电子组件制造商Bourns公司推出全新SRF7038A系列共模扼流圈，以其高达15A的电流能力和70至3000Ω的宽广阻抗范围，为消费电子、工业设备和汽车系统提供了高效的电源线EMI抑制解决方案。突破性产品问世Bourns公司近日发布了SRF7038A系列共模扼流圈，这是一款符合AEC-Q200标准的车规级电子组件。该产品采用创新的扇形绕组结构和闭合磁路铁氧体磁芯设计，不仅增强了绕组间的介电强度，还提供了优异的磁屏蔽效果。新系列扼流圈的工作温度范围宽广，从-40°C至+125°C，适用于各种恶劣环境下的应用。其扩展的电流能力高达15A，阻抗范围覆盖70至3000Ω，使其成为多种场景下电源线EMI抑制的理想选择。技术难点与创新解决方案在共模扼流圈的设计中，高电压应力导致的电气击穿和电磁辐射泄漏是工程师面临的主要挑战。Bourns通过扇形绕组结构解决了第一个问题，这种结构显著增强了绕组间的介电强度，有效抵抗高电压应力造成的电气击穿。对于电磁辐射问题，SRF7038A系列采用闭合磁路的铁氧体磁芯设计，提供优异磁屏蔽效果，最大限度降低辐射并提升噪声抑制能力。这些技术创新确保了该系列扼流圈在恶劣电气环境下也能稳定工作，为敏感电子电路提供可靠保护。产品突出特性SRF7038A系列共模扼流圈具备多项卓越特性，使其在市场上脱颖而出：●扩展电流能力：高达15A的电流容量，满足大功率应用需求●宽广阻抗范围：70至3000Ω的阻抗范围，提供更广泛的应用可能性●增强介电强度：扇形绕组结构有效抵抗高电压应力造成的电气击穿●优异屏蔽效果：闭合磁路铁氧体磁芯设计降低辐射，提升噪声抑制能力●宽广工作温度：-40°C至+125°C的工作温度范围，适应各种环境条件●符合环保标准：全系列符合RoHS标准且为无卤产品实际应用场景SRF7038A系列的宽广参数范围使其在多个领...
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2025/10/22 9:17:55
当AI浪潮以席卷之势涌入各行各业，消费电子产业正站在一个关键转折点——从“功能驱动”迈向“智能引领”，从“硬件竞争”转向“生态与决策力的比拼”。当前，大模型爆发增长、端侧智能加速落地、AI原生硬件迅速崛起，一场由硬科技驱动的产业升级大潮，正以不可阻挡之势重塑行业格局。芯片能力突破：从“算力堆砌”到“效能革命”人工智能正成为全球智能化进程的“强力引擎”，而AI芯片作为核心硬件，其技术演进已成为重塑产业格局的关键变量。过去，芯片竞争一度围绕“算力比拼”与“参数堆砌”展开。然而，单纯堆砌算力的路径终将面临功耗与成本的“天花板”，行业共识正转向一场更为深刻的“效能革命”。面对不同AI场景对算力、功耗、精度与实时性的多样化需求，底层硬件必须实现更高水平的适配能力。在架构层面，随着AI应用场景日益多元，算力需求呈指数级增长，传统芯片架构已难以满足端云协同的高效计算要求。当前，AI芯片架构正沿三大路径持续演进：ASIC架构通过专用定制，在自动驾驶、安防监控等特定场景中实现高能效与低延迟；存算一体架构致力于突破“内存墙”瓶颈，将存储与计算融合，显著减少数据搬运，满足AI对高带宽与低延迟的迫切需求；类脑架构则借鉴生物神经网络，利用脉冲神经网络（SNN）实现异步、事件驱动的稀疏计算，具备低功耗与低延迟优势，在边缘计算与实时控制等领域潜力广阔。在工艺与集成方面，面对日益迫切的微型化与性能提升需求，AI芯片制程持续向物理极限推进。以Chiplet（芯粒）技术为例，通过将复杂单芯片解构为多个功能模块（如CPU、GPU、存储单元等），再借助封装实现异质集成，不仅大幅降低设计与制造成本，更突破了单芯片在性能扩展与面积上的物理限制。在软硬协同方面，AI芯片的竞争焦点已从硬件性能的“单点突破”，转向“软硬一体”的生态构建。面对AI技术快速迭代与应用场景日趋复杂，单一硬件优势难以形成持续壁垒。芯片企业必须在强...
