瑞萨电子宣布其面向ADAS（高级驾驶辅助系统）的车规级片上系统（SoC）R-Car V4H，已被应用于丰田汽车全新RAV4车型的TSS（LSS）控制单元。该车型已于2025年12月正式发布，其中央ADAS单元由电装株式会社（Denso Corporation）提供。R-Car V4H专为高阶ADAS应用设计，可在RAV4中高效运行多项ADAS处理功能，包括摄像头与雷达传感器融合、驾驶员监测、智能泊车及全景视图等，显著提升车辆安全性能和驾驶体验。在TSS（LSS）控制单元中，R-Car V4H通过内置图像识别功能（含AI神经网络）处理前置摄像头数据。该芯片将图像数据与雷达输入数据融合，实现ADAS功能，支持高精度检测车辆、行人及障碍物等。在泊车辅助方面，其集成GPU能够基于前、后、左、右摄像头生成实时3D全景图像，并通过融合摄像头与超声波传感器数据识别停车位及周边障碍物。此外，该SoC还能通过车内摄像头监测驾驶员状态，进一步提升行车安全。Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示：“R-Car V4H能应用于RAV4车型，我们深感振奋。丰田已在ADAS SoC、微控制器及功率器件等多个领域广泛采用我们的产品。我们将继续支持智能汽车技术的发展，助力打造面向未来的移动出行解决方案。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/25 10:54:30
瑞萨电子公司宣布了一款基于3nm FinFET工艺的可配置三元内容寻址存储器（TCAM）。新型TCAM同时实现了更高的密度、更低的功耗和增强的功能安全，使其适合汽车应用。瑞萨斯在2026年2月15日至19日在美国旧金山举行的国际固态电路大会（ISSCC 2026）上展示了该成果。随着5G和云/边缘计算的快速扩展，网络流量持续激增，推动了对大型多样TCAM配置的需求，如256位×4096条条目。传统的仅依赖硬宏的扩展增加了更多银行和中继站的外围区域，使得时间关闭更困难，同时提升搜索能力。汽车应用还需要更高的安全覆盖以符合ISO 26262等标准。瑞萨通过以下创新来应对这些挑战。1. 整合硬宏与软宏方法，实现灵活配置新开发的TCAM硬宏由内存编译器以细粒度支持——搜索键宽度为8–64位，入口深度为32–128位。通过将这些硬宏与工具驱动的软宏自动生成结合实现更大的配置（例如256位×4096个项），即可在单芯片上实现可配置的单一宏，覆盖广泛的应用场景。这实现了内存密度5.27 Mb/mm²。2. 全不匹配检测与宏观流水线搜索每个硬宏集成一个全不匹配检测电路，并执行两级流水线搜索。基于第一阶段的结果，第二阶段可以继续或停止，以避免不必要的能量消耗。例如，在64–256位×512项配置中，该方法通过以下方式降低搜索能量：采用列分区、64位键时，可实现高达 71.1% 的按列流水线搜索通过按行流水线搜索（无密钥分区，≤64位密钥）可达65.3%在256位×512条配置中，该设计实现了低功耗，搜索能量为0.167 fJ/bit，分布式时序负载支持1.7 GHz的搜索时钟。所得的TCAM优点指数（密度×速度÷能量）达到53.8，超过了之前的工作。3. 增强汽车应用的功能安全（分体数据总线和专用SRAM）由于同一地址的 ...
