2024 年 4 月 9 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA0微控制器（MCU）系列。全新32位通用MCU RA0系列产品除了实现更低成本，也提供超低功耗性能。RA0产品在工作模式下电流消耗仅为84.3μA/MHz，睡眠模式下仅为0.82mA。此外，瑞萨还在这新款MCU中提供了软件待机模式，可将功耗进一步降低99%，达到0.2μA的极小值。配合快速唤醒高速片上振荡器（HOCO），这款超低功耗MCU为电池供电的消费电子设备、小家电、工业系统控制和楼宇自动化应用带来理想解决方案。针对低成本优化的功能集瑞萨现已推出RA0系列的首个产品群：RA0E1。这款产品的功能集针对成本敏感型应用进行了优化，支持1.6V至5.5V的宽工作电压范围，客户在5V系统中无需使用电平转换器/稳压器。RA0 MCU还集成了定时器、串行通信，以及模拟功能、安全功能和人机界面（HMI）功能，以降低客户BOM成本。此外，该系列产品还提供多种封装选择，包括3mm x 3mm微型16引脚QFN封装。全新MCU的高精度（±1.0%）片上振荡器（HOCO）提高了波特率精度，设计人员可借此省去独立振荡器。另外，与其它HOCO不同的是，其在-40°C至105°C的环境中仍能保持这种精度，如此宽泛的温度范围让客户即使在回流焊工艺后也无需进行昂贵且费时的“微调”。RA0E1 MCU不仅具备关键的诊断安全功能和IEC60730自检库，还针对数据安全提供了丰富的保障功能，如真随机数发生器（TRNG）和AES库，适用于包括加密在内的物联网应用。Akihiro Kuroda, Vice President of the Embedded Processing 2nd Division at Renesas表...
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2024/4/11 16:52:46
据台媒《电子时报》报道，相关人士透露，受到云端服务器及企业级储存的需求强劲回升，及日前地震撼动DRAM产能供给，对于原本供给趋于紧张的存储产业，传出第2季市场价格将再扩大涨幅。业界透露，美光已向多数客户提出调升Q2产品报价，DRAM和SSD价格涨幅超过两成。多家客户获悉美光科技打算在第二季度将其DRAM模组和SSD价格连续提高25%以上。价格谈判仍在进行中。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/11 16:40:52
TDK 株式会社（TSE：6762）进一步扩充 Micronas 嵌入式电机控制器系列 HVC 5x，完全集成电机控制器与 HVC-5222D 和 HVC-5422D，以驱动小型有刷（BDC）、无刷（BLDC）或步进电机。*与热门型号 HVC 5221D 相比，此系列已实现显著增强，驱动电流、SRAM 加倍，EEPROM 是原来的四倍，同时可保持引脚兼容。样品现可供客户评估。计划于 2025 年第一季度投产。可提供4 x 1 A 峰值电流，适用于驱动无刷直流（BLDC）、有刷直流（BDC）和步进电机 采用 4 KB SRAM、2 KB EEPROM（32 KB）和 64 KB 闪存设备SEooC ASIL B 级，符合 ISO 26262 标准，可支持功能安全应用场景最新款电机控制器型号 HVC 5222D 和 HVC 5422D 分别提供 32 KB 和 64 KB 的扩展闪存容量，BLDC 和步进电机支持高达 1 A 的电流，直流电机支持高达 2 A 的电流，外加电机专用功能，例如针对微步进和集成相位电压比较器的电流编程、虚拟星点，以及面向基于传感器和无传感器电机控制的电流检测放大器等，符合 ISO26262 标准，并适用于 ASIL 应用。HVC 系列已扩充至包含 9 个完全集成电机控制器，配备 3 到 6 个电机端口输出，能够提供从 500 mA 到 2 A 的峰值电流。每台设备均由 32 位 Arm® Cortex®-M3 CPU 内核供电，提供 32 KB 或 64 KB 闪存选项。这些设备配备了用于多种测量的 12 位 1-µs ADC，可以无缝集成 TDK 的霍尔传感器和 TMR 传感器。此外，HVC 系列设备配有用于通信的 LIN 收发器和 UART，支持通过总线分流方法（BSM）进行自动寻址，从而增强其在各种应用中...