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2025/10/22 9:14:05
随着个护电器市场对产品性能与便携性要求的不断提升，传统个护电机存在的振动大、噪音高、手感生硬等问题日益凸显。中微半导体（深圳）股份有限公司基于在电机控制领域的深厚技术积累，推出了高性能直线电机驱动方案KOF01，该方案通过高集成单芯片设计与内环闭环控制技术，在保证强劲动力的同时，显著提升了剃须刀、电推剪等个护产品的使用体验。行业痛点与技术突破个护电器市场长期以来面临多重技术挑战。传统个护电机在狭小空间内难以平衡性能与体积，导致设备振动明显，噪音控制不佳，直接影响用户体验。直线电机在个护设备中的应用面临两大核心难题：一是如何在有限空间内实现高效能量转换，二是如何保证左右摆幅的精确平衡以避免不必要的振动。中微半导KOF01方案通过内环闭环控制技术精准调控电机运动轨迹，确保左右摆幅的高度一致，从源头削弱振动。同时，方案支持最高13000RPM以上的电转速，具备快速启动与强劲带载能力，能轻松应对不同工况需求。产品特性与核心优势KOF01方案的核心在于其高度集成的单芯片架构。该芯片集成ARM Cortex-M0+内核，主频高达64MHz，配备32KB FLASH和6KB SRAM，足以满足复杂控制算法的存储与运行需求。方案采用6通道增强型PWM、可编程增益放大器及1.2MSPS的12位高精度ADC等专用外设，为电机控制提供精准的信号处理和反馈机制。能效表现方面，KOF01运行功耗低至70μA/MHz，支持低功耗模式，显著延长电池供电个护设备的使用时间。方案还具备全面的保护功能，包括过欠压、过流、短路、缺相、堵转等，确保设备在全温度范围内稳定工作。实际应用场景KOF01方案凭借其卓越性能，在多个个护设备领域具有广泛应用价值：●高端电动剃须刀是该方案的主要应用场景。通过精准的摆幅控制与振动抑制，剃须刀能在保持强劲动力的同时，提供平稳顺滑的使用手感，显著提升用户体验。●专业电推剪同样受益于...
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2025/10/21 9:49:24
全球电子元件领导者Abracon近日发布了ASWD-S2系列宽带高线性度射频开关，这一创新产品线专门为应对现代物联网设备复杂的多频段连接需求而设计。该系列开关支持从DC至8.5GHz的宽频覆盖，完美兼容蓝牙、Wi-Fi 6E/7、GNSS、LoRa、UWB及5G等主流无线协议，为下一代无线系统提供卓越的信号完整性和连接可靠性。物联网射频前端的技术瓶颈随着物联网设备功能日益复杂化，射频前端设计面临着前所未有的挑战。现代物联网设备通常需要同时支持多种无线协议，并在有限空间内实现高性能射频特性。传统的射频开关方案在应对多频段应用时，往往存在信号完整性不足、尺寸过大及协议兼容性有限等问题。高频信号传输中的插入损耗和隔离度不足尤为突出，直接影响设备的通信距离和能效表现。此外，物联网设备常部署在多样化的环境中，对元件的温度适应性和电压波动容忍度提出极高要求。在工业物联网场景中，设备可能在-40°C至85°C的极端温度范围内工作，同时需适应不稳定的电源供应。Abracon的创新解决方案Abracon的ASWD-S2系列通过多项技术创新，系统性地解决了这些行业痛点。该产品采用GaAs与SOI技术，优化了高频信号路径，将插入损耗大幅降低至0.45dB。通过改进的阻抗匹配设计，该系列开关实现了50欧姆阻抗匹配，并在整个频段内保持30dB的高隔离度，有效抑制信号串扰。为应对空间受限的设计需求，ASWD-S2系列提供DFN与SC-70-6两种紧凑封装，最小尺寸仅为1.0×1.0×0.375毫米，为物联网设备的小型化设计开辟了新可能。在耐久性方面，产品内置ESD防护功能，支持1.6V至5.0V的宽工作电压范围，并能在-40°C至85°C的温度范围内保持稳定性能，适应各种苛刻的物联网应用环境。产品核心特性解析ASWD-S2系列射频开关在多个性...