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2026/2/25 10:49:59
意法半导体推出了MasterGaN6，开启了第二代MasterGaN半桥系列。封装中的新功率系统将升级版BCD驱动器与高性能氮化镓功率晶体管耦合，晶体管功率仅为140mΩ RDS（开）.借助与ST MasterGaN家族已建立的高集成度，MasterGaN6通过加入专用引脚以实现故障指示和待机功能，扩大了功能数量。这些功能不仅实现智能系统管理和提升节能效果，新设备还集成了LDO（低频导航仪）和引导二极管，确保最佳驱动性能，同时节省外部组件成本。该新型驱动器设计具有极快的时序，凭借其低的最小导通时间和传播延迟，支持高频工作，帮助设计者最大限度地减少电路占用。此外，其超快唤醒时间提升了突发模式运行，实现最佳低负载效率。MasterGaN6内置了包括交叉导通、热关机和低压锁定在内的完整保护措施，使工程师能够实现低材料成本、紧凑的PCB尺寸和简化的电路布局。MasterGaN6可承受最高10A电流，设计用于消费和工业应用，如充电器、适配器、照明电源以及直流转交流太阳能微逆变器。其半桥结构适用于多种拓扑结构，如主动钳位回扫（ACF）、谐振LLC、逆降压转换器和功率因数校正（PFC）电路。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/25 10:42:47
意法半导体宣布推出Stellar P3E，首款内置AI加速的汽车边缘智能微控制器（MCU）。Stellar P3E为未来的软件定义车辆设计，简化了X合1电子控制单元（ECU）的多功能集成，降低了系统成本、重量和复杂度。“Stellar P3E 通过将高性能实时控制与边缘人工智能集成于单一设备中，为汽车电气化树立了新的标杆，满足最高的汽车安全标准，”意法半导体集团副总裁兼通用与汽车微控制器部门总经理 Luca Rodeschini 表示。“其增强的处理能力、人工智能加速、大容量且可扩展的内存、丰富的模拟内容、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等新应用。这使汽车制造商能够更好地打造更安全、更高效、更灵敏的驾驶体验。”Stellar P3E 的一个显著特点是集成了 ST Neural-ART 加速™器，实现实时 AI 效率——使其成为汽车行业首个集成神经网络加速器的 MCU。P3E由专用神经处理单元（NPU）驱动，配备先进的数据流架构，应用于AI工作负载，并结合其丰富的传感能力，使智能传感成为可能，为虚拟传感器等新应用打开大门。P3E实现微秒级推理处理，效率高出传统MCU核心处理器的30倍。这使得始终在线、低功耗的人工智能（AI）能够支持实时功能，包括预测性维护和智能感知，在广泛应用中带来显著优势。例如，这些能力可以提升电动汽车的充电速度和效率，并支持新特性的快速部署，无论是工厂还是现场。原厂（OEM）可以通过不同的AI模型引入新功能和更直观的行为，减少对额外传感器、模块、布线和集成工作的需求。“将神经处理从集中枢纽转移到车载边缘，实现了亚毫秒级的决策，这对于下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速，使OEM能够提供先进能力，如车辆性能预测性维护和虚拟传感器应用的智能传感。Counterpoint Research副主任Greg Basich表示：“这实现了...
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2026/2/25 10:27:07
Vishay推出了一系列超紧凑型0201机壳尺寸的AEC-Q200认证厚薄膜芯片电阻器。CRCW0201-AT e3系列器件体积仅为0.6毫米×0.3毫米×0.23毫米，为设计者提供了一种可靠且节省空间的解决方案，适用于汽车、工业和电信应用。与下一个更大0402机壳尺寸的器件相比，目前发布的电阻价格具有竞争力，同时将PCB要求降低了50%。对于设计师来说，这支持了现代电子产品持续缩小的趋势，同时保持稳定的电气性能和高可靠性。尽管体积小，CRCW0201-AT e3系列电阻在+70°C时可提供0.05瓦的额定功率，工作电压为30伏。这些设备的工作温度范围为-55°C至+155°C，电阻范围广泛，范围从10瓦到1兆瓦（0瓦跳线），公差±为1%和±5%，TCR为±200 ppm/K。符合RoHS标准且无卤素的CRCW0201-AT e3系列电阻器具有设计用于电气、机械和气候保护的保护涂层。该器件适合通过回流或气相自动焊接，其纯哑光锡镀层兼容无铅（Pb）和含铅焊接工艺。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/24 11:23:57
