Qorvo的TGL2201-SM是一种封装的双级GaAs VPIN限幅器，工作在2至12 GHz频段。垂直PIN二极管在高输入信号电平下提供限制作用，在小信号下提供低损耗。TGL2201-SM适用于各种宽带系统，如雷达、相控阵和干扰机中的低噪声放大器（LNA）/接收器保护。该部件无铅，符合RoHS标准。特性•2至12 GHz无源高隔离限制器•低损耗10 dB•平面泄漏•输入功率连续波生存能力高达5 W•输入和输出均集成直流锁•包装尺寸：3.0 x 3.0 x 1.35毫米应用•干扰器•LNA接收器链保护•军用雷达•相控阵引脚配置及解析
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2025/7/1 14:02:34
Qorvo的TGL2205-SM是一种高功率、宽带GaAs VPIN限幅器，能够保护敏感的接收信道组件免受高功率入射信号的影响。TGL2205-SM不需要直流偏压，并且以小尺寸实现了低插入损耗。这些功能允许简单的集成，对系统性能的影响最小。TGL2205-SM的工作频率为2至6 GHz，插入损耗低至0.6 dB。它可以限制高达100 W的入射脉冲功率，同时具有小于16.5 dBm的低平面泄漏。TGL2205-SM作为封装限制器提供，非常适合商业和国防相关应用。无铅，符合RoHS标准。特性•频率范围：2至6 GHz•插入损耗：•功率处理：100 W（脉冲）•平面泄漏：•尖峰泄漏：•恢复时间：•无源（无需直流偏压）应用•商用雷达•军用雷达•获得链保护•电子战数字接收机引脚配置图及解析
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2025/7/1 13:59:08
Qorvo®QPQ5200是一款高性能、高功率、体声波（BAW）带通滤波器，具有极其陡峭的裙板，同时在Wi-Fi频段（信道1-11）表现出低损耗，在2.4 GHz频段边缘和相邻LTE/TD-LTE频段表现出高近内抑制。特性•2402.5至2471.5 MHz•Wi-Fi信道1-11中的低插入损耗•提高带宽合规性，支持更多Wi-Fi信道•温度性能从-20°C扩展到+95°C•高功率处理，平均输入功率为+30dBm应用•接入点•无线路由器•机顶盒•客户驻地设备•物联网
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2025/7/1 13:56:06
Qorvo®QPQ5501是一款高性能、高功率、体声波（BAW）带通滤波器，具有极其陡峭的裙板，同时在Wi-Fi UNII 2c-4频段表现出低损耗，在UNII 1-3和UNII 5-8频段表现出高近端抑制。该滤波器模块专为在Wi-Fi应用中实现容量性能而设计，与没有或传统滤波器解决方案的系统相比，在更多的Wi-Fi信道中具有更高的功率能力。最终用户将看到在三无线电Wi-Fi网状应用等用例中，利用5GHz和6GHz Wi-Fi频谱的分段提供功能的更好能力。使用常见的模块封装技术来实现行业标准的占地面积，同时消除尽可能多的外部被动布局，以帮助最终用户轻松集成到他们的电路中。特性• 5490-5895 MHz•Wi-Fi UNII 2c-4频段的低插入损耗•Wi-Fi UNII 1-3和UNII 5-8频段的高拒绝率•温度性能从-20°C扩展到+95°C•高功率处理，平均输入功率为+28dBm•综合比赛应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网
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2025/7/1 13:53:15