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2025/10/21 9:44:59
在近期城堡证券举办的“2025年全球市场未来”活动中，英伟达CEO黄仁勋坦言，英伟达AI芯片在中国的市场份额已从95%暴跌至0%。这位芯片巨头领导人表示，美国失去中国市场是一个错误，并呼吁政策制定者审慎评估哪些措施真正符合美国利益。黄仁勋的这番表态，揭示了美国对华芯片出口管制政策对本土企业产生的重大影响。随着中国监管机构鼓励国内企业转向本土AI芯片供应商，英伟达在中国这个全球最大市场之一的表现遭遇了断崖式下跌。市场巨变：从垄断到完全退出英伟达在中国市场的退出程度令人震惊。黄仁勋在活动中透露：“我们100%退出中国”。他进一步强调，“我无法想象任何政策制定者会认为这是一个好主意——无论我们实施了什么政策，导致美国失去了世界上最大的市场之一，降到了0%”。这一变化反映了美国出口管制对英伟达业务的深远影响。黄仁勋表示，英伟达的财务预测现在假设来自中国的收入为零。数据显示，英伟达中国区营收已呈现持续下滑趋势。在2025年第二季度，英伟达来自中国市场（不包括中国台湾地区）的收入为27.69亿美元，相比2025财年同期的36.67亿美元，缩水近9亿美元。政策背景：层层加码的出口限制英伟达中国市场地位的急剧变化，源于美国对华芯片出口管制政策的持续收紧。2025年4月9日，中美关税战期间，美国政府曾通知英伟达，向中国出口H20芯片必须获得出口许可。然而，后续H20出口许可波折不断。目前，并没有合规途径的H20芯片进入中国市场。更有甚者，2025年9月，英国金融时报报道称，中国监管机构已禁止国内大型科技公司采购英伟达为中国市场专门开发的新型人工智能芯片。中国国家互联网信息办公室要求字节跳动、阿里巴巴等公司停止测试和订购英伟达专为中国市场设计的产品RTX Pro 6000D芯片。替代崛起：中国本土芯片企业抢占市场随着英伟达退出中国市场，中国本土AI芯片企业正迅速崛起，填补市场空白。黄仁勋在谈话...
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2025/10/21 9:40:59
全球半导体代工龙头台积电在第三季度法说会上释放重大战略信号。董事长魏哲家正式宣布，公司将在美国亚利桑那州现有厂区附近取得第二块大面积土地，用于建设独立的超大晶圆厂聚落。这一布局旨在满足客户对AI、高性能计算和智能手机应用的强劲需求，同时标志着台积电全球化产能布局进入新阶段。与此同时，台积电在技术演进上同步提速，美国新厂将加速升级至2nm和更制程，与台湾本土的研发进度形成战略协同。全球布局：亚利桑那州打造Gigafab聚落台积电在美国的扩张计划正全面加速。魏哲家在法说会上透露，亚利桑那州将扩展为独立的超大晶圆厂聚落，以支持制程客户对智能手机、AI和HPC相关应用的需求。这一决策得到了美国各级政府的强力支持。魏哲家表示：“在我们的美国客户以及美国联邦政府、州政府和市政府的大力合作和支持下，我们持续加速在亚利桑那州的产能扩充，我们正取得实质进展，并按计划顺利进行中。”台积电还公布了其亚利桑那厂Fab 21的内部运作视频，罕见展示了银色高速公路自动化物料处理系统，以及ASML的EUV光刻工具，展现出制造能力。术升级：2nm制程加速落地美国制程技术升级是台积电美国战略的核心。魏哲家明确表示，公司正准备将亚利桑那厂的技术加速升级至N2和更的制程技术。这一提速意味着亚利桑那厂区可能比原计划更早导入2nm制程。业界此前预计美国厂区的2nm制程将在2028年投入使用，但现在这一时间点有望提前至2027年。与此同时，台积电在台湾的2nm制程将按计划于本季度末量产，并有可观的良品率。魏哲家强调，在智能手机和高性能计算AI应用的推动下，2nm产能在2026年将快速提升。产能规划：严谨机制应对市场波动面对全球贸易政策与关税风险的不确定性，台积电采取了更为严谨的产能规划机制。魏哲家表示，公司已将开发与产能协调时间提前2至3年，以确保供应链稳定。同时，台积电内部通过跨部门评估市场需求的 “自上而下”与“...
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2025/10/21 9:32:47
Microchip推出的Switchtec™ Gen 6 PCIe®交换芯片，作为业界首款采用3纳米制程的产品，将单通道带宽提升至64 GT/s，并支持最多160条通道。其创新的架构旨在解决AI数据中心在算力激增下面临的带宽瓶颈、信号完整性及功耗控制等核心挑战，为高性能计算、云计算和超大规模数据中心提供高带宽、低延迟和高级安全功能的互连解决方案。技术难点与突破开发PCIe Gen 6交换芯片，尤其是在3nm工艺节点上，主要面临三大技术挑战，Microchip通过一系列创新方案予以解决：●高速信号完整性：PCIe 6.0数据速率高达64 GT/s并采用PAM4信号调制，其信号幅度仅为前代NRZ信号的1/3，更易受噪声干扰，且信道插入损耗预算更为严格（Gen 6为32dB）。Microchip通过采用3nm制程工艺并优化芯片内部布局布线，同时借助PCIe 6.0标准引入的轻量级前向纠错（FEC）系统，有效对抗信号衰减和纠错，保障了数据传输的可靠性。●功耗与散热管理：高速信号处理和复杂功能模块会增加芯片功耗。3nm工艺本身带来了更低的功耗基础。芯片还支持动态资源分配及新的节能状态（如L0p），实现对不同负载的高效电源管理。●系统兼容与互联：为确保与现有生态的兼容并满足复杂组网需求，该芯片支持NTB（非透明桥接） 技术，可实现多个主机域的连接与隔离。同时，它支持组播（Multicast） 功能，优化了AI等场景下的一对多数据分发效率。产品核心优势Switchtec Gen 6系列的核心价值在于其综合性能的提升，具体体现在：●带宽与能效提升：PCIe 6.0带来的带宽翻倍（从Gen 5的32 GT/s至64 GT/s），结合3nm工艺的超高晶体管密度与能效，为AI加速器、CPU、GPU和存储设备提供了极致的数据通道，同时降低了单位数据传输的功耗。●低延迟与高可靠性：通过引入...
