全球存储芯片巨头美光科技交出了一份令人瞩目的2025财年成绩单。在截至2025年8月28日的财年中，公司营收达到373.78亿美元，同比激增48.85%，创下历史新高。这份强劲的财报得益于全球人工智能热潮对高性能存储解决方案的旺盛需求。美光第四财季营收达113.15亿美元，环比增长21.65%，同比增长46.00%。公司预计2026财年第一季度营收将进一步增长至约125亿美元。01 财务业绩亮点：全面超越市场预期美光2025财年的表现可圈可点，不仅营收实现近50%的增长，盈利能力也大幅提升。全年毛利率从2024财年的23.7%跃升至40.9%，营业利润率更是从7.7%提升至29.0%。第四财季的单季表现尤为出色，毛利率达到44.7%，营业利润率为32.3%，所有关键财务指标均超出市场预期上限。按非公认会计准则计算，美光第四财季净利润达34.7亿美元，每股摊薄收益3.03美元，优于市场预期的2.86美元。强劲的业绩推动美光股价在盘后交易中一度上涨超过4%。02 业务板块分析：云存储业务成最大亮点从业务部门来看，美光重新划分的四大部门表现出明显差异。云内存业务部门收入达45.4亿美元，占总收入的40%，毛利率高达59%。这一部门环比增长34%，同比增幅更是超过三倍，主要受强劲的位元出货量增长和创纪录的HBM收入驱动。与此形成对比的是，核心数据中心业务部门营收为15.7亿美元，同比下滑22%。这反映了企业正在将投资从传统服务器转向AI服务器。移动客户端业务部门营收38亿美元，汽车与嵌入式业务部门营收14亿美元，均实现环比增长。03 技术产品进展：HBM成为增长引擎美光2025财年从HBM、高容量DIMM、服务器LP DRAM产品中取得了100亿美元收入，是2024财年的五倍以上。仅第四财季，HBM产品收入就接近20亿美元。HBM3E量产推动市场份额增长，公司的HBM市场份额有望再...
浏览次数：
3
2025/9/26 13:50:54
TDK株式会社近期重磅扩展了其CN系列低电阻软端子积层陶瓷电容器（MLCC）产品线，推出了具备1000V额定电压和22nF电容的新型号。此产品采用紧凑的3225封装尺寸（3.2mmx2.5mmx2.5mm），并拥有C0G温度特性。它成功解决了传统树脂电极MLCC电阻值偏高的问题，其端子电阻可与标准端子产品相媲美，为要求严苛的汽车和通用高压应用提供了兼具高可靠性、小型化及低损耗的解决方案。一、技术难点以及应对方案在LLC谐振电路、无线充电模块以及采用SiCMOSFET的电动汽车驱动电路等高压谐振应用中，设计工程师常面临多重挑战：●空间限制与高耐压需求：为满足高功率应用的耐压和容量要求，传统设计往往需要将多个电容器进行串并联，这大大增加了电路板面积和元件数量。●可靠性问题：电路板在安装和运行过程中可能承受外部应力，易导致电容器产生裂纹，影响长期可靠性。●性能折衷：虽然采用树脂电极的软端子MLCC能有效缓解应力、防止安装裂纹，但其固有的电阻值通常较高，会导致能量损耗增加。TDK的CN系列MLCC通过创新技术应对了上述难题：独特的树脂电极结构：TDK对树脂电极结构进行了优化，新品仅在电路板安装侧覆盖树脂层，使得电流能够更有效地传输至外层，从而显著降低了端子的电阻值，使其与常规MLCC产品相当。C0G（1类介质）材料：该介质材料确保了电容在-55°C至+125°C的温度范围内以及在不同电压下表现出极高的稳定性，损耗极低，这对于高频谐振电路至关重要。高耐压与容量密度：在微小的3225封装内实现1000V耐压和22nF的容量，减少了串联电容器的需求，直接助力于节省空间的设计。二、核心作用这款MLCC的核心作用是作为高压、高可靠性电路中的关键无源元件。它在谐振电路中用于确定频率，在缓冲电路中用于吸收电压尖峰、保护开关器件。其卓越的电气稳定性（C0G特性）和机械可靠性（软...