LTC3336 是一款紧凑型高效率纳米功率迟滞降压 DC/DC，可从 2.5V 至 15V 输入提供高达 250mA 的输出电流。输入静态电流通常为 80nA，输出电压低于 2.4V 时，空载时输出处于稳压状态； 对于更高的输出电压，这个数字会进一步减少，在此电压下，内部电路可以从输出自举。性能规格非常适合初级（即不可充电）电池供电的应用：低 IQ 加上能够将峰值电流设置为与电池最大容量点相匹配的水平。特征• 输入电压范围：2.5V 至 15V• 输出电流：高达 250 mA• IVIN = 65nA (调节中，无负载)• 输出电压范围：1.2V 至 5V• 16 个固定输出电压通过 4 个引脚搭接输入进行编程应用• 低功耗初级电池供电系统 (例如：1× – 3× 锂离子初级，3× – 8× AAA)• 远程工业传感器（例如：仪表、警报）• 资产跟踪器• 电子门锁• Keep-Alive 电源/备用电池• SmartMesh® 应用
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2025/6/30 14:47:31
MAX34461A是一款系统监视器，最多可管理16个电源。电源管理器监控电源输出电压，并不断检查用户可编程的过压和欠压阈值。如果检测到故障，设备会以有序的方式自动关闭系统。该设备可以在通电和断电时以任何顺序对电源进行排序。通过添加外部电流DAC，该设备能够将电源输出电压向上或向下闭合到用户可编程水平。该设备包含一个内部温度传感器，最多可支持四个外部远程温度传感器。一旦配置，该设备可以在没有任何主机干预的情况下自主运行。特征16个电源管理渠道车载非易失性黑匣子故障记录和默认配置设置支持复杂的测序要求基于时间和事件的测序并行/级联设备操作可编程上下排序易于编程和监控PMBus兼容命令接口易于使用的GUI灵活的测量和监控能力报告峰值和平均水平四个远程温度传感器一个内部温度传感器自动闭环边距提高了准确性遥感提高了测量精度简化系统级设计最多16个GPO无外部时钟最小化系统级设计具有总线超时功能的I2C/SMBus兼容串行总线电源电压测量和监测快速最小/最大阈值偏移检测3.0V至3.6V电源电压应用网络交换机/路由器基站服务器智能电网网络系统
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2025/6/30 14:43:47
TMC9660是一款高度集成的单片栅极驱动器和电机控制器IC，带有降压转换器。它包括一个智能门驱动器、一个具有基于硬件的磁场定向控制（FOC）和伺服控制器（速度、位置、斜坡发生器）的高性能运动控制器、电机位置反馈接口（a/B/N编码器、霍尔）、一个用于底部分流电流测量的模拟信号处理块（可编程电流传感放大器[CSA]和模数转换器[ADC]）。它还包括一个强大而灵活的电源管理单元（PMU）以及降压转换器和可编程低压差（LDO）稳压器。为了通过SPI或UART与外部处理器进行整体控制和通信，嵌入了预编程的32位微控制器。处理器系统支持对所有电机控制外围设备的低级直接寄存器访问或高级参数模式访问，以实现扩展功能和易用性。对于系统硬件连接和软件选择的初始配置，引导加载程序也支持将此配置永久存储在一次性可编程（OTP）存储器中。特征•三相永磁同步电机（PMSM）/无刷直流电机（BLDC）、两相步进电机和有刷直流电机支架•7.7V至70V单电源工作电压范围•智能门驱动器，强度可调，最高可达1A/2A源极/漏极•用于宽带电流控制回路的硬件中的磁场定向控制器/FOC•硬件中的位置、速度和扭矩控制器，用于快速精确控制•硬件中具有实时斜坡计算功能的8点斜坡发生器•带120MHz时钟的快速空间矢量脉宽调制（SVPWM）引擎（2kHz…100kHz）•反馈位置传感器支持（霍尔、A/B/N、SPI）•底部分流电流测量（可编程CSA和ADC）•5.8V/600mA降压转换器•2个可配置的LDO（2.5V、3.3V或5V），用于为外部电路供电，每个LDO的电流为150mA•带电压倍增器的电荷泵•涓流电荷泵，100%PWM占空比•集成预编程32位/40MHz微控制器，支持设备的初始配置（OTP）和直接硬件/寄存器或参数模式访问•SPI、UART接口，用于与主/应用控制器通信•SPI闪存或I2C EEPROM...
