2025年7月17日，台积电发布第二季度财报，数据显示，当季净利润达3983亿新台币（约合893亿元人民币），同比大幅增长60.7%，创下历史新高，这也是其连续五个季度保持两位数增长，业绩表现超出市场预期。业绩亮点：营收、净利润双增长，毛利率维持高位财报显示，台积电Q2合并营收为9337.9亿新台币（约合2280亿元人民币），同比增长38.6%；稀释每股收益同步增长60.7%。盈利能力方面，毛利率达58.6%，营业利润率49.6%，净利润率42.7%，核心盈利指标均保持行业水平。与第一季度相比，营收环比增长11.3%，净利润增长10.2%，延续了自2024年以来的增长态势。核心驱动：AI与高性能计算需求爆发，制程占比超7成台积电本季业绩的核心支撑来自人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片需求的持续走强。相关业务占Q2整体营收的60%，较去年同期的52%进一步提升，覆盖了AI算力基础设施、5G应用等高增长领域。从制程结构看，工艺（7nm及以下）贡献了74%的晶圆收入，其中：●3nm制程出货量占晶圆总营收的24%；●5nm制程占比36%，为第一大收入来源；●7nm制程占比14%。目前，台积电正为英伟达、苹果等全球头部企业提供AI芯片代工服务，受益于全球AI算力基础设施的扩张浪潮。未来展望：Q3预期乐观，尖端工艺需求持续支撑业务台积电对第三季度业绩保持乐观，预计：●营收在318亿至330亿美元之间（基于1美元兑29.0新台币汇率）；●毛利率55.5%至57.5%；●营业利润率45.5%至47.5%。台积电资深副总经理兼首席财务官黄文德表示：“第二季度业务得益于AI和高性能计算的强劲需求，展望第三季度，尖端工艺技术的需求将持续支撑业务增长。”2025年Q2，台积电凭借AI与高性能计算领域的深度布局，再次交出亮眼成绩单，制程已成为其核心收入来源。在全球半导体行业向AI时代转型的背...
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2025/7/18 14:02:39
英伟达消费级PC CPU的发布计划再生变数。据行业媒体SemiAccurate最新报道，原定于2025年推出的N1/N1X处理器因“关键硬件缺陷”需重新设计芯片，发布时间被推迟至2026年。这一消息与此前英伟达在重要展会上的沉默形成呼应，也揭示了其进军消费级CPU市场面临的技术挑战。发布计划多次调整：从2025到2026的波折2023年，英伟达曾传出计划在2025年推出基于Windows的消费级PC CPU的消息，引发市场关注。然而，进入2025年后，其动作却与预期存在偏差——3月的GTC 2025大会上，英伟达仅发布了与联发科合作的GB10芯片（主打紧凑型AI工作站），未提及任何消费级CPU进展；5月的台北国际电脑展（Computex 2025）上，N1/N1X处理器同样未现身，市场猜测其发布节奏已放缓。硬件缺陷成主因：从“可修复”到“需重设计”此次推迟的核心矛盾在于硬件问题。早期消息称，英伟达曾通过固件或微码更新解决了部分缺陷，将发布时间从2026年晚些时候提前至2026年初。但SemiAccurate最新指出，就在几天前，未发布的N1/N1X芯片又暴露出“关键硬件缺陷”，必须进行芯片级的重新设计（即修订芯片版本）。重新设计周期：4nm制程的调整难度业内分析，4nm工艺下的芯片重新设计通常需3-6个月，具体时间取决于缺陷位置和修改幅度：若仅涉及上层金属层的细微调整，可能数周至数月完成；但若涉及底层逻辑电路或布局的重大修改，周期可能延长至半年甚至更久。这意味着，即使“快速”调整，N1/N1X的发布时间也可能从原计划的2026年初推迟至2026年中后期。市场影响：消费级CPU进程滞后，AI工作站先行值得注意的是，英伟达在CPU领域的布局并未完全停滞——其与联发科合作的GB10芯片已进入工作站市场，主打紧凑型AI设备。但消费级PC CPU作为更大众化的产品，需兼顾性能、功耗与...
