全球PC市场在2025年第三季度展现出复苏势头，出货量同比增长8.1%。这一增长主要受两大因素驱动：一是Windows 10系统停止服务，迫使大量用户更换老旧设备；二是AI PC概念的兴起激发了市场早期的换机需求。终端品牌的出货情况也印证了这一趋势。联想该季度出货量同比增长17.4%，为前六大厂商中增幅最高。与此同时，宏碁已率先在IFA 2025展会上展示了搭载英特尔下一代Panther Lake处理器的AI笔记本，预示着新一轮硬件升级周期即将开启。技术核心：Panther Lake处理器，定义AI PC新标准作为英特尔首款采用Intel 18A制程工艺的移动端处理器，Panther Lake被视为巩固英特尔AI PC战略优势的关键产品。其技术突破主要体现在三个方面：性能大幅提升：Panther Lake的整体平台AI算力最高可达180 TOPS。其CPU多线程性能在相同功耗下比上一代提升超过50%，GPU性能也提升50%以上。能效优化：处理器采用包括4个P核、8个E核和4个LPE核的16核异构架构，能精准匹配任务需求，显著优化续航表现。AI能力增强：NPU首次原生支持FP8精度，增强了对大语言模型的适配性。测试显示，运行30B参数模型时，响应时间较上一代设备提速52%。生态演进：从硬件到体验，AI PC走向成熟AI PC的价值正逐渐从硬件参数转向实际用户体验。英特尔与TurinTech的合作就是一个例证，双方将推出完全在设备端运行的AI代码优化平台，使开发者能够在不依赖云连接的情况下，更安全、高效地完成AI应用的开发和优化。另一方面，英特尔客户端计算事业部（CCG）在2025年第三季度营收同比增长5%，成为公司业绩复苏的压舱石。这反映了市场对搭载AI技术处理器的积极接受度。未来展望：换机潮将至，行业前景可期多家机构和分析师对AI PC的未来增长持乐观态度。华硕预计，到20...
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2025/10/29 9:15:35
定义TPS60151 是一款开关电容电压转换器，能够从非稳定输入电压中产出稳定、低噪声、低波纹的 5V 输出电压。在 VIN 大于 5V 时仍然可以维持 5V 稳压。5V 输出可以提供最低 140mA 的电流。TPS60151 具有内置电流限制和输出反向电流保护，是 HDMI、USB OTG 和其他电池供电应用的 理想选择。在典型情况下，当负载电流低于 8mA 时，TPS60151 会在跳跃模式下运行。在跳跃运行模式下，静态电流降到 90µA。只有 3 个外部电容器需要生成输出电压，由此节省了 PCB 空间。在上电和电源瞬态期间，浪涌电流受到软启动功能的限制。TPS60151 在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。该器件采用小尺寸 2mm × 2mm 6 引脚 SON 封装 (QFN)。特征• 输入电压范围：2.7V 至 5.5V• 5V 固定输出电压• 最大输出电流：140mA• 1.5MHz 开关频率• 在无负载情况下具有典型值 90µA 的静态电流（跳跃模式）• 输出反向电流保护• X2 电荷泵• 硬件启用和禁用功能• 内置软启动• 内置欠压锁定保护• 热保护和过流保护• 2mm × 2mm 6 引脚 SON 封装，高度为 0.8mm应用• USB On the Go (OTG)• HDMI• 便携式通信器件• PCMCIA 卡• 手机、智能电话• 手持式仪表
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2025/10/28 10:51:20
