显示，高通市场份额为26%，受季节性因素影响，第三季芯片出货量呈减少，但三星Galaxy Z Flip 6与Fold 6系列将成为Snapdragon 8 Gen 3出货的主要成长动力，且最新推出的Snapdragon 8 Elite芯片，已与多家手机品牌厂商达成设计合作。苹果市场份额为18%，其第三季推出A18芯片组，带动出货量季增，最新i16基础版标配A18芯片，Pro版则搭载A18 Pro芯片，强化高阶市场竞争力。此外，紫光展锐的UNISOC市场份额为11%，第三季出货量呈减少，但凭借强大的LTE产品组合，仍在低阶市场(99美元以下)保持稳定市占率。三星Exynos芯片第三季出货量略有成长，其主要受惠于Galaxy S24 FE搭载Exynos 2400芯片，而Galaxy A55与A35机型的热销，进一步推动Exynos 1480与Exynos 1380的出货表现。Counterpoint表示，随着智能型手机市场逐步复苏，各大芯片厂商正积极调整产品组合与市场策略，以满足不同价位带的市场需求。从高阶产品的技术创新到低阶市场的深度布局，全球智能型手机芯片市场的竞争态势依然激烈。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/27 17:09:05
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新高效能、超紧凑型气体放电管 (GDT) 系列。Bourns® GDT21 系列为双电极组件，专为设计于节省空间的表贴式封装，可实现卓越的脉冲电压限制。此全新系列专为空间受限应用的需求而打造，并针对雷击和交流开关负载产生的感应电压提供更高效保护解决方案。Bourns® GDT21 系列采用紧凑的 EIA 1206 封装，具备业界领先的浪涌保护能力，确保在严苛环境中提供稳定可靠的性能。该系列的电压限制功能和快速响应时间，有助于在快速上升的瞬变事件中减少对下游组件的应力。此外，GDT21 系列拥有广泛的工作温度范围 (-40 °C 至 +105 °C) 和电压范围 (150 V 至 600 V)。低电容特性可最大限度降低插入损耗，非常适合在通讯系统中维护信号完整性。同时，该系列可用于工业控制、机顶盒、HVAC 系统、天线等多种设计需求。Bourns 气体放电管与浪涌保护产品线经理 David Chavarría 表示：「全新推出的 GDT21 系列充分展现了我们在微型化高效能电路保护产品领域的不懈努力。透过与客户的紧密合作，Bourns 持续响应应用需求的不断变化，提供卓越的浪涌处理能力、高可靠性和空间高效的解决方案。我很高兴地宣布，Bourns 全新 GDT21 系列成功满足了这些严苛要求。」免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/26 13:22:32
近期英伟达GB200AI服务器出货递延杂音四起，英伟达CEO接受外媒专访时辟谣，表示「GB200正满载生产、进展顺利」，并大赞最新Blackwell平台服务器在推理过程中兼顾高效和节能之余，效能更大增30倍。英伟达CEO直言，「愈来愈多公司争相建置AI能量，三个月的时间差可能就会改变游戏规则。」 业内指出，英伟达出面辟谣，并对Blackwell平台服务器「超强效能」信心喊话，有稳定军心味道，也为鸿海、广达、纬创、英业达等GB200 AI服务器代工厂出货提供信心。鸿海、广达等首批出货GB200 AI服务器的代工厂先前均透露，将于年底前小量出货，明年第1季放量。如今英伟达出面稳军心，代工厂大量认列GB200 AI服务器机柜出货实质营收贡献，可望如先前预期推进。广达指出，高频、高算力服务器产品在验证过程中，从前段芯片组良率到后段装机测试等，一定会出现各式各样问题，供应链势必会一层一层解决，确保量产良率。英伟达Blackwell平台AI芯片正陆续交付，「最强AI芯片」GB200服务器出货放量在即，市场对出货进度关注节节升温。研调机构集邦科技（TrendForce）示警，由于高速互通介面、热设计功耗（TDP）等关键零组件设计规格明显高于主流，供应链需要更多时间调校优化，AI服务器机柜放量出货时程恐递延至明年第2季甚至第3季，比业界预期晚一季到半年。英伟达CEO受访透露Blackwell平台AI芯片出货进展顺利，也点出其超强效能。黄仁勋表示，过去通常需花费数月处理训练模型所需数据，接着再训练模型，透过Blackwell可提升训练模型效率，将时间压缩至原先三分之一到四分之一，假如原先需要六个月，现在仅需耗时一个半月左右。谈及Blackwell推理能力，英伟达指出，推理过程遵循的不是零样本学习或单样本学习，而是长期思考模式，本质上是AI先在脑海中构思各种不同解法，再用更多算力，提...