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2025/10/20 13:31:59
英飞凌科技（Infineon Technologies）近期扩展其XENSIV™ MEMS麦克风产品线，推出两款数字PDM麦克风IM72D128V与IM69D129F。新品基于英飞凌密封双膜片（SDM）技术，实现IP57级防尘防水性能，并兼顾高音质、低功耗与强鲁棒性。其中，IM72D128V信噪比高达71.5 dB(A)，专为低噪声环境下的精准拾音设计；而IM69D129F以3.5×2.65×0.98 mm³超紧凑尺寸，适配空间极受限的便携设备。两者均通过低噪声前置放大器与Sigma-Delta ADC实现数字信号输出，为消费电子、工业监控及车载系统提供可靠的音频解决方案。技术难点与创新解决方案在高端音频设备开发中，MEMS麦克风需应对小尺寸与高性能的平衡、复杂环境耐受性及多设备集成同步三大挑战：●空间与性能的矛盾：设备小型化要求麦克风在有限体积内保持高信噪比。英飞凌通过SDM技术优化振膜结构，在IM72D128V中实现71.5 dB(A)信噪比，同时将尺寸控制在4×3×1.2 mm³；IM69D129F则通过3D堆叠封装进一步压缩体积，兼顾69 dB(A)信噪比。●环境可靠性提升：粉尘、潮湿易导致传统麦克风失效。SDM技术通过密封腔体设计阻断污染物侵入，支持IP57防护（可在1米水深浸泡30分钟），并通过宽温测试（-40°C至+85°C） 保障工业级耐久性。●多麦克风阵列同步：在主动降噪（ANC）等场景中，相位一致性至关重要。新品凭借±1 dB灵敏度容差与11 Hz平坦频率响应，确保多麦克风时延对齐，结合PDM接口简化系统集成。产品核心特性IM72D128V与IM69D129F在电气参数、能效及可靠性上表现突出：●电气性能：IM72D128V：信噪比71.5 dB(A)，功耗430 ...
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2025/10/20 13:26:02
思瑞浦（3PEAK）推出的TPW20400QQ是一款专为汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）和智能座舱设计的四通道高边电源开关。该芯片通过AEC-Q100车规认证，集成多种保护功能和诊断机制，以高精度限流（精度±8%）和低待机电流（技术难点与创新解决方案在汽车电源系统中，高边开关需应对三大核心挑战：严苛环境下的稳定性、故障精准诊断以及高集成度与灵活性的平衡。●环境适应性：汽车电子组件常暴露于温度波动（-40°C至+125°C）、电压瞬变和机械振动中。TPW20400QQ通过宽输入电压范围（3V~15V） 和低温漂设计，确保全温范围内待机功耗稳定，并通过热关断机制（阈值150°C）防止过热损坏。●故障管理瓶颈：传统方案难以实时监测多路负载状态。该芯片集成I2C接口与多寄存器诊断系统，可实时读取输出电压、电流及故障状态（如对地/电池短路、过压），并支持锁存或自动重试模式，缩短故障响应时间。●系统灵活性不足：通过可配置电流限制（18mA~672mA/通道） 和通道并联功能，单芯片可驱动不同功率等级的负载，减少外部元件数量，降低物料成本。产品核心特性TPW20400QQ在电气性能、集成度与安全性上表现突出：电气参数：●导通电阻低至400mΩ，压降仅110mV@300mA，减少功率损耗。●支持4通道独立控制，限流精度±8%，优于分立方案。●集成设计：内置保护电路（过流、短路、开路检测）及I2C接口，仅需1颗外部电阻（RISET）即可构建完整电源保护系统，简化PCB布局。●安全合规：符合AEC-Q100 Grade 1标准，支持ASIL-B功能安全等级，通过故障诊断与温度预警提升系统鲁棒性。实际应用场景TPW20400QQ广泛适用于以下汽车电子场景：●ADAS摄像头供电：为环视、前视摄像头提供稳定电源，通过实时诊断预防因短路导致的系统宕机。...
