意法半导体STPOWER产品组合中的700V PowerGaN设备应对了AI服务器功耗上升以及对超越传统硅片技术极限的高性能功率转换需求等挑战。ST的新款PowerGaN器件为高压电源提供高效和高功率密度。设计为700伏工作额定，支持可靠的高功率运行和更高频的拓扑结构。PowerGaN固有的优势包括低导电损耗、高工作频率下的极低开关损耗以及零反向恢复电荷，从而实现系统体积、重量和工作温度的缩小。这些属性对于用于机器人的电力半导体、工业电源以及用于发电、配电和储存的智能电网变换器非常重要。“通过推出新的700V器件，扩展了氮化镓技术的优势，将其优势扩展到中功率和高功率应用。”“我们将继续扩展产品线，增加电压等级和功能，进一步巩固我们对GaN的承诺，用于未来AI服务器、类人机器人、工业电力以及包括家用电器在内的消费级电力应用。”意法半导体电力与分立子集团执行副总裁Mario Aleo表示。关于其封装该系列采用DPAK、TO-LL和PowerFLAT表面贴装封装，这些封装在实践中经过验证，并被主要电子设计自动化库和工具链广泛支持。TO-LL和PowerFLAT器件提供开尔文源连接，将门控电路与主电源路径分离，以最大化抗噪能力，保护栅极驱动器并保持时序裕量。引入的设备包括：• SGT350R70GTK（6 A，270 mΩ*），采用6.10毫米×6.60毫米3针DPAK，带可焊接卡片。• SGT070R70HTO（26 A，53 mΩ*）采用无铅TO-LL，采用热效率极高的漏极和源源连接。• SGT080R70ILB（29 A，60 mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7 A，80 mΩ*）、SGT140R70ILB（17 A，106 mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5 A，138 mΩ*）、SGT240R70ILB（10 A，165 mΩ*），采用可焊接...
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2026/5/29 10:10:48
半导体制造商ROHM面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。AG16xFNxx系列采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。其中，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，均有助于提升电路板安装时的可靠性。与此同时，其通过铜夹片键合技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。AG160FNS4FRAAG166FNH7FRA该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。相关解说：鸥翼型引脚：引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。可润湿侧翼成型技术:一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。铜夹片键合:替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片（扁平金属桥）直接连接的一种技术。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 10:00:36
TDK公司宣布推出了Micronas HAL 13xy系列，该系列是一种工厂可编程霍尔效应开关传感器，专为汽车和工业应用的速度和方向检测设计。利用TDK-Micronas经过验证的3D HAL技术，HAL 13xy采用三个正交霍尔元素（X、Y、Z）排列在像素单元中，提供90°相距（正交信号），本质上不受磁极间距和气隙影响。该设计允许同时测量两个磁场元件，为制造商在传感器和磁铁布置上提供最大灵活性。HAL 13xy系列凭借其坚固的设计和多样化输出，实现了平稳的运动控制、高安全标准和提升用户舒适度。并且提供两个独立的开漏输出，可配置为正交速度/速度或速度/方向信号。这种灵活的输出配置支持在需要精确、可靠且节省空间的传感技术的应用中实现紧凑型电动机控制。其工作范围为-40°C至170°C，支持从3.0V到24V的宽广供电电压范围，并具备强有力的保护特性，包括40V负载倾卸的稳健性、-18V反向电压保护以及短路/热保护。能够在电源电压和温度变化中保持恒定的开关点，确保在高强度环境中稳定的性能。它符合汽车电子AEC-Q100标准，并根据ISO和IEC要求提供高电磁兼容韧性。HAL 13xy系列采用紧凑型5针SOT23封装、高静电阻稳健性（最高可达4 kV HBM）和可配置的传感轴，HAL 13xy系列为工程师提供了一种多功能且经济高效的解决方案，用于空间有限的汽车和工业应用中精确的电机控制和位置检测。在汽车领域方面，HAL 13xy系列可用于座椅轨道电机、天窗驱动、尾门电机、气门位置、方向柱电机、转向次数感应以及具防夹功能的窗户升降器等应用。其主要应用体现在：座带电机天窗电机尾门电机阀门位置转向柱电机转向次数感测具防夹功能功能的窗户升降器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品...