浏览次数：
3
2025/9/25 14:03:18
Microchip Technology Inc. 近日宣布推出其新一代千兆工业以太网交换机系列——LAN9645xF 和 LAN9645xS。该系列产品以其高度的可配置性为核心亮点，提供5、7和9端口等多种型号选择，并最多可集成5个10/100/1000BASE-T PHY（物理层接口）。它们旨在为工业自动化、航空航天与国防、数据中心等严苛应用环境提供高速、可靠的网络连接解决方案。一、技术难点以及应对方案在现代工业网络系统中，设计工程师常面临几大核心挑战：实时性与确定性：工业控制要求数据传输具有极低的延迟和抖动，传统以太网尽力而为的传输模式无法满足要求。网络高可靠性：工业现场环境复杂，网络设备或链路故障不能导致生产中断，需要无缝冗余切换机制。实际应用场景●工业自动化与控制系统：用于PLC、机器人控制器、远程IO模块内部，实现设备级可靠互联。●航空航天与国防：为机载系统、地面支持设备提供耐用的高速网络连接。●数据中心与可持续发展：适用于需要精确时序和可靠性的服务器互联或能源管理设备。系统复杂性与成本：实现高级网络功能（如TSN）往往需要多芯片方案，增加了设计与成本压力。LAN9645x系列通过以下创新方案应对这些挑战：集成TSN与AVB支持：LAN9645xF型号在管理模式下支持时间敏感网络（TSN） 和音视频桥接（AVB） 等先进协议，为实时控制数据提供确定性延迟保障。硬件级冗余保护：该系列支持符合IEC 62439-3标准的并行冗余协议（PRP） 和高可用性无缝冗余（HSR），通过硬件辅助实现故障时的无缝切换与零丢包，极大提升网络可靠性。灵活的运行模式：产品可在独立非管理型系统和连接主机并完整支持Linux®分布式交换机架构（DSA）的管理模式下运行，为不同复杂度的应用提供成本与性能的最佳平衡。二、核心作用LAN9645xF/S系列的核心作用是作为工业网络设备...
浏览次数：
4
2025/9/25 13:59:36
在HBM4存储芯片的激烈角逐中，美光科技凭借其卓越的技术实力，以11Gbps的行业速度强势突围，打破了SK海力士和三星长期以来的市场主导格局，为AI存储市场注入了新的活力。此前，业界普遍担忧美光因无法满足英伟达对HBM4速度超过10Gbps的要求，将在竞争中处于劣势。然而，美光用实际行动回应了质疑，不仅成功研发出达到业界最高速度11Gbps的HBM4产品，还已向客户交付了样品，展现了其强大的技术创新能力。与三星和SK海力士不同，美光在HBM4的研发上采取了自主研发DRAM和BaseDie技术的策略，更注重低功耗性能。尽管这一策略曾让外界对美光能否满足高速需求产生疑虑，但美光首席执行官SanjayMehrotra明确表示，公司已经准备好了一款既能提供超过11Gbps速度，又能实现最佳能效的产品。在生产策略上，三星电子采用了一代的1cDRAM生产HBM4，并借助4纳米晶圆代工技术制造最底层的BaseDie；而SK海力士则选择将BaseDie的生产外包给台积电。相比之下，美光坚持自主研发，展现了其在技术上的独立性和创新性。尽管美光的量产时间表晚于三星和SK海力士的预计，但业内分析认为，美光提前进入HBM4市场将产生重大影响。随着HBM4市场的不断扩大，美光有望凭借其技术优势和市场份额实现快速增长。到2026年，美光在HBM市场的份额预计将超过今年，进一步巩固其市场地位。SanjayMehrotra透露，美光计划于明年第二季度开始量产HBM4，并在下半年全面投产。这一举措无疑将加剧HBM4市场的竞争，从原本的SK海力士和三星的双赢局面，转变为三方激烈角逐的新格局。结语美光科技在HBM4领域的强势突围，不仅展现了其卓越的技术实力和创新能力，也为AI存储市场带来了新的竞争格局。随着量产时间的临近，美光有望在HBM4市场中占据一席之地，并推动整个行业的持续发展。免责声明：本文为转载文章，...