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2025/10/20 13:22:12
英飞凌科技推出的CoolGaN™功率晶体管，成功应用于环隆科技新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器，通过氮化镓（GaN）技术实现了95%的转换效率与39%的功率密度提升。这款适配器支持200 kHz以上的高频运行，在紧凑设计中兼顾高热性能，为电信、工业电子及AI数据中心等高需求场景提供了高效节能的电源解决方案。技术难点与创新解决方案在开发高功率PoE适配器时，传统硅基器件因开关损耗高、热管理复杂及体积限制难以突破效率与密度瓶颈。CoolGaN™技术通过以下创新应对挑战：●高频开关优化：利用GaN的电子迁移率优势，将开关频率提升至200 kHz以上，降低50%的输出电容（Eoss）能量存储，减少开关损耗。●散热结构增强：采用创新有源区结合（BOA）技术，优化芯片散热路径，确保在高功率密度下保持低温升，支持-55°C至+155°C宽温工作。●集成化设计：通过系统体积缩小，提升机架空间利用率，并优化空气流通，减少废热产生，降低运营成本与碳足迹。产品核心特性CoolGaN™晶体管在环隆科技250 W适配器中展现出多项卓越特性：●高效能与功率密度：转换效率达95%，功率密度提升39%，适用于空间受限的AI数据中心与电信设备。●高频与热性能：支持200 kHz以上高频运行，结合低热阻封装，显著提升热稳定性。●宽电压范围：覆盖60V至700V电压，提供多种封装形式，适配工业、消费电子等多场景需求。●可靠性保障：通过降低动态RDS(on)漂移（改善20%）和脉冲电流能力提升（30%），确保长期运行稳定性。实际应用场景CoolGaN™技术广泛应用于以下高需求场景：●电信与AI数据中心：在环隆科技250 W PoE适配器中，为网络设备提供高效供电，提升机架空间利用率与散热效能，支持全球虚拟网络市场增长（预计2030年达2000亿美元）。●工业与汽车电子：适用于48V...
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2025/10/20 13:18:50
Bourns近期推出的SDE0403AT系列车规级SMD功率电感，是一款面向严苛汽车电子环境的高可靠性组件。该产品采用独特的鼓型铁氧体结构与薄型封装设计，可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作，并提供高达4.8 A的饱和电流能力。其紧凑外形与高电流密度特性，显著优化了汽车电源系统的效率与布局灵活性。一、技术难点及应对方案在汽车电源设计中，电感元件常需在有限空间内应对高电流负载、极端温度变化与复杂电磁环境的多重挑战。为应对这些挑战，SDE0403AT系列采用了以下关键技术：●鼓型铁氧体磁芯结构：优化磁路设计，在紧凑封装内实现更高的磁通密度和抗饱和能力。●高温材料体系：选用特殊铁氧体与封装材料，确保组件在150°C高温下仍保持电气性能稳定。●低损耗设计：通过降低磁芯与绕组损耗，减少自身发热，有助于在复杂汽车系统中维持热稳定性。二、产品特性●宽温工作能力：工作温度范围-55°C 至 +150°C，适应汽车电子舱内高温环境。●高饱和电流：饱和电流高达4.8 A，能在不饱和的情况下承受高电流。●紧凑薄型封装：高电流密度与薄型设计，为高密度PCB布局提供理想选择。●严格合规认证：符合AEC-Q200车规标准，满足汽车行业对可靠性的严苛要求。●环保合规：产品符合RoHS标准且为无卤产品，满足环保要求。实际应用场景●汽车噪声滤波器：用于滤除车载电源系统中的高频噪声，为敏感电子控制单元（ECU）提供纯净电源。●直流电源线路：在车辆直流配电系统中起到储能与平滑电流的作用，提升电源质量。●汽车电子系统：其高可靠性与耐高温特性，使其适用于发动机舱、变速箱控制单元等高温区域的电子模块。Bourns SDE0403AT系列SMD功率电感凭借其车规级可靠性、4.8A高饱和电流及紧凑薄型设计，为汽车电源工程师提供了应对高温、高密度布局挑战的优质解...