定义EMI2121是一款集成共模滤波器，为USB2.0等高速串行数字接口提供ESD保护和EMI滤波。EMI2121为一个差分数据线对提供EMI滤波，为一个数据对加上USB2.0 Vbus或USB ID引脚等电源输入提供ESD保护。它采用符合RoHS标准的小型WDFN8封装。特征•具有ESD保护的高度集成共模滤波器（CMF）为使用高速串行数据线的系统提供保护和EMI降低，与分立解决方案相比，可以节省成本和空间•大差模带宽，截止频率2 GHz•高共模阻带衰减：700 MHz时25 dB，800 MHz时30 dB•提供符合IEC61000−4−2 4级±12 kV接触放电的ESD保护•低通道输入电容提供卓越的阻抗匹配性能•采用WDFN8 2.0 mm长x 2.2 mm宽x 0.75 mm高的低剖面封装，占用空间小，无铅封装•SZ前缀，适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格且具备PPAP能力应用•移动电话、数码相机和汽车接口中的USB2.0和其他高速差分数据线•MIPI D−PHY
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2025/10/28 10:44:33
定义TLE4205G是一款集成功率全桥直流电机驱动器，适用于宽温度范围，例如汽车应用中的要求。该电路包含两个功率比较器，可以组合成全桥电路。对于电感性负载，有集成的续流二极管连接到+VS和地。输出是防短路的，最高可达18V电源电压接地，并在发生超温时关闭。该IC特别适用于汽车前照灯光束调节。特征● 最大驱动器电流1A● 集成续流二极管● 防对地短路● 抑制● ESD保护输入● 温度范围-40°C≤Tj≤150°C● 绿色产品（符合RoHS标准）● AEC合格电路描述该IC包含两个放大器，在500 Hz下的典型开环增益为80 dB。输入级由PNP差分放大器组成。这产生了0V到接近VS的共模输入范围和VS的最大差分输入电压。SOA保护电路保护IC免受接地短路。如果芯片温度超过约160°C，输出晶体管将关闭。IC可以通过抑制输入关闭，这大大降低了电流消耗。
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2025/10/28 10:38:21
定义LM61460 是一款高性能直流/直流同步降压转换器。该器件具有集成式高侧和低侧 MOSFET，能够在 3.0V 至 36V 的宽输入电压范围内提供高达 6A 的输出电流；可耐受 42V 电压，简化了输入涌流保护设计。LM61460 可对压降进行软恢复，因此无需对输出进行过冲。LM61460 专门设计用于降低 EMI。该器件具有可调节 SW 节点上升时间和低 EMI，并采用具有低开关节点振铃和易于使用、优化型引脚排列的 VQFN-HR 封装。开关频率可在 200kHz 至 2.2MHz 范围内设置或同步，从而避开噪声敏感频段。另外，可以选择频率，从而在低工作频率下提高效率，或在高工作频率下缩小解决方案尺寸。自动模式可在轻负载运行时进行频率折返，实现仅 7µA（典型值）的空载电流消耗和高轻负载效率。PWM 和 PFM 模式之间无缝转换，以及极低的 MOSFET 导通电阻和外部偏置输入，均确保在整个负载范围内实现卓越的效率。特征• 提供功能安全– 有助于进行功能安全系统设计的文档• 针对超低 EMI 要求进行了优化– HotRod™ 封装和并行输入路径可以尽可能减少开关节点振铃– 可调节 SW 节点上升时间• 专为可靠耐用的应用而设计– 支持 42V 的瞬态电压– ±1% 的总输出稳压精度– VOUT 可在 1V 至 95% 的 VIN 范围内调节– 在 4A 负载下具有 0.4V 压降（典型值）– 保护特性：热关断、输入欠压锁定、逐周期电流限制和断续短路保护• 可在所有负载下进行高效电源转换– 在 13.5VIN、3.3VOUT 下具有 7µA 的无负载电流– 在 1mA、13.5VIN、5VOUT 下 PFM 效率为 83%– 低 MOSFET 导通电阻• RDS_ON_HS = 41mΩ（典型值）• RDS_ON_LS = 21mΩ（典型...