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2025/6/30 14:39:20
LT4423是一款1.9V至28V的理想二极管和负载开关，集成了P沟道MOSFET。启用后，与肖特基二极管相比，15mV正向电压调节可最大限度地减少功耗，同时增加工作余量和效率。在二极管OR应用中使用两个LT4423可以在变化的输入电源条件下无缝传输到最高可用电压。未启用的LT4423在任何方向或极性上阻断高达28V的电压，同时抑制小于1μA（典型）的漏电流，比典型的肖特基二极管提高了几个数量级，从而延长了电池寿命。快速OUT到IN反向偏置检测最大限度地减少了反向电流，防止了输入电池的不必要充电。当LT4423处于关机、反向偏压或欠热保护时，开漏STATUS输出拉低。集成热检测通过关闭电源路径来防止过热情况。特征•内部200mΩ电源路径•宽工作电压范围：1.9V至28V•反向电流保护•负载切换能力•低10μA静态电流•对负载阶跃的快速3μs响应•低500nA关断电流•二极管或应用中的平滑切换•集成热保护•10导联（3mm x 2mm x 0.75mm）LDFN封装应用肖特基二极管的更换电池和壁式适配器二极管ORing备用蓄电池二极管ORing工业和消费类手持应用
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2025/6/30 14:34:57
ADP2442是恒定频率、采用电流模式控制的同步降压dc-dc稳压器，可驱动最高1 A的负载，并具有出色的线路和负载调节特性。它可在宽输入电压范围内（4.5 V至36 V）工作，是调整多种类型输入源功率的理想选择。另外，它还具有非常低的最短导通时间(50 ns)，因此适合那些需要非常高降压比的应用。输出电压可在0.6 V至0.9 × VIN之间调节。该器件同时针对高端和低端设备集成低电阻N沟道MOSFET，可实现高效率。开关频率可用外部电阻在300 kHz至1 MHz范围内调节。另外，ADP2442还有一个精确的电源良好(PGOOD)开漏输出信号。它提供灵活的外部时钟同步功能。开关频率可同步至施加于SYNC/MODE引脚上的外部时钟。ADP2442还可配置为工作在强制固定频率模式，以便降低EMI；或工作在节能模式，以便降低轻载时的开关损耗。ADP2442使用打嗝模式保护IC不受短路或输出端过流情况影响。内部软启动可限制多种负载电容启动时的浪涌电流。其它重要特性包括输入欠压闭锁(UVLO)、热关断(TSD)和精密使能(EN)，亦可用于逻辑电平关断输入。ADP2442采用3 mm × 3 mm、12引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为−40°C至+125°C范围。特征• 可调节开关频率：300 kHz至1 MHz• 可调节输出：最低至0.6 V• 外部同步频率范围：300 kHz至1 MHz• 宽输入电压范围：4.5 V至36 V• 开漏电源良好指示• 最大负载电流：1 A应用负载点应用分布式电力系统工业控制用品标准轨道转换为24 V/12 V/5 V/3.3 V
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2025/6/30 14:31:22
ADP2450 集成了一个带功率检测的升压旁路控制器、一个高效降压稳压器、四个低失调、低功耗可编程增益放大器（PGA）、一个低失调运算放大器、一个快速模拟跳脱电路和一个执行器驱动器。ADP2450 适用于低压断路器，例如塑壳断路器（MCCB）和 CT 供电应用。升压输出电压最高可达 36 V，并集成了电源检测电路，可防止电路电源中断。功率检测阈值可通过电阻编程。降压调节器可在 4.5 V 至 36 V 的宽输入电压范围内工作，输出电压可调低至 0.6 V。降压调节器可提供高达 500 mA 的输出电流。降压调节器在脉冲宽度调制（PWM）模式下工作，具有固定的 1.2 MHz 开关频率，为系统提供低输出纹波电压。降压调节器的输出电压由监控电路监控。当输出电压低于监控阈值时，复位信号被拉低，并可用于复位微处理器。监控电路使系统更可靠。ADP2450 集成了四个低失调、低功耗放大器。ADP2450利用可编程增益功能，可在宽电流输入范围内提供精度测量。ADP2450 集成了一个低失调运算放大器，用于检测漏电流。ADP2450 还集成了模拟跳脱电路，可提供快速跳脱响应，并增强系统可靠性。特征• 升压分流控制器• 可调输出电压范围：4.5 V 至 36 V• 集成升压分流驱动器• 可编程功率检测阈值• 降压调节器• 输入电压范围：4.5 V 至 36 V• 连续输出电流：500 mA• 可调输出电压可低达 0.6 V。• 固定输出选项：3.3 V 和 5 V• 1.2 MHz 固定开关频率应用低压断路器CT电源