Vishay推出了一系列符合AEC-Q200标准厚薄膜芯片电阻的标准。RCA-SR e3系列结合了经过验证的抗硫性和长期稳定性，采用五种紧凑的机壳尺寸，适用于汽车、工业和电信应用。这些电阻器设计用于含硫环境，依据ASTM B809-25标准，具备硫磺耐受能力，在60°C下1000小时后最大电阻漂移为1%。 竞争设备在相同温度下测试，持续时间更短。此外，RCA-SR e3系列确保在严苛环境条件下保持高度稳定性，ΔR/R在70°C额定功率运行1000小时后≤1%。提供0201、0402、0603、0805和1206的机箱尺寸，电阻额定功率最高可达0.25瓦，工作电压范围为30伏至200伏。这些器件的电阻范围从10 Ω到10 MΩ不等，公差为± 1%和± 5%，TCR为± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。符合RoHS标准且无卤素的RCA-SR e3系列电阻器，具有电气、机械和气候保护设计的保护涂层。该器件适合使用波状、回流或气相自动焊接，纯雾面锡镀层与无铅（Pb）及含铅焊接工艺兼容。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/24 11:19:51
TDK株式会社推出全新B43655和B43656系列铝电解电容器，专为电动汽车车载充电机（On-board Charger, OBC）的直流母线设计。两系列均针对强制冷却工况进行优化，可满足新一代车载充电平台日益增长的高电压、大电流需求。凭借紧凑设计与卓越的纹波电流承受能力，该系列电容器广泛应用于需在狭小空间内实现最高效率与可靠性的场景。 B43655系列产品具备475 V和500 V的高电压等级，电容值覆盖110 µF至880 µF范围，满足现代电动出行应用中800 V电池架构的需求。这些元件专为电容器底部散热和高纹波电流密度设计，在+105°C环境下可提供超过3,000小时的使用寿命。其最大纹波电流为3.29 A（+105°C），ESR值低至100 mΩ，可最大限度降低功率损耗。B43656系列额定电压为450V，在+105°C环境下可实现高达4.42A的电流处理能力，满足高功率车载充电器拓扑结构的严苛要求。 这两款系列均符合AEC-Q200 Rev. E标准，采用符合RoHS指令的材料制造。电容器采用紧凑型焊针式设计，直径范围为22至35毫米，长度范围为25至60毫米，具体规格取决于电容值和电压等级。凭借增强的电气性能和可靠性，B43655与B43656电容器为设计工程师提供了面向电动汽车车载充电器的强健、面向未来的解决方案。 主要特点和效益极高CV值产品，超紧凑设计 高可靠性 超高纹波电流能力 优化设计实现底部冷却与高纹波电流密度 仅限外壳壁带压力释放装置的结构，可提供严格长度公差（±0.5毫米） 符合RoHS指令 基于AEC-Q200修订版E标准的认证 主要应用电动汽车车载充电机产品型号B43655B43656免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用...
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2026/2/24 11:08:45
TDK株式会社宣布扩展了其 NTCSP 系列 NTC热敏电阻产品阵容。该系列产品采用导电胶贴装方式，最高可在+175°C的高温环境下稳定运行。并于2月份开始量产。为了提高汽车性能，需要功率更高、耐热性更好的功率半导体。因此，安装于功率模块上的电子元件必需能够承受更高的温度。在现有产品的最高稳定工作温度+150°C的基础上，TDK 进一步扩大其产品阵容，将最高工作温度提升至+175°C。该产品可靠性高，符合 AEC‑Q200 标准，支持从-55°C 到+175°C的工作温度范围。其可用于从低温到高温范围内的多种温度检测和温度补偿应用。适用于防抱死制动系统（ABS）、变速箱和发动机等汽车应用。通过采用与导电胶贴装兼容的AgPd（银钯）端子，该系列热敏电阻产品可在+175°C的高温环境下稳定运行，这也是传统焊接贴装方式难以实现的。NTCSP 系列产品有10kΩ和100kΩ两种阻值可选，封装尺寸为1.6x0.8毫米。主要应用温度检测和温度补偿应用，支持广泛的使用温度范围主要特点和优势导电胶贴装工作温度范围：-55°C到+175°C符合 AEC‑Q200 标准，适用于汽车应用的高可靠性产品产品型号：NTCSP163JF103FT1HNTCSP164KF104FT1H 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/24 10:46:19
