BAS316-Q是一款高速开关二极管，封装在小型SOD323（SC-76）表面安装器件（SMD）塑料封装中。特征•高切换速度：trr≤4ns•低电容•低漏电流•反向电压：VR≤100V•重复峰值反向电压：VRRM≤100 V•小型SMD塑料封装•符合AEC-Q101标准，建议用于汽车应用应用•高速切换•通用开关引脚配置兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
浏览次数：
1
2025/10/20 14:08:40
74HC595D是一款采用硅栅极C 2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。它实现了类似于等效LSTTL的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。74HC595D包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为8位存储寄存器供电。换档操作在SCK输入正向转换时完成。输出寄存器在RCK输入的正向转换时加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号是独立的，因此在换档操作期间可以保持并联输出稳定。而且，由于并行输出是3态的，因此可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串行到并行转换、数据接收器等。所有输入都配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。功能说明8位移位寄存器/锁存器（3态）引脚图兆亿微波（北京）科技有限公司是一家专业电子元器件供应商，致力于为广大客户提供高质量、高性能的射频和微波芯片。作为一家专业的射频和微波器件的专业供应商，我们提供了广泛的产品线，包括功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器等。如有产品型号的需求，可直接联系我们。
浏览次数：
4
2025/10/20 14:02:26
PRTR5V0U2X采用小型SOT143B表面安装器件（SMD）塑料封装的超低电容轨对轨静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护两条高速数据线或高频信号线免受ESD和其他瞬态造成的损坏。PRTR5V0U2X集成了两对超低电容轨对轨二极管以及一个额外的ESD保护二极管，即使没有电源电压，也能确保信号线保护。特征和优点•两条高速数据线或高频信号线的ESD保护•超低输入/输出对地电容：C（I/O GND）=1 pF•ESD保护高达8 kV•IEC 61000-4-2，4级（ESD）•由于集成了额外的ESD保护二极管，箝位电压非常低•反向电流极低•小型SMD塑料封装常见应用•USB 2.0端口•数字视频接口（DVI）/高清多媒体接口（HDMI）接口•移动电话和无绳电话•个人数字助理（PDA）•数码相机•广域网（WAN）/局域网（LAN）系统•PC、笔记本电脑、打印机和其他PC外围设备
浏览次数：
4
2025/10/20 13:47:44
Microchip推出的Switchtec™ Gen 6 PCIe®交换芯片，作为业界首款采用3纳米制程的产品，将单通道带宽提升至64 GT/s，并支持最多160条通道。其创新的架构旨在解决AI数据中心在算力激增下面临的带宽瓶颈、信号完整性及功耗控制等核心挑战，为高性能计算、云计算和超大规模数据中心提供高带宽、低延迟和高级安全功能的互连解决方案。技术难点与突破开发PCIe Gen 6交换芯片，尤其是在3nm工艺节点上，主要面临三大技术挑战，Microchip通过一系列创新方案予以解决：●高速信号完整性：PCIe 6.0数据速率高达64 GT/s并采用PAM4信号调制，其信号幅度仅为前代NRZ信号的1/3，更易受噪声干扰，且信道插入损耗预算更为严格（Gen 6为32dB）。Microchip通过采用3nm制程工艺并优化芯片内部布局布线，同时借助PCIe 6.0标准引入的轻量级前向纠错（FEC）系统，有效对抗信号衰减和纠错，保障了数据传输的可靠性。●功耗与散热管理：高速信号处理和复杂功能模块会增加芯片功耗。3nm工艺本身带来了更低的功耗基础。芯片还支持动态资源分配及新的节能状态（如L0p），实现对不同负载的高效电源管理。●系统兼容与互联：为确保与现有生态的兼容并满足复杂组网需求，该芯片支持NTB（非透明桥接） 技术，可实现多个主机域的连接与隔离。同时，它支持组播（Multicast） 功能，优化了AI等场景下的一对多数据分发效率。产品核心优势Switchtec Gen 6系列的核心价值在于其综合性能的提升，具体体现在：●带宽与能效提升：PCIe 6.0带来的带宽翻倍（从Gen 5的32 GT/s至64 GT/s），结合3nm工艺的超高晶体管密度与能效，为AI加速器、CPU、GPU和存储设备提供了极致的数据通道，同时降低了单位数据传输的功耗。●低延迟与高可靠性：通过引入...