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2025/6/30 14:29:03
ADP2441是恒定频率、采用电流模式控制的同步降压dc-dc调节器，可驱动最高1 A的负载，并具有出色的线路和负载调节特性。它可在宽输入电压范围内（4.5 V至36 V）工作，是调整多种类型输入源功率的理想选择。另外，它还具有非常低的最短导通时间(50 ns)，因此适合那些需要非常高降压比的应用。输出电压可在0.6 V至0.9 V × VIN之间调节。该器件同时针对高端和低端设备集成低电阻N沟道MOSFET，可实现高效率。开关频率可用外部电阻在300 kHz至1 MHz范围内调节。另外，ADP2441还有一个精确的电源良好(PGOOD)开漏输出信号。在负载较低的情况下，调节器通过跳过脉冲并降低开关损耗工作在脉冲跳跃模式下，可提升能效。此外，在中负载至高负载情况下，调节器工作在固定频率脉宽调制(PWM)模式以降低电磁干扰(EMI)。ADP2441使用打嗝模式保护IC不受短路或输出端过流情况影响。外部可编程软启动可限制多种负载电容启动时的浪涌电流。其它重要特性包括跟踪、输入欠压闭锁(UVLO)、热关断(TSD)和精密使能(EN)，亦可用于逻辑电平关断输入。ADP2441采用3 mm × 3 mm、12引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为−40°C至+125℃结温范围。特性• 宽输入电压范围：4.5 V至36 V• 最短导通时间：50 ns• 最大负载电流：1 A• 高效率：最高可达94%• 可调节输出：最低至0.6 V• 输出电压精度：±1%应用负载点应用分布式电力系统工业控制用品标准轨道转换为24V/12V/5V/3.3V
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2025/6/30 14:24:31
DAT-31R5A-SP+为50Ω 数字步进衰减器，以0.5dB的步长提供0至31.5dB的可调衰减。该控制器是一个6位串行接口，使用单个（正）电源电压运行。DAT-31R5A-SP+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路引脚配置解析：
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2025/6/30 14:18:20
RBP-140+是一款采用SMT技术制造的小型屏蔽封装（尺寸为0.35“x 0.35”x.10“）中的窄带带通滤波器。RBP-140＋具有对称的带通和线性相位特性。此外，它在生产批次中具有可重复的性能，在温度范围内具有一致的性能。特征•高抑制，典型值为40dB•线性相位，在Fc±15MHz范围内通常高达±7度•良好的VSWR，通带内典型值为1.35:1•小尺寸0.35英寸x 0.35英寸x 0.1英寸•屏蔽外壳•可水洗应用•移动应用程序•空间研究•防御系统•卫星
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2025/6/30 14:13:14
2025年6月26日，行业消息传来，三星计划在2026年发布的Galaxy S26系列智能手机中，首次采用自家2nm制程代工的Exynos 2600处理器。与此同时，高通也计划为该系列提供新一代骁龙8系列旗舰芯片，型号或为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，此次高通的Snapdragon 8 Elite Gen 2将打破以往由台积电独家代工的模式，部分订单将交由三星2nm制程代工，作为专为三星Galaxy旗舰系列供应的定制版本。高通芯片策略的重大调整过去几年，高通一直为三星Galaxy旗舰设备量身打造专属的“For Galaxy”版骁龙旗舰芯片，通常是在标准版的基础上进行小幅超频，以成为Galaxy系列手机的独家卖点。然而，这些定制版芯片的制造地点和底层设计与非Galaxy版本的骁龙芯片相同，均由台积电独家代工。因此，高通旗舰芯片在过去几年几乎完全依赖台积电的N3P制程。最新的报道显示，高通正在调整其下一代芯片的策略，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本：1. 