浏览次数：
4
2025/9/25 13:56:02
据权威机构TechInsights最新报告，长江存储凭借其创新的Xtacking 4.0技术，成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产，同时，更高层级的300层以上技术布局也已紧锣密鼓地展开。长江存储的Xtacking架构以其独特的“阵列-逻辑分离”设计脱颖而出，通过晶圆对晶圆的混合键合技术，实现了高性能与高密度的完美结合。在最新的Xtacking 4.0版本中，铜-铜直接键合的对准精度被提升至次微米级别，这一突破不仅优化了信号传输路径，还显著减薄了芯片厚度，为研发更高层数的NAND技术奠定了坚实基础。报告详细披露了长江存储在267层NAND芯片中的多项优化设计。通过精细调控模厚工程与垂直通道孔设计，芯片通道孔数被巧妙设定为16个，垂直通道间距（VCP）则精确控制在132纳米，从而在高密度与制程可控性之间找到了完美的平衡点。此外，长江存储还创新性地引入了“无阶梯式字线接触（Stairless WLC）”结构，这一设计不仅大幅降低了制程复杂度，还有效减少了边缘面积的浪费，为迈向300层以上的技术高峰铺平了道路。尽管当前长江存储仍面临着美国出口管制等外部限制，但凭借Xtacking架构的独特优势，公司在技术演进中依然保持着强劲的竞争力。随着NAND技术不断向300层迈进，混合键合精度、应力工程以及新型结构设计将成为行业竞争的关键所在。未来，长江存储能否持续突破良率提升与供应链优化的双重难题，将直接决定其在全球NAND市场中的竞争地位。结语长江存储在NAND闪存领域的技术突破，不仅彰显了其在半导体行业的创新实力，也为全球NAND市场的竞争格局带来了新的变数。随着技术的不断演进和市场的持续拓展，长江存储有望在全球NAND市场中占据更加重要的地位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系...
浏览次数：
6
2025/9/25 13:49:14
全球DRAM市场出现罕见的结构性异动：本应逐步退场的DDR4内存价格持续飙升至历史高位，部分型号较4月涨幅超300%，甚至反超新一代DDR5产品。这一反常现象源于三星、SK海力士、美光等头部厂商将产能转向DDR5和HBM（高带宽内存），导致DDR4供应缺口急剧扩大。与此同时，AI服务器、工控设备等对DDR4的刚性需求未减，供需失衡推动价格持续攀升，且短期内无降温迹象。价格异动的核心动因：产能转移与需求刚性供给端收缩是本轮涨价的主因。三星、SK海力士、美光及长鑫存储四大原厂已于2025年明确DDR4停产计划（EOL），将产能优先分配给利润更高的DDR5和HBM。其中，HBM因AI算力需求暴增，成为产能争夺焦点——英伟达Blackwell平台AI服务器需搭配36GBHBM3E，而三星12层HBM3E产能已被大客户锁定。TrendForce数据显示，原厂对DDR4的供应重心偏向服务器市场，PC与消费电子领域满足率不足50%，导致后者合约价在7月飙涨60%-85%。需求端韧性则加剧了供需矛盾。工控、安防、网络设备等行业因产品认证周期长，短期内无法切换至DDR5，对DDR4形成“刚性依赖”。同时，AI服务器为兼顾成本与兼容性，仍大量采用DDR4模组，而云服务商（如阿里、腾讯）的资本开支扩张进一步拉动了需求。恐慌性囤货行为放大了短缺效应：渠道商在停产消息后大量扫货，DDR416Gb现货价在6月初首次反超DDR5，倒挂幅度达30%。对产业链的影响与市场格局重构PC与消费电子品牌首当其冲。由于DDR4模组价格失控（16Gb型号9月均价达17.165美元，为DDR5同容量的2.6倍），PCOEM厂商被迫加速导入DDR5平台。华硕、戴尔等品牌已下调DDR4机型产量，将DDR5笔记本占比提升至60%以上。存储厂商成为受益方。三星半导体DS部门2025年Q4营业利润预计同比翻倍；中国台湾南亚科技因...
浏览次数：
5
2025/9/25 13:43:53
圣邦微电子最新推出的SGM42618步进电机驱动器，以其创新的自适应衰减算法和1/32微步进精度，为工业自动化、机器人及精密仪器设备提供了更高水平的运动控制解决方案。这款驱动器不仅支持2.6A大电流输出，更具备智能调节功能，能够自动适配不同电机参数，大幅缩短产品开发周期。一、技术挑战与创新解决方案步进电机控制系统设计长期面临几个关键技术瓶颈：电流控制精度、电机适配复杂性以及能效与散热平衡问题。传统驱动器需要工程师根据电机参数手动调整衰减模式，这个过程耗时且需要丰富的经验。不同电机型号、甚至同型号不同批次的电机都需要重新调试，极大增加了产品开发难度和时间成本。SGM42618通过三项创新技术解决了这些难题：●自适应衰减模式：芯片内置智能算法，能够自动检测电机参数并选择最优衰减模式，无需人工干预●多模式配置：保留手动配置功能，支持快衰、慢衰和混合衰减模式，为特殊应用场景提供灵活性●低阻抗功率输出：0.4Ω（高边+低边）的导通电阻显著降低热损耗，提高系统能效这些技术创新使得工程师在不同项目中使用不同型号步进电机时，无需重新设计和调试驱动电路，极大提高了开发效率。二、核心功能与价值SGM42618作为一款双极性步进电机驱动器，其核心价值在于提供了高度集成的运动控制解决方案。芯片内部集成两个H桥和细分控制逻辑电路，通过斩波控制技术精确调节电机绕组电流。器件提供标准的步进（STEP）和方向（DIR）输入接口，可与主流控制器直接连接。通过USM0和USM1引脚，用户可以灵活选择1、1/2、1/4、1/8、1/16或1/32细分模式，满足从普通移动到精密定位的不同应用需求。全面的保护机制是另一大亮点：包括过流保护、短路保护、欠压锁定和过温关断功能，确保系统在各种异常条件下都能安全运行，提高终端产品的可靠性。三、性能优势与市场竞争力SGM42618在多个关键性能指标上展现出明显优势：从对比数...