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2026/5/29 9:51:31
Qorvo宣布推出一系列新的射频交换机，旨在简化多频段无线电架构。随着5G无线电扩展以支持更宽的带宽和更多频段，包括如FR3等新兴频谱，设计师面临着在保持隔离性和信号完整性而不增加体积、损耗和复杂性的方面面临越来越多的挑战。该系列频段覆盖50 MHz至10 GHz，减少了元件数量，提升了信号完整性，并使5G基础设施、工业、无人机和测试应用的射频系统设计更加高效。Qorvo基础设施业务总经理Debbie Gibson说。“设计师不再依赖级联交换架构来实现高隔离。我们在单一设备中实现这种性能，跨越非常宽的带宽，”这种方法减少了插入损耗，保持信号线性，简化了设计，从而提升数字预失真（DPD）反馈等应用中的接收器性能。这一系列新设备射频交换机构成了一个统一的交换平台，支持高隔离和通用路由。通过将切换功能整合到更少的组件中，工程师可以降低物料清单的复杂性，简化布局，并加快跨多个应用的开发。Qorvo的新QPC6144是一款SP4T宽带交换机，单设备中可提供超过65 dB的隔离。作为补充，QPC6122（SP2T）和QPC6188（SP4T）提供50 MHz至10 GHz的宽带吸收切换，实现单平台射频路由。这些设备减少元件数量，简化设计，同时保持低插入损耗和宽带宽强线性，用于校准路径、一般信号路由和多频段运行。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:46:16
伴随着AI工作负载加速，向AI工厂的转变推动了前所未有的机架级功率密度。这一转型的核心是NVIDIA MGX™，一种开放模块化架构，能够实现更快的系统设计、提升可扩展性和下一代AI基础设施的快速部署。ADI(亚德诺)作为MGX生态系统的重要成员，正与NVIDIA携手推动这一转型，提供支持日益严苛AI工厂部署所需的电力技术。向800伏直流转型：实现AI工厂规模化随着AI工厂不断追求更高性能，传统的48伏架构已无法满足现代GPU集群的电力需求。为了保持性能扩展，基于MGX的AI工厂正在转向800伏直流机架级架构，这减少了电流和电力损失，实现了更紧凑的分电配置，并支持针对兆瓦级机架的可扩展设计。这种电力架构的转变为未来NVIDIA平台奠定了基础，在这些平台的持续性能提升直接依赖于电力传输效率。ADI：为MGX系统启用800伏直流电力 ADI正在扩大其在电力保护、控制和遥测领域的领导地位，以支持下一代AI基础设施。基于数十年的创新，ADI正在开发高压热插拔和直流直流解决方案，能够实现：高级计算平台的高密度集成高压环境下的快速、准确保护用于系统优化和预测性维护的高级遥测免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/29 9:41:49
Vishay 扩展其IHXL径向孔式电感系列，新增四款新器件，旨在以更低成本实现性能提升。采用新型铁合金芯材，较前一代器件降低芯损20%，同时降低温度上升，汽车级IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A以及商用IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31，具备+155°C的高温运行，并具备优异的电磁兼容性（EMC），适用于高达209安培的滤波应用。Vishay Dale设备将作为高电流输入滤波器、直流/直流转换器和电池充电系统中的直流链路滤波器，汽车、工业和太阳能和风能应用中的无刷直流电机（BLDC）以及差动模和升压功率因数校正（PFC）扼流器。这些电感的价格低于上一代IHXL系列器件，将改进的铁芯损耗与最高达10 μH的高电感相结合，从而实现更高的阻抗，从而实现更好的滤波和更强的开关变换器中的纹波电流控制。IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A 和 IHXL-2000VZ-31 采用磁屏蔽结构，采用压制粉末机身，能容纳杂散磁通，减少与周围元件的耦合，并最大化电磁作用，相较于传统带线器件内部线圈暴露。这种压制粉末铁结构还具有低内部热阻——减少热点并提升主动冷却性能——而平坦的表面便于外部散热片的安装。电感器内部粗铜导体支持1500（38.1毫米×38.1毫米×21.89毫米）和2000（50.8毫米×50.8毫米×21.7毫米）机壳尺寸中55安培至209安培的广泛负载。其软饱和芯材通过避免硬饱和，确保在多种负载条件下——包括高瞬态电流尖峰时——的电感稳定。符合RoHS标准、无卤素及Vishay Green、IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31，具有高抗热冲击、防潮和机械冲击能...