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2025/10/28 10:13:38
频率补偿LT1933 采用电流模式控制来调节输出，这大大简化了环路补偿。特别地，LT1933 的稳定并不依赖输出电容的等效串联电阻（ESR），因此可以使用陶瓷电容，以实现低输出纹波和小尺寸电路。图 7 给出了 LT1933 控制环路的等效电路。误差放大器为一只具有有限输出阻抗的跨导放大器。功率级（含调制器、功率开关和电感）被建模为另一只跨导放大器，其输出电流与 Vc 节点电压成正比。注意：输出电容对该电流进行积分，而 Vc 节点上的电容 Cc 又对误差放大器输出电流进行积分，于是在环路中形成两个极点；电阻 Rc 引入一个零点。在采用推荐输出电容的情况下，环路 crossover（穿越频率）高于 RcCc 零点，上述简单模型即可良好适用，只要电感值不是过高，且 crossover 远低于开关频率。若使用更大容量的陶瓷电容（ESR 极低），crossover 可能降低，此时在反馈分压器两端并联一只相位超前电容 CpL，可改善相位裕量与瞬态响应。对于大容量电解电容，其 ESR 可能足够高而额外引入一个零点，此时相位超前电容或许就不再必要。若实际输出电容与推荐值不同，应在所有工况（负载电流、输入电压、温度）下重新检验稳定性。
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2025/10/28 10:07:41
定义LT1933 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 0.75A 电源开关，采用纤巧型 6 引脚 SOT-23 封装。3.6V 至 36V 的宽输入范围使得 LT1933 适合于对来自各种电源 (包括未调整的墙上适配器、24V 工业电源和汽车电池) 的功率进行调节。其高工作频率允许使用纤巧型、低成本的电感器和陶瓷电容器，因而产生了低且可预知的输出纹波。 逐周期电流限制提供了针对短路输出的保护，而软起动功能则消除了启动期间的输入浪涌电流。低电流 (特征宽输入范围：3.6V至36V从16V到36V输入，600mA时为5V从12V到36V输入，600mA时为3.3V从6.3V到36V输入，500mA时为5V3.3V，500mA，4.5V至36V输入固定频率500kHz运行使用微型电容器和电感器软启动内部补偿低关断电流：输出可调至1.25V薄型（1mm）SOT-23（ThinSOT™）和（2mm×3mm×0.75mm）6引脚DFN封装应用汽车电池法规工业控制用品壁式变压器调节分布式供应监管电池供电设备
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2025/10/28 9:58:50
定义HVLED815PF设备是一种高压主开关，旨在通过最少的外部部件直接从整流电源运行，并实现高功率因数（0.90），为LED驱动提供高效、紧凑、经济高效的解决方案。它在同一封装中结合了高性能低压PWM控制器芯片和800V雪崩坚固型功率MOSFET。由于专利的初级传感调节（PSR）技术，不需要光耦合器。该装置可确保防止LED串故障（开路或短路）。特征•高功率因数能力（0.9）•800V，抗雪崩内部6Ω功率MOSFET•内部高压启动•初级传感调节（PSR）•恒定LED输出电流的精度为±3%•准谐振（QR）操作•不需要光耦•开放式或短LED串管理•自动自供电应用•功率因数高达15W的AC-DC LED驱动灯泡更换灯•高达15W的AC-DC LED驱动器
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2025/10/28 9:55:19
AD9522 的 EEPROM 缓冲段是一段寄存器空间，用来指定在 EEPROM 编程时哪些寄存器组会被保存。一般情况下用户无需手动修改，其上电默认值已允许把 AD9522 从寄存器 0x000 到 0x231 的全部内容一次性写入 EEPROM。如果用户只想从 EEPROM 加载输出驱动设置，而不想破坏芯片内现有的 PLL 配置，可把缓冲段改成仅包含输出驱动相关寄存器，排除 PLL 相关寄存器。缓冲段由两部分组成：寄存器区定义组（register section definition groups）操作码（operational codes）每个“寄存器区定义组”给出一段连续寄存器的起始地址和字节长度。若寄存器映射从 0x000 到 0x232 完全连续，只需一组“起始 0x000，长度 563 字节”即可；但 AD9522 寄存器映射不连续，且 EEPROM 只有 512 字节，因此需要通过多组定义把寄存器映射分段描述。操作码共三种：IO_UPDATE数据结束（end-of-data）伪数据结束（pseudo-end-of-data）规则：缓冲段最后必须是“数据结束”或“伪数据结束”；在“数据结束”之前至少出现一次 IO_UPDATE。寄存器区定义组格式（3 字节）字节 0：本组连续寄存器字节数 – 1 0x00 表示 1 字节，0x01 表示 2 字节……最大 128 字节（0x7F）。字节 1：本组起始寄存器地址低 8 位字节 2：本组起始寄存器地址高 8 位IO_UPDATE（操作码 0x80）EEPROM 控制器遇到 0x80 时，会在下载过程中产生一次 IO_UPDATE，把缓冲寄存器组的内容搬进活跃寄存器组。必须在最后一个寄存器区定义组之后至少放一条 IO_UPDATE，否则 EEPROM 读出的值不会生效。数据结束（操作码 0xFF）出现 0xFF 时，...