浏览次数：
3
2025/9/23 14:21:19
三星电子12层HBM3E产品正式通过英伟达认证，标志着其成为继SK海力士、美光之后第三家进入英伟达HBM核心供应链的厂商。这一突破不仅为三星扭转HBM竞争劣势注入强心剂，更将全球HBM技术竞争焦点引向2026年量产的HBM4，AI算力存储市场格局面临重塑。1.技术突破与市场意义三星此次通过认证的12层HBM3E产品，历时约18个月完成技术攻坚。此前三星因DRAM设计缺陷导致HBM3及8层HBM3E方案未达英伟达标准，而此次突破依托1c纳米级DRAM技术和4nm逻辑芯片优化，实现了性能与散热的平衡。尽管初期供应量有限（SK海力士与美光2025年产能已售罄），但认证本身对三星具有战略意义：技术认可重于短期营收，为其重回高端存储竞赛奠定基础。2.HBM4竞争格局与技术前瞻随着英伟达下一代Rubin架构GPU计划于2026年推出，HBM4成为新一轮竞争焦点。三大原厂技术路径已显分化：三星：宣称凭借1cDRAM和4nm逻辑芯片实现11Gbps传输速率，暂居行业首位。SK海力士：已完成HBM4开发并准备量产，强调“超过10Gbps”性能，但未披露细节。美光：面临技术追赶压力，目前尚未公开其HBM4速率指标。HBM4的核心升级在于I/O数从HBM3E的1024翻倍至2048，带宽提升至2TB/s以上，但制造门槛也显著提高。BaseDie从存储架构转向逻辑芯片架构，推动成本上升，预计溢价幅度将超30%。据TrendForce预测，HBM4将在2026年下半年取代HBM3E成为主流，SK海力士有望维持超50%市占率，三星与美光需进一步提升良率才能缩小差距。3.市场影响与供需展望AI服务器需求持续推动HBM市场扩张。2025年HBM位元需求量同比增速达89%，2026年预计保持67%高增长。目前三大原厂垄断格局稳固，但市占率动态变化：2025年SK海力士、三星、美光占比约为5:3:2，2026...
浏览次数：
4
2025/9/23 14:10:50
全球存储巨头三星电子已正式通知客户，计划在2025年第四季度上调移动端DRAM和NANDFlash合约价。其中LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品涨幅达15%-30%，eMMC/UFS等NAND闪存产品涨幅为5%-10%。这一决策反映了存储市场供需结构的根本性转变。随着AI应用从训练向推理和边缘设备延伸，大容量存储需求激增，而三大原厂将产能优先分配给HBM和DDR5，导致传统存储产品供应紧张。01涨价详情与市场背景三星此次价格调整针对移动端存储产品，包括LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品，以及UFS/eMMC等NAND闪存产品。价格调整计划于2025年第四季度实施。这一轮涨价潮中，三星并非唯一行动者。美光已暂停报价并计划调涨多类内存产品价格；闪迪（SanDisk）也宣布对部分NAND闪存领域涨价10%；西部数据则表示将逐步上调所有机械硬盘价格。存储市场的这一波“涨声”源于供需失衡。AI应用推广导致AI服务器和AIPC对存储需求大增，而存储厂商将产能转向高带宽内存（HBM）和DDR5，减少了传统存储产品的供应。02供需失衡的结构性分析当前存储市场供需失衡具有明显的结构性特征。HBM需求激增是导致供应紧张的关键因素之一，主要DRAM厂商正优先保障英伟达、AMD等AI加速器厂商的HBM产品供应。DDR4内存的供需矛盾尤为突出。随着厂商将产能转向DDR5和HBM，DDR4供应减少，但市场需求并未立即消失，导致其价格持续上涨。据集邦科技预估，2025年第三季DDR4市场供需缺口约为3%，且这一缺口可能持续扩大，缺货状况可能延续至2026年第四季度。NANDFlash市场同样面临供应紧张。基于AI海量数据存储建置的需求，加上硬碟缺货与交期延长，大量订单转向企业级固态硬碟，造成NANDFlash短缺。03产业链影响与连锁反应存储涨价潮已引发产业链连锁反应。台系存...
