GALI-5F+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为8000年。GALI-5F+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至4 GHz•输出功率，典型值15.7 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/4/28 13:56:40
MNA-5W+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω 并且采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。特性集成匹配、直流块和偏置电路高指向性，典型值为17-23dB。出色的主动指向性工作电压超过2.8-5V电源电压选择，+2.8V至+5V微型尺寸.120“X.120”射频输入和输出端的内部直流阻断低噪声系数，典型值为3.1 dB。2 GHz输出功率，典型值高达+14 dBm。可水洗应用缓冲放大器蜂窝基础设施通信卫星防御
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2025/4/28 13:48:32
针对行业客户对于性能、体积和成本等多项实际应用的性能需求，金升阳特推出了经济型金属导轨电源产品LI(F)75-240W-R2S系列，目前75W、120W、150W、240W均已上市。 该系列具有90-264VAC全球通用输入电压范围，产品尺寸小，满足对空间要求苛刻的场景，结构紧凑且功耗低，同时还拥有出色的EMC特性，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势1）宽输入输出电压① 全球通用输入电压范围：90 - 264VAC/127 - 370VDC (240W:85-264VAC/120-370VDC)，可交直流两用。2) 经济型定位① 采用自动化制造工艺，品质卓越的同时更具价格竞争力，售价较市场主流产品价格降低10%~15%左右。3）超薄设计，方便安装布局① 体积小，使得客户掌握极大的提高空间利用率（如LIF240-10BxxR2S系列尺寸仅有54*124*110mm，与市场同等功率产品相比，厚度减少30%以上）。4）安全可靠① 产品满足多环境应用性能，可靠性高，可保证产品3年质保。② 保护齐全，输出短路、过流、过压、过温保护，恒流保护功能。③ EMC性能良好，EMI CLASS B(120/150W:CLASS A)、浪涌共模±4kV、静电接触±6kV/空气±8kV等。④ 隔离耐压4000VAC(240W:3000VAC)，为高耐压需求用户提供保障。二、 产品应用 广泛应用于工控、LED、路灯控制、电力、安防、通讯等对空间要求比较苛刻的场景，为其提供高稳定度、高抗干扰、高电气性能的电源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/28 13:23:37
作为航空航天与防务领域的技术领导者，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出防务级BR235/BR235D系列25A气密封装功率继电器。该产品通过MIL-PRF-83536军用标准及ISO-9001双重认证，专为商用航空、防务及航天应用中的关键电力控制系统设计，提供稳定的供应链保障与全球技术支持网络，确保极端环境下十年以上的可靠运行。此系列继电器采用3PDT（三刀双掷）结构，额定电流达25安培，提供多样化配置选项：包含抑制与非抑制线圈版本，支持6-48VDC及115VAC线圈电压；配备不同方向的安装片或无安装片结构，直插式或J型钩端子引脚，以及镀锡或镀金触点处理工艺。BR235 和 BR235D系列树立了高可靠性继电器的标准，在极端环境下具备卓越的性能。经测试验证，可耐受30G振动与200G机械冲击，并在-70°C至125°C温度环境下稳定运行。Microchip负责分立器件产品事业部的企业副总裁Leon Gross表示：“Microchip深知航空航天和防务领域对稳定且供货有保障的高可靠性继电器的迫切需求。我们的BR235和 BR235D继电器专为满足关键任务应用的最高可靠性和性能标准而设计。尽管其他供应商可能会转移重心或缩减支持， Microchip 始终致力于持续提供可靠的解决方案，助力客户应对各类独特挑战。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/28 13:17:12
当全球电子产业链的“去风险化”浪潮撞上现实成本壁垒，苹果的“印度制造”野心正面临一场关键压力测试。据供应链人士透露，苹果计划在2025年底前将印度iPhone产能提升10%，目标年产突破5000万部，并试图将销往美国市场的主力机型生产重心从中国转向印度。这一激进扩张背后，既是应对美国关税宽限期倒计时的应激反应，更是全球供应链博弈下的长期战略押注。产能冲刺与隐形瓶颈：印度工厂逼近负荷极限目前印度每年承接3000万至4000万部iPhone组装订单，占苹果全球产能约20%。为实现年底增产目标，苹果正通过设备采购支持、技术转移等方式协助鸿海、塔塔集团等合作伙伴扩产。然而，知情人士指出，印度现有工厂设备利用率已接近95%，短期内再扩产数百万部需克服工人培训周期延长、本地化零部件供应不足等难题。若目标达成，印度将贡献苹果全球iPhone产量的25%，但中国仍以80%的份额掌握绝对话语权。关税窗口期博弈：MacBook、iPad加速“越南制造”为规避美国潜在关税风险，苹果同步启动“双线作战”——除印度iPhone扩产外，要求供应商将美国市场销售的MacBook、iPad产能向越南转移，印刷电路板（PCB）等关键部件生产则向泰国分流。数据显示，2024年越南电子制造产能利用率同比提升22%，但消费电子精密结构件仍高度依赖中国供应链。一名零部件供应商坦言：“金属外壳、连接器在中国生产可节省30%成本，转移订单等于自损利润率。”成本与地缘的平衡术：供应链重构卡在“最后一公里”苹果的供应链迁徙计划遭遇经济学铁律的阻击。尽管要求供应商将更多零部件从中国运往东南亚，但机械部件、金属加工等环节因印度、越南本土产业链成熟度不足，短期内难以实现规模化替代。以iPhone 16为例，其采用的新型钛合金中框需在中国完成精密加工后运至印度组装，跨境物流成本较全链条中国生产增加18%。这种“半迁徙”模式虽降低关...