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2025/10/17 13:44:36
圣邦微电子（SGMICRO）近期推出了SGMNQ12340，这是一款40V耐压的N沟道MOSFET，采用紧凑的TDFN-2×2封装。该产品以13mΩ（典型值）的超低导通电阻、8.5nC的低栅极电荷以及9A的连续漏极电流为核心优势，旨在提升VBUS过压保护、AMOLED显示控制、电池管理及DC/DC转换器等场景的能效与功率密度。一、技术难点及应对方案在开发高压紧凑型MOSFET时，需平衡耐压能力、导通电阻与开关损耗之间的矛盾，同时确保小型化封装下的散热可靠性。圣邦微电子通过以下技术应对这些挑战：●低阻沟道设计：通过优化晶圆工艺，将导通电阻典型值控制在13mΩ（@10V VGS），显著降低导通损耗。●快速开关特性：将总栅极电荷（Qg）降至8.5nC（典型值），减少开关过程中的延迟与损耗，支持高频应用。●散热与封装优化：采用TDFN-2×2封装集成散热焊盘，结合150℃最高结温设计，确保高温环境下的稳定运行。二、产品特性●电气性能：漏源电压（VDS）40V，连续漏极电流（ID）9A，栅源阈值电压（VGS_TH）1.2V–2.2V。●能效核心：导通电阻典型值13mΩ（最大值18mΩ），总栅极电荷典型值8.5nC，优化能效与开关频率。●可靠性与环保：工作温度范围-55℃至+150℃，符合RoHS标准及无卤素要求。●物理尺寸：封装尺寸2mm×2mm，适合高密度PCB布局。三、同类竞品对比与分析品牌/型号 耐压 (VDS) 导通电阻 (Rds(on)) 栅极电荷 (Qg) 封装尺寸 关键应用圣邦微 SGMNQ12340 40V 13mΩ (典型) 8.5nC (典型) TDFN-2×2 VBUS保护、DC/DC转换圣邦微 SGMNL12330 30V 9mΩ (典型) 21.1nC TDFN-2×2 无线充电、工业电源TI CSD1731...
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2025/10/17 13:39:42
随着云服务和生成式AI应用的普及，全球数据中心正面临前所未有的存储压力。在这一背景下，东芝电子元件台湾公司于2025年10月14日宣布，已在存储行业率先完成12碟片堆叠技术的验证，计划于2027年向市场推出容量达40TB级别的3.5英寸数据中心专用机械硬盘。这一技术突破标志着机械硬盘容量竞赛进入新阶段。与当前主流大容量3.5英寸机械硬盘最多10碟片的设计相比，12碟片堆叠技术理论上可带来20%的容量提升，同时保持了标准外形尺寸不变，确保了与现有数据中心基础设施的兼容性。技术核心：材料创新与记录技术协同东芝12碟片堆叠技术的实现依赖于多项关键创新。其中最核心的是用玻璃基板替代了传统的铝基板，这一转变使碟片更薄、更坚固，从而为在相同空间内集成更多碟片创造了条件。同时，东芝将这一碟片堆叠技术与微波辅助磁记录技术相结合，通过微波增强写入信号效果，提升了单位面积的磁记录密度。这些技术进步共同带来了机械稳定性、平面精度、存储密度和可靠性的全面提升。按照12碟片封装实现40TB总容量计算，每张碟片的存储密度至少需达到3.3TB。东芝正在研究的另一条技术路线是将12碟片堆叠与热辅助磁记录技术结合，这可能是实现未来更高容量硬盘的关键。市场背景：AI驱动下的存储需求激增东芝此次技术突破正值全球数据存储需求空前增长的时期。云服务扩张、流媒体视频服务普及以及生成式AI和数据科学的快速发展，导致数据生成和存储需求持续爆炸性增长。在AI存储领域，尽管NAND闪存在性能敏感应用中加速替代传统机械硬盘，但机械硬盘在大容量、低成本存储方面仍具有不可替代的优势。和众汇富研究发现，HDD在冷数据归档领域仍有优势，形成了"热数据用NAND、冷数据存HDD"的分层存储格局。东芝美国电子元件公司工程与产品营销副总裁Raghu Gururangan表示："东芝的12碟硬盘平台提供了支持AI...
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2025/10/17 13:31:44
英特尔Fab52工厂已正式投入18A（1.8纳米）制程的量产，这标志着美国在芯片制造领域迈出了关键一步。该工厂将生产下一代笔电处理器PantherLake以及服务器芯片Xeon6+，预计于2026年正式上市。18A制程的技术突破Intel18A制程集成了两项核心技术：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET：作为英特尔的全新闸极环绕式（GAA）电晶体结构，它能显著提升电晶体密度。PowerVia：这是一项背面供电技术，通过将供电层移至电晶体背面，有效提升了功率效率与稳定性。这些技术带来了显著的性能提升：与前代Intel3工艺相比，18A制程性能提升15%，芯片密度增加30%，并在相同性能下功耗降低超过25%。Fab52工厂与产能规划Fab52工厂位于亚利桑那州钱德勒市，是英特尔Ocotillo园区的重要组成部分。关键设备：工厂已导入多台ASML的极紫外光（EUV）光刻机。有消息指出，其EUV机台初始每小时产能约为195片晶圆，后续可提升至220片。产能爬坡：18A制程的月产能预计在2026年达到1万至1.5万片，并在2027年后有望进一步提升至3万片的水准。首批产品与应用领域基于18A制程的首批产品旨在强化AI运算能力，涵盖客户端与数据中心市场：PantherLake：作为首款18AAI笔电晶片，它集成了CPU、GPU及专用AI加速器，AI算力最高可达180TOPS。预计2025年底开始出货，2026年1月广泛上市。Xeon6+：这款服务器处理器最多支援288个高效能核心，其每时钟周期指令数（IPC）较前代提升17%，专注于AI训练、推理和高密度运算。这些芯片将应用于AIPC、超大规模数据中心、电信等领域，并将拓展至机器人等边缘应用。战略意义与市场竞争18A制程的量产对英特尔具有重要的战略意义：重夺制程地位：英特尔通过18A技术在超微制程竞赛中抢先在1.8纳...