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2025/7/18 13:58:26
MASW-003103-1364是一款Surmount™宽带单片SP3T开关，使用串联和并联的硅PIN二极管。该部分设计用于在高达20 GHz的应用中用作中等信号、高性能开关。这种表面贴装芯片级配置针对宽带性能进行了优化，具有最小的相关寄生效应，通常与混合MIC设计相关，该设计包含需要芯片和导线组装的束引线和PIN二极管。MASW-003103-1364是使用MACOM的专利HMIC™（异质微波集成电路）工艺（美国专利5268310）制造的。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和分流二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距，硅和玻璃的这种组合使HMIC™器件在低毫米频率下具有低损耗和高隔离性能。选择性背面金属化被应用于生产表面安装器件。顶部完全用氮化硅封装，并有一个额外的聚合物层用于划痕和冲击保护。这些保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。特征·从50 MHz到20 GHz指定·聚合物防刮擦保护·氮化硅钝化·+25°C时高达+38 dBm C.W.功率处理1·玻璃封装结构·坚固耐用，完全单片·符合RoHS标准的Surmount™封装·低寄生电容和电感·高隔离度·低插入损耗·可用频率高达26 GHz应用·航空航天与国防·ISM
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2025/7/17 15:25:15
MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化，以尽量减少相移过程中衰减的变化。MAPS-010164非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4 mmPQFN封装提供了比通常具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特征6位数字移相器360º覆盖，LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50 Q阻抗耳朵99无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS标准引脚配置图
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2025/7/17 15:21:35
MAAD-011021是一款覆盖直流至30 GHz的宽带6位数字振荡器。衰减位值为0.5 dB LSB（最低有效位）、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/-0.5 dB，RMS相位误差在20 GHz时小于5度，典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。在所有频率和衰减状态下，回波损耗通常为12dB。衰减器集成了一个逆变器，可以对串联/并联衰减进行单一控制。逆变器需要-5V电源（Vcc）和17mA典型电流，逻辑为0V/+5V。特征.6位，0.5 dB LSB，31.5 dB范围直流至30 GHz操作集成TTL 0/+5V控制+/-0.5 dB典型比特误差低均方根相位4.3@20 GHz无铅3mm 16引脚PQFN封装所有控制和偏压的ESD保护引脚配置
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2025/7/17 15:18:30
MACP-010573属于一系列小型、易用、宽带、定向探测器。通过集成低损耗定向耦合器和内置温度补偿电路，这些探测器提供了一种简单的方法来监测沿传输线在特定方向传播的信号的功率。探测器装在一个微型、表面贴装、无铅塑料包装中。它们需要少量的偏差才能正常运行。总偏置电流小于0.5mA。典型应用包括点对点无线电、IMS、雷达、VSAT、电子战和航空航天与国防系统中的功率监测和调平。表面贴装封装很小，但可以用标准的拾取和放置组装设备进行处理和放置。探测器是在成熟的GaAs工艺上制造的，该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征集成定向耦合器低插入损耗：0.40 dB@20 GHz最小可检测功率：-18 dBm@20 GHz内置温度补偿无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准，兼容260°C回流应用·航空航天与国防·EW·IMS·点对点无线电·雷达·VSAT