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2025/4/28 13:14:56
Mini-Circuits品牌的SYPS-3-182-75+是75Ω 3-0˚表面安装分路器/合路器，覆盖5至1800 MHz频率范围，支持DOCSIS®4.0系统和设备以及其他宽带应用的带宽要求。该型号可以作为分路器处理高达1W的RF输入功率，并提供低插入损耗、高隔离度和低相位和幅度不平衡。它采用微型8引脚塑料封装（0.38 x 0.50 x 0.25英寸），带有环绕式端子，具有出色的可焊性和镀金镍板端子表面。特性宽带，5至1800 MHz低插入损耗，2.5 dB良好的回波损耗，典型值为20dB。低振幅不平衡，典型值为0.4 dB。低相位不平衡，典型值为2.0度。应用有线电视DOCSIS®4.0系统
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2025/4/27 14:08:48
TR0329M是一个高线性、超低噪声的2级增益块放大器模块，其内部50欧姆的输入输出与集成到产品第二级的旁路模式功能相匹配。在3.6 GHz下，放大器在高增益模式下通常提供34 dB增益、+35 dBm OIP3和0.5 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取90 mA电流。该组件还在低增益模式下提供高性能，增益为15 dB，噪声系数为0.5 dB，OIP3为+22 dBm，同时消耗50 mA电流。 TR0329M采用紧凑、低成本的四方扁平无引线（QFN）3.5 x 3.5 x 0.75 mm、20针塑料封装。特性● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）@3600 MHz：15 dB（低增益模式）● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）● 5 V典型工作电压● 工作频率：2.0至4.2 GHz应用● 4G/5G基础设施无线电● 小细胞和细胞中继器● 相控阵雷达● SDARS
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2025/4/27 14:00:25
TL0374J是一款宽带超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对针对LTE（小型蜂窝和基础设施）的不同频带以及需要低噪声、高增益和线性的任何其他应用进行调谐。对于3 GHz的频带，可以考虑TL0375J。 TL0374J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2 x 2 x 0.75 mm、8针塑料封装。特性● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm● 5 V典型工作电压● 工作频率：0.03至3.0 GHz应用● 4G/5G基础设施无线电● 小细胞和细胞中继器● 相控阵雷达● 卫星数字音频无线电服务
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2025/4/27 13:54:46
TS63410K是一种反射式开放式单极四掷（SP4T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS63410K适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS63410K具有非常低的1.1Ω 导通电阻和截止电容为0.21pF。此开关最多可以选择16个独立状态。 TS63410K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V● 1.2~5.0V GPIO总线应用● 可调射频滤波器、动态匹配和天线调谐● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施和卫星终端● 生物医学仪器和植入设备充电
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2025/4/27 13:50:26
TS63421K是一种反射式开放式单极四掷（SP4T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS63421K适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS63421K的导通电阻非常低，为1.1Ω，截止电容为0.21pF。此开关最多可以选择16个独立状态。内部电荷泵也已禁用，以消除电荷泵杂散。Vcp引脚上需要一个干净的-18V直流电源来实现超低杂散。TS63421K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● Rds在1.1Ω ● Coff 0.21pF● 100V射频峰值电压处理● 4-BIT 16可能的独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V，Vcp=-18V● 1.2~5.0V GPIO总线● 超低杂散选项需要-18V外部电源应用● 可调射频滤波器、动态匹配和天线调谐● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施和卫星终端● 生物医学仪器和植入设备充电
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2025/4/27 13:45:48
TS64210L是一种反射式开放式单极双掷（SP2T）开关，专为需要高RF峰值电压处理的天线或滤波器调谐应用而设计。TS64210L适用于1MHz至3GHz的频率范围。TS64210L的下限为1.1Ω 导通电阻和截止电容为0.28pF。此开关最多可以选择4个独立状态。 TS64210L采用紧凑的四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性● 低1.1Ω 导通电阻● 0.28pF-Coff● 120V射频峰值电压处理● 每个州都可以独立控制● 4 独立状态配置● 射频线路上没有外部隔直电容器● 多功能2.6~5.5V电源● 1.2~5.0V数字控制应用● 滤波器和天线调谐● 动态匹配● 私人移动无线电手机● 公共安全手机
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2025/4/27 13:42:14
TS7029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS7029N可以覆盖700M至2.7GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS7029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS7029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：0.40dB@800MHz● 高隔离度：50dB@800MHz● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至2.7GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● 宏单元● ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/27 13:38:45