浏览次数：
3
2025/10/20 13:31:59
英飞凌科技（Infineon Technologies）近期扩展其XENSIV™ MEMS麦克风产品线，推出两款数字PDM麦克风IM72D128V与IM69D129F。新品基于英飞凌密封双膜片（SDM）技术，实现IP57级防尘防水性能，并兼顾高音质、低功耗与强鲁棒性。其中，IM72D128V信噪比高达71.5 dB(A)，专为低噪声环境下的精准拾音设计；而IM69D129F以3.5×2.65×0.98 mm³超紧凑尺寸，适配空间极受限的便携设备。两者均通过低噪声前置放大器与Sigma-Delta ADC实现数字信号输出，为消费电子、工业监控及车载系统提供可靠的音频解决方案。技术难点与创新解决方案在高端音频设备开发中，MEMS麦克风需应对小尺寸与高性能的平衡、复杂环境耐受性及多设备集成同步三大挑战：●空间与性能的矛盾：设备小型化要求麦克风在有限体积内保持高信噪比。英飞凌通过SDM技术优化振膜结构，在IM72D128V中实现71.5 dB(A)信噪比，同时将尺寸控制在4×3×1.2 mm³；IM69D129F则通过3D堆叠封装进一步压缩体积，兼顾69 dB(A)信噪比。●环境可靠性提升：粉尘、潮湿易导致传统麦克风失效。SDM技术通过密封腔体设计阻断污染物侵入，支持IP57防护（可在1米水深浸泡30分钟），并通过宽温测试（-40°C至+85°C） 保障工业级耐久性。●多麦克风阵列同步：在主动降噪（ANC）等场景中，相位一致性至关重要。新品凭借±1 dB灵敏度容差与11 Hz平坦频率响应，确保多麦克风时延对齐，结合PDM接口简化系统集成。产品核心特性IM72D128V与IM69D129F在电气参数、能效及可靠性上表现突出：●电气性能：IM72D128V：信噪比71.5 dB(A)，功耗430 ...
浏览次数：
2
2025/10/20 13:26:02
思瑞浦（3PEAK）推出的TPW20400QQ是一款专为汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）和智能座舱设计的四通道高边电源开关。该芯片通过AEC-Q100车规认证，集成多种保护功能和诊断机制，以高精度限流（精度±8%）和低待机电流（技术难点与创新解决方案在汽车电源系统中，高边开关需应对三大核心挑战：严苛环境下的稳定性、故障精准诊断以及高集成度与灵活性的平衡。●环境适应性：汽车电子组件常暴露于温度波动（-40°C至+125°C）、电压瞬变和机械振动中。TPW20400QQ通过宽输入电压范围（3V~15V） 和低温漂设计，确保全温范围内待机功耗稳定，并通过热关断机制（阈值150°C）防止过热损坏。●故障管理瓶颈：传统方案难以实时监测多路负载状态。该芯片集成I2C接口与多寄存器诊断系统，可实时读取输出电压、电流及故障状态（如对地/电池短路、过压），并支持锁存或自动重试模式，缩短故障响应时间。●系统灵活性不足：通过可配置电流限制（18mA~672mA/通道） 和通道并联功能，单芯片可驱动不同功率等级的负载，减少外部元件数量，降低物料成本。产品核心特性TPW20400QQ在电气性能、集成度与安全性上表现突出：电气参数：●导通电阻低至400mΩ，压降仅110mV@300mA，减少功率损耗。●支持4通道独立控制，限流精度±8%，优于分立方案。●集成设计：内置保护电路（过流、短路、开路检测）及I2C接口，仅需1颗外部电阻（RISET）即可构建完整电源保护系统，简化PCB布局。●安全合规：符合AEC-Q100 Grade 1标准，支持ASIL-B功能安全等级，通过故障诊断与温度预警提升系统鲁棒性。实际应用场景TPW20400QQ广泛适用于以下汽车电子场景：●ADAS摄像头供电：为环视、前视摄像头提供稳定电源，通过实时诊断预防因短路导致的系统宕机。...