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2025/7/17 15:15:45
HFCN-1810+是Mini-Circuits品牌的一款陶瓷HPF滤波器芯片，最小7节，最大7节，中心或截止频率（fo/fc）为1810MHz，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。特征成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用
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2025/7/17 14:15:26
MAAM-011206是一款通用的DC-15 GHz达林顿放大器，在最大电流下具有14.5 dB的典型增益和20.5 dBm的输出功率。输入和输出完全匹配到50O，典型回波损耗15dB。三阶线性度（OIP3）通常为29 dBm，反向隔离度21 dB。通过+3V至+5V的单个偏置电压VDD实现功能操作。特征·增益：14.5 dB@5 GHz·无卤素“绿色”模塑料·无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装·可调电流·单偏压操作·噪声系数：4 dB@5 GHz·输出P1dB:5GHz时为20.5dBm·符合RoHS标准应用·A&D·测试与测量·VSAT/SATCOM·无线通信
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2025/7/17 14:10:00
在5G基站扩容与工业4.0升级的浪潮中，传统电源的功率密度与智能化短板日益凸显。金升阳全新推出的LMR3000-4850整流模块，以3000W超高功率、仅1U高度的紧凑设计（269×105×40.8mm），突破通信/工控领域供电瓶颈。其融合数字化控制与军工级防护标准，为数据中心、机器人及智能工厂提供“心脏级”动力支撑。核心作用：三重系统守护者●可靠性中枢 - 4000VAC隔离耐压+毫秒级过载保护，杜绝工业场景中的级联故障●能效转化引擎 - 96.5%转换效率+0.99功率因数，较传统模块年省电费超万元●智能控制终端 - 支持远程调压/限流/故障诊断，构建可编程电源网络五大关键竞争力●空间革命 - 42.67W/inch³功率密度，较竞品节省40%机柜空间●安规天花板 - 同时满足EN62368/EN61558/GB4943三体系认证●场景自适应 - 金手指/端子台双接口，10分钟完成通信柜与工控机切换●极端环境生存 - -40℃~+85℃宽温域运行，4KV脉冲群抗扰认证●智慧能源管理 - 电流纹波＜1%，为精密仪器提供实验室级纯净电源实际应用场景●5G基站：-40℃北极圈基站中持续供电3年0故障●工业机器人：焊接设备强电磁干扰下稳定运行●数据中心：模块化电源柜实现“热插拔式”扩容●光伏储能：智能调压应对光伏阵列电压波动LMR3000-4850的诞生不仅解决了高功率与小型化的矛盾，更通过“智能电源网络”理念重塑工业供电架构。其以超越行业标准的防护等级与数字化基因，正成为智能制造升级的核心基础设施，为未来工业场景提供无限可能。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/17 14:05:34
TDK推出TFM201612BLEA系列薄膜电感器，在2.0×1.6×1.2mm微型封装内实现5.6A额定电流（较前代提升16%），DCR最低至17mΩ（降幅31%）。支持150℃极端环境温度运行，为xEV电驱系统、ADAS控制器提供高功率密度电源解决方案，2025年7月正式量产。产品核心优势●功率密度革命：5.6A@0.47μH（同尺寸全球最高）●能效飞跃：DCR 17mΩ（100kHz工况效率＞98%）●环境强韧：-55℃~150℃全温域电感漂移＜10%●车规可靠：AEC-Q200 Grade 0认证（零失效批次）典型应用场景●域控制器电源：12V转5V/20A多相Buck电路（电感温升＜40K）●激光雷达供电：脉冲负载瞬态响应（di/dt 2A/μs）●OBC模块：CCM PFC电路（150℃环境无降额）●BMS从控：CAN FD收发器隔离供电（EMC Class 3达标）●车载摄像头：3W微型电源模块（2mm厚度适配镜头模组）●V2X通信箱：5G射频功放供电（100MHz低噪声特性）TFM201612BLEA系列的发布重新定义了车规电感器的性能边界——其5.6A同尺寸最大电流突破功率密度极限，150℃耐温等级更直面引擎舱严酷环境。