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2024/12/26 13:19:01
2024年12月23日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出了与高通技术公司(Qualcomm) 战略合作的首款产品，新产品可以简化下一代工业和消费物联网无线解决方案开发过程。此项合作的初期目标是依托意法半导体的强大的STM32生态系统，借助高通技术公司的无线连接解决方案，为消费和工业市场推出无线物联网模块。第一款模块ST67W611M1包含一个 Qualcomm® QCC743 多协议连接系统芯片 (SoC)，预装了 Wi-Fi6、Bluetooth 5.3 qualified和Thread combo协议，可以与任何 一款STM32微控制器 (MCU) 或微处理器 (MPU)轻松集成。该模块将支持Wi-Fi上的Matter协议，可以实现面向未来的无线连接，让STM32产品组合能够顺利进入Matter生态系统。为了方便系统集成，该模块还包含4MB的代码和数据闪存，以及一个40MHz晶振。此外，模块还配有一个集成的PCB天线或微型 RF (uFL) 外部天线连接器。意法半导体微控制器、数字 IC 和射频产品部 (MDRF) 总裁 Remi El-Ouazzane 表示：“我们的合作为使用STM32 系列设计嵌入式系统的广大开发者带来了多重优势。现在，产品开发者可以轻松获得高通的极具影响力和使用广泛的无线连接技术和STM32开发生态系统强大的软件、工具和功能，以及加快项目进度的优势。”高通技术公司连接、宽带和网络业务部总经理Rahul Patel表示：“我们的使命才刚刚开始，我们预计这一合作将会产生更多的成果，为新的边缘处理应用赋能，我们期待与意法半导体继续合作，通过 Wi-Fi、蓝牙、AI、5G等技术为用户带来更多无与伦比的连接体验。”模块内置高级硬件安全功能，包括硬件加密加速...
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2024/12/24 14:19:09
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 Riedon™ 型号 SSD-500A 系列数字分流传感器，具有 500 安培的额定电流。此系列具备扩展的电气额定值，支持 24 V 的供电电压（典型电流为 15 mA），以满足更广泛的电池相关应用中的高精度检测需求，其应用领域包括大规模能量储存系统、再生能源发电基础设施、工业马达驱动器、建筑自动化系统以及电动车充电站等。Bourns Riedon™ SSD-500A 系列采用先进的基于数字直流分流的电流传感器，为特定恶劣的工业环境提供卓越的精度、稳定性和电气隔离。该系列还配备内建的 24 位模拟数字转换器（ADC），提供即插即用的便利性，使设计人员能迅速将高精度电流测量功能整合到新设计中或改装现有设计。这些基于分流的传感器不仅免除定期校准的需求，并有助于提高能源使用效率。为进一步提升设计灵活性，SSD-500A 系列提供 RS-485 和 CANbus 接口选项。Bourns 全新 Riedon™ SSD-500A 系列数字型分流传感器现已上市，符合 RoHS* 标准。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/24 14:17:52