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2026/5/28 11:38:27
TDK公司宣布其Micronas快速霍尔传感器位置传感器系列新增HAL 3025。继HAL 3020和HAL 3021成功发布后，HAL 3025扩展了产品组合，配备了单芯片传感器，该传感器符合严格的ISO 26262 ASIL D要求，并专为下一代X线控电机控制应用设计。HAL 3025通过TDK-Micronas的SixSense技术评估垂直磁场分量，测量完整的360°旋转角，这一方法与HAL 3021同样采用。通过根据ISO 114528抑制外部直流和交流磁场的杂散，传感器支持紧凑型电机设计，使电力电子元件靠近传感元件。它还消除了昂贵的磁性屏蔽或超大目标磁铁的需求，使设计师在电机布局设计上拥有更大自由度，降低了整体系统成本。一个简单的两极铁氧体磁铁，轴端配置就足够了。HAL 3025 设计为 SEooC ASIL D 准备，实现单芯片故障保护架构，相比多芯片方法降低了系统复杂度、材料清单和板块空间。该设备集成了多种片上安全监控功能，以最大化诊断覆盖并减少对ECU的外部监控需求。结果是：更早更广泛的故障检测，更简单的系统诊断，以及对安全启动和运行时运行的更高信心。该传感器专为高性能电机控制设计，支持转速高达60,000转/分钟的应用。模拟信号路径确保了快速响应时间和高输出带宽，这对现代电动动力系统和安全关键执行器至关重要。利用HAL 3025的差分或单端正弦余弦模拟输出，外部微控制器或电子控制单元（ECU）可以高分辨率计算绝对角位置。设备的非易失性存储器允许通过传感器的输出引脚编程关键信号路径参数，如正弦/余弦增益、偏移、正交性、0角和磁信号带宽。这消除了对额外编程引脚的需求，并为设计者提供了最大的线路校准灵活性。为确保在恶劣环境中的长期可靠性，该传感器的工作温度范围为-40°C至170°C，并采用紧凑型SOIC8 SMD封装。与HAL 3...