TS7529N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7529N在700M至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7529N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm、32引脚塑料封装。特性低插入损耗（TX路径）：0.65dB@2.7GHz高隔离（RX路径）：2.7GHz时为45dB316W峰值功率处理射频线路上没有外部隔直电容多功能2.6-5.25V电源应用蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/27 13:35:09
TS7329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7329K在500MHz至5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。 TS7329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗（TX/RX）：2600MHz时为0.4/0.6dB●高隔离度（RX路径）：2600MHz时40dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至5GHz应用●4G、5G系统●RX保护●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●雷达
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2025/4/27 13:30:43
TS8729N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8729N可以覆盖500MHz至2.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8729N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性●低TX插入损耗：800MHz时为0.19dB●高隔离度：40dB@800MHz●550W 20%占空比2.0ms脉冲宽度●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至2.0GHz应用● L波段雷达● TBD
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2025/4/27 13:25:25
在全球半导体产业竞逐埃米级制程的硝烟中，台积电再次抛出技术震撼弹。在6月12日举行的2025北美技术研讨会上，这家芯片代工巨头首次披露A14制程量产时间表——计划于2028年投入生产，这标志着其技术路线图已突破传统纳米尺度命名体系，剑指1nm以下物理极限。制程迭代上演“三线作战”根据最新技术蓝图，台积电正在构建覆盖多个技术代际的立体化制程布局：N3P制程：作为3nm家族的第三代成员，已于2024年Q4如期量产，主要服务于需要性能增强但保留3nm IP设计的数据中心与HPC客户。N3X制程：预计2026年登场，承诺在相同功耗下性能较N3P再提升5%，或在同频下功耗降低7%，专攻高性能计算领域极限需求。A16/A14制程：采用全新架构的A16制程锁定2026年底试产，而更具颠覆性的A14制程将在2028年落地，其晶体管密度与能效比将超越当前规划的2nm技术。值得关注的是，台积电首次将“埃米级制程”纳入官方路线图。尽管未透露具体技术细节，但业界推测A14可能采用CFET（互补式场效应晶体管）或2D材料等突破性技术，以应对1nm以下量子隧穿效应带来的物理挑战。3nm家族榨出最后性能红利在制程成本飙升的背景下，台积电正通过技术微创新深挖3nm潜力。N3P制程通过优化器件结构与引入新型高迁移率材料，使逻辑密度较初代N3E提升4%，同时维持设计兼容性。而即将推出的N3X通过后端金属堆叠优化，可将信号传输延迟降低15%，这对追求超高时钟频率的AI加速器芯片至关重要。“我们的3nm技术生命周期将超越行业预期。”台积电研发副总裁柯安迪在研讨会现场表示，“从N3E到N3P再到N3X，每个节点都带来可观的PPA（性能、功耗、面积）提升，这为客户提供了灵活的成本效益选择。”万亿美元野望背后的AI赌局面对半导体市场周期性波动，台积电展现出罕见激进姿态——2025年资本支出维持400亿美元高位，其中80...
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2025/4/27 13:17:34
HFCW-6010+是一款高通滤波器，通带范围为6400 MHz至20000 MHz，支持多种应用。由于战略性地构建了布局，该模型在宽带上提供了良好的插入损耗。该滤波器采用微小的0603陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品: High Pass Filters 频率: 6.4 GHz to 20 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: JC0603C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 系列: HFCW 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Mini-Circuits 介入损耗: 2 dB特性•很好的抑制，典型值为45 dB。•小尺寸0603（0.063英寸X 0.032英寸X 0.024英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•军事应用•电信和宽带无线系统尺寸图
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2025/4/25 13:58:20
TS8728N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8728N可以覆盖500MHz至4.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8728N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm2 32引脚塑料封装。特性•切换时间：0.75s•低TX插入损耗：0.39dB@3550MHz•高隔离度：3550MHz时为38dB•400W 20%占空比2.0ms脉冲宽度•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：500MHz至4.0GHz应用●L波段雷达●S波段雷达
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2025/4/25 13:53:46