浏览次数：
3
2025/10/20 13:22:12
英飞凌科技推出的CoolGaN™功率晶体管，成功应用于环隆科技新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器，通过氮化镓（GaN）技术实现了95%的转换效率与39%的功率密度提升。这款适配器支持200 kHz以上的高频运行，在紧凑设计中兼顾高热性能，为电信、工业电子及AI数据中心等高需求场景提供了高效节能的电源解决方案。技术难点与创新解决方案在开发高功率PoE适配器时，传统硅基器件因开关损耗高、热管理复杂及体积限制难以突破效率与密度瓶颈。CoolGaN™技术通过以下创新应对挑战：●高频开关优化：利用GaN的电子迁移率优势，将开关频率提升至200 kHz以上，降低50%的输出电容（Eoss）能量存储，减少开关损耗。●散热结构增强：采用创新有源区结合（BOA）技术，优化芯片散热路径，确保在高功率密度下保持低温升，支持-55°C至+155°C宽温工作。●集成化设计：通过系统体积缩小，提升机架空间利用率，并优化空气流通，减少废热产生，降低运营成本与碳足迹。产品核心特性CoolGaN™晶体管在环隆科技250 W适配器中展现出多项卓越特性：●高效能与功率密度：转换效率达95%，功率密度提升39%，适用于空间受限的AI数据中心与电信设备。●高频与热性能：支持200 kHz以上高频运行，结合低热阻封装，显著提升热稳定性。●宽电压范围：覆盖60V至700V电压，提供多种封装形式，适配工业、消费电子等多场景需求。●可靠性保障：通过降低动态RDS(on)漂移（改善20%）和脉冲电流能力提升（30%），确保长期运行稳定性。实际应用场景CoolGaN™技术广泛应用于以下高需求场景：●电信与AI数据中心：在环隆科技250 W PoE适配器中，为网络设备提供高效供电，提升机架空间利用率与散热效能，支持全球虚拟网络市场增长（预计2030年达2000亿美元）。●工业与汽车电子：适用于48V...
浏览次数：
1
2025/10/20 13:18:50
Mini-Circuits的ZSW2-272VHDR+是50Ω 高功率SPDT RF开关覆盖从30到2700MHz的宽频率范围、低插入损耗和非常高的线性。ZSW2-272VHDR+在+2.3V至+3.6V的单电源电压下工作，采用单引脚控制。ZSW2-272VHDR+采用坚固的封装，既有带散热器（2.025英寸x 1.63英寸x 1.89英寸）的，也有不带散热器（2.0英寸x 1.5英寸x 0.6英寸）的。特征•高功率20W•低损耗，0.35至1 GHz•高线性，IP3+85dBm@850兆赫应用•实验室•仪器仪表•自动测试设备（ATE）•基站•防御
浏览次数：
9
2025/10/17 14:25:07
MAV-11SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个塑料模制的包装中。MAV-11SM+采用达林顿配置，并采用硅技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为500年。特征•宽带，0.05至1GHz•高输出功率，典型值高达+17.5 dBm。•低噪音，典型值为3.6 dB。•可水洗应用•UHF电视•蜂窝•国防通信•UHF/VHF接收器/发射器
浏览次数：
3
2025/10/17 14:21:48