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2026/5/27 14:16:23
金升阳SF系列接触器控制模块针对传统产品存在的关断响应慢、稳定性不足及寿命有限等问题，采用自主研发的专用IC芯片，实现20ms的快速关断。这款模块支持170-550VAC/DC的宽电压输入范围，兼容主流接触器型号，并支持单线圈无短路环设计。产品设计符合GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准，确保产品性能稳定可靠。其适用于需要快速关断和高可靠性的工业自动化场景，如大型水泵、电磁启动器及大功率电加热控制柜等负载设备。产品特点：响应迅速，节能性能表现内置自主研发IC，可实现约20ms的快速关断，提升灭弧效率，延长电气元件寿命；智能控制降低吸持电流，达到节能效果；内置EMC及浪涌保护，提高系统安全性。降低成本，兼容性强支持单线圈无短路环设计，有助于降低物料成本；兼容“铜包铝”方案，便于成本调整；宽压输入覆盖170-550VAC及DC，适应多种电网环境；即插即用，适配多种市场主流接触器型号。运行稳定，适应环境广泛低噪音设计，噪声控制在25dB以下，适合对环境噪音有要求的场合；支持每小时1200次的空载开关，满足高频操作需求；适用温度范围为-40℃至+70℃，具备一定耐候性能。主要功能与应用：宽电压输入，满足出口市场多样需求；支持无短路环单线圈及铜包铝线圈设计；快速关断延长接触器寿命；噪声低，适合办公及医疗等环境；抗晃电功能，提升吸合稳定性；规格覆盖115-630A的主流F系列壳架；适应严苛环境与高频操作；可根据客户需求定制应用方案。典型应用场景：电网波动环境模块通过宽电压输入和抗晃电设计，在电压波动情况下仍能保持设备稳定运行，适用于煤矿行吊、配电回路等关键设备，减少设备停机风险。噪声敏感环境通过电子控制线圈方式降低运行噪声，适合楼宇自动化、智能配电室等场所，缓解办公、医疗、住宅区域的噪声影响。高频操作需求模块实现快速关断与高效灭弧，有助于延长接触...
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2026/5/26 10:22:06
ROHM宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU（电容单元）的作用变得越来越重要。此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温（Tj）达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/25 9:14:42
Vishay 推出了两款新型汽车级光耦合器，采用宽体封装，采用宽体封装，比较跟踪指数（CTI）为600。Vishay VOWA618A VOWA617A半导体设计用于电动汽车（EV）和太阳能逆变器实现高隔离信号，提供1500伏峰值V的VIORM，1060V有效方距的V外侧空间，以及≥11毫米的外部渐变和间隙距离。≥AEC-Q102认证设备在同级中提供了最高的爬行距离，安全裕度比典型8毫米解决方案高出38%，非常适合电网连接的车载充电器（OBC）、直流/直流转换器和电池管理系统（BMS）隔离级。在这些高压应用中，它们超越了增强绝缘的需求，将高V的IORM和VIOWM（分别比竞争对手提升6%和19%）结合，隔离电压为5300V RMS，V IOTM峰值为8000V。光耦合器每个由一个红外发射二极管组成，光耦合到宽体SMD-8封装中的硅平面光电晶体管探测器。标准方案通常提供175的CTI，而VOWA617A和VOWA618A的600 CTI则赋予其材料组1等级，即最高的绝缘组。此外，其80伏集电极-发射极电压额定提供了更多设计灵活性。与通常工作温度达到+85°C的消费级解决方案相比，光耦合器的工作温度范围更宽，范围从-40°C到+125°C，接点温度可达+145°C。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green标准，这些器件在VOWA617A端5毫安和VOWA618A端1毫安的低输入电流下，电流传输比（CTR）范围从50%到600%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/21 11:44:39
