存储产业正遭遇严峻挑战，芯片供过于求、客户被迫砍单，以及产品价格大跌。据彭博社报道，今年全球主要存储芯片厂总亏损金额恐为历来最大，将高达50亿美元。 业界认为，包括三星、SK海力士、美光、南亚科等厂商都难以避免巨大的亏损压力。 彭博社报道指出，存储厂商不到一年前表示，更严格的管理和产品会有新市场，包括5G技术和云端服务，将确保企业达成更易于预测的盈余。 不过，集邦咨询资深研究主管吴雅婷指出，“芯片产业以为供应商会拥有更好的控制权，这次的低迷证明每个人都错了”。 集邦咨询预计，本季度DRAM价格跌幅预估收窄到13%至18%，但当前尚无法看到产业景气下行周期的终点。 另据台媒《经济日报》报道称，中国台湾最大的DRAM厂南亚科也认为，全球经济仍笼罩在高通胀、加息等变数冲击下，让今年的DRAM产业持续承压。 南亚科总经理李培瑛也坦言，今年整体DRAM产业面临比去年还大的压力，所幸此前二大厂已采取减产及削减资本支出行动。南亚科今年资本支出也持续保守，预估全年降至185亿元新台币，其中设备投资减幅高达五成。 美光方面对需求大跌也有积极反应，上月底宣布除减产之外，还将缩减新厂房和设备的预算。此外，SK海力士也同步削减投资并缩减产量。 报道称，从大环境来看，消费者和企业面对通胀和加息，推迟电脑、平板和智能手机的采购，这些设备的制造商是存储芯片的大买家，在库存组件清不掉时没必要进行更多采购。 目前行业库存增加两倍多到空前高水位，足以供应三到四个月需求。三星与其竞争对手生产出的每一片芯片都在亏损，彭博社预估，今年所有主要存储芯片厂营业亏损金额恐为历年最大，将达50...
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2023/2/3 16:46:08
1月31日消息，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac （前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。新合约将深化双方在SiC 材料供应方面的长期合作，Resonac 将供应英飞凌未来10 年预估需求量中双位数份额的SiC晶圆。 英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer 表示，在再生能源生电、储能、电动出行以及基础设备领域在未来数年将迎来巨大的商机。英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合，透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 据悉，Resonac 将先供应6 吋的SiC 晶圆，并将于合约期间过渡至8 吋SiC晶圆，英飞凌也将提供Resonac 关于SiC 材料技术的IP；双方的合作将有助于供应链稳定，并为新兴半导体材料SiC 的快速增长提供助力。 英飞凌目前正积极扩大SiC器件的产能，以期望在2030 年达到30%市占率的目标。英飞凌SiC 的产能预计到2027 年将成长10 倍，而位于马来西亚居林（Kulim） 的新厂计划将于2024 年投产。 英飞凌采购长Angelique van der Burg 强调，SiC 需求成长快速，因此英飞凌正在大幅扩展我们的产能，为这样的发展做好准备，因此决定深化与Resonac 的协作并强化双方的合作关系。 资料显示，Resonac是一家拥有84年历史的化工巨头（前身为昭和电工），在覆铜板、感光膜、SiC外延晶圆等关键半导体封装材料市场处于领先地位，目标是到2030年将芯片材料收入占整体销售额的比例从2021年的31%提高到45%。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产...