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2024/4/9 11:03:24
TDK株式会社扩大了其汽车用CGA系列100V积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，2012规格（2.0 x 1.25 x 1.25 毫米-长x宽x厚）的电容为22μF，3216规格（3.2 x 1.6 x 1.6 毫米-长x宽x厚）的电容为47μF，新产品具有业内最高电容*。该系列产品于2024年3月开始量产。2012规格（2.2μF）和3216规格（4.7μF）的全新100V汽车用产品（实现大电容）实现更节约空间的设计，同时减少了元件数量符合AEC-Q200标准出于对包括汽车燃油效率（功率效率）在内的种种因素的考量，越来越多的汽车制造商开始采用48V电气系统。这也增加了对小型化高电容100V产品的需求，而此类产品将有助于电源线路的平滑和去耦。得益于经过优化的产品设计，CGA系列100V产品的尺寸更加紧凑小巧，电容更高。TDK将持续扩大其产品阵容，以满足客户需求。*截至2024年3月，来源：TDK主要应用各种汽车用48V产品的电源线路的平滑和去耦主要特点与优势2012和3216规格的电容分别达2.2 μF 和4.7 μF，实现更节约空间的设计，同时减少了元件数量高可靠性，符合AEC-Q200标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/8 16:50:28
金升阳持续完善导轨电源产线布局，推出60W的超宽压导轨电源——LI60-26Bxx系列，该系列满足单相或两相的180-600VAC宽范围输入，安全可靠、性价比高。一、产品优势如下 1、超宽输入电压输入电压范围：180 - 600VAC/250 - 850VDC，可交直流两用，适用于输入电压环境恶劣的场景，如风电、光伏、物流、直流充电桩、工控等行业。2、高性能①产品效率90.5%，拥有输出短路、过流、过压、过温保护；②150%峰值功率持续 3 秒，瞬态带载能力强。3、安全可靠①过电压等级 III( 海拔 2000m,IEC62477)；②产品3年质保，且超长寿命，MTBF高达300000小时；③隔离耐压4700VAC，为高耐压需求用户提供保障;④EMC性能优异，抗干扰能力强，给客户提供更稳定的输入。4、符合多重认证设计参考 UL508、UL/EN/IEC62368、UL61010/IEC60664、IEC61558、EN62477 认证标准。二、 产品应用 该系列导轨电源适用于单双相应用场合，广泛应用于工控、直流桩等对电压输入环境比较恶劣的场景，为其提供高稳定度、高抗干扰、高电气性能的电源。本产品适合在自然空冷却环境中使用，如在密闭环境中使用请咨询我司FAE。应用实例：三、产品特点 • 输入电压范围: 180 - 600VAC/250 - 850VDC• 单、双相两用• 工作温度范围：-40℃ to +85℃• 4700VAC 高隔离耐压• 超薄宽度 32mm• 低纹波噪声、高效率、高可靠性• DC OK 功能• 150%峰值功率持续 3 秒• 电源启动 LED 指示灯• 输出短路、过流、过压、过温保护• 过电压等级 III，海拔 2000m(设计参考 IEC60664, IEC62477)• 设计参考 UL508、UL/...