2024年12月20日，中国——为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案，有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性，同时加快设计速度，节省PCB电路板空间。新的电源参考设计的目标应用是空间有限、能效至关重要的工业级电源。该电源整合了MasterGaN1L(内置两个650V 150mΩ GaN FET晶体管)与意法半导体的L6599A谐振控制器，峰值能效高于94%，原边无需安装散热器。该电源还集成了意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，整体面积紧凑，为 80mm x 50mm，功率密度高达每立方英寸34瓦(W/inch³)。该电源的最大输出电流为10A，在24V直流电压时，输出功率为250W，待机电流低于1µA，卓越的节能效果。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可以防护过流、短路和过压的冲击，而输入电压监测可确保电源正常启动并提供欠压锁定。EVL250WMG1L现已上市，集成了全部功能，可立即测评电源功能。相关文档全文发布在www.st.com/evl250wmg1l上，可帮助系统设计人员加快GaN电源项目开发进度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/23 13:53:03
交钥匙触摸控制器是将机械按钮升级为现代触摸按钮或显示屏的一种快速简便的方法。随着12按钮MTCH2120 触摸控制器的推出，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）为设计人员提供了在用户界面上实现触摸按钮功能的直接途径。这款低功耗、耐水的交钥匙触摸器件集成了Microchip统一生态系统，使设计流程更加简便，并促进了其他交钥匙解决方案和基于 MCU 的触摸实施之间的过渡。MTCH2120 是基于 I2C 的触摸控制器系列中的首款产品，支持全面的设计生态系统。MTCH2120可提供稳定的触摸体验，不受噪声事件和湿度的影响，同时具有很高的灵活性，可适应个别产品的要求。低功耗功能可将按钮分组，从而减少扫描活动并降低功耗，同时使按钮保持完全工作状态。MTCH2120 的功能和生态系统包括：轻松调谐功能（Easy Tune）可根据实时噪声评估自动调整灵敏度和滤波器电平，无需进行繁琐的阈值调整一个MPLAB® Harmony 主机代码配置器插件，无需在主机上实施I2C协议，可直接连接 Microchip MCU 和 MPU通过 MPLAB 数据可视化工具进行设计验证I2C端口扩展器功能可访问 Microchip 的触摸库并与之兼容，从而最大限度地减少了设计人员对复杂软件工程和固件处理的需求，有助于缩短设计周期MTCH2120 评估板，板载 SAM C21主MCU，可立即集成到原型设计中Microchip开发系统和大学计划副总裁Rodger Richey表示：“MTCH2120 将数十年的触控经验与 Microchip 全面的支持和开发工具生态系统相结合，提供了易于使用的触控体验。这是个双赢的解决方案。开发人员可以实现最高级别的触摸稳健性和极大的设计灵活性，而无需繁琐的调整或编程。”MTCH2120是Microchip MTCH系列中首款采用I2C 的...