TDK推出FS3303是其微型POL家族超紧凑、非隔离的直流直流功率模块重大扩展的首款产品，适用于AI边缘系统及其他空间受限设计中的光模块。尽管体积仅为2.5 x 2.5毫米，高度仅1.2毫米，FS3303仍能在环境温度最高+90°C（降低后可达+125°C）下提供3安培电流，峰值效率约为95%。超紧凑型微型POL模块FS3303在2.5×2.5毫米的占地内提供3安培，仅1.2毫米高，支持光模块和AI边缘系统的高密度功率在+90°C以下（降额时为+125°C）时，高效率可达95%，支持ASIC、SoC、DSP和AI芯片组的低压轨道，电压从0.4V到3.3V不等集成控制器、驱动单元、MOSFET和电感元件，集成在TDK 3D芯片嵌入式封装中，最大限度地减少外部元件并最大化板块空间节省FS3303及即将推出的高性能负载点（POL）变换器系列涵盖3A至80A输出，覆盖0.3V至3.3V的轨道。它们使下一代光网络和人工智能加速器平台能够在不牺牲板块空间的前提下提升性能。例如紧凑型光模块，其速率从10 Gbit/s扩展到1.6 Tbit/s。新产品线的高度轮廓介于1.2毫米至1.7毫米之间。FS3303专为低压轨道设计，支持输入电压范围为2.7伏至6伏，输出电压范围为0.4伏至3.3伏。这使得它成为ASIC、SoC、DSP以及新兴AI芯片组的多功能解决方案，适用于需要严格监管和高瞬态性能的新型芯片。FS3303 利用了 TDK 专有的三维芯片嵌入式封装技术，集成了控制器、驱动单元、MOSFET 和功率电感。该架构最大限度地减少外部元件，提供完整的直流直流解决方案，具有卓越的面积和高度节约——非常适合下一代光收发器和边缘AI模块。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
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2026/5/20 10:05:25
在2026年5月19日召开的董事会会议上，TDK公司已决定Amperex Technology（新加坡）私人有限公司。有限公司，作为公司从事可充电电池业务的子公司，将收购Linergy Power Sdn Bhd（以下简称“Linergy”）100%的普通股，并将Linergy成为全资子公司（以下简称“股份收购”）。收购股份的原因2024年5月，为进一步提升企业价值，公司制定了长期愿景“TDK转型”，作为公司未来十年的目标，体现了公司加速为社会转型做出贡献、持续转型，为实现可持续未来的承诺。此外，公司发布了中期计划，代表其三年行动计划（2025财年3月至2027财年3月），并一直按照该愿景推动业务发展。在核心能源解决方案业务中，公司通过中小容量电池的前沿技术开发不断推出高附加值新产品，赢得了多元客户群的信任。值得注意的是，在中容量电池业务中，公司利用积累的技术和专业知识开发并供应符合客户需求的产品，从而实现差异化并扩大业务。通过收购股份，公司将能够提供灵活的全球供应结构，以满足客户多样化的需求。这将进一步增强客户信任，推动业务进一步增长，加速“TDK转型”的实现。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/20 9:56:49
半导体制造商ROHM宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、DMS（驾驶员监控系统）和感测摄像头等车载应用的SoC*3。该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产品。另一方面，Main PMIC“BD96805Qxx-C”和Sub PMIC“BD96806Qxx-C”通过与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/20 9:53:19
该方案集成了东软睿驰最新 NeuSAR OS软件栈，通过软硬件协同优化和系统级预验证，为 OEM 与 Tier 1 提供了一套完整的区域架构参考系统，可广泛应用于 48V 区域控制器、智能功率分配与能源管理系统、车身域控制器、线控底盘执行器以及汽车安全网关等场景，帮助客户缩短开发周期、降低开发成本，并加快量产进程。随着汽车行业加速迈向软件定义汽车，整车电子电气（E/E）架构正由分布式向集中式演进，区域架构正逐步成为下一代 E/E 架构的核心方向。作为区域架构的关键支撑技术之一，48V 低压电气系统在应对高功率负载所带来的线束复杂性方面具有显著优势，同时在整车轻量化、能源效率提升以及功能持续集成方面发挥着重要作用。在此背景下，东软睿驰与恩智浦作为长期的合作伙伴，联合推出了一套基于恩智浦CoreRide Z248平台的预集成、预验证的区域控制器参考系统，可直接应用于区域架构开发。该平台基于恩智浦CoreRide Z248区域参考系统，搭载S32K5系列微控制器，集成 48V 电力分配与智能数据路由能力，显著简化了智能数据与能源网络（SDEN）中复杂功能的开发工作。这些功能包括阻抗监测、电源及保护监测、智能数据路由，同时还集成了功能安全、实时性能，以及 AI 赋能的虚拟传感、诊断与音频处理能力，从而有效降低系统集成复杂度并缩短开发周期。东软睿驰 NeuSAR cCore 基础软件与恩智浦 CoreRide Z248 区域架构平台实现了深度协同。NeuSAR 软件基于 AUTOSAR R21-11 标准开发，已完成对恩智浦 S32K5 主控制器的OS模块适配，并集成了以太网和 CAN 通信协议栈，实现与硬件 BSP 的无缝对接，进一步降低系统整体集成复杂度。此外，双方围绕 48V 能源管理、智能数据路由及区域化部署架构开展系统级联合优化，在确保系统性能平衡的同时，持续提升关键应用场...