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2023/2/3 16:43:55
随着电动汽车 (EV) 日益流行，如何在反映真实续航里程的同时让汽车更加经济实惠，成为汽车制造商面临的挑战之一。首先，这意味着需要降低电池包成本并提高其能量密度。电芯中存储和消耗的每瓦时能量都对延长续航里程至关重要。 电池管理系统 (BMS) 的主要功能是监测电芯电压、电池包电压和电池包电流。此外，鉴于 BMS 的高电压设计，需要测量高压域和低压域之间的绝缘电阻，从而捕捉电池结构中的缺陷并防止危险状况发生。 图 1：传统的 BMS 架构 (a)；具有智能电池接线盒 (BJB) 的 BMS 架构 (b) 图 1 展示了典型的 BMS 架构，其中包括电池管理单元 (BMU)、电芯监控单元 (CMU) 和电池接线盒 (BJB)。BMU 通常包含一个微控制器 (MCU)，用来管理电池包中的所有功能。传统电池接线盒是具有电源接触器的继电器盒或开关盒，用于将整个电池包与负载逆变器、电机或电池充电器连接。 图 1a 显示的是传统 BMS。接线盒内部没有有源电子产品，电池接线盒中所有的测量都在电池管理单元BMU进行。电池接线盒通过线缆连接到模数转换器 (ADC) 端子。 图 1b 显示的是智能电池接线盒。接线盒内部具有专用的电池包监测器，可以测量所有电压和电流，并通过简单的双绞线通信将信息传递给 MCU。这有助于消除布线和线束，并以更低的噪声改进电压和电流测量。 电压、温度和电流测量 图 2 展示了启用BQ79731-Q1的电池包监测器在电池接线盒内所测量的不同高电压、电流和温度。 图 2：电池接线盒内部的高电压测量 ● 电压：高电压测...
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2023/2/3 14:11:25
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开发了村田首款内置分割比例自动切换功能的降压DC-DC电荷泵IC“FlexiCPTM系列（PE25203）”。该产品已开始批量生产。 近年来的笔记本电脑市场，随着处理器功耗的改善，显示器等周边设备的功率损耗比例呈增加趋势。当下，显示器所需的驱动电压是由安装了处理器的主板生成的，而与此同时也面临着显示器与主板之间的连接器和电缆产生的铜损耗问题。为此，需要一种可在显示器内将电池电压直接转换为电压的薄型且高效率的直流-直流(DC-DC)转换器。 在此背景下，村田开发了“FlexiCPTM系列PE25203”，其内置了根据电池电压自动切换分割比例的功能，并实现了高度1mm以下的99%峰值转换效率。 “FlexiCPTM系列（PE25203）”基于村田自主研发的实质无损开关电容器架构(1)，将3芯/２芯电池电压进行3分割或2分割，对1芯输入构成的系统，以99%的峰值转换效率提供电力。此分割比例拥有根据电池电压自动切换的功能，防止在低输入电压事件时后段设备停止运行。此外，通过采用交错方式(2)还实现了极低的输入输出纹波(3)性能。 (1)开关电容器架构: 由电容器和半导体开关构成的电压转换电路。 (2)交错方式：让并联配置的相同电路网依次工作而不会重复的电路方式。 (3)输出纹波：叠加在直流电压上的交流电压分量。 电源模块业务部门低功率产品部的三上修司部长表示：“到目前为止，对于笔记本电脑内的中间总线电压，虽然采用了传统的降压转换器方式，但无法满足薄型、高效率的要求，电源设计者不得不将其安装在主板上。实现了薄型高效率的“FlexiCPTM系列（PE25203）”，通过将...