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2024/12/23 13:49:23
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通过AEC-Q200认证的0102、0204和0207封装薄膜MELF电阻推出提高阻值范围的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的这三款器件的温度系数（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %，阻值高达10 MW，满足各种应用高稳定性和高可靠性的要求。与之前的薄膜MELF电阻产品相比，日前发布的器件阻值显著提高。例如，TCR为 ± 25 ppm/K、公差为0.1 %的0204封装器件，过去阻值仅为511 kW。而TCR和公差相同的条件下，精密MMA 0204的阻值提高10倍，达到5.11 MW，± 15 ppm/K 更低TCR条件下的阻值为1 MW。由于阻值提高，单个MMA 0204 或MMB 0207可取代多个串联的低阻值器件，不仅节省空间，而且有助于简化设计并降低总成本。精密电阻基于金属膜技术，提高电源电流检测的可靠性，适用于汽车高级驾驶辅助系统（ADAS）、激光雷达、连接和摄像系统以及通信、工业和医疗设备。这些应用环境下，器件设计牢固、具有良好的耐硫能力和出色的整体稳定性，稳定率等级超过0.05。器件适合在自动SMD装配系统上加工，无铅（Pb）电阻符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表：
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2024/12/23 13:44:05
TDK株式会社宣布推出五款新型 SMD 多层压敏电阻 (MLV)。作为行业创新产品，这些元件具有减少碳足迹 (CO2) 的特点，同时满足严格的汽车认证要求。这些部件是 TDK 新型 X 系列的首批代表，该系列正在不断扩展到汽车、工业和消费应用。X 系列既满足了对环保产品日益增长的需求，也满足了对具有成本吸引力的产品的商业要求，同时保持了 TDK 的高可靠性和性能。首次推出的五种型号都获得汽车应用认证 (AEC-Q200)，并且均被归属到X1系列，主要用于保护车辆的发动机管理系统、电子控制单元 (ECU)、安全气囊、防抱死制动系统 (ABS)，以及车身稳定控制系统 (ESP) 等免受由抛负载和搭电启动等事件引起的电池线路瞬态过电压的影响。此外，这些元件都具备符合IEC 61000-4-2标准的高达30 kV的静电放电 (ESD) 保护，并满足ISO 7637-2/16750-2标准关于汽车电压脉冲的要求。新推出的X1系列产品有四种EIA封装尺寸（0603、0805、1206和1210）可供选择，其最高RMS（交流）工作电压分别为14 V、25 V和30 V，针对瞬态电压的响应时间为10 ps至500 ps。这些元件可承受8/20 µs脉冲的浪涌电流（范围从5 A到400 A），在额定直流电压和室温条件下的漏电流仅为1 µA至25 µA，工作温度范围为-55 °C至+150 °C，而且即便在高温条件下也无需降额使用。X系列产品还在持续扩展中，未来有望覆盖工业和消费电子应用的全面过电压保护需求。同时，该系列还提供适用于PSpice的仿真模型。特性和应用主要应用以下场景的瞬态过电压保护：汽车电池线路发动机管理系统电子控制单元 (ECU)安全气囊、防抱死制动系统 (ABS) 和车身稳定控制系统 (ESP) 等主要特点和优势符合IEC ...
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2024/12/23 13:40:37