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2024/4/8 16:48:02
TDK 株式会社推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新系列元件的设计最高工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受最大 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。新系列电容器符合 RoHS 标准，直径为 85 mm 或 116 mm 柱形铝制外壳，由合成树脂顶盖。其金属化聚丙烯薄膜 采用干燥的环氧树脂密封，并通过 M6 螺柱端子实现安全的电气连接，底部使用 M12 螺栓进行机械固定。典型应用包括可再生能源（光伏、风力发电）变流器、轨道车辆（火车、地铁、有轨电车）的牵引系统和工业驱动 器的直流支撑电路。特性和应用主要应用可再生能源（光伏、风力发电）变流器的直流支撑电路轨道车辆（火车、地铁、有轨电车）牵引系统的直流支撑电路工业驱动器的直流支撑电路主要特点和优势工作温度：最高达+105 °C低损耗可耐受过电压（每天可耐受 130%的额定电压 1 分钟）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/8 16:44:47
研究机构TechInsights统计显示，2023年第四季度英伟达半导体销售额增长23%至198亿美元，成为全球最大的半导体供应商。自ChatGPT带火人工智能（AI）以来，英伟达GPU销售额快速增长，季度营收超过半导体行业巨头台积电（196亿美元）、三星（164亿美元）和英特尔（146亿美元）。该机构表示，英伟达是图形处理器（GPU）开发的先驱，最初专为游戏及图形行业设计，然而GPU强大的计算能力如今非常适合人工智能和机器学习等技术，这对于快速增长的数据中心市场变得越来越重要。统计显示，英伟达2023年第一季度销售额为64亿美元，到第四季度便快速增加至198亿美元，规模是一季度的三倍以上。由于英伟达AI GPU芯片大都由台积电独家代工，因此AI热潮也助力台积电季度销售额显著增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/8 16:41:26
2024 年 3 月 26 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布率先在业内推出基于内部自研CPU内核构建的通用32位RISC-V微控制器（MCU）——R9A02G021。尽管多家MCU供应商最近加入了投资联盟以推动RISC-V产品的开发，但瑞萨已独立设计并测试了一款全新RISC-V内核——该内核现已在商用产品中实现应用，并可在全球范围内销售。全新的R9A02G021 MCU产品群为嵌入式系统设计人员提供了一条清晰的路径，让他们能够基于开源指令集架构（ISA）开发各种功耗敏感及成本敏感型应用。 虽然当今的RISC-V解决方案大多针对特定应用，而R9A02G021产品群MCU则面向多个终端市场而设计，包括物联网、消费电子产品、医疗设备、小家电和工业系统等。与现有通用MCU类似，设计人员可以充分利用瑞萨及其广泛工具链合作伙伴网络为R9A02G021搭建的全面开发环境，从而使他们能够显著降低成本、节省工程资源，并缩短开发时间。Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示：“从我们的RISC-V专用ASSP到此款新型通用MCU，我们的目标是为客户提供商业上可行的产品，使其能够快速投入量产，同时展示RISC-V架构的优势。此外，客户经常面对复杂的设计挑战和权衡，如性能、功耗、内存或CPU架构的取舍。全新RISC-V MCU为希望采用开放式架构的客户，带来更多选择。”作为早期采用RISC-V的供应商，瑞萨拥有丰富的RISC-V特定应用产品，包括32位语音控制和电机控制ASSP产品，以及基于Andes Technology CPU内核的RZ/Five 64位通用微处理器（MPU）。R9A02G021产品群作为基于瑞萨自研RISC-V内...
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2024/4/2 10:57:48
这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2 引线）和 H2PAK-7（7 引线）适用于有散热基板的底部散热设计或有热通孔或其他增强散热功能的 PCB板。两款新产品还提供 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部散热表面贴装封装。STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封装符合 AEC-Q101标准的 27A N沟道 600V 器件，典型导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩大该产品系列，提供型号齐全的产品，涵盖更宽的额定电流范围和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:55:59