浏览次数：
2
2025/9/23 14:08:02
半导体解决方案提供商MicrochipTechnology（微芯科技）近日发布全新DualPack3（DP3）系列电源模块，采用IGBT7技术，提供1200V和1700V两种电压等级及300-900A的宽电流范围。这款创新产品采用紧凑的半桥拓扑设计（152mm×62mm×20mm），相比IGBT4技术降低15-20%的功率损耗，并能在高达175°C的过载温度下稳定运行。该系列模块为工业驱动、可再生能源、数据中心等应用提供高功率密度解决方案，显著简化系统设计并降低物料成本。一、技术难点与应对方案功率密度与散热平衡：高功率输出往往导致热管理难题。DP3模块通过优化的封装设计和IGBT7技术，在紧凑尺寸内实现高效散热，支持175°C高温运行，解决了功率密度与热管理的平衡问题。系统复杂度控制：传统方案需要并联多个模块以满足功率需求。该产品采用半桥拓扑结构和框架尺寸升级，单模块即可提供更高输出功率，减少并联需求，降低系统复杂度和BOM成本。过载能力提升：工业应用经常面临瞬时过载情况。通过IGBT7技术的增强，模块在过载时能在175°C高温下可靠运行，提供更强的过载耐受能力。二、核心作用DualPack3电源模块在电力电子系统中充当"高效能量转换核心"的角色，主要负责电能的精确控制和高效转换。其核心价值在于通过高度集成设计和IGBT7技术，为各种功率应用提供紧凑、高效、可靠的电源转换解决方案，同时显著降低系统复杂度和总体成本。三、产品关键竞争力●卓越能效表现：相比IGBT4技术降低15-20%功率损耗，提升系统效率●高功率密度：紧凑封装尺寸提供更大输出功率，节省系统空间●强过载能力：支持175°C高温过载运行，增强系统可靠性●简化设计：半桥拓扑减少并联需求，降低系统复杂度●供应链保障：为行业标准EconoD...
浏览次数：
1
2025/9/22 14:23:01
电子组件制造商Bourns（柏恩）近日推出PEC04、PEC05和PEC06三个系列的增量式微型编码器，分别采用4mm、5mm和6mm超小型设计。这些编码器具备IP40防尘等级，提供30,000-50,000次旋转循环寿命，支持-20°C至+70°C的工作温度范围，并采用坚固紧凑的表贴式设计。该系列产品提供2位元正交码输出与360度连续机械旋转角度，为消费电子、智能穿戴设备和智能家居应用提供高可靠性、轻省空间的位置感测解决方案。一、技术难点与应对方案微型化与耐用性平衡：在极小的尺寸内实现可靠的机械结构和信号输出是主要挑战。Bourns通过优化的机械设计和高质量材料选择，在4-6mm的尺寸内实现了30,000-50,000次的旋转寿命，解决了微型化与耐久性之间的矛盾。环境适应性：小型设备更容易受到灰尘、温度变化的影响。该系列产品采用IP40防尘等级设计和-20°C至+70°C的宽温工作能力，确保在各种环境条件下稳定工作。信号稳定性：微小尺寸对信号输出的精确性和稳定性提出挑战。通过2位元正交码输出设计和360度连续机械旋转角度，确保了位置和速度信息的准确检测和传输。二、核心作用这些微型编码器在电子设备中充当"精密位置感知核心"的角色，主要负责检测和传递旋转位置、运动方向和速度信息。其核心价值在于为空间受限的电子设备提供高精度、高可靠性的位置感测功能，将机械运动转换为精确的数字信号，为设备控制提供关键输入，实现人机交互的精准控制。三、产品关键竞争力●极致紧凑设计：4mm/5mm/6mm超小尺寸，适合空间极度受限的应用场景●卓越耐用性：30,000-50,000次旋转循环寿命，确保长期可靠运行●环境适应性：IP40防尘等级和-20°C至+70°C工作温度范围●精确信号输出：2位元正交码输出，提供准确的位...