耦合环法——工作原理上图中的耦合环由射频连接器中心导体弯曲的环路（通常绕过芯轴）形成，并在连接器本体上电气终端。它们焊接到连接器本体的原因是这样可以从腔体中取出并再次弯曲，或者“调校”而不扰动腔体本身。在图1中，这些环以45⁰角排列，使得它们的平面与图示中的磁力线相交。这些H场线像线穿过针眼一样穿过这些环，如图所示。自然地，环附近出现了许多几乎无法用图像说明的边缘场，而且H场也是三维的。将左侧环路指定为输入，右侧为输出环路，左侧环路流经的射频输入电流将感应出腔内显示的磁场。这种磁场通过两个虹膜耦合到下一个腔体，这两片孔就是上图中扰动腔体壁磁场的小孔。在输出端（右侧）根据法拉第感应定律，磁场在环路中感应出电流。感应电流完成了将能量从驱动输入的外部电路传递到三腔预选器到输出连接器的过程。环路耦合通常被称为电感耦合。环耦合强度——几何与方向环路的耦合强度主要取决于环路开口面积，因为较大的环自然会截获更多磁通线，从而增加耦合。同样，环路的角度取向决定耦合强度，当环面垂直于磁力线时耦合最大。例如，将环从45⁰旋转到相对于H场的90⁰，会大幅增加耦合强度，也可以视为增加开面积（相对于磁通线方向的开）。此外，插入深度越大，磁场越强。环形（圆形、矩形、半圆形）远不如环形开口面积和/或方向重要。环路耦合的优缺点环路耦合在高功率和高Q腔滤波器中很常见，原因有多种。首先也是最重要的，环路耦合表现出高功率处理能力，因为电场不集中在尖锐导体处，使环路不易受到射频电晕和电弧的影响。其次，磁耦合降低了电流密度，从而改善了互调失真（IMD），第三，环路耦合相对不受微小的维度变化和温度变化影响。由于这些优势，环路耦合常出现在系统前端，需要过滤传输信号和接收信号。尽管有其优点，环路耦合也存在一些缺点。尺寸常常成为问题，尤其是在低频段，环路可能变得物理上较大。此外，宽带滤波器通常需要异常大的环路，因此存在带宽限...
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2026/2/24 10:43:19
50瓦联结器，尺寸为0.125 x 0.2英寸Mini-Circuits的μCeramIQ®高功率耦合器系列提供了罕见的50W功率处理和微型表面安装LTCC单体结构的组合。这些联结器专为SWAP需求至关重要的系统设计，提供稳定、可重复的性能，同时支持现代大批量组装流程。目前，μCeramIQ 耦合值范围为 20 至 30 dB，能够在耦合、频率及其他性能目标上进行定制，使设计易于扩展，无需承担传统高功率射频解决方案中常见的尺寸、成本或集成权衡。主要特色：50W 功率处理微型SMT形态（0.125 × 0.200 × 0.047”低主线损耗：通常≤0.15 dB指向性最高可达30分贝推荐型号HPCJ-03-422+HPCJ-03-422+HPCJ-30-43+
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2026/2/24 10:32:27
在阳光电源2026全球合作伙伴大会上，全球功率系统半导体英飞凌科技凭借卓越的技术创新能力、丰富的产品组合以及深度的产业协同荣膺阳光电源2025年度“全球战略伙伴”殊荣。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Dr. Peter Wawer、英飞凌科技高级副总裁兼工业与基础设施业务首席营销官Andreas Weisl、英飞凌科技执行副总裁Dominik Bilo、英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉出席了本次活动。阳光电源高度认可并表彰了英飞凌作为功率半导体领域领军者的卓越表现，凭借持续的技术创新与卓越品质，始终为阳光电源提供核心驱动力。英飞凌不仅以技术突破夯实产品根基，更以全球视野与专注匠心，全程助力能源转型进程。双方在长期合作中建立起深厚信任，在协同共创中不断拓展价值，共同书写了硬核技术与专业匠心深度融合的合作典范。在全球应对气候变化、加速能源结构转型的背景下，光伏与储能已成为构建新型电力系统的核心支柱。随着可再生能源装机容量持续攀升，行业面临的关键挑战从单纯的“发电能力”转向“系统可靠性与电网韧性”。如何提升能量转换效率、保障不同天气条件下的稳定输出、并通过智能化管理实现源网荷储协同，成为产业当前攻关的焦点。在此进程中，高效率、高可靠的功率半导体的创新将有效提升可再生能源系统的性能与降本空间。作为阳光电源的合作伙伴，英飞凌多年来始终与阳光电源保持紧密合作，从联合技术创新到新产品应用快速落地，从多方位资源支持到本地化敏捷响应，通过持续提供领先的碳化硅、IGBT等功率半导体解决方案，助力阳光电源在效率、功率密度和可靠性上持续突破。目前，双方合作已全面覆盖风光储电氢五大领域，助力阳光电源在全球超过100个国家和地区的广泛应用。获得阳光电源的这一重要奖项，不仅是对英飞凌与其过往合作成果的肯定，更是对未来进一步深化协同的动力。面对全球能源转型带来的机遇与挑战，未来...