全球半导体产业发展在2023年经历了较大波动。Omdia最新的行业报告显示，半导体行业的收入从2022年的5977亿美元下降到2023年的5448亿美元，下降9%。在经历了两年创纪录的增长之后，这一降幅突显出半导体市场的周期性。“先前半导体需求激增，导致市场短缺，但情况发生了逆转。由于宏观经济因素，需求有所减弱，而半导体元件供应有所增加，”Omdia高级研究分析师Cliff Leimbach评论道。2023年，尽管半导体行业整体低迷，人工智能却成为该行业的重要增长动力，专注于该领域的公司从中受益。英伟达是这一领域明显的赢家，其半导体收入从2022年增加了一倍多，到2023年达到490亿美元。英伟达的发展轨迹凸显了这一成就，因为2019年其半导体收入还不到100亿美元。值得注意的是，英伟达并不是唯一受益于这一趋势的公司。2023年，汽车领域在半导体市场的影响力更大，收入增长超过15%，超过750亿美元。电动汽车的增加以及汽车智能化的融合正在推动该领域对半导体的需求，约占整个半导体市场的14%。“英伟达半导体收入的快速增长使其在2023年成为收入第二大的半导体公司，仅次于英特尔。三星是2022年的行业领导者，但由于其内存收入比2021年下降了近一半，到2023年跌至第三位。”Leimbach补充道。经济低迷对主要内存制造商的影响尤为明显，按营收计算，这些制造商传统上都是排名前几位的半导体公司。此前，从2017年到2021年，三星电子、SK海力士、美光科技的销售额都排在前5位。但是，在存储器市场严峻的情况下，到2023年，三星电子排在第3位，SK海力士排在第6位，美光科技排在第12位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:51:23
成均馆大学化学工程学院教授权锡俊在参加韩国投资信托管理公司主办的2024年ACE半导体新闻发布会时表示，「AI半导体一词被广泛用来指代用于各种用途的芯片，例如学习、推理、创建、终端、服务器和云使用。随着市场多元化，英伟达和HBM的垄断结构可能会被打破。」权锡俊教授预测，由于不可能有一种通用芯片能够满足人工智能的所有不同应用，因此对包括DRAM在内的各种产品的需求将会增加。他提到，「三星电子和Naver宣布的「Mach 1」人工智能芯片不采用 HBM，而是使用低功耗 LPDDR5内存。与 HBM相比，LPDDR5的带宽较低，但价格更便宜且功耗更低，随着此类模型的出现，这可能会导致AI芯片的多样化。」预计今年内存业务将有所改善，三星电子由于其早期投资，有望从DRAM中获得可观的收益。「随着兴趣从HBM转移，HBM和DRAM之间的价格差距从5-6倍缩小到2-3倍，生产稳定产量的DRAM可能会变得有利。三星电子作为HBM的后来者，也可能会与AMD等公司进行战略合作。」权锡俊教授补充道。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:50:49
英飞凌科技股份公司近日宣布推出最新款蓝牙模块CYW20822-P4TAI040，在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破，推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。该模块相比同类产品有更高的性价比，通过支持蓝牙低功耗长距离传输（LE-LR）增强了性能，具有出色的可靠性，能够无缝集成且支持各种应用。英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块集低功耗和高性能于一身，可支持包括工业物联网应用、智能家居、资产追踪、信标和传感器、以及医疗设备在内的所有蓝牙LE-LR应用场景。ABI Research最近发布的一份报告显示，包括传感、机器人、信标、智能家居、资产追踪等工业物联网应用以及其他未来应用场景，对产品的各种性能都有更高的要求。为此，英飞凌最新推出的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块通过提供强大的连接能力和出色的性能，能帮助客户打造出适用于物联网和消费电子领域的创新产品。英飞凌在提供认证的蓝牙和低功耗蓝牙模块方面拥有丰富的经验。而且，英飞凌产品的监管测试（FCC、ISED、MIC、CE）以及蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）认证流程非常精准且严格。除此之外，英飞凌提供的认证模块在成本、尺寸、功率和覆盖范围方面均已进行优化。CYW20822-P4TAI040蓝牙模块的主要特性–强大的连接能力：CYW20822-P4TAI040模块采用最新的蓝牙 5.0技术，支持1M，2M以及Coded PHY接口、广播和数据扩展，这保证了低功耗蓝牙的长距离连接的稳定性和兼容性。–高能效：英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块采用了电源管理技术，不仅能够降低能耗，还延长了便携式设备的电池使用寿命。CYW20822-P4TAI040模块是英飞凌为推动低碳化和数字化进程而推出的又一力作，该蓝牙模块的功耗极低，在Rx @ -95 dBm工作模式下仅为1.3 mA，...