浏览次数：
1
2025/9/22 14:17:19
半导体解决方案供应商瑞萨电子推出RA0L1微控制器产品群，基于Arm®Cortex®-M23处理器，集成了超低功耗架构与电容式触控技术。这款创新产品在活动模式下功耗仅2.9mA，睡眠模式下降至0.92mA，待机模式更可实现0.25μA的极低功耗，较传统解决方案功耗降低达90%。其1.6V至5.5V的宽工作电压范围和-40°C至125°C的扩展温度范围，使其成为消费电子、家电和工业控制应用的理想选择，为成本敏感型设计提供了高性能触控界面解决方案。一、技术难点与应对方案功耗与性能平衡难题：传统触控MCU在实现高灵敏度触控时往往面临功耗过高的问题。RA0L1通过优化的低功耗架构和快速唤醒机制，实现了活动模式2.9mA、待机模式0.25μA的功耗表现，同时保持出色的触控响应性能。系统成本控制挑战：外部触控芯片和附加元件增加了系统成本和设计复杂度。该产品高度集成电容触控功能（支持最多24通道），无需外部触控IC，减少了BOM成本和PCB面积。环境适应性限制：温度变化和电磁干扰影响触控精度和可靠性。RA0L1采用高精度HOCO（高速片上振荡器），在-40°C至125°C温度范围内保持±1.0%的精度，且符合IEC61000-4-3Level4标准，抗电磁干扰能力强。二、核心作用RA0L1在嵌入式系统中充当"智能交互核心"的角色，主要负责实现高效、直观的人机交互接口。其核心价值在于将传统的机械按钮或外部触控方案转换为高度集成、节能可靠的电容触控解决方案，不仅降低了系统成本和功耗，还提升了产品的用户体验和可靠性，特别适合电池供电和空间受限的应用场景。三、产品关键竞争力●卓越能效表现：0.25μA待机功耗，2.9mA活动模式功耗●高度集成设计：单芯片集成电容触控（最多24通道）、模拟外设和通信接口●宽环...
浏览次数：
7
2025/9/19 14:05:14
德州仪器（TI）近日推出TMAG5134面内霍尔效应开关，灵敏度和创新的集成磁集中器技术，能够检测低至1mT的微弱磁场。这款革命性产品采用标准CMOS工艺制造，平均功耗仅0.6µA，为门窗传感器、个人电子产品和家电应用提供了传统磁阻传感器的高性价比替代方案，标志着位置传感技术的重要突破。一、技术难点与应对方案灵敏度与成本平衡难题：传统高灵敏度位置传感依赖昂贵且制造复杂的磁阻技术（TMR、AMR、GMR）或簧片开关。TMAG5134通过集成磁集中器技术放大传感器信号，在不需特殊制造工艺的情况下实现了高达1mT的检测灵敏度，解决了性能与成本难以兼顾的行业痛点。功耗约束挑战：物联网设备对电池寿命要求极高。该产品采用优化的CMOS工艺和电源管理设计，实现了仅0.6µA的平均功耗，支持电池供电设备长达数年的使用寿命，大幅降低了维护成本。设计灵活性限制：传统传感器对磁场方向敏感，安装要求高。TMAG5134的面内传感能力使其能够检测与PCB平行或水平的磁场，为工程师提供了更大的设计自由度和布局灵活性。二、核心作用TMAG5134作为位置传感系统的"精准感知核心"，主要负责将磁场变化转换为精确的电信号输出。其核心价值在于为成本敏感的应用提供了高精度、低功耗的位置检测解决方案，消除了对昂贵磁阻技术的依赖，使高性能位置传感技术能够普及到更广泛的消费和工业应用中。三、产品关键竞争力●卓越灵敏度：1mT磁场检测能力●超低功耗：0.6µA平均电流，显著延长电池寿命●面内传感：支持平行于PCB的磁场检测，提升设计灵活性●高性价比：采用标准CMOS工艺，成本较磁阻传感器降低显著●易于集成：提供完整的开发工具和支持资源，加速产品上市实际应用场景●智能家居系统：门窗传感器、智能门锁、安防系统，提供可靠的位置检测●消费电子产品：笔记本电脑、平板电脑的翻盖检测...