DAT-15R5A+系列50Ω 数字步进衰减器以0.5dB的步长提供0至15.5dB的可调衰减。该控制器是一个5位串行接口，衰减器在双（正和负）电源电压下工作。DAT-15R5A-SN+是在硅上使用CMOS工艺生产的，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•快速开关控制频率，典型值高达1 MHz。•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
浏览次数：
6
2025/10/17 14:13:11
DAT-15R5A-PN+是一款50W射频数字步进衰减器，衰减范围为15.5 dB，步长为0.5 dB。该控制器是一个5位并行接口，在双电源电压（正负）下运行。DAT-15R5A-PN+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•并行控制接口•快速开关控制频率，典型值高达1 MHz。•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
浏览次数：
6
2025/10/17 14:10:48
TAMP-362GLN+（符合RoHS标准）采用E-PHEMT技术，采用两级低噪声放大器设计，内置于屏蔽外壳中（尺寸：.591“x.394”x.118“）。插入式模块提供超低噪声系数和高输出IP3，在整个频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。特征•超低噪声系数，典型值为0.9 dB。•输出功率，典型值高达+16 dBm。•输出IP3良好，典型值为29 dBm。•电压驻波比良好，典型值为1.3:1。•无条件稳定应用•全球微波接入互操作•防御系统雷达•基站收发器、塔式放大器、中继器•通用低噪声放大器
浏览次数：
3
2025/10/17 14:05:00
Bourns近期推出的SDE0403AT系列车规级SMD功率电感，是一款面向严苛汽车电子环境的高可靠性组件。该产品采用独特的鼓型铁氧体结构与薄型封装设计，可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作，并提供高达4.8 A的饱和电流能力。其紧凑外形与高电流密度特性，显著优化了汽车电源系统的效率与布局灵活性。一、技术难点及应对方案在汽车电源设计中，电感元件常需在有限空间内应对高电流负载、极端温度变化与复杂电磁环境的多重挑战。为应对这些挑战，SDE0403AT系列采用了以下关键技术：●鼓型铁氧体磁芯结构：优化磁路设计，在紧凑封装内实现更高的磁通密度和抗饱和能力。●高温材料体系：选用特殊铁氧体与封装材料，确保组件在150°C高温下仍保持电气性能稳定。●低损耗设计：通过降低磁芯与绕组损耗，减少自身发热，有助于在复杂汽车系统中维持热稳定性。二、产品特性●宽温工作能力：工作温度范围-55°C 至 +150°C，适应汽车电子舱内高温环境。●高饱和电流：饱和电流高达4.8 A，能在不饱和的情况下承受高电流。●紧凑薄型封装：高电流密度与薄型设计，为高密度PCB布局提供理想选择。●严格合规认证：符合AEC-Q200车规标准，满足汽车行业对可靠性的严苛要求。●环保合规：产品符合RoHS标准且为无卤产品，满足环保要求。实际应用场景●汽车噪声滤波器：用于滤除车载电源系统中的高频噪声，为敏感电子控制单元（ECU）提供纯净电源。●直流电源线路：在车辆直流配电系统中起到储能与平滑电流的作用，提升电源质量。●汽车电子系统：其高可靠性与耐高温特性，使其适用于发动机舱、变速箱控制单元等高温区域的电子模块。Bourns SDE0403AT系列SMD功率电感凭借其车规级可靠性、4.8A高饱和电流及紧凑薄型设计，为汽车电源工程师提供了应对高温、高密度布局挑战的优质解...