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2024/3/27 14:31:19
美光日前宣布成功量产最新一代HBM高带宽存储产品HBM3E，并将于今年为英伟达H200 GPU供货。美光公司高管表示，这背后离不开中国台湾供应链的支持。随着人工智能（AI）的发展，HBM芯片的市场需求量大增，业界积极推动技术进步以及产能提升。美光科技副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示，中国台湾供应链合作伙伴的支持，是美光提前实现HBM3E量产的原因之一。从产品设计阶段开始，美光便与供应链伙伴紧密合作，中国台湾的伙伴包括IP提供公司，他们的技术帮助加快HBM与GPU之间的互联。此外，台积电在封装工艺方面提供了帮助，由于美光与台积电都是3D Fabric联盟的成员，因此从开发的最初阶段就开始合作。根据研究机构KED Global统计，美光在2023年第四季度的DRAM市场份额为20%，预计2025年，美光在HBM市场的份额将与DRAM相当。据悉，美光8层堆叠的24GB HBM3E产品已于2024年2月开始量产，12层堆叠36GB HBM3E产品也已开始出样。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/27 14:28:26
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。与上一代OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 11:03:50
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:58:45
3月20日，安徽省统计局、国家统计局安徽调查总队发布了2023年安徽省国民经济和社会发展统计公报。初步核算，全年全省生产总值（GDP）47050.6亿元，比上年增长5.8%。新兴动能不断增强。规模以上工业中，高新技术产业增加值比上年增长11.2%，占规模以上工业增加值比重为49.1%；装备制造业增加值增长13.3%，占规模以上工业增加值比重为38.7%；战略性新兴产业产值增长12.2%，占规模以上工业总产值比重为42.9%。全年汽车全产业链营业收入突破万亿元，达1.16万亿元，比上年增长28.5%。全年规模以上工业增加值比上年增长7.5%。分行业看，41个工业大类行业中有28个行业增加值保持增长。其中，化学原料和化学制品制造业增长4.2%，非金属矿物制品业增长5.6%，汽车制造业增长33.9%，电气机械和器材制造业增长20.0%，计算机、通信和其他电子设备制造业增长4.2%。工业产品中，集成电路和液晶显示屏产量分别增长116.3%和21.3%，汽车产量249.1万辆，增长48.1%，其中新能源汽车产量86.8万辆，增长60.5%。集成电路产量60.4亿块，液晶显示屏产量7.5亿片。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:56:45
近日，意法半导体宣布推出基于18nm全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术和嵌入式相变存储器 (ePCM) 的工艺，以支持下一代嵌入式处理设备。意法半导体表示，这项和三星代工厂共同开发的新工艺技术，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。对于业界最关心的新款STM32产品，意法半导体表示，首款基于新技术的下一代STM32 MCU将于2024年下半年开始向特定客户提供样品，计划于2025年下半年投入生产。与目前使用的ST 40nm eNVM技术相比，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺制造的产品取得了巨大的飞跃：能耗比提高50%以上；非易失性存储器 (NVM) 密度提高2.5倍，可实现更大的片上存储；数字密度提高3倍，可集成AI和图形加速器等数字外设以及安全功能；噪声系数改善3dB，增强无线MCU的射频性能。此外，ST的PCM+FD-SOI技术能够在低至18 nm的3V电压下运行，以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能，目前它是唯一支持此功能的20nm节点以下技术。同时，该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能，提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。此前，通用MCU制程卡在40nm多年，主要受限于内部Flash存储工艺，这套量产工艺掌握在台积电等少数代工厂手上，2020年开始的28/40nm制程严重短缺也挤占了大量eFlash工艺产能。意法半导体基于自家28nm FD-SOI推出了Stellar G和P系列，分别用于网关、控制等，和三星（主攻MRAM存储技术）合作多年同时又对自有PCM存储技术有充分自信。未来几年，下一代“超强”通用STM32的到来也许将重新点燃通用MCU领域的工艺争夺战。早在2018年，汽车MCU大佬瑞萨就推出了基于28nm eFlash技术的M...
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2024/3/25 10:53:23
美商存储大厂美光近日公布2024财年第二季财报，因受惠AI硬件需求强烈带动，使得整体营收成绩比市场预期强劲，整体营运也意外转亏为盈，连五季亏损的阴霾至此结束，加上预期接下来第三季营收更加强劲，美光在美股盘后股价大涨18%，带动今日台系存储类股走势。美光第二季受惠DRAM和NAND Flash价格同步走扬，单季营收金额来到58亿美元，较第一季增加23%，优于预期的51亿至55亿美元。毛利率20%，也优于预期11.5%~14.5%，营运由亏转盈，税后净利4.76亿美元，EPS到0.42美元。第三季营收可望进一步达64亿至68亿美元，毛利率也攀升到25%~28%，EPS 0.38~0.52美元。整体2024会计年度DRAM和NAND Flash市场都供不应求，2025会计年度可望创新高，获利也将大幅改善。因美光第二季业绩亮眼，带动台系存储类股走势。南亚科在接近尾盘时攻上涨停价位，每股新台币67.6元，华邦电与旺宏分别超过6%及3%涨幅。模组厂威刚攻上超过半根停板，十铨更涨近8%。存储市场数据中心部分，DRAM受惠需求成长，尤其HBM、DDR5人工智能与高效能运算都开始获利。跌幅较深NAND Flash也因2023下半年价格陆续回温，2024年第一季使部分供应商赚钱，第二季后多数供应商都有获利。增产时间点最快下半年后，2025上半年维持这波涨价行情，持续向上可维持约两年。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:51:45