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2026/5/20 9:49:14
ADI(亚德诺)和Empower Semiconductor宣布，他们已达成最终协议，根据协议，ADI将以15亿美元的全现金交易收购Empower。随着AI计算的扩展，功率密度——不仅仅是总瓦数——已成为限制因素。在计算点提供高密度、高效功率，同时应对快速变化的需求，如今已成为系统设计中最关键的挑战之一。ADI与Empower携手，将共同塑造AI及其他计算密集型应用的电力传输架构。通过使电力转换更靠近处理器，该组合解决方案缩短了电力传输路径，提升效率，支持更高性能、更高密度的系统。基于其在高性能电力管理领域的地位，ADI正在投资其系统级平台，实现从电网到核心的性能、密度和效率的飞跃性转变。“人工智能基础设施正在从根本上重塑电力供应方式，能源如今成为下一代系统扩展最持久的限制。ADI已经提供业内一些性能最高的电力管理解决方案，借助Empower，我们进一步扩展产品组合，帮助客户重新设计电力系统，实现下一代人工智能所需的计算密度。这项技术的影响远超人工智能数据中心，延伸到任何能源限制可能性的领域，”ADI首席执行官兼董事长文森特·罗什表示。Empower成立的初衷是解决AI电力传输中最难解决的问题——限制AI吞吐量的电力瓶颈。我们的技术使AI处理器能够达到所需的功率密度、速度和效率，从而释放出多代性能的提升。Empower Semiconductor首席执行官Tim Phillips表示：“ADI的电源管理平台、规模和运营卓越，加上我们并购带来的系统层面优势，将加速我们在客户中的采纳。”Empower的硅电容器已投入生产，IVR项目正与超大规模企业和AI硅片供应商紧密合作推进——ADI将通过其规模、制造和客户覆盖度加速提升能力。详情根据协议条款，协议已获两家公司董事会批准，ADI将以全现金收购价格支付Empower股东15亿美元。该交易预计将在2026年日历年下半年完...
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2026/5/20 9:45:22
Qorvo宣布在实现超宽带（UWB）实时定位系统（RTLS）可企业级部署方面迈出了重要一步。通过将包括FiRa和Omlox在内的行业标准与Wi-Fi企业接入点（EAP）集成，Qorvo实现了精确的实时定位服务，无需专用的RTLS基础设施。Qorvo解决了RTLS采用的关键障碍，包括系统碎片化以及专用锚点网络的成本和复杂性。通过将UWB嵌入企业Wi-Fi基础设施，Qorvo使定位服务能够利用现有接入点和工作流程进行扩展。凭借十余年的UWB创新，公司提供了经过验证的RTLS基础，应用于医疗、采矿、物流和汽车制造领域。Qorvo产品营销与赋能总监Alexis Bizalion表示：“实时定位长期受限于基础设施成本和互操作性不足。”“通过将基于标准的UWB引入企业Wi-Fi接入点，我们将实时定位成为网络的原生能力。我们很高兴能够帮助OEM、系统集成商和解决方案提供商以更高的灵活性、更低的成本和更低的集成风险构建和部署RTLS解决方案。”Qorvo 与领先的企业 Wi-Fi 供应商合作，将 UWB 集成到接入点，将 Wi-Fi 基础设施转变为连接和定位服务的双重平台，同时降低部署成本和上市时间。公司已实现多项行业首创的超宽平衡里程碑，包括：医疗和物流领域EAP上的符合FiRa标准的RTLS部署汽车制造中EAP上的Omlox兼容RTLS部署企业Wi-Fi基础设施中结合支持FiRa和Omlox标准，实现互操作的RTLS部署该生态系统的核心是Qorvo全新的QPK3000模块，专为标签和终端设备设计。它实现了跨EAP、专用锚点及其他UWB支持基础设施的互操作UWB功能，简化开发并确保在基于FiRa和Omlox的系统间的兼容性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/19 10:44:03