浏览次数：
7
2025/10/17 13:44:36
圣邦微电子（SGMICRO）近期推出了SGMNQ12340，这是一款40V耐压的N沟道MOSFET，采用紧凑的TDFN-2×2封装。该产品以13mΩ（典型值）的超低导通电阻、8.5nC的低栅极电荷以及9A的连续漏极电流为核心优势，旨在提升VBUS过压保护、AMOLED显示控制、电池管理及DC/DC转换器等场景的能效与功率密度。一、技术难点及应对方案在开发高压紧凑型MOSFET时，需平衡耐压能力、导通电阻与开关损耗之间的矛盾，同时确保小型化封装下的散热可靠性。圣邦微电子通过以下技术应对这些挑战：●低阻沟道设计：通过优化晶圆工艺，将导通电阻典型值控制在13mΩ（@10V VGS），显著降低导通损耗。●快速开关特性：将总栅极电荷（Qg）降至8.5nC（典型值），减少开关过程中的延迟与损耗，支持高频应用。●散热与封装优化：采用TDFN-2×2封装集成散热焊盘，结合150℃最高结温设计，确保高温环境下的稳定运行。二、产品特性●电气性能：漏源电压（VDS）40V，连续漏极电流（ID）9A，栅源阈值电压（VGS_TH）1.2V–2.2V。●能效核心：导通电阻典型值13mΩ（最大值18mΩ），总栅极电荷典型值8.5nC，优化能效与开关频率。●可靠性与环保：工作温度范围-55℃至+150℃，符合RoHS标准及无卤素要求。●物理尺寸：封装尺寸2mm×2mm，适合高密度PCB布局。三、同类竞品对比与分析品牌/型号 耐压 (VDS) 导通电阻 (Rds(on)) 栅极电荷 (Qg) 封装尺寸 关键应用圣邦微 SGMNQ12340 40V 13mΩ (典型) 8.5nC (典型) TDFN-2×2 VBUS保护、DC/DC转换圣邦微 SGMNL12330 30V 9mΩ (典型) 21.1nC TDFN-2×2 无线充电、工业电源TI CSD1731...
浏览次数：
3
2025/10/17 13:39:42
随着云服务和生成式AI应用的普及，全球数据中心正面临前所未有的存储压力。在这一背景下，东芝电子元件台湾公司于2025年10月14日宣布，已在存储行业率先完成12碟片堆叠技术的验证，计划于2027年向市场推出容量达40TB级别的3.5英寸数据中心专用机械硬盘。这一技术突破标志着机械硬盘容量竞赛进入新阶段。与当前主流大容量3.5英寸机械硬盘最多10碟片的设计相比，12碟片堆叠技术理论上可带来20%的容量提升，同时保持了标准外形尺寸不变，确保了与现有数据中心基础设施的兼容性。技术核心：材料创新与记录技术协同东芝12碟片堆叠技术的实现依赖于多项关键创新。其中最核心的是用玻璃基板替代了传统的铝基板，这一转变使碟片更薄、更坚固，从而为在相同空间内集成更多碟片创造了条件。同时，东芝将这一碟片堆叠技术与微波辅助磁记录技术相结合，通过微波增强写入信号效果，提升了单位面积的磁记录密度。这些技术进步共同带来了机械稳定性、平面精度、存储密度和可靠性的全面提升。按照12碟片封装实现40TB总容量计算，每张碟片的存储密度至少需达到3.3TB。东芝正在研究的另一条技术路线是将12碟片堆叠与热辅助磁记录技术结合，这可能是实现未来更高容量硬盘的关键。市场背景：AI驱动下的存储需求激增东芝此次技术突破正值全球数据存储需求空前增长的时期。云服务扩张、流媒体视频服务普及以及生成式AI和数据科学的快速发展，导致数据生成和存储需求持续爆炸性增长。在AI存储领域，尽管NAND闪存在性能敏感应用中加速替代传统机械硬盘，但机械硬盘在大容量、低成本存储方面仍具有不可替代的优势。和众汇富研究发现，HDD在冷数据归档领域仍有优势，形成了"热数据用NAND、冷数据存HDD"的分层存储格局。东芝美国电子元件公司工程与产品营销副总裁Raghu Gururangan表示："东芝的12碟硬盘平台提供了支持AI...