三星显示于12月19日宣布，该公司与美国杜比实验室（Dolby Laboratories Inc.）签署了一份谅解备忘录（MOU），将与后者共同推广杜比视界（Dolby Vision），即杜比的高级高动态范围（HDR）视频技术，该技术专用于汽车有机发光二极管（OLED）显示屏。三星显示解释称，通过这一协议，如果汽车制造商采用三星OLED用于杜比视界，评估认证过程将得到简化，从而显著缩短评估时间。三星显示销售执行总监Choi Yong-seok表示：“通过与杜比的合作，三星将巩固其在汽车显示市场的技术领导地位，”并补充道，“我们将为汽车显示质量设定新标准，为驾驶者和乘客提供最佳的驾驶体验。”杜比实验室汽车机构部门高级总监Andre Erett指出：“汽车已经从单纯的交通工具转变为乘客可以享受各种娱乐形式的另一个空间，”并补充道，“我非常高兴，由三星显示技术支持的行业领先OLED与提供生动视觉效果的杜比视界相结合，能够为更多客户带来沉浸式的车内娱乐体验。”三星显示计划在明年1月在美国拉斯维加斯举行的全球最大信息技术（IT）和消费电子展览CES 2025上，设立下一代汽车OLED体验空间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/23 13:34:52
01 产品描述英诺迅DC~6GHz 15W 功率放大器——YP601241T，内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。其工作频率范围为DC~6GHz，输出功率15W（VDD=28V）。芯片采用SOT89-3封装，为客户节省了布板空间，便于系统小型化集成。02 主要指标工作频率：DC~6GHz工作电压：28V输出功率：15W封装：SOT89-3存储温度：-65℃ to +150℃03 应用领域无线数传、图传免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/20 13:48:33
汽车和工业市场中联网应用的增加推动了对带宽更高、延迟更低和安全性更强的有线连接解决方案的需求。可靠、安全的通信网络解决方案对于按预期传输和处理数据至关重要。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出ATA650x CAN FD系统基础芯片（SBC）新系列产品。该系列产品完全集成了高速CAN FD收发器和5V低压降稳压器（LDO），采用紧凑型8引脚、10引脚和14引脚封装，节省了空间。ATA650x CAN FD SBC占用空间极小：VDFN8 封装为2 mm ×3mm，VDFN10 封装为3 mm × 3 mm，VDFN14封装为3 mm × 4.5 mm。SBC内置高速 CAN FD 收发器，支持高达 5 Mbps 的数据收发速率。作为面向空间和功耗受限应用的强大解决方案，该系列SBC功耗极低，典型休眠电流仅为 15 μA。 ATA650x SBC可通过总线信号控制VCC电源电压，从而降低汽车电子控制单元（ECU）的电流消耗。为进一步降低功耗，SBC可在休眠模式下关闭 LDO，从而禁用单片机电源。ATA650x器件安全功能包括故障安全、保护和诊断功能，可在高级网络中提供可靠的总线通信。ATA650x 器件可抵御电磁放电（ESD），并具有电磁兼容（EMC）性能，是针对恶劣环境下运行的应用的强大解决方案。集成的SBC解决方案支持“功能安全就绪”，可帮助客户获得ISO 26262 安全认证或所需的ASIL等级。此外，SBC还通过了AEC-Q100 0级认证，可在 -40°C至 +150°C的温度范围内工作。Microchip负责模拟电源和接口部的副总裁Rudy Jaramillo 表示：“我们的紧凑型CAN FD SBC专为空间受限的应用而设计，特别满足了在苛刻环境中对韧性的关键需求。这种高度...
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2024/12/19 13:16:02
苹果公司据称正在开发一款18.8英寸可折叠iPad，可能会在2028年左右上市.最新的报告显示，随着安卓产品中该技术的成熟,这家iPhone制造商正在探索可折叠设备。 最新的说法来自分析师马克·古尔曼，他声称苹果正在开发一款“类似于巨型iPad，展开后大小相当于两个并排的iPad Pro”的设备。古尔曼还表示，该公司已经对该产品进行了数年的打磨。古尔曼补充道，苹果对可折叠设备的目标是避免当前产品在展开时出现的折痕。显然，苹果在这方面已经取得了进展，原型机的折痕“几乎不可见”，但目前尚不清楚是否可以完全消除折痕。古尔曼写道：“苹果知道，无论是游戏玩家、软件开发者，还是只是看电影的人，客户都想要尽可能大的屏幕。