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2025/10/28 9:46:52
片内 VCOAD9522 内置一只片内 VCO，其频率覆盖范围见表 2。校准程序可确保 VCO 的工作电压针对所需频率居中。在首次配置 VCO 环路，以及每次更改标称 VCO 频率时，都必须执行一次 VCO 校准；但一旦完成校准，VCO 便具备足够的调节范围，可在温度和电压极端条件下保持锁定，无需再次校准。为覆盖 VCO 的宽调谐范围，器件内部划分了多个调谐区段。校准过程会自动选择对应所需频率的区段。片内 VCO 由一只片内低压差（LDO）线性稳压器供电。该 LDO 可在一定程度上隔离 VCO，使其不受电源电压波动影响。BYPASS 引脚需通过一只 220 nF 电容接地，以保证 LDO 稳定工作。此 LDO 采用与 ADI anyCAP® 系列稳压器相同的技术，对电容类型不敏感。不允许利用 BYPASS 引脚向外供电。若使用外部 VCO/VCXO，请将 BYPASS 和 LF 引脚悬空，配置见图 41。数字锁定检测（DLD）通过在各引脚的多路复用器中选择正确输出，即可在 LD、STATUS 和 REFMON 引脚获得 DLD 功能。数字锁定检测电路的工作原理：当 PFD 输入上升沿之间的时间差小于设定值（锁定门限）时，指示“锁定”；当该时间差大于另一设定值（失锁门限）时，指示“失锁”。失锁门限宽于锁定门限，从而允许在锁定窗口外存在一定相位误差，而不会使锁定指示产生抖动。锁定检测窗口的时长取决于 CPRSET 电阻值，以及三个寄存器位：数字锁定检测窗口位（寄存器 0x018[4]）反回差脉冲宽度位（寄存器 0x017[1:0]，见表 2）锁定检测计数器（寄存器 0x018[6:5]）表 2 中的锁定/失锁数值基于 CPRSET = 5.11 kΩ；若将 CPRSET 加倍至 10 kΩ，则表中数值亦相应加倍。只有当连续若干个 PFD 周期的时间差均小于锁定门限时，...
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2025/10/28 9:38:30
亚德诺时钟发生器的常见术语解析相位抖动与相位噪声理想的正弦波可以看作相位随时间从 0° 到 360° 连续且均匀地变化。然而，实际信号在相位进展上会表现出一定程度的偏离，这种现象称为相位抖动。尽管相位抖动可能由多种原因引起，但其中一个主要原因是随机噪声，其统计特性服从高斯（正态）分布。这种相位抖动会导致正弦波的能量在频域中扩散，形成连续的功率谱。该功率谱通常以一系列数值表示，其单位为“给定频偏处相对于载波的 dBc/Hz”。该值是 1 Hz 带宽内功率与载波频率处功率之比，并以分贝表示。每次测量时，也会给出相对于载波频率的偏移量。将某一频偏区间（例如 10 kHz 到 10 MHz）内的总功率进行积分是有意义的，这称为该频偏区间内的“积分相位噪声”，并可方便地换算成该频偏区间内由相位噪声引起的时间抖动。相位噪声会对 ADC、DAC 和射频混频器的性能产生不利影响，降低它们可达到的动态范围，尽管影响方式略有不同。时间抖动相位噪声是频域现象；在时域中，同一效应表现为时间抖动。观察正弦波时，各次过零时刻会出现变化；对方波而言，时间抖动表现为边沿偏离其理想（规则）出现时刻。这两种情况中，实际时刻与理想时刻的偏差即为时间抖动。由于这些偏差具有随机性，时间抖动以秒为单位，用均方根（rms）值或高斯分布的 1 σ 表示。DAC 或 ADC 采样时钟上的时间抖动会降低转换器的信噪比（SNR）和动态范围。采样时钟的抖动越低，转换器能达到的性能越高。附加相位噪声附加相位噪声是指可归因于被测器件或子系统的相位噪声量，此时需扣除任何外部振荡器或时钟源的相位噪声。这样便可预测该器件在与各种振荡器和时钟源配合使用时，对系统总相位噪声的影响程度；而每个振荡器或时钟源都会贡献自身的相位噪声。在很多情况下，某一单元的相位噪声会主导系统总相位噪声。当存在多个相位噪声源时，总相位噪声为各贡献...