随着800V平台电流需求激增，这款融合“高频低损-超薄封装-车规可靠”三重优势的薄膜电感，将成为下一代域集中式架构的核心供能元件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/17 14:00:28
Vishay推出车规级VLMRGB6122三色LED，在3.5×2.8×1.4mm超薄封装内实现2800mcd超高亮度与独立阳极控制。通过AllnGaP/InGaN技术革新，色域覆盖较前代提升70%，支持-40℃~110℃宽温域运行，为智能座舱氛围灯、透光饰板等场景提供1680万色精准调控方案。行业桎梏混色失真：传统RGB LED共用阴极导致色彩串扰，红光饱和度衰减40%高温失活：发动机舱环境要求105℃耐温，竞品普遍仅85℃空间困局：车载面板背光厚度需＜1.5mm，主流封装高度＞1.8mm核心作用●色彩革命：CIE1931色域覆盖率＞125% NTSC●空间释放：1.4mm厚度（较SMD3535薄22%）●可靠升级：AEC-Q102认证+2000小时高温光衰＜5%●精准调控：红/绿/蓝独立驱动（20mA恒流精度±3%）关键竞争力●亮度王者：绿光2200mcd@20mA（行业均值1500mcd）●温域极限：-40℃~110℃（竞品上限85℃）●混色自由：唯一支持三通道独立调光的PLCC封装LED●车规认证：通过ISO-10605/7637-2脉冲测试实际应用场景●智能座舱：256区透光木纹饰板（1680万色渐变）●交互灯带：门板动态迎宾指示（响应速度＜10ms）●透明HUD：挡风玻璃状态投影（110℃耐前挡高温）●医疗设备：手术台无菌区警示（B1级耐消毒液腐蚀）●零售终端：情绪化商品照明（ΔE●工业HMI：故障分级报警（红/绿/蓝三态指示）VLMRGB6122的发布标志着车规RGB LED进入高温高亮时代。其110℃耐温能力突破传统器件极限，独立阳极架构更实现真百万级混色控制，配合2800mcd超高亮度，为智能表面照明提供核“芯”支撑。随着汽车座舱向生活空间演进，这款兼具“色彩精度-环境耐受-车规可靠”三重优势的器件，将成为定义车载光效的新基准...
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2025/7/17 13:56:02
2025年7月15日，韩国股市延续上涨态势，KOSPI指数连续两日走高，收盘报3215.28点，涨幅0.41%，创下2021年8月11日以来新高。市场乐观情绪主要源于半导体板块的强势表现，其中三星电子股价受英伟达H20芯片恢复对华销售利好刺激，成为推动指数上行核心动力。三星电子股价逆势反弹，H20芯片成关键推手。当日三星电子股价开盘报62300韩元，较前一交易日微跌0.32%，但随后买家大量涌入，股价迅速攀升至63800韩元，最终收于63700韩元，涨幅达1.84%。此次反弹直接受益于英伟达H20芯片恢复对中国市场销售的消息——该芯片搭载三星电子提供的HBM3内存，此前因政策限制暂停对华供货，此次恢复销售有望显著提升三星高端内存产品的需求。市场分析指出，H20芯片作为英伟达针对中国市场定制的AI算力解决方案，其销售恢复不仅缓解了三星电子的库存压力，更巩固了三星在HBM（高带宽内存）领域的市场地位。随着全球AI算力需求持续增长，HBM内存已成为半导体行业最炙手可热的细分赛道，三星的技术优势有望进一步转化为盈利增长。SK海力士逆势下跌，美光供应过剩隐忧浮现与三星电子的强势表现形成对比，另一韩国半导体巨头SK海力士当日股价出现下跌。业内消息称，市场担忧美光科技可能因HBM产能过剩而采取降价策略，进而挤压SK海力士的利润空间。尽管SK海力士尚未对此置评，但投资者已开始重新评估HBM内存领域的竞争格局。值得注意的是，HBM内存目前主要由三星、SK海力士和美光三家企业主导，其中三星与SK海力士合计占据全球约70%的市场份额。美光若因供应过剩调整策略，可能引发行业价格波动，这也是SK海力士股价承压的直接原因。半导体板块分化，AI需求成关键变量7月15日的韩国股市充分展现了半导体行业的分化特征：受益于AI芯片需求的三星电子强势上涨，而担忧竞争加剧的SK海力士则逆势下跌。这种分化背后，是全球...