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2025/10/17 13:31:07
全球内存芯片市场正迎来新一轮增长周期。三星电子近日发布业绩预告，预计2025年第三季度营业利润将达到12.1万亿韩元（约85亿美元），较去年同期大幅增长32%。这一表现不仅远超市场分析师预期的10.1万亿韩元，更创下三星三年多来的最高单季利润。公司计划于10月30日公布各业务部门的详细业绩数据，为市场提供更全面的业绩解读。01 业绩亮眼：利润超预期，股价创新高三星电子第三季度的业绩表现令人瞩目。12.1万亿韩元的营业利润远超市场预期，显示出公司在内存市场的强劲复苏。这一优异表现直接反映在资本市场上。2025年以来，三星股价已累计上涨75%，创下历史新高，凸显投资者对三星未来发展前景的强烈信心。业绩增长的主要推动力来自半导体业务。根据公司披露的数据，三星电子2025年总营收预计将同比增长8.7%，达到86万亿韩元。半导体销售的强劲表现，主要得益于产品价格的上涨和出货量的增加。02 内存市场：传统芯片需求强劲，价格大幅攀升当前内存市场的繁荣主要源于传统DRAM和NAND产品的量价齐升。尽管HBM芯片在内存业务中占比不断扩大，但传统内存产品的收益在供应紧张的情况下表现突出。市场调查机构TrendForce的数据显示，广泛应用于服务器、智能手机和个人电脑的某些DRAM芯片价格，在第三季度与2024年同期相比暴涨了171.8%。这一惊人的价格涨幅直接提升了三星的盈利能力。近年来，内存制造商将投资重点转向HBM等内存产品，客观上限制了传统内存芯片的产量。供应短缺的持续存在，进一步推高了AI服务器所需芯片的价格。03 业务结构：HBM进展滞后，传统内存补位尽管三星在HBM领域的进展略逊于预期，但传统内存业务的强劲表现有效弥补了这一短板。三星向包括英伟达在内的主要客户供应HBM的进度落后于原定计划。路透社报道指出，尽管供应HBM给主要客户的进度有所放缓，但由于服务器和AI相关芯片需求强劲，...
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2025/10/17 13:23:01
东芝电子元件推出一款车载光继电器“TLX9165T”，其采用10引脚SO16L-T封装，支持输出耐压1800V（最小值）的高压车载电池。电动汽车的普及离不开两大关键突破：更短的充电时长与更长的续航里程，而这两者的实现，均依赖电池系统的高效运转。作为电池系统的核心控制单元，电池管理系统（BMS）一方面通过精准监控电池充电状态，为系统高效运行提供支撑；另一方面则实时监测电池与车身间的绝缘状况，保障高压电池的使用安全。值得注意的是，鉴于BMS需处理高电压场景，当前其已普遍采用电气隔离光继电器，以适配高压工作需求。正因如此，能够实现可靠电气隔离、保障高压电路安全的光继电器，自然成为储能系统中的关键元器件之一。它通过高效的信号隔离与电路控制，有效规避高压电路对低压控制单元的干扰，同时防止漏电、短路等安全隐患，为储能系统在高电压环境下的稳定、安全运行提供核心保障。也由此，储能系统与电动汽车领域并行，共同构成了电气隔离光继电器的重要应用市场，推动其在新能源高电压场景中的技术迭代与规模化应用。当前400V电池系统是电动汽车主流，但市场对更长续航、更快充电的需求推动其加速向800V电池系统过渡，而适配800V系统的光继电器需1600V以上耐压值。东芝新款光继电器搭载最新高压MOSFET，输出耐压达1800V（最小值），可适配800V电池系统。该光继电器采用10引脚SO16L-T封装，封装树脂CTI超600（属IEC60664-1标准I类材料），引脚配置优化使光接收器侧爬电距离超7.5mm，符合IEC60664-1标准，支持1500V工作电压以保障安全。设计上，其引脚间距与配置和SO16L-T封装一致，兼容通用PCB图案设计，便于电路集成与生产。车载光继电器“TLX9165T”应用场景：车载设备：BMS（电池电压监控、机械式继电器粘连检测和接地故障检测等）工业设备：ESS替代机械式继电器车载光...