浏览次数：
1
2025/10/17 13:31:44
英特尔Fab52工厂已正式投入18A（1.8纳米）制程的量产，这标志着美国在芯片制造领域迈出了关键一步。该工厂将生产下一代笔电处理器PantherLake以及服务器芯片Xeon6+，预计于2026年正式上市。18A制程的技术突破Intel18A制程集成了两项核心技术：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET：作为英特尔的全新闸极环绕式（GAA）电晶体结构，它能显著提升电晶体密度。PowerVia：这是一项背面供电技术，通过将供电层移至电晶体背面，有效提升了功率效率与稳定性。这些技术带来了显著的性能提升：与前代Intel3工艺相比，18A制程性能提升15%，芯片密度增加30%，并在相同性能下功耗降低超过25%。Fab52工厂与产能规划Fab52工厂位于亚利桑那州钱德勒市，是英特尔Ocotillo园区的重要组成部分。关键设备：工厂已导入多台ASML的极紫外光（EUV）光刻机。有消息指出，其EUV机台初始每小时产能约为195片晶圆，后续可提升至220片。产能爬坡：18A制程的月产能预计在2026年达到1万至1.5万片，并在2027年后有望进一步提升至3万片的水准。首批产品与应用领域基于18A制程的首批产品旨在强化AI运算能力，涵盖客户端与数据中心市场：PantherLake：作为首款18AAI笔电晶片，它集成了CPU、GPU及专用AI加速器，AI算力最高可达180TOPS。预计2025年底开始出货，2026年1月广泛上市。Xeon6+：这款服务器处理器最多支援288个高效能核心，其每时钟周期指令数（IPC）较前代提升17%，专注于AI训练、推理和高密度运算。这些芯片将应用于AIPC、超大规模数据中心、电信等领域，并将拓展至机器人等边缘应用。战略意义与市场竞争18A制程的量产对英特尔具有重要的战略意义：重夺制程地位：英特尔通过18A技术在超微制程竞赛中抢先在1.8纳...
浏览次数：
2
2025/10/17 13:31:07
全球内存芯片市场正迎来新一轮增长周期。三星电子近日发布业绩预告，预计2025年第三季度营业利润将达到12.1万亿韩元（约85亿美元），较去年同期大幅增长32%。这一表现不仅远超市场分析师预期的10.1万亿韩元，更创下三星三年多来的最高单季利润。公司计划于10月30日公布各业务部门的详细业绩数据，为市场提供更全面的业绩解读。01 业绩亮眼：利润超预期，股价创新高三星电子第三季度的业绩表现令人瞩目。12.1万亿韩元的营业利润远超市场预期，显示出公司在内存市场的强劲复苏。这一优异表现直接反映在资本市场上。2025年以来，三星股价已累计上涨75%，创下历史新高，凸显投资者对三星未来发展前景的强烈信心。业绩增长的主要推动力来自半导体业务。根据公司披露的数据，三星电子2025年总营收预计将同比增长8.7%，达到86万亿韩元。半导体销售的强劲表现，主要得益于产品价格的上涨和出货量的增加。02 内存市场：传统芯片需求强劲，价格大幅攀升当前内存市场的繁荣主要源于传统DRAM和NAND产品的量价齐升。尽管HBM芯片在内存业务中占比不断扩大，但传统内存产品的收益在供应紧张的情况下表现突出。市场调查机构TrendForce的数据显示，广泛应用于服务器、智能手机和个人电脑的某些DRAM芯片价格，在第三季度与2024年同期相比暴涨了171.8%。这一惊人的价格涨幅直接提升了三星的盈利能力。近年来，内存制造商将投资重点转向HBM等内存产品，客观上限制了传统内存芯片的产量。供应短缺的持续存在，进一步推高了AI服务器所需芯片的价格。03 业务结构：HBM进展滞后，传统内存补位尽管三星在HBM领域的进展略逊于预期，但传统内存业务的强劲表现有效弥补了这一短板。三星向包括英伟达在内的主要客户供应HBM的进度落后于原定计划。路透社报道指出，尽管供应HBM给主要客户的进度有所放缓，但由于服务器和AI相关芯片需求强劲，...
浏览次数：
6
2025/10/17 13:23:01
ZX75BP-435-S+是一款50Ω 覆盖420至450 MHz的连接器封装中的带通滤波器。这提供了通带内的良好匹配和阻带内的高抑制。特征插入损耗良好，典型值为1.5 dB。通带回波损耗，典型值22dB。阻带抑制，典型值30dB。应用防御军事电信雷达和卫星
浏览次数：
2
2025/10/16 14:22:39