Mini-Circuits新型LTCC 0°功率分配器SCW-2-332+，提供操作性能和尺寸组合。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征隔离电阻器，外部100欧姆尺寸小（1.6x0.8mm）ESD不敏感温度稳定的LTCC技术环绕式端子，具有出色的可焊性成本低应用蜂窝通信无线局域网
浏览次数：
4
2025/7/10 14:47:12
Mini-Circuits新型LTCC 0°功率分配器SCW-2-482+，提供操作性能和尺寸组合。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征隔离电阻器，外部100欧姆尺寸小（1.6x0.8mm）ESD不敏感温度稳定的LTCC技术环绕式端子，具有出色的可焊性成本低应用LTE5G低于6GHz
浏览次数：
3
2025/7/10 14:43:47
Mini-Circuits的LFCG-3000+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到3000 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.1 dB的典型通带插入损耗，并且由于战略性地构建了布局，组件之间的相互作用最小，因此提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征•低损耗，典型值为1.1 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，4.5W•尺寸极小的0805（2.0毫米x 1.25毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用
浏览次数：
5
2025/7/10 14:33:06
Mini-Circuits新型LTCC 0°功率分配器SCW-2-722+，提供了操作性能和尺寸组合。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征隔离电阻器，外部100欧姆尺寸小（1.6x0.8mm）ESD不敏感温度稳定的LTCC技术环绕式端子，具有出色的可焊性成本低应用无线局域网5G低于6GHz
浏览次数：
2
2025/7/10 14:28:24
SAV-551+是一种超低噪声、高IP3晶体管器件，采用E-PHEMT*技术制造，使其能够在单个正电源电压下工作。它具有出色的噪声系数，特别是在2.5 GHz以下，当在单个设备中将这种噪声系数与高IP3性能相结合时，它使其成为要求苛刻的基站应用的理想放大器。我们提供这些单元组装成一个完整的模块，50Ω 输入/输出，噪声匹配并完全指定。特征低噪声系数，0.5 dB增益，2 GHz时为16 dB高输出IP3，+25 dBm输出功率为1dB comp。，+18 dBm低电流，15mA宽带需要外部偏置和匹配应用蜂窝ISMGSMWCDMAWiMax无线局域网UNII和HIPERLAN
浏览次数：
6
2025/7/10 14:20:30
大联大品佳联合Microchip推出基于dsPIC33CK256MP506数字电源控制器的3.3KW双向图腾柱PFC方案，以98.5%峰值效率、100kHz高频开关及250ps PWM分辨率三项突破，解决户储系统能量双向流动痛点。方案集成碳化硅与CoolMos™混驱架构，尺寸仅208×88×45mm，助力便携/户储设备功率密度突破15W/in³。技术痛点与创新方案行业困局： ● 传统PFC方案效率＜96%，3.3KW系统年损电量＞200度 ● 硅基MOSFET在100kHz开关频率下损耗激增50% ● 双向能量控制需复杂补偿电路，BOM成本增加$15破局技术：▶ 零桥臂损耗架构：图腾柱PFC消除整流二极管损耗（能效+2.5%）▶ 纳秒级控制：250ps PWM分辨率实现99.2%占空比精度（较竞品10倍提升）▶ 混合驱动技术： ● 低频支路：英飞凌CoolMos™ IPDQ60R010S7（10mΩ） ● 高频支路：Microchip SiC MSC035SMA070B4（零反向恢复）▶ 数字补偿集成：片上ZPK算法省去8颗外部补偿元件核心价值● 能效跃迁：98.5%效率较传统方案年省电200度（3.3KW系统）● 功率密度：100kHz开关频率使磁性元件体积缩小60%● 智能并网：＜5% THD（负载＞20%）满足IEEE 1547并网标准场景化应用解读▌ 移动房车储能● 98.5%效率延长锂电池续航12%● 双向架构支持行车充电/驻车逆变（220VAC→400VDC自由切换）▌ 家庭光储一体机● ＜5% THD满足并网谐波要求● 250ps PWM精度抑制离网模式电压闪变▌ 应急电源车● -30℃低温启动（SiC...