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2023/2/3 14:09:39
Holtek推出新一代无刷直流电机专用SoC Flash MCU BD66FM8345B，整合MCU、LDO、高压FG电路及3-phase Driver，All-in-one方案，节省周边电路，使PCBA尺寸微型化。可支持8W以下3相BLDC Motor产品，具备UVP、OTP、OSP多种保护让系统更加安全稳定，适用冰箱除霜风扇、小瓦数风扇类等产品应用。 BD66FM8345B具备4K×16 Flash ROM、512×8 RAM及内部系统频率20MHz，拥有11+1通道12-bit ADC，并配置2组16-bit Timer、2组10-bit Timer与高速UART。针对BLDC控制提供16-bit转速监控Timer、3组10-bit具死区Dead-time互补式PWM输出，错误硬件关断PWM机制。 BD66FM8345B通过内建3个比较器达成Hall元件或Sensorless转子位置侦测，配置反电动势噪声抑制滤波电路。硬件逐周期电流保护控制功能，可直接设定输出电流的限制，电机得以在最大保护电流下持续运转。BD66FM8345B提供24SSOP-EP、32QFN(4×4mm)封装，可依据产品尺寸选择适合封装。
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2023/2/3 14:07:00
在前几期的芝识课堂中，我们跟大家一起学习了电机工作相关的知识，相信你已经能够快速掌握电机开发和应用的基本技巧。而在实际开发中，我们已经知道控制电机需要输入信号，而这个信号的产生源于一个特别的单元——逻辑IC。当然，除了用于电机控制应用外，逻辑IC是绝大部分电子系统中必不可少的半导体器件。东芝作为逻辑IC产品的制造者，依靠质量可靠、性能出众、尺寸小巧、产品线丰富等特点，成为众多设计者的首选。今天的芝识课堂就带大家一起来认识一下CMOS逻辑IC的基本知识。 逻辑IC，顾名思义是一种对一个或多个数字输入信号（由1和0或H和L表示）执行基本逻辑运算以产生数字输出信号的半导体器件。在实际应用中，连接或断开模拟信号传导路径的模拟开关也被归类为逻辑IC。逻辑IC用于连接不同的LSI芯片和电路板。它们还用于对逻辑电路进行微小的修改和调整，例如增加信号驱动能力（即缓冲信号）、塑造信号波形、调整信号输出时序以及对系统进行较小的更改。由于绝大部分电路都是由二进制数字表示，因此逻辑IC中的逻辑运算也有比较简单的规律可循，下图就是一种典型的逻辑运算的示例。 过去，CMOS逻辑IC在实现主要系统功能方面发挥了重要作用。但是现在外围部件被集成到LSI芯片中，促进了功能实现并缩小了电气和电子应用的规模。即便如此，CMOS逻辑IC的地位仍不可撼动，因为它们是连接不同LSI芯片和电路板的粘合逻辑。在消费电子、家用电器、娱乐设备、服务器、办公设备等方面，CMOS逻辑IC依然拥有庞大的市场应用空间。 标准逻辑IC的设定： 由于逻辑IC的功能比较直接和用途非常广泛，因此不同制造商依照基本逻辑门制定了行业标准IC的规则，使得各家的IC在功能和引脚上均兼容，这些IC就被称为标准逻辑IC。除了一些小封装之外，不同制造商...
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2023/2/2 13:35:06
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可轻松地将解决方案扩展到不同的功率级别和多种电机。在过去的一年多里，两家公司的团队携手合作优化下一代平台的电源模块，开发和评估预生产样品。 在汽车电动化的驱动下，电力电子器件可谓是量价齐升。而电力电子器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以MOSFET和IGBT为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心的新发展阶段。 汽车所引爆的SiC需求正在急剧增长，根据投资银行Canaccord Genuity预计，碳化硅晶圆产能将从2021年的12.5万片6英寸晶圆增加到2030年的超过400万片6英寸当量晶圆，来满足电动汽车市场的需求。800V SiC已经从2021年开始就逐渐在市场渗透。SiC功率元件作为各家电动汽车性能致胜的一大依赖技术，整车厂们无不在争相绑定未来几年的SiC供应。纵观整个SiC芯片市场，主要的碳化硅芯片制造商包括英飞凌、安森美、罗姆、意法半导体（STM）和Wolfspeed，无疑，这些SiC芯片供应商正成为车企争相绑定的“宠儿”。 01 EV的优势 新一代电力电子器件也同时在推动MOSFET和IGBT的发展，这也带动SiC和GaN等宽禁带半导体的日益普及。电动汽车则成为了SiC的核心应用...