随着云连接边缘节点数据的阶梯函数增加，改进集成电路®（I3C®）正迅速成为高数据率传感器接口的更可持续解决方案，并将助力扩展下一代设备的能力。因此，Microchip发布了PIC18-Q20系列微控制器（MCU），这是业内首款低引脚数MCU，支持最多两条I3C外设和多电压I/O（MVIO）。PIC18-Q20 MCU提供14针和20针封装，尺寸最小可达3 x 3 mm，是实时控制、触控感测和连接应用的紧凑型解决方案。MCU提供可配置的外设、通信接口，并且无需外部元件即可跨多个电压域轻松连接。凭借I3C功能、灵活的外设以及在三个独立电压域上工作的能力，PIC18-Q20 MCU非常适合与主MCU配合使用，在更大的整体系统中实现。这一系列MCU可以执行诸如传感器数据处理、低延迟中断和系统状态报告等任务，这些任务是主MCU无法高效完成的。虽然中央处理器（CPU）运行在不同的电压域，而I3C外设的工作电压范围为1.0至3.6V。这些低功耗、小尺寸的MCU可用于汽车、工业控制、计算、消费、物联网和医疗等多种空间敏感的应用和市场。“大规模物联网采用的主要障碍之一是实施边缘节点的成本。Microchip 8位 MCU 业务部门副总裁 Greg Robinson 表示，通过 PIC18-Q20 系列 MCU，Microchip 正在帮助打破这一障碍。“通过引入业界首个低引脚数的集成I3C微控制器，我们实现了物联网应用的灵活、经济性强的扩展，并拥抱新的标准通信接口。”随着市场转向对更高性能、更低功耗和更小体积解决方案的需求，I3C帮助设计师和软件开发者应对这些潜在的挑战性需求。与I2C相比，I3C提供更高的通信速率和更低的功耗，同时保持与遗留系统的向后兼容性。I3C和MVIO功能结合Microchip可配置的独立核心外设（CIP），通过用片上多电压域替代外部电平移位器，降...
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2026/5/18 10:20:47
Microchip宣布了一款耐辐射、64兆位（Mbit）并行接口超级闪存设备，具备无与伦比的总电离剂量（TID）容忍度，以实现在太空任务恶劣辐射环境中的最大可靠性和稳健性。它是Microchip空间就绪微控制器（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想伙伴，这些产品为这一可扩展开发模型提供了基础。Microchip航空航天与国防业务部副总裁Bob Vampola表示：“SST38LF6401RT SuperFlash设备进一步强化了我们利用辐射耐受或辐射硬化微处理器及FPGA开发全空间系统解决方案的可扩展方法。”“它为这些航天系统提供了关键保护，使其实现最可靠的数字处理，而伴随闪存则需要存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流。”即使闪存仍具偏置状态且仍在运行，该SST38LF6401RT设备具备高达50千弧（krad）耐辐射的TID，使系统能够在广泛的空间应用中运行，避免代码执行丢失导致严重缺陷和系统故障。它是Microchip基于SAMRH71 Arm® Cortex-M7®的辐射硬化SoC处理器的理想伴侣，也可与公司RT PolarFire® FPGA配合使用，支持飞行中系统重配置。该器件与工业版在引脚分布上兼容，便于在印刷电路板（PCB）层面轻松过渡到经过空间认证的塑料或陶瓷版本。SST38LF6401RT的电压工作范围为3.0至3.6伏（V）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/18 10:12:23