而推出一款配备大显示屏（接近20英寸左右）的移动产品的唯一明智之举就是让它可折叠。否则，就很难把它放进钱包或背包里。”据称，苹果之所以推迟，是因为它想要创造一个无痕折痕的产品，但忽视了市场上已经存在几乎没有或没有折痕的产品。市场上的可折叠设备数量及其产品线只会增加，而苹果还在摸索；苹果等待的时间越长，其竞争对手在可折叠市场空间中建立的难以超越的领先优势就越大。近日消息人士透露，苹果也正计划推出一款机身更轻薄的iPhone，以及两款折叠屏手机设备，以提振iPhone销售。据报道，苹果计划从明年起推出新款iPhone，机身比目前机型的8毫米更薄，还通过简化的相机系统降低成本，价格也比iPhone Pro更便宜。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/19 13:13:56
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，发布 Riedon™ SSA-2 系列模拟型分流传感器。全新分流传感器提供高精度的电流检测解决方案，并具备比典型霍尔效应传感器更高的操作稳定性。该系列专为抗干扰磁场而设计，避免因磁场干扰可能会对敏感电子设备中的传感器操作产生不利影响，导致读数不准确、设备故障甚至安全隐患。此外，Bourns SSA-2 系列符合单极电源供应要求，使其成为各类与电池相关电流检测应用中的卓越测量选择，包括大型储能系统、可再生能源发电基础设施、工业马达驱动器、楼宇自动化系统以及燃料电池等。Bourns SSA-2 系列为采用创新设计的模拟霍尔效应电流传感器，提供 ±0.1% 的检测精度以及 ±0.1% 的线性度，涵盖整个电流范围，并对温度漂移的敏感性较低。此外，该传感器具低噪声分辨率和偏移性能，能够进行准确的低电流检测，同时在整个温度范围内提供出色的增益和线性性能。该系列支持宽带带的交流与直流，额定电流范围从 100 A 到 1000 A，使其能够适应不同环境以及各种市场应用需求。Bourns 全新 Riedon™ SSA-2 系列模拟型分流传感器现已上市，符合 RoHS* 标准。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/18 13:19:37
台积电本月早些时候在 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上披露了有关其N2（2nm 级）制造工艺的更多细节。新生产节点有望在相同电压下将功耗降低24% ~35% 或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。这些优势中的绝大部分是由台积电的新型全栅（GAA）纳米片晶体管以及 N2 NanoFlex 设计技术共同优化能力和 IEDM 上详细介绍的一些其他增强功能实现的。栅极环绕纳米片晶体管允许设计人员调整其通道宽度以平衡性能和功率效率。除此之外，台积电的 N2 还增加了 N2 NanoFlex DTCO，使设计人员能够开发具有最小面积和增强功率效率的短单元，或优化以获得最大性能的高单元。该技术还包括六个电压阈值水平（6-Vt），范围跨度为 200mV，这是使用台积电第三代偶极子集成技术实现的，集成了 n 型和 p 型偶极子。N2 在工艺和设备层面引入的创新不仅旨在通过改进薄片厚度、结、掺杂剂活化和应力工程来提高晶体管驱动电流，而且还降低了有效电容（Ceff），以实现一流的能效。总的来说，这些改进分别使 N 型和 P 型纳米片晶体管的 I/CV 速度提高了约 70% 和 110%。与 FinFET 相比，N2 纳米片晶体管在 0.5V ~ 0.6V 的低电源电压范围内每瓦性能明显更好，其中工艺和设备优化可将时钟速度提高约 20%，并在 0.5V 操作下将待机功耗降低约 75%。此外，集成 N2 NanoFlex 和多个阈值电压（多 Vt）选项可为高逻辑密度的节能处理器提供额外的设计灵活性。晶体管架构和 DTCO 优势直接影响 SRAM 的可扩展性，而这在近年来的尖端节点下很难实现。借助 N2，台积电成功实现了约 38Mb/mm²的创纪录的 2nm SRAM 密度。除了达到创纪录的 SRAM 密度之外，台积电还降低了其功耗。由于 GAA 纳米...