浏览次数：
1
2025/9/19 13:50:26
功率系统和物联网半导体制造商英飞凌科技（InfineonTechnologies）近日推出专为AI数据中心和服务器设计的12kW高性能电源参考设计。该方案创新性地融合硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料，采用三电平飞跨电容交错式PFC拓扑和全桥LLC谐振转换技术，实现了前端AC/DC峰值效率超99%和后端DC/DC峰值效率超98.5%的卓越表现，功率密度高达113W/in³。这款参考设计旨在解决AI计算带来的指数级增长能耗挑战，为数据中心提供更高效率、更高功率密度的电源解决方案。一、技术难点与应对方案高频高速开关与热管理挑战：传统硅基器件在高频开关下损耗大幅增加，热管理成为瓶颈。英飞凌采用CoolSiC™和CoolGaN™宽禁带半导体技术，SiC器件在高压场景下开关频率达100kHz（相比SiIGBT的20kHz），损耗降低40%；GaN器件在高频下效率超过99%，显著降低开关损耗和热管理压力。功率密度与效率平衡难题：高功率密度往往牺牲效率，反之亦然。通过创新的三电平飞跨电容交错PFC拓扑和全桥LLC谐振架构，结合平面高频变压器技术，在提升功率密度的同时保持超高效率，功率密度从传统设计的32W/in³提升至113W/in³，效率达97.5%。电网波动与稳定性问题：数据中心对电源稳定性要求极高。集成双向能量缓冲器，不仅满足保持时间要求，降低电容需求，还具备电网调节功能，抑制电网瞬态波动和跌落干扰，提高系统可靠性。二、核心作用该电源参考设计作为AI数据中心的"动力心脏"，为核心计算硬件（特别是功耗日益增长的GPU）提供高效、稳定、清洁的电力供应。其核心价值在于显著降低数据中心的能源消耗和运营成本，同时通过高功率密度设计减少电源系统占地面积，使数据中心能够将更多空间和电力资源用于计算本身，直接支持AI训练和...
浏览次数：
2
2025/9/19 13:46:07
电子组件制造商Bourns（柏恩）推出SRP1024HMCT屏蔽式功率电感器，采用热压成型工艺与羰基铁粉材料，实现了2.2mm超薄型封装设计。这款创新产品支持-40°C至+125°C的宽工作温度范围，提供50A额定电流和65A饱和电流能力，同时保持仅0.4mΩ的超低直流电阻。其屏蔽式结构有效抑制电磁干扰，降低磁场辐射，为负载点转换器和数据中心应用提供高效、可靠的功率转换解决方案，显著提升系统功率密度和能效表现。一、技术难点与应对方案高电流与小型化矛盾：传统功率电感在实现高电流能力时往往需要更大体积。SRP1024HMCT通过羰基铁粉材料和热压成型工艺，在2.2mm超薄封装内实现了50A额定电流和65A饱和电流，解决了高功率密度设计与性能保持的难题。热管理挑战：高电流操作导致显著发热，影响系统可靠性。该产品支持-40°C至+125°C工作温度范围，采用优化热设计，确保在高环境温度下稳定运行，适合数据中心等高密度应用环境。EMI抑制需求：功率电感产生的磁场干扰影响周边电路。SRP1024HMCT采用全屏蔽结构设计，有效降低磁场辐射和嗡嗡声噪声，提供更洁净的电磁环境，提升系统整体EMC性能。二、核心作用SRP1024HMCT在电源系统中作为关键能量存储和滤波元件，主要在DC-DC转换器中承担能量转移、电流平滑和噪声抑制功能。其核心价值在于为高密度电源设计提供高效、紧凑的功率处理能力，确保负载点转换器为ASIC、FPGA和其他高性能处理器提供稳定、洁净的电源供应，同时减少电磁干扰对敏感电路的影响。三、产品关键竞争力●超薄封装设计：2.2mm厚度，节省PCB空间，适合高密度布局●高电流能力：50A额定电流，65A饱和电流，支持大功率应用●优异热性能：-40°C至+125°C工作温度范围，适应严苛环境●低损耗设计：0.4mΩ超...
浏览次数：
2
2025/9/18 13:48:24
金升阳（MORNSUN）推出LD20-26BxxR2系列AC/DC模块电源，这款20W功率的创新产品采用超紧凑设计（62.0×45.0×30.0mm），实现了90-600VAC/100-850VDC的超宽输入电压范围。产品在-40℃至+85℃的宽温度范围内稳定工作，提供高达4000VAC隔离耐压和一、技术难点与应对方案高压输入与小型化矛盾：传统AC/DC电源在高输入电压设计中需要更大的爬电距离和器件体积。LD20-26BxxR2通过创新的电路拓扑结构和元器件布局优化，在保持62.0×45.0×30.0mm超小体积的同时，支持高达600VAC的输入电压，体积较一代产品减小17%，解决了高耐压与小型化难以兼顾的行业难题。热管理挑战：紧凑空间内的高效率散热是保证电源可靠性的关键。该产品采用高效的热设计和优化的功率器件布局，实现了-40℃至+55℃范围内无降额工作，即使在85℃高温环境下仍能保持35%的带载能力，确保在恶劣温度条件下的稳定运行。EMC兼容性难题：工业环境中的电磁干扰严重影响电源性能。通过内部电路优化和屏蔽技术增强，产品抗扰判定标准过A，EMI性能满足CISPR32/EN55032CLASSB要求，在复杂的电磁环境中保持稳定工作。二、核心作用LD20-26BxxR2作为工业设备的"动力心脏"，主要为控制系统、测量仪器和通信设备提供稳定、洁净的电源供应。其核心价值在于将不稳定的交流电网电压转换为精确稳定的直流电压，为各种工业电子设备提供安全可靠的电力保障，确保系统在恶劣电网环境和温度条件下的连续稳定运行。三、产品关键竞争力●超宽输入电压范围：90-600VAC/100-850VDC，适应全球各种电网环境●高功率密度：62.0×45.0×30.0mm紧凑尺寸，功率密度较一代提升17%●卓越可靠...