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2023/2/2 13:32:34
据台媒《经济日报》报道，三星2022年第四季度芯片利润暴跌90%以上，但与晶圆制造上季和去年全年营收却创新高，反映其先进制程产能扩大。不过，三星表示，迫于产业库存调整压力，第一季度晶圆代工产能利用率开始下降。业界表示，三星恐降价抢单。 业界分析，近期晶圆代工厂产能利用率普遍下滑，联电产能利用率更由先前满载转为70%左右，并传出有厂商部分生产线产能利用率仅剩50%，但台积电、联电都坚守价格，台积电今年更涨价6%，联电则预期本季产品均价（ASP）持平。 此前有媒体消息称，台积电2023年上半年整体晶圆厂产能利用率预估跌至80%，其中7/6纳米制程产能利用率跌幅扩大，5/4纳米产能利用率从今年1月开始逐月下滑。 业内分析，在“终端需求不佳、台积电、联电价格却坚持”的现况下，三星若降价抢单，对IC设计厂商与整合元件（IDM）厂而言很有吸引力，三星不仅可借此填补产能空缺，也有助提高市场占有率，因此业界推测三星晶圆代工或将降价。
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2023/2/2 13:29:35
1月31日，据日本电子情报技术产业协会统计数据，2022年11月日本电子零件厂全球出货金额同比下滑2.7%，至3,832亿日元，为7个月来首度陷入萎缩，约2年来最大减幅。不过单月出货额连续第27个月突破3000亿日元大关。 电容电感连接器出货额下滑 就区域情况来看，11月份日厂对日本和中国市场的出货额呈现下滑，对美洲、欧洲等市场的出货则呈现增长。 其中，日厂对日本国内的电子零件出货额同比减少10.6%，至785亿日元；对中国市场出货额减少10.1%，至1324亿日元；对亚洲其他地区出货额增长3.3%，至889亿日元。对美洲出货额大增20.2%，至431亿日元；对欧洲出货额增长10.4%至397亿日元； 就主要品类来看，11月份日厂被动组件出货额较同比下滑5%，至1,780亿日元。 其中，电容电感出货额均下滑。电容出货额下滑7%，至1248亿日元，4个月来首度陷入萎缩；电感出货额下滑7%，至267亿日元。 电阻、变压器出货额则继续增长。电阻出货额增长11%至175亿日元、连续第26个月呈现增长，变压器出货额增加30%，至52亿日元； 11月份日厂连接器出货额减少1%，至544亿日元；致动器出货额减少4%至426亿日元；包含TV调谐器、滤波器及无线模块在内的射频(RF)零件出货额减少29%，至215亿日元。包含触控面板在内的开关组件出货额成长9%，至379亿日元； 连接器厂大厂JAE也表示，因2022年12月以后连接器需求急减，加上日元转为走升，因此下调财测，将今年度(2022年4月-2023年3月)合并营收目标由2,500亿日元下修至2,330亿日元，合并营益目标由220...
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2023/2/2 13:28:28
Holtek推出新一代无刷直流电机专用SoC Flash MCU BD66FM6545G，整合MCU、LDO及3-phase 48V Gate-Driver，大大缩减PCBA尺寸。具备反电动势噪声抑制滤波器，可使方波Sensorless启动或低速更加稳定，适用于吸尘器、扫地机器人及泵类。同时也适合弦波Hall驱动的扇类产品。 BD66FM6545G具备4K×16 Flash ROM、512×8 RAM及内部系统频率20MHz，拥有12+1个通道12-bit ADC，并配置2组16-bit Timer、2组10-bit Timer与高速UART。针对BLDC控制提供16-bit转速监控Timer、3组10-bit具死区互补式PWM输出以及OCP过电流保护功能。 BD66FM6545G通过内建3个比较器达成Hall 元件或Sensorless转子位置侦测。硬件逐周期电流保护控制功能，可直接设定输出电流的限制，电机得以在最大保护电流下持续运转。BD66FM6545G提供了32QFN(4×4)封装，与BD66FM6550G pin-to-pin，硬件支持需求不高的产品可轻松切换至BD66FM6545G。
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2023/2/2 13:23:16