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2025/10/28 9:34:20
英飞凌科技股份公司，近日宣布进一步扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合，新增了顶部散热（TSC）的TOLT封装以及TO-247-3和TO-247-4封装选项。同时，英飞凌还推出了三款采用TOLL封装的新产品，其额定电压分别为440V（连续）和455V（瞬态）。这一系列新产品的推出，旨在为高功率和计算密集型应用提供更优的热性能、系统效率和功率密度。新一代CoolSiC™ MOSFET专为应对日益增长的高性能计算和高效能源转换需求而设计，应用范围广泛，包括AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、D类音频放大器、电机驱动以及固态断路器等关键领域。这些应用对半导体器件的可靠性和性能提出了更高要求，而CoolSiC™ MOSFET凭借其卓越的技术特性，能够充分满足这些需求。技术优势：更低的损耗与更高的效率与传统的250V和300V电压等级的硅（Si）技术相比，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在120°C工作温度下的导通损耗可降低多达50%。这一显著提升得益于其导通电阻R(DS(on))随结温（Tj）变化的平稳表现，确保了器件在高温度环境下的稳定运行。此外，新一代CoolSiC™ MOSFET在开关性能方面也实现了重大突破，其反向恢复电荷相比传统技术减少了至少五倍。这不仅降低了开关损耗，还进一步提升了系统的整体效率。在系统层面，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET应用于三电平飞跨电容连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）电路时，相较于传统的交错式两电平CCM图腾柱PFC电路，峰值电源效率可提升最高0.4%，相当于在峰值效率下系统损耗减少了约15%。封装创新：增强散热与功率密度此次产品组合的扩展重点突出了封装技术的创新。顶部散热（TSC）封装的引入，使得器件在高功率应用中能够更有效地管理热...
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2025/10/28 9:14:46
据知名数码博主@数码闲聊站 爆料，小米17 Ultra此次并未沿用前代背屏设计，而是采用了圆形镜头模组。影像系统方面，主摄搭载5000万像素传感器，CMOS尺寸有望继续保持1英寸大底规格。同时，新机还将搭载ISZ变焦技术，实现与潜望式镜头之间的焦段无缝衔接。长焦端则升级为一颗2亿像素的全新潜望结构，结合徕卡增距镜技术，或将构建从广角到长焦的全链路无损光学变焦体系，进一步突破移动影像边界。性能方面，小米17 Ultra将搭载高通第五代骁龙8至尊版移动平台，该芯片基于台积电3nm制程工艺打造，在AI算力和能效表现上均有显著提升。（图源：小米）屏幕方面，新机配备一块6.85英寸LTPO OLED显示屏，支持2K分辨率，并采用四边等宽的超窄边框直屏设计，屏占比进一步提升。小雷认为，直屏方案的回归也顺应了当前市场趋势，兼顾视觉体验与操作实用性。续航方面同样迎来重要升级，小米17 Ultra或将内置6800mAh大容量电池，并同时支持有线快充与无线充电。这一组合有望让整机续航能力实现显著突破。外观设计上，其后盖预计采用玻璃纤维材质，在轻盈与坚固之间取得平衡。除经典黑白配色外，还将同步推出深度复刻相机造型的特殊版本，满足摄影爱好者对专业质感的追求。其他配置方面，小米17 Ultra首次搭载天通一号卫星通话与北斗短报文双模通信系统，双卫星通讯的加持确保用户在无地面网络覆盖的极端环境下仍能保持通信连接。值得注意的是，新机进一步升级了UWB超宽带技术，手机与小米汽车、智能家居等生态设备的互联响应速度将显著提升，实现更无缝的智能交互体验。售价方面，预计小米17 Ultra起售价为6999元。若当前爆料信息属实，该机型有望成为年末安卓阵营中唯一的“超大杯”旗舰标杆。小雷认为，小米17 Ultra在影像系统、核心性能与续航能力上的全方位突破，使其作为年度压轴旗舰的市场表现备受业界与消费者期待。（图源...