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2025/10/15 10:38:47
在全球工业自动化与智能化浪潮下，AMD近日正式发布了专为工业场景打造的锐龙嵌入式9000系列处理器。该系列采用4nm制程工艺和Zen 5架构，将高达16个高性能核心与工业级可靠性相结合，为工业PC、自动化系统和机器视觉应用提供了前所未有的计算性能与能效表现。业计算面临的挑战与技术瓶颈现代工业计算环境对硬件平台提出了极为严苛的要求。性能与功耗的平衡成为首要难题，工业设备不仅需要处理复杂的AI推理与机器视觉任务，还必须在有限的散热条件下稳定运行。长期可靠性是另一大挑战，工业部署周期常跨越数年至数十年，传统消费级处理器难以在此漫长周期内保证持续稳定的性能输出。环境适应性同样制约着工业设备表现，工厂车间的极端温度、振动与电磁干扰对处理器的稳健性构成了持续考验。此外，网络安全威胁与系统升级复杂性也增加了工业系统的维护成本与风险，迫切需要从硬件层面构建安全屏障。AMD的创新解决方案与技术突破锐龙嵌入式9000系列通过多项尖端技术，为工业计算挑战提供了全面解决方案：Zen 5架构与4nm制程是性能基础，相比前代产品实现了显著的每瓦性能提升，功耗配置覆盖65瓦至170瓦，满足从节能控制到高性能机器视觉的多样化需求。高速连接与存储能力包括对DDR5内存和PCIe Gen 5接口的支持，结合3D V-Cache技术提供的最高128MB缓存，为实时数据处理任务提供了充足的带宽与低延迟保障。集成图形处理能力基于AMD RDNA 2架构，无需独立GPU即可提供高质量的视觉输出，既降低了系统复杂度与成本，又满足了工业可视化场景的需求。长效生命周期支持提供长达7年的产品供货期（PRO版本更达10年），确保工业系统在其完整生命周期内都能获得稳定的组件供应。产品在工业系统中的核心作用在工业自动化系统中，锐龙嵌入式9000系列扮演着 “智能计算中枢” 的关键角色：作为实时数据处理引擎，其低延迟特性与高性能计算...
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2025/10/15 10:34:45
全球半导体行业正迎来新一轮强劲增长周期。台积电将于10月16日举行第三季度法人说明会，业界普遍预期，随着2纳米制程产能陆续开出且供不应求，台积电明年资本支出有望超越今年水平，再创历史新高。这一乐观预期源于苹果、超微、高通、联发科等科技巨头已提前将明年2纳米产能预订一空，连带使封装产能全数满载。在AI与高效能运算需求的强劲推动下，台积电2026年营收被看好突破3兆元新台币，再写新纪录。2纳米制程：引爆增长的核心引擎台积电正处于法说会前缄默期，但供应链透露的消息已描绘出明朗的前景。台积电最新2纳米生产基地新竹宝山厂Fab20和高雄楠梓Fab22已进入试产及验证阶段。半导体设备业者指出，台积电2纳米制程的整体良率已达近七成，这一数字远超行业平均水平，展现了台积电在制程上的技术成熟度。这一良率水平对于即将量产的制程而言堪称出色，为后续大规模生产奠定了坚实基础。业界估计，台积电年底首批量产的2纳米制程月产能可达4万片，随着新竹、高雄等地四座厂区陆续投入生产行列，明年底整体月产能可望上看近10万片。更令人惊讶的是，在大客户们力挺下，台积电明年2纳米产能已全被抢光，提前宣告产能满载到明年底。客户群扩张：多元需求推动产能满载台积电2纳米制程的客户群不断扩大，已从最初公布的6家客户扩展至15个客户，其中10个用于高性能计算产品，充分展示了人工智能领域的巨大推动力。这一客户结构变化反映了市场趋势的转变——过去移动SoC厂商是采用尖端制程技术的先驱，而现在高性能计算客户正发挥更大作用，采用尖端制程技术的时间点越来越靠前。除了传统的苹果、AMD、高通、联发科等移动芯片大厂，谷歌、博通和亚马逊等公司也都在为自家定制AI芯片争夺台积电2纳米产能。客户群的多元化降低了台积电对单一市场的依赖，为其持续增长提供了更稳固的基础。封装：产能同步满载台积电制程接单热转之际，封装需求同步冲高。半导体设备业者指出，台...
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2025/10/15 10:31:51