我们全新的 REC30E-Z DC/DC 转换器将功率密度、性能和成本完美结合，额定功率 30W，封装尺寸仅 25.4 x 25.4 x 10mm。部件的宽输入范围分别有 9-36V（50V 浪涌）和 18-75V（100V 浪涌），涵盖各种标称电压和容差，并提供多种稳压的单路和双路输出可选：3.3V、5V、12V、15V、25V、+/-12V 和 +/15VDC。 这些部件采用 RECOM 标志性的先进电路和热设计，峰值效率达到 90% 以上，可在高温环境下工作而无需降额。在强制风冷或降额条件情况下，功率输出受限于 105°C 的最高外壳温度。效率曲线 在负载 20% 以上时基本平坦以实现低待机损耗，无需最低负载。模块提供关断控制以进入低功耗模式，单路输出的版本还配有 +/-10% 输出微调引脚。 REC30E-Z 系列的额定隔离为 2kV/1 分钟，并通过了 IEC/EN 62368-1 安全认证。无需外部组件即符合EMC 标准 EN 55032 A ，仅需简单的外部滤波器网络即可满足Class B 要求。根据MIL-HDBK 217F、GB、25°C的估算条件，MTBF估算值通常超过500khrs。 通孔插装的REC30E-Z系列具有坚固的金属外壳封装，可提供出色的热性能和屏蔽，适用于污染等级2的恶劣环境。 这些产品通常应用在工业，但它们也能用在任何产品上，尤其是针对电路板空间十分有限、成本敏感同时又有高可靠性和性能需求的应用。
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2023/2/2 13:21:30
有经验的工程师都知道，系统最危险的时刻之一是通电的时候。根据时间常数以及电源轨达到标称值的顺利程度和速度，不同的 IC 和系统零件可能会开启、锁定或以不正确的模式开启，因为这些器件试图相互配合工作。面临的更大挑战是，上电时与时序和压摆率相关的 IC 性能可能是温度、相关电容器、机械应力、老化和其他因素的函数。 当工作电压轨下降至较低的个位数值时，就会加剧潜在的问题，从而减少在标称电源轨下工作时的动态余量。所有这些因素都有可能造成开启性能不一致和令人沮丧的调试过程。 因此，模拟 IC 供应商设计出了专用监管 IC，以消除上电时的不确定性和不一致性。本文将定义和描述毛刺问题，然后说明如何通过增加 Analog Devices 的一些小型专用 IC 来避免毛刺。 什么是毛刺？ 与诸如“缓冲器”或“可编程”等许多工程术语一样，“毛刺”的具体含义也是视上下文而定的。毛刺可能是： ● 信号或电源线路上的噪声引起的尖峰 ● 负载瞬态导致的突发性电源轨短暂下降 ● 由于栅极驱动器的导通/关断时间不同，电桥中的上、下MOSFET 意外同时导通时的微秒级时间段（这种情况非常糟糕） ● 由于时序容差和组件之间的差异造成的瞬间不确定信号和竞争情况 本文将探讨在接通电源、集成电路过渡到正常工作状态的“上电”期间可能出现的毛刺，特别是在低电压系统中。此类上电毛刺特别令人头疼，因为它们可能导难以调试的间歇性问题，而且这些问题又没有明显的关联性或一致性。由于毛刺诱发条件往往是“在边...
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2023/2/1 13:48:57
2023年1月30日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，扩展领先业界的大功率厚膜电阻系列，全新推出四款符合 AEC-Q200 标准产品。Bourns? CRM-Q、CRS-Q、CMP-Q 和 CHP-Q系列为车规级产品，具高额定功率和卓越的脉冲负载浪涌能力，使用印在陶瓷基板上的厚膜组件制造，强化四款全新电阻系列的可靠性。Bourns 符合 AEC-Q200 标准的新型电阻所提供的特性使其非常适合限流器和缓冲电路，以及汽车、消费电子、工业自动化、电源、LED 照明和通信基站应用中的平衡和泄放电阻器。 Bourns? CRM-Q 系列大功率电阻器和 CRS-Q 系列浪涌耐受电阻器提供三种尺寸，从 1206（3116 公制）到 2512（6432 公制），额定功率从 0.5 到 2 瓦。CMP-Q 系列脉冲功率电阻器提供从 0603（1608 公制）到 2512（6432 公制）五种尺寸，额定功率从 0.25 到 1.5 瓦。CHP-Q 系列超高功率电阻器提供从 0603（1608 公制）到 1206（3116 公制）五种尺寸，额定功率从 0.33 到 0.75 瓦。为了在下一代应用中支持如高达 60 kA 的大电流，设计人员通常必须并联许多具有低电流处理能力的组件。现可使用能够处理 20 kA 的单一组件，并联更少数量的组件就能实现同等保护级别，这不仅减少了 BOM 总数，更有助于节省 PCB 上的宝贵空间。 全新 Bourns? CRM-Q、CRS-Q、CMP-Q 和 CHP-Q 四款系列现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准。
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2023/2/1 13:37:49