台积电3nm代工版本： 供应其他安卓手机制造商。2. 三星2nm代工版本： 专用于三星Galaxy旗舰设备。这一策略调整对高通和三星晶圆代工业务都具有重要意义：●对高通而言： 这是一种大胆的尝试，标志着其打破了长期独家依赖台积电的局面，开始尝试多元化的代工合作模式。●对三星而言： 这是一个重大突破，因为其晶圆代工部门一直因3nm良率问题而备受困扰，至今仍未获得其他头部芯片大厂的订单。如果高通将部分旗舰芯片订单交给三星2nm代工，不仅将为三星代工增加营收，更重要的是能够提升三星制程的声誉和可信度。三星2nm制程的良率挑战尽管三星2nm制程的测试仍在进行中，且良率逐步提升，但目前预计仅为约40%。这意味着三星在技术成熟度和生产效率上仍需进一步努力，以满足高通的要求。然而，距离Galaxy ...
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2025/6/30 14:05:08
2025年，人工智能技术的加速落地正持续重塑全球科技产业格局。据Loop Capital最新研报，英伟达作为AI算力核心供应商，其市值有望在未来几年内突破6万亿美元，较当前3.6万亿美元市值增长超65%。这一预测基于AI应用场景的全面爆发——从云计算到边缘计算，从自动驾驶到生成式AI，全球对高性能芯片的需求呈现指数级增长态势。Loop Capital分析师Ananda Baruah指出，英伟达正站在新一轮AI技术革命的潮头。随着企业加速布局AI基础设施，英伟达不仅巩固了在AI训练芯片市场的垄断地位，更通过持续迭代的产品线（如Blackwell架构）和定制化解决方案，深度绑定微软、Meta、谷歌等科技巨头。数据显示，2024年英伟达股价全年涨幅超170%，2023年至今累计涨幅已接近600%，其市值增长轨迹与全球AI投资热潮高度重合。市场分析认为，英伟达的估值支撑不仅源于短期业绩爆发，更在于其长期定价权与生态壁垒。尽管部分投资者担忧AI资本支出可持续性，但最新财报季显示，头部云服务商仍在大幅增加AI相关投入。Ananda Baruah预测，到2028年，全球AI计算支出规模将达2万亿美元，而英伟达凭借技术代际优势，有望持续收割行业红利。值得注意的是，英伟达与微软的市值争夺战已成为资本市场焦点。当前英伟达目标价被上调至华尔街最高250美元，较市场平均预期高出44%，隐含未来一年超17%的上涨空间。分析师强调，在AI算力军备竞赛中，英伟达的“技术垄断+供应链控制”双重护城河，使其具备穿越周期的成长确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/6/30 14:00:00
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-312+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•高隔离，典型值25 dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•ISM•WiMAX
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2025/6/27 14:37:51
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-592+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•插入损耗低，典型值为0.6 dB。•高隔离，典型值23dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•WiMax•WiFi•ISM
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2025/6/27 14:22:04
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-152+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•高隔离，典型值19dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•点对点•WiMax•WiFi•ISM
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2025/6/27 14:17:25