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2025/7/17 13:52:09
AVA-5R183+是一款GaAs pHEMT MMIC宽带放大器，工作频率为0.5至18 GHz。放大器提供14.4 dB的增益、+16.8 dBm P1dB和+27.9 dBm OIP3的典型性能，同时从+5 V电源中汲取85 mA的电流。AVA-5R183+具有高动态范围和低功耗，使其成为测试和测量设备以及国防系统等宽带应用中的理想接收器增益块。该放大器采用行业标准的4x4 mm QFN封装，内部RF端口与50Ω匹配，便于轻松集成到微波系统PC板中。特征超宽带，0.5-18GHz高动态范围P1dB，典型值。+16.8 dBm增益，典型值。14.4分贝典型噪声系数。3.4分贝典型低功耗。0.4瓦OIP3，典型。+27.9 dBm4x4 mm 20引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统卫星通信
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2025/7/16 14:33:31
AVA-2183+是一款GaAs pHEMT MMIC放大器，工作频率为2至20 GHz。在10 GHz时，放大器在+4V 210 mA电源图下提供16.4 dB增益、5.2 dB噪声系数、+19.3 dBm P1dB和+24.7 dBm OIP3的典型性能。AVA-2183+MMIC放大器采用行业标准4x4mm 20引脚QFN式封装。该放大器的射频端口内部匹配为50Ω，可轻松集成到微波系统中。特征宽带2至20 GHz典型平坦增益。16±1 dBP1dB，典型值。+19 dBmOIP3，典型。+25 dBm4x4mm 20引脚QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:30:45
AVA-183P+是一款基于InGaAs E-PHEMT*的宽带正增益斜率MMIC放大器。该设计在单个+5V电源上运行，与50Ω 它采用小巧、轻薄的封装（3 x 3 x 0.89mm），可容纳密集的电路板布局。特征超宽带，0.5至18 GHz正增益斜率单正电源电压应用无线网络无线局域网LTEWiMAXC波段卫星通信
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2025/7/16 14:27:36
AVA-183MP+是一款GaAs pHEMT MMIC宽带分布式放大器，工作频率为0.05至18 GHz。放大器在+8V电源和160mA电流消耗下工作时，提供16.5 dB的增益、+24 dBm P1dB和+31 dBm OIP3以及1.8 dB的噪声系数典型性能。AVA-183MP+提供了宽带、低噪声系数、高线性和输出功率的领先组合，从而形成了50Ω匹配的高动态范围放大器。AVA-183MP+的性能特性非常适合用于宽带防御系统和测试与测量设备。放大器采用行业标准的4x4mm QFN封装。特征超宽带，0.05-18GHz高动态范围P1dB，典型值。+24 dBm增益，典型值。16分贝典型低噪声系数。1.8分贝高OIP3，典型。+31 dBm4x4mm 20引脚QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:22:54
AVA-0233LN+是一款GaAs pHEMT MMIC分布式放大器，工作频率为2至30 GHz。该放大器提供16.3 dB增益、2.4 dB噪声系数、+13.6 dB P1dB和+25.7 dBm OIP3的稳定性能，来自仅消耗65 mA的自偏置单+5V电源。控制电压偏置输入VC使增益在整个工作频带内变化超过30 dB。AVA-0233LN+MMIC放大器采用行业标准的5x5mm QFN型封装，内部RF端口与50Ω匹配，便于轻松集成到微波系统PC板中。特征宽带，2至30 GHz典型平坦增益响应。16.3 dB±1 dB典型噪声系数。2.4分贝5x5mm 32引脚SMT封装典型增益控制。30分贝应用5G MIMO和回程无线电系统卫星Ka波段通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:18:49
RAM-7+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-7+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在100°C的外壳温度下，预计MTBF为3700年。特征•宽带，直流至2 GHz•可层叠陶瓷封装•内部匹配50欧姆•出色的重复性•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF•通信系统•发射接收器
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2025/7/16 14:15:14