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2025/10/28 9:12:29
电子组件供应商Abracon近期推出了其高性能全天候鞭状天线系列，该系列产品专为在极端环境下保持稳定可靠的通信连接而设计。这些天线采用防风雨外壳，提供了从IP65至IP67的防护等级，确保在户外、工业及偏远地区的恶劣条件下，依然能够维持持久的射频性能。其宽频段覆盖与高增益特性，使其成为物联网、工业自动化和智能城市等应用的理想选择。基本特性●广泛的频段覆盖与高性能：该系列天线支持Sub-GHz（863-928 MHz）、蓝牙及Wi-Fi（2400–2500 MHz, 5150–7125 MHz） 等多种无线通信协议。其峰值增益高达5.3 dBi，最大效率可达92%，针对高增益和远距离通信进行了优化。●坚固的物理结构与灵活的安装：天线提供IP65至IP67等级的防风雨保护，能够抵御灰尘、水汽和紫外线暴露。产品提供多种设计，包括旋转偶极、直立单极和直角单极，并配备坚固的RP-SMA/SMA连接器，以适应不同系统的安装需求。●全向辐射与紧凑设计：天线采用全向性辐射模式，确保在水平面的均匀覆盖。其紧凑、轻量化的构造有助于减小设备整体尺寸与重量，同时坚固的设计保证了在严苛环境下的耐久性。技术难点及应对方案●难点一：严苛环境对设备可靠性的挑战行业挑战：户外、工业及偏远地区的设备长期暴露于灰尘、水汽、极端温度和物理震动等恶劣条件下，对天线的耐久性和信号稳定性构成严重威胁。应对方案：Abracon天线采用防风雨外壳与IP65至IP67防护等级结构，确保了在极端环境下的物理保护。其坚固的构造和可靠的连接器选项进一步增强了在恶劣工况下的长期运行能力。●难点二：多样化物联应用对天线性能的不同需求行业挑战：不同的物联网应用（如智能仪表、工业网关、智慧农业）对通信频段、信号覆盖范围和安装方式有着各异的需求，通用型天线难以在所有场景下达到最优。应对方案：此系列天线通过宽频段覆盖（从Sub-GHz到5GH...
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2025/10/28 9:07:26
根据SEMI最新统计，2024年全球半导体销售额预计将达到6305亿美元，同比增长19.7%，呈现显著反弹。冯莉预测，2025年全球市场规模有望突破7000亿美元，增幅达11.2%。若保持这一增速，到2030年，全球半导体市场规模将站上1万亿美元的历史高位。报告指出，增长主要由两大引擎驱动：AI基础设施与汽车半导体。随着人工智能在各行业的深度融合，算力需求激增，带动高端芯片与服务器市场快速增长；同时，汽车电动化、智能化转型持续推进，车用芯片需求持续旺盛，成为半导体市场的重要支撑。中国产业：产能扩张与政策加持并举在中国市场方面，冯莉透露，2024年中国集成电路（IC）产业销售额预计达1.4万亿元人民币，同比增长14%。与此同时，中国晶圆制造产能持续提升，特别是在成熟制程领域。据预测，到2028年，中国在22nm至40nm主流工艺节点上的产能将占全球总产能的42%，显示出中国在成熟制程方面的集中发力。政策层面，冯莉特别强调了大基金三期（规模3440亿元人民币）的加码布局。该基金将重点投向设备、材料等半导体产业链的关键薄弱环节，旨在提升自主可控能力，完善本土供应链生态。全球竞速：产业政策成关键变量冯莉还指出，在全球范围内，多国纷纷推出半导体产业扶持政策，以强化本土供应链韧性。她表示，SEMI致力于搭建开放协同的国际化平台，促进全球产业链合作，共同应对技术挑战与市场波动。有分析认为，随着地缘政治因素与科技竞争加剧，半导体已成为各国战略布局的核心领域。中国在产能规模与政策支持下有望进一步提升话语权，但在高端设备、EDA工具等环节仍需加强协同创新。整体来看，半导体产业已步入新一轮成长周期。在AI、智能汽车等新兴应用的拉动下，全球市场万亿美元规模可期。而中国作为重要增长极，在产能、资本与政策的共振中，或将重塑全球半导体竞争格局。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权...