浏览次数：
2
2025/9/17 14:07:40
电子组件制造商Bourns（柏恩）近日推出SRP4020T系列屏蔽式功率电感器，采用羰基粉末磁芯技术和紧凑型封装设计（4.45×4.0×1.8mm），在极小的体积内实现了卓越的电气性能。该系列电感器支持最高+150°C的工作温度和0.47至10μH的感值范围，具有较同类产品更低的直流电阻（DCR）和优异的抗电磁干扰能力，为消费电子、工业设备和汽车电子等领域的电源管理系统提供了高性能、高可靠性的解决方案。一、技术难点与应对方案空间约束与热管理挑战：现代电子设备日益小型化，对功率元件的空间占用和热性能提出严苛要求。SRP4020T系列通过紧凑型封装设计（4.45×4.0×1.8mm）和羰基粉末磁芯材料，实现了在极小空间内的高效率功率转换，同时支持高达+150°C的工作温度，解决了高功率密度应用中的散热难题。EMI抑制难题：高频开关电源产生的电磁干扰影响系统稳定性。该产品采用全屏蔽结构设计，能有效抑制电磁干扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现，降低对周围敏感元件的干扰。效率与性能平衡：传统电感在小型化同时往往牺牲电气性能。SRP4020T系列通过优化设计和材料选择，实现了较低的直流电阻（DCR），有助于降低功耗并提升系统整体效率，相比同类尺寸产品具有明显优势。二、核心作用SRP4020T系列作为电源管理系统的关键能量存储和滤波元件，主要在DC-DC转换器中承担能量存储、电流滤波和稳压功能。其核心价值在于为空间受限的应用提供高效率、低辐射的功率转换解决方案，确保各种电子设备获得稳定、洁净的电源供应，同时减少电磁干扰对系统性能的影响。三、产品关键竞争力●紧凑型设计：4.45×4.0×1.8mm超小封装，适合高密度PCB布局●高温性能：支持最高+150°C工作温度，适应严苛环境●优异EMC表现：...
浏览次数：
2
2025/9/17 14:05:39
全球存储市场正在经历一场供需风暴。2025年9月，美光科技向渠道商发出通知，宣布暂停所有存储产品报价一周，包括DDR4、DDR5、LPDDR4和LPDDR5等产品线。这一决定源于美光高层在审查客户需求预测后，发现将面临严重的供应短缺。继闪迪宣布全线产品涨价10%之后，美光的这一举措进一步加剧了存储市场的紧张态势，预计后续价格将上调20%-30%，部分车用电子产品涨幅可能高达70%。01 市场动态：美光暂停报价，闪迪率先涨价存储市场正在掀起一轮涨价潮。闪迪（Sandisk）率先行动，于9月初宣布对所有渠道和消费者客户的闪存产品价格上调10% 以上。这标志着存储芯片行业开启了新一轮涨价序幕。紧随其后，美光科技采取了更为激进的措施。公司不仅宣布存储产品价格将上涨20%-30%，还从9月14日起暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品的报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。供应链消息人士透露，美光此举是对供需失衡的急迫反应。在审查客户FCST（需求预测）后，美光发现将面临严重的供应短缺，促使公司紧急暂停所有产品价格，同时重新调整其定价策略。02 涨价幅度：车用芯片涨幅高达70%美光此轮价格调整涉及范围广泛。根据业界传闻，美光已通知渠道合作伙伴，DRAM产品价格可能上涨20%至30%。涨幅范围不仅涵盖消费级和工业级存储，甚至延伸到汽车电子产品领域，涨幅可能达到70%。这一差异化的涨价策略反映了不同应用领域对存储产品的需求强度和价格承受能力。集邦咨询数据印证了市场紧俏状况，8Gb DDR4合约价已从7月的3.9美元大涨至8月的5.7美元，单月涨幅高达46%，成为近期涨势最猛的产品。03 驱动因素：AI推理需求引发存储转型此轮存储市场变局的根本驱动力量是人工智能应用的深入发展。随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练AI转向推理AI，推动了对大容量内...
浏览次数：
6
2025/9/17 14:00:36