浏览次数：
11
2025/7/10 14:10:18
市调机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年全球真无线立体声（TWS）耳机市场预计销量同比增长3%，至2028年将维持温和扩张态势。这一增长背后，头部厂商正通过技术升级与生态整合展开差异化竞争，医疗健康功能、AI音频体验及生态系统协同成为关键驱动力。苹果凭借AirPods Pro 3的医疗保健功能升级与沉浸式音频技术，成功激活Pro系列用户的换机需求。尽管高价策略限制出货量爆发式增长，但其在高端市场的品牌号召力仍持续发酵。小米则通过"性价比+全渠道"战略实现突破，2025年第一季度凭借Redmi系列等产品在印度、东南亚市场快速扩张，全球品牌影响力延伸至无线音频领域。印度市场领军品牌boAt遭遇转型阵痛。随着当地TWS市场从价格敏感转向功能导向，其缺乏AI音频技术与生态整合的短板逐渐显现，首次购买者红利消退后，如何留住升级型用户成为核心挑战。三星则依托Galaxy生态系统构建护城河，通过AI增强型降噪、实时翻译等功能，将TWS耳机定位为智能终端生态的交互中枢，预计2025年下半年将推出支持多设备无缝切换的新品。结语2025年TWS市场呈现"技术驱动+生态绑定"的竞争新范式。医疗健康功能深化、AI音频体验升级及跨设备协同能力，将成为厂商突破增长瓶颈的关键。在3%的温和增速背后，行业正经历从硬件竞赛向场景化服务转型的深层变革。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
7
2025/7/10 14:06:16
受高带宽存储器（HBM）芯片供应链波动及地缘贸易政策冲击，三星电子Q2营业利润预计同比锐减39%至6.3万亿韩元（约合46.2亿美元），创近六个季度最低纪录。这一数据不仅揭示AI存储芯片领域的技术竞赛白热化，更凸显全球科技产业链在技术迭代与政策博弈中的深度调整。作为全球存储芯片龙头，三星电子正面临HBM芯片认证进程滞后的挑战。其最新研发的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达认证，导致对这家AI芯片巨头的供应延迟，而竞争对手SK海力士和美光已抢占先机。NH Investment & Securities分析师指出，受中国市场需求受限及地缘技术管制影响，三星HBM业务收入在第二季度或陷入停滞，全年大规模出货计划恐难实现。值得关注的是，三星在6月宣布开始向AMD供应HBM芯片，试图通过多元化客户结构对冲风险。然而，其智能手机、家电等核心业务仍面临美国贸易政策的不确定性——特朗普政府拟对非美产智能手机加征25%关税，并计划于7月9日对多国实施“对等”关税措施，同时可能取消芯片企业在华工厂的技术豁免权。分析师认为，尽管三星智能手机销量受关税影响有限，但芯片、家电等业务的全球布局压力将持续加剧。在AI数据中心需求激增的背景下，HBM芯片已成为存储行业新的增长极，三星能否突破技术认证瓶颈并重构供应链，将成为其能否维持行业领导地位的关键。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
浏览次数：
7
2025/7/10 14:04:20
BFHKI-1982+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为17.5至22.2 GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该模型实现了高达46.5 GHz的35 dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。35 dB，高达46.5 GHz小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
浏览次数：
4
2025/7/9 14:10:03
BFHK-7851+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。6.7-8.6 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在80 dB到18.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为80 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
浏览次数：
6
2025/7/9 14:07:22
Mini-Circuits MTX2-73+是一款宽带MMIC平衡-不平衡变压器，阻抗比为2:1，适用于2000至7000 MHz的广泛应用。该型号采用IPD工艺技术制造，具有出色的可重复性，具有低插入损耗、低幅度不平衡、低相位不平衡和高达+34 dBm（2.5W）的RF输入功率处理能力。该单元采用3 x 3 x 0.89mm QFN封装，电感低，热效率高，ESD额定值高。特征宽带，2000至7000 MHz低相位不平衡，4度，振幅不平衡，典型值为0.8 dB。微型尺寸，（3 x 3 x 0.89毫米）成本低可水洗应用无线局域网WiMAX/WIBROISM雷达