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2025/10/28 9:04:40
定义MADR-009190-000100是一款四通道驱动器，用于将TTL控制输入转换为GaAs FET微波开关和衰减器的栅极控制电压。高速模拟CMOS技术用于在中高速下实现低功耗，包括大多数微波开关应用。输出高电平可选为0至+2.0V（相对于GND），以优化FET控制器件在低频下的互调产物。对于驱动PIN二极管电路，输出标称在+5V和-5V之间切换。由于输出设备的电阻，当驱动大电流时，实际的驱动器输出电压会较低。特征•高压CMOS技术•四通道•正电压控制•使用TTL输入电平的CMOS器件•低功耗•低成本无铅SOIC-16塑料包装•无卤素“绿色”模塑料•符合RoHS标准
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2025/10/27 10:42:18
定义德州仪器TPS552892 同步降压/升压转换器经优化，可将电池电压或适配器电压转换为电源轨。TPS552892 集成了四个 MOSFET 开关，可为各种应用提供紧凑型解决方案。TPS552892 的输入电压高达 36V。在升压模式下，输入电压为 12V 时，TPS552892 可提供 60W 的输出功率。它能够通过 9V 输入电压提供 45W 的功率。TPS552892 采用平均电流模式控制方案。开关频率可通过外部电阻在 200 kHz 至 2.2 MHz 之间进行编程，并且可与外部时钟同步。TPS552892 还提供展频选项，从而更大限度地减少峰值 EMI。TPS552892 提供输出过压保护、平均电感器电流限制、逐周期峰值电流限制和输出短路保护。TPS552892 还通过可选输出电流限制和断续模式保护，在持续过载情况下确保安全运行。TPS552892 可在高开关频率下使用小型电感器和小型电容器。TPS552892 采用 3.0mm x 5.0mm QFN 封装。特征• 宽输入和输出电压范围– 宽输入电压范围：3.0V 至 36V– 可编程输出电压范围：0.8V 至 22V– ±1% 基准电压精度– 电缆上压降的可调输出电压补偿– ±5% 精密输出电流监测• 在整个负载范围内具有高效率– VIN = 12V、VOUT = 20V 且 IOUT = 3A 时效率为96%– 轻负载状态下的可编程 PFM 和 FPWM 模式• 避免频率干扰和串扰– 可选的时钟同步– 可编程开关频率范围为 200 kHz 至 2.2 MHz• 降低 EMI– 可选可编程扩展频谱– 无引线封装• 丰富的保护特性– 输出过压保护– 利用断续模式实现输出短路保护– 热关断保护– 8A 平均电感器电流限制• 小解决方案尺寸– 开关频率高达 2.2 MHz（最大值）– 3.0mm...
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2025/10/27 10:33:27
AD9755功能结构描述AD9755 由一个 PMOS 电流源阵列组成，能够提供高达 20 mA 的满量程输出电流（IOUTFS）。该阵列分为 31 个相等的电流源，构成最高的 5 位（MSB）。接下来的 4 位（中间位）由 15 个相等的电流源组成，每个电流源的值为 MSB 电流源的 1/16。剩余的最低位（LSB）则是中间位电流源的二进制加权分数。中间位和低位采用电流源而非传统的 R-2R 电阻网络实现，有助于提升多音或低幅度信号的动态性能，并保持 DAC 的高输出阻抗（即 100 kΩ）。所有电流源通过 PMOS 差分电流开关切换至两个输出端之一（即 IOUTA 或 IOUTB）。这些开关基于一种新型架构，显著改善了失真性能。该架构减少了各种时序误差，并为差分电流开关的输入提供了匹配的互补驱动信号。AD9755 的模拟和数字部分拥有独立的电源输入（即 AVDD 和 DVDD），可在 3.0 V 至 3.6 V 范围内独立工作。数字部分可在高达 300 MSPS 的时钟速率下工作，由边沿触发的锁存器和段解码逻辑电路组成。模拟部分包括 PMOS 电流源、相关的差分开关、一个 1.20 V 的带隙电压基准以及一个基准控制放大器。满量程输出电流由基准控制放大器调节，可通过外部电阻 RSET 设置在 2 mA 至 20 mA 之间。该外部电阻与基准控制放大器和基准电压 VREFIO 共同设定基准电流 IREF，该电流以适当的比例复制到分段电流源中。满量程电流 IOUTFS 是 IREF 的 32 倍。参考电压操作AD9755 内置一个 1.20 V 的带隙基准电压源，该基准可以很容易被外部参考电压覆盖，而不会影响性能。REFIO 引脚根据使用的是内部还是外部基准，既可作为输入也可作为输出。若要使用内部基准，只需在 REFIO 引脚与 ACOM 之间接一个 0.1 μF 的去耦电...
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2025/10/27 10:26:49