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2026/2/24 10:26:12
Bourns推出其AC3028SQ、AC5037SQ、ACXX14SQ、ACXX15SQ和ACXX18SQ系列空气线圈电感。这五个新系列实现高Q值和高自谐振频率（SRF），具有严格的电感公差，使设计师能够满足对更小、更快、更紧凑电子产品的持续需求。这些新型空气线圈电感采用方形设计，顶部和底部平坦，简化了可靠的挑选与放置组装，同时提供卓越的机械稳定性。五个新电感系列的其他显著特点包括高Q值可达230，电感范围为5.5至82纳亨利（nH），非常适合当今高频电视和无线电接收器、无线电发射机、射频放大器及调谐应用设计。此外，Bourn®系列AC3028SQ、AC5037SQ、ACXX14SQ、ACXX15SQ和ACXX18SQ系列电感具有严格的公差，分别为2%和5%，DCR值范围为3.4至12毫欧（mΩ）。这些空气线圈电感额定电流范围为2.7至5.6安培，工作温度范围为-25°C至+125°C。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/11 10:03:47
TDK株式会社宣布扩展了其µPOL系列非隔离式DC-DC电源模块产品线，新增了FS1525型号产品。这款高度仅为3.82毫米的负载点（PoL）转换器可提供高达25A的电流，专为满足人工智能服务器、边缘计算和数据中心系统的高要求而设计。通过堆叠或并联多个FS1525模块，它们可以在垂直供电设计中提供高达200A的总电流。这种创新的设计方案将PoL转换器直接置于PCB背面的FPGA/SoC或ASIC下方。FS1525功能µPOL模块F1525单片可提供25 A电流，多个模块堆叠时可提供高达200 A的电流，在垂直功率传输设计中实现了紧凑和低高度的外形超快瞬态响应、超低直流纹波和低频谱噪声将MOSFET、电感器和控制集成在具有模拟和数字接口的热增强3D结构中利用前沿的3D芯片嵌入式封装技术，FS1525将所有关键组件——包括控制器、驱动器、MOSFET、数字核心、存储单元、旁路电容和功率电感——集成在一个尺寸为7.65 x 6.80毫米（长x宽）的单个组件中。其热增强架构具有1.4 K/W的热阻，在高环境温度下提供出色的电流性能，优于传统解决方案，同时简化PCB布线，实现高密度电源架构。FS1525支持4.5 V至16 V的输入电压和0.6 V至1.8 V的可调输出电压范围，专为现代低电压AI处理器供电而优化，包括3纳米至6纳米ASIC的核心电压，以及峰值低于5mV的SERDES电源轨。其低频谱噪声性能非常适合DSP、成像和高级自动化测试设备（ATE）应用。该新型µPOL可扩展至200 A，并专为垂直供电设计，可增强散热性能并最大限度地提高电路板空间利用率。FS1525具有快速瞬态响应、低纹波和真正的差分遥感功能，可确保负载点的精确电压调节。通过I²C和PMBus实现数字可编程，支持实时遥测、自适应调节和故障管理，可对电压、电流和温度进行监...