浏览次数：
4
2025/7/9 14:03:06
HFCN-672+是一款LTCC高通滤波器，通带范围从6700到13000 MHz。该型号提供2.0 dB通带插入损耗和27 dB阻带抑制，能够处理高达7W的RF输入功率。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用带有环绕式端子的微小1206陶瓷封装，最大限度地减少了寄生效应引起的性能变化，并在密集的PCB布局中节省了空间。该装置的工作温度范围为-55至+100°C，其坚固的陶瓷结构使其成为恶劣工作环境的理想选择。特征小尺寸（0.12 x 0.06 x.04英寸）温度稳定出色的功率处理能力，7W密封成本低LTCC结构应用次谐波抑制发射器/接收器点对点无线电
浏览次数：
5
2025/7/9 13:56:12
HFCN-880D+是Mini-Circuits的一款陶瓷滤波器，最少7节，最多7节，符合ROHS标准，陶瓷密封，外壳FV1206，4针。参数信息产品:High Pass Filters频率:2.075 GHz带宽:2250 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:HFCN封装:Reel商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特征成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用
浏览次数：
4
2025/7/9 13:52:14
Mini-Circuits的LFCW-133+是一种低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，采用非常小的0603封装设计。多层结构提供了高可重复性的性能。小型环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些单元覆盖直流-13.25 GHz，具有低插入损耗、良好的抑制和出色的功率处理能力。特征•良好的功率处理能力，12.6W•小尺寸0603（1.6 x 0.8毫米）•7个部分•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•实验室使用
浏览次数：
1
2025/7/9 13:47:43
TCM4-452X+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片。参数信息频率范围:20 MHz to 4.5 GHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C通道数量:Single长度:4.06 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm系列:TCM4商标:Mini-Circuits最大直流电流:30 mA功率额定值:400 mW单位重量:30.178 g特征•宽带20至4500 MHz•平衡传输线•良好的回波损耗•可水洗应用•个人电脑•宽带推挽放大器•蜂窝
浏览次数：
8
2025/7/9 13:42:11
TDK全球首发SmartAutomotive™ IAM-20680HV六轴MEMS惯性测量单元，以125℃极端温度耐受（性能保证至105℃）及±125dps高分辨率陀螺仪，攻克经济型汽车座舱电子散热困局。3×3×0.75mm超薄封装兼容全系LGA传感器，为GNSS定位、HUD防抖等非安全应用树立性价比新标杆。技术痛点与创新方案座舱电子困局：●域控制器周边温度常超105℃，传统AEC-Q100 2级IMU输出漂移＞30%●低成本车型GNSS模块受金属顶棚遮挡，需IMU补偿定位漂移●手势控制车门对陀螺仪噪声敏感，常规方案＞100mdps/√HzTDK破局技术：▶ 热盾架构：晶圆级真空腔+铜微柱散热，125℃下零偏稳定性提升3倍▶ 导航级陀螺：±125dps全量程模式，角分辨率达0.0038dps/LSB▶ 抗电磁干扰：片上3层电磁屏蔽，20V/m辐射场中噪声恶化＜5%▶ 引脚兼容设计：寄存器级兼容前代产品，布板零改动核心作用●高温征服者：125℃环境温度下维持±0.5°姿态精度（竞品＞±2°）●定位守护者：陀螺仪全量程切换补偿GNSS信号丢失，定位误差＜1.5米●成本破局者：较安全级IMU价格低40%，满足经济型车型BOM控制场景化应用解读▌ 金属顶棚GNSS补偿●125℃耐受应对夏日暴晒车顶环境●±125dps模式捕获0.5°方位偏移，补偿信号遮挡▌ HUD图像防抖●8mdps/√Hz超低噪抑制路面颠簸抖动●每帧画面姿态校准延时＜2ms▌ 手势控制车门●16位加速度计捕捉0.1g微动信号●中断响应延迟500μs实现"挥手即开"技术支持与供应保障●开发套件：提供热仿真模型（125℃工况热力图）●认证支持：AEC-Q100 Grade 2全报告开放下载●量产进度...