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2024/12/18 13:14:43
TDK株式会社宣布推出用于可穿戴设备的最新PLE856C系列（0.80 x 0.45 x 0.65 毫米；长 x 宽 x 高）紧凑型薄膜功率电感器。新产品将于2024年12月开始量产。业内最小的电源电路用电感器*用于高效电源电路的低损耗磁性材料利用薄膜技术形成的高精度内电极产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布推出用于可穿戴设备的最新PLE856C系列（0.80 x 0.45 x 0.65 毫米；长 x 宽 x 高）紧凑型薄膜功率电感器。新产品将于2024年12月开始量产。随着无线耳机和智能手表等可穿戴设备的功能和性能不断增强，单个系统内安装的组件数量也日趋增多。然而，此类设备的可用空间仍十分有限，从而推动了对小型化电子元件的需求。PLE856C系列的电感值在470nH到1.5µH之间，是业内面向此类设备内部电源电路的最小电感器，有助于节约空间的设计和轻量型设备。与传统的 PLEA67B系列（1.0 x 0.6 x 0.8毫米；长 x 宽 x 高）相比，新推出的PLE856C系列所需的安装面积缩小了40%，体积减少了50%。额定饱和电流在0.40 A 和 0.72 A (typ.)之间。尽管尺寸紧凑，但得益于TDK专有的薄膜技术，新产品具有精确形成的线圈导体图案作为内电极。此外，新产品还使用了低损耗磁性材料，有助于减少功率损耗，同时提高电源电路的效率。未来，TDK将充分发挥薄膜技术的优势，不断推进更小、更合适可穿戴设备的高性能电感器的研发，并不断扩大其功率电感器的产品阵容，以满足市场需求。* 截至2024年12月, 根据 TDK主要应用真无线立体声耳机、智能手表、AR/VR 设备、小电源模块、 小通信模块主要特点和效益业内尺寸最小的电源电路用电感器，助力实现节约空间的设备设计用于高效电源电路的低损耗磁性材料利...
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2024/12/17 13:24:22
Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交互式数据手册，便于无缝集成。标杆器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能够承载460 A电流并达到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封装，仅占用12mm×12mm的电路板空间。PSMN1R0-100CSF的顶部散热版本也具备类似的性能。优越的性能表现与器件的内部结构紧密相关。CCPAK1212中的“CC”代表铜夹片(Copper Clip)，这意味着功率MOSFET的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。优化后的设计无需引线键合，进而可降低导通电阻和寄生电感，提高最大额定电流并改进热性能。CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET适合侧重于高效率和高可靠性的耗电工业应用，包括无刷直流(BLDC)电机控制、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)和可再生能源存储。这类单个大功率封装的MOSFET可减少并联需求、简化设计，并提供更紧凑、更具成本效益的解决方案。Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，还包括一些为特定应用而设计开发的新型MOSFET (ASFET)，主要用于为日益增强的AI服务器实现热插拔操作。这些器件的安全工作区(...
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2024/12/16 13:35:30
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出了首个集成机器学习 (ML) 加速器的新系列微控制器，让嵌入式人工智能 (AI) 真正地发挥作用，让注重成本和功耗的消费电子和工业产品能够运行计算机视觉、音频处理、声音分析等算法，提供以往小型嵌入式系统无法实现的高性能的功能。STM32N6系列微控制器 (MCU)是意法半导体迄今为止处理性能最强的产品，也是首款嵌入意法半导体自研神经网络处理单元 (NPU) Neural-ART Accelerator的微控制器，机器学习处理性能是STM32 MCU现有高端产品的600 倍。从2023 年 10 月开始，STM32N6向指定客户供货，现已准备好在大众市场上铺货。意法半导体微控制器、数字 IC 和射频产品部 (MDRF) 总裁 Remi El-Ouazzane 表示：“微型边缘设备市场将迎来一场巨变，越来越多的设备采用 AI 模型来提高主控制器的性能或接替主控制器的工作。这些模型目前用于分割、分类和识别等任务，未来将进入尚未开发的新应用领域。STM32N6 是首款采用意法半导体自研的Neural-ART Accelerator NPU 的 STM32 产品，我们自主开发的AI 软件生态系统包的最新版本将支持STM32N6，这是带有AI 硬件加速器的 STM32的漫长发展之路的开端，它将实现任何其他嵌入式处理解决方案都无法实现的应用产品创新。”Yole Group存储器和计算部首席分析师 Tom Hackenberg 表示： “以前人们普遍认为AI 就是一个大数据中心，是一种非常耗电的应用。现在，这种观点再也站不住脚了。今天的物联网边缘应用迫切需要 AI的分析能力，整合微控制器的高能效处理能力与 AI 分析能力是一个新趋势，STM32N6 ...
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2024/12/16 13:30:09