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2026/2/11 9:27:12
TDK株式会社推出B3271xP系列直流支撑薄膜电容器。新元件专为严苛的汽车与工业电力电子应用而设计，具有出色的耐热性能，最高工作温度达+125 °C，且在+105 °C以下无需降额，即使在空间局促的逆变器环境中，也能保持稳定的容值与可靠的能量缓冲性能。对于电动汽车 (xEV) 主电机驱动控制器、车载充电机以及DC-DC转换器等高温要求和持续纹波负载能力，该性能非常适用。B3271xP系列涵盖的电容范围为0.47 µF至110 µF，额定直流电压范围为600 V至1200 V，充分满足变频器、高端工业电源及光伏逆变器等各种应用的灵活设计需求。其采用聚丙烯 (MKP) 介电材料，具有低损耗、大纹波电流能力以及优异的自愈性能，即使在严苛的电气应力工况下依然能高效率运行并延长系统使用寿命。该系列元件采用阻燃塑料外壳并配合环氧树脂密封（符合UL 94 V-0），包含27.5 mm、37.5 mm和52.5 mm三种引脚间距可供选择。除了标准的2引脚版本，还可提供4引脚，以增强机械稳定性并支持低电感布局设计。元件的典型等效串联电阻 (ESR) 低至数毫欧，在10 kHz频率条件下具备高电流能力，有助于实现可靠的直流支撑滤波并有效降低温升。B3271xP系列符合AEC-Q200E标准并通过UL 810结构认证，既满足汽车平台的高可靠性要求，还契合全球工业市场需求。凭借优异的高温耐受能力、宽泛的电气性能及紧凑的结构设计，该系列元件可帮助工程师进一步优化逆变器设计，满足高效率、稳定性以及长期可靠性等多方面需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/11 9:20:36
SGM42214xQ 是一款智能四通道高侧开关，采用导通电阻为 150mΩ 的 N 沟道 MOSFET，专为汽车应用设计。器件集成完整的诊断与保护功能，并内置高精度电流检测电路，支持智能负载控制，适用于各类阻性、容性和感性负载。除固定内部限流外，SGM42214xQ 还支持外部可调限流，可灵活应对浪涌电流和过载情况，进一步提升系统可靠性。该器件符合 AEC-Q100 Grade 1 标准 (Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 Grade 1)，适用于汽车电子系统。SGM42214xQ 采用绿色 TSSOP-28（裸露焊盘）封装。具备的特征符合 AEC-Q100 汽车应用标准器件温度等级 1工作温度 (TA) = -40℃ 至 +125℃4.5V 至 36V 宽供电电压范围四通道高侧开关：150mΩ所有开关均具备全套诊断功能开漏诊断故障输出统一模拟电流检测和故障输出超低待机电流：+25℃ 时最大 0.5μA固定内部电流限制选项可调外部电流限制每个通道均具有独立的过热保护过热关断锁定或自动重试过热关断后降低电流限制过热保护：温度快速升高时输出关闭正常电流限制下自动重试针对感性负载，输出在负电压下钳位，并优化了转换速率速率接地故障保护和电池断电保护过载和对地短路检测开路/对电池短路检测用于快速中断信号的全局故障报告-40℃ 至 +125℃ 工作温度范围采用绿色 TSSOP-28（裸露焊盘）封装常见应用PLC数字输出驱动器多通道LED驱动器、灯泡驱动器子模块用多通道高侧开关多通道高侧继电器、电磁阀驱动器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/10 9:12:23
Microchip宣布推出MCPF1525 Power Module，这是一款高度集成的设备，配备16V Vin降压转换器，每个模块可提供25A电流，可叠加至200A。MCPF1525实现了同一机架空间内更高的功率输出，并结合了可编程的PMBus™和I2C控制。该设备旨在驱动最新一代PCIe®交换机和AI部署所需的高性能计算MPU应用。并且采用创新的垂直结构设计，最大化板面空间效率，与其他方案相比，板面面积可减少多达40%。紧凑的电源模块尺寸约为6.8毫米 x 7.65毫米 x 3.82毫米，是空间有限的AI服务器的理想解决方案。Microchip为提高可靠性，MCPF1525包含多项PMBus™报告的诊断功能，包括过热、过电流和过电压保护，以最大限度减少未检测到的故障。