浏览次数：
9
2025/7/9 11:40:12
2025年，三星电子宣布完成第6代1c纳米DRAM开发，通过优化中央配线层结构与引入EUV光刻技术，成功解决长期困扰行业的发热与信号干扰问题。这一进展被视为三星在HBM4竞争中逆转SK海力士的关键一步，其1c nm工艺样品预计下半年交付客户测试，存储器市场技术主导权之争再起波澜。技术突破：中央配线层重构与EUV应用1. 中央配线层设计革新三星重新设计了DRAM内部的核心通道——中央配线层，该结构负责电力与信号传输。通过减少配线面积并优化布局，成功将电力传输效率提升30%，同时将信号干扰降低至行业领先水平，有效解决了10nm级制程下因配线密度过高引发的发热问题。2. EUV光刻技术深度整合1c nm工艺首次在多层超微设计中全面采用EUV光刻设备，结合新型绝缘材料与结构，实现：●漏电流减少40%，静态功耗降低25%；●电路线宽进一步缩小，存储密度提升35%；●工作温度控制在75℃以下，良率稳定性达92%。市场背景：AI驱动存储器制程持续升级随着AI算力需求激增，数据中心对HBM（高带宽存储器）的带宽与容量要求呈指数级增长。HBM4作为下一代产品，需通过更先进的制程（如1c nm）实现：●堆叠层数从12层向16层突破；●带宽提升至6.4Gbps/pin；●能效比优化15%。目前，SK海力士凭借1b nm工艺占据HBM市场主导，但其12层HBM3E产品仍面临三星1c nm工艺的直接挑战。数据亮点：●三星1c nm工艺的良率已从初期75%提升至92%，接近SK海力士1b nm的95%；●SK海力士HBM3E带宽达6.4Gbps，三星HBM4目标带宽8Gbps；●美光1γ nm工艺聚焦成本优化，目标价格比竞品低10%。未来挑战：样品测试与客户端认证三星需在2025年完成三大关卡：1. 客户质量认证：通过NVIDIA、AMD等AI芯片厂商的HBM4兼容性测试；2. 良率持续优化：确保1c...
浏览次数：
4
2025/7/9 11:35:45
美国投资银行Needham最新报告指出，台积电在人工智能（AI）芯片领域的营收将迎来爆发式增长，2027年相关业务收入预计达460亿美元，较2024年的900.8亿美元总营收占比超50%。这一预测凸显台积电在高端芯片制造领域的绝对统治力，尤其在英伟达AI处理器等核心产品的代工业务中，台积电已成为不可替代的合作伙伴。增长轨迹：三年翻倍的营收跃迁数据拆解：●2025年：AI业务营收260亿美元（同比增30%）；●2026年：突破330亿美元（同比增27%）；●2027年：冲刺460亿美元（同比增39%）。驱动因素：●英伟达每年推出新款AI芯片，单GB200超级芯片订单量超500万片；●AMD MI300X、高通骁龙X Elite等AI PC芯片需求激增，台积电5nm/3nm制程产能利用率超95%。垄断地位：为何台积电难以被取代？技术护城河：●制程领先：2nm工艺试产良率已达80%，2026年量产计划不变；●封装技术突破：CoWoS-L封装技术带宽密度提升3倍，支撑英伟达GB200“算力卡”集成；●客户绑定深度：苹果M系列芯片、AMD Zen5架构均依赖台积电独家代工。竞争格局：Needham分析师Charles Shi直言：“未来三年看不到能威胁台积电的竞争对手，三星在2nm制程良率仍不足50%。”财务印证：2024年业绩验证增长逻辑数据亮点：●2024年总营收900.8亿美元（+30%），净利润364.8亿美元（+31.1%）；●毛利率56.1%，较2023年提升2.3个百分点；●资本支出达320亿美元，其中70%投向2nm及先进封装产线。盈利逻辑：高端制程溢价能力凸显，5nm/3nm晶圆单价较传统制程高2-3倍，且客户为确保产能愿意支付溢价。行业影响：台积电如何定义AI计算未来？生态卡位：●英伟达GB200超级芯片采用台积电4nm工艺+CoWoS封装，单卡算力达2000 T...
浏览次数：
3
2025/7/9 11:32:08