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；)推出迄今为止STM32 微控制器 (MCU)产品家族中性价比最高的STM32C0系列产品，为开发者降低STM32入门门槛。 意法半导体发布STM32C0系列MCU 让成本敏感的8位应用也能享受32 位性能 2023年1月31日，中国 ---- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；)推出迄今为止STM32 微控制器 (MCU)产品家族中性价比最高的STM32C0系列产品，为开发者降低STM32入门门槛。 全球已有数十亿个智能工业、医疗和消费产品采用STM32 MCU。STM32现有产品型号达数千种，让产品设计人员总能选到价格适中、功能和性能皆满意的产品。 在保障供货的同时，意法半导体将新的 STM32C0 系列定位于家用电器、工业泵、风扇、烟雾探测器等通常采用更简单的 8 位和 16 位 MCU的产品设备。STM32C0新一代32 位设计在保持总成本和功耗相似的情况下，改进了产品性能和功能，例如，更快的响应速度、额外的功能和网络连接。同时，入门级产品的简易性，结合强大的免费支持生态系统，丰富的工具、软件包等资源，以及与各种开发者社区的交流机会，为新用户进入 32 位世界降低了门槛。 意法半导体STM32营销总监 Daniel Colonna 表示：“面向下一代智能电器和工业控制设备的MCU必须满足简单易用、价格极具竞争力、供货有保障几个特点。我们的新产品 STM32C0通用入门级 MCU 全面满足这些需求，辅以强大的 STM32 生态系统带来的额外优势，为 8 位/16 位...
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2023/1/31 14:55:13
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET? Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案...
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2023/1/30 14:10:59
2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。 RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。 瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车辆的应用开发，打造能减少...
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2023/1/30 14:07:32
为了满足设计人员在极限空间中微型表面贴装组件的应用需求，Pasternack 刚刚推出了一系列新型SMT闭锁驱动器的机电继电器开关，宽带频率覆盖高达26GHz并支持更高功率开关应用。 产品特征： ● 宽带频率范围从DC到26GHz ● SPDT 设计，闭锁驱动器使用寿命长且性能完善 ● 超5M的生命周期 ● 性能出色和插入损耗低，高隔离和良好的重复性 ● SMT 封装具有高热阻，可以使用各种焊接安装工艺 ● 热切换能力，平均功率高达40W ● 符合RoHS和REACH标准 SPDT闭锁机电继电器开关，DC ~ 8GHz，高达40W, 12V SPDT闭锁机电继电器开关，DC ~ 26.5 GHz，高达40W, 12V Pasternack新型SMT 闭锁驱动器机电继电器开关已备货在库，可随时发货。
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2023/1/30 14:06:27
基于TRENCHSTOP? IGBT7的PrimePACK? 1500V直流NPC2三电平桥臂模块组，风冷条件下系统功率1.8MW。 产品描述： FF1800R23IE7，FF1800R23IE7P 1800A 2300V 半桥 FF2400RB12IP7，FF2400RB12IP7P 2400A 1200V 共集电极双管 *有带预导热材料型号 新的PrimePACK? 2300V IGBT模块主要是为1500V逆变器开发的。它的特点是在1500V工作电压下，直流稳定性比较好，即在宇宙辐射下具有很高的鲁棒性，以及175℃的过载结温可以支持LVRT等故障模式。此外，与IGBT4解决方案相比，该模块实现了更高的功率密度，从而在系统层面上性价比。 与1200V共集电极IGBT模块组合，可以实现NPC2拓扑结构，与1200V的NPC1拓扑结构相比杂散电感小，可以把IGBT开关得更快，这一相同的封装尺寸下，系统功率提高了37%。
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2023/1/29 14:56:10