采用热增强封装，该器件设计用于在-40°C至+125°C的工作结温度范围内工作。 板载嵌入式EEPROM允许用户编程默认的开机配置。该MCPF1525采用定制集成电感，实现低传导和辐射噪声，提升信号完整性、数据准确性和高速计算可靠性，帮助减少浪费宝贵系统功耗和时间的重复数据传输Microchip提供多种直流-直流功率模块，输入电压范围从5.5V到70V，采用超紧凑、坚固且热增强的封装，旨在提升高功率密度。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/6 9:28:29
英特尔发布全新英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器，这是对英特尔高端工作站平台（采用英特尔® W890 芯片组）的一次全面升级。对比上一代产品：最新一代英特尔工作站处理器在多个方面均实现显著提升，包括核心数量的大幅增加、PCIe 连接性的增强、对更高内存速度的支持，以及前所未有的能效表现。产品优势全新英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器为数据科学/AI 开发、工程模拟/可视化，以及媒体和娱乐内容创作等带来了诸多优势。与上一代处理器相比，新一代平台实现了多线程性能的显著跃升，强化了I/O 功能，进一步提升有线和无线连接性能，并为高级 AI 训练和推理工作负载提供了更广泛、高效的支持。英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器采用 Intel 3 制程技术和 Redwood Cove+ 核心架构，产品线全系列型号的核心数量均获得提升——在相同功耗下，86 核的至强 698X 与上一代 64 核的 至强W3595X相比，多线程性能提升高达 61%¹。平台规格英特尔® 至强® 600 系列工作站处理器拥有多达 86 个内核，睿频频率高达 4.8 GHz，与上一代英特尔处理器相比，单线程性能提升高达 9%，多线程性能提升高达 61%²。在英特尔® AMX 中增加了对 FP16 数据类型的支持，显著提升 AI 训练和推理工作负载的性能——在 AI 和机器学习工作负载中，性能比上一代英特尔处理器提升高达 17%³。支持多达 128 个 CPU PCIe 5.0 通道，为多 GPU、SSD 和网卡提供强大的平台连接性，以满足用户的工作流程需求。支持多达八通道的 DDR5 RDIMM，速度高达 6400 MT/s——高于上一代平台的 4800 MT/s...
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2026/2/6 9:16:57
Vishay推出了四款新型功率电感，分别为2.0毫米×1.6毫米×1.2毫米0806和3.2毫米×2.5毫米×1.2毫米1210机箱尺寸。商用IHLL-0806AZ-1Z和IHLL-1210AB-1Z以及汽车级IHLP-0806AB-5A和IHLP-1210ABEZ-5A在11%（1210）和64%（0806）的体积中，实现了与次小竞争电感器相同的性能，同时提供更高的工作温度、更宽的电感值范围以及更低的DCR以提高效率。IHLL-0806AZ-1Z和IHLL-1210AB-1Z的端子仅在底部镀层，电感强度从0.24 μH到4.70 μH，典型DCR低至6.6 mΩ，实现更小的焊点布局，实现更紧凑的板间距。IHLP-0806AB-5A 和 IHLP-1210ABEZ-5A 的端子底部和侧面均镀有电镀，可形成焊锡圆片，增强对高机械冲击的安装强度，同时简化焊点检查。AEC-Q200 认证的器件在 +165 °C 以下提供可靠性能，比最近的复合电感高出 10 °C，典型的 DCR 最低可达 15.0 mΩ。这四款设备相比铁氧体技术性能更优，采用坚固的粉末铁体，完全封装绕组——消除气隙并磁性屏蔽，防止与附近元件的串扰——同时其软饱和曲线在整个工作温度和额定电流范围内保持稳定。该电感采用100%无铅（Pb）屏蔽复合材料结构，将杂音降至极低水平，具备高抗热冲击、防潮和机械冲击能力，能应对高瞬态电流尖峰而不饱和免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/2/6 9:08:07