Mini-Circuits的SYPS-4-182-75X+是75Ω 4-0˚表面安装分路器/合路器，覆盖5至1800 MHz频率范围，支持DOCSIS®3.1/4.0系统和设备以及其他宽带应用的带宽要求。该型号可以作为分路器处理高达0.5W的RF输入功率，并提供低插入损耗、高隔离度和低相位和幅度不平衡。它采用16引脚印刷层压板底座（0.50 x 0.50 x 0.14英寸），带有Top Hat®和环绕式端子，具有出色的可焊性和镀金镀镍端子表面。特征宽带，5至1800 MHz低插入损耗，典型值为2.5 dB。低振幅不平衡，典型值为0.5 dB应用有线电视甚高频/超高频DOCSIS®3.1/4.0
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2025/8/7 13:54:24
VLFG-1900+是一款低通滤波器，通带DC至1900 MHz，支持多种应用。由于其坚固的一体式结构，该型号在宽带上提供了1 dB的典型插入损耗。VLFG-1900+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供从-55°C到125°C的宽工作温度范围。、特征低插入损耗，典型值1 dB。回波损耗，典型值15dB。阻带抑制，典型值43dB。坚固的一体式结构。功率处理：5.5瓦应用全球定位系统无线网络
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2025/8/7 13:49:32
ROHM宣布面向汽车照明、门锁、电动车窗等Zone-ECU*车身应用领域，推出6款符合AEC-Q100车规标准的高边智能功率器件（IPD）——BV1HBxxx系列。该系列产品通过优化导通电阻设计，可稳定驱动高容性负载，同时为车载系统提供功率过载等异常状态的有效防护，助力汽车电子化进程加速。随着自动驾驶和电动汽车（EV）的不断发展，汽车的电子控制越来越复杂。与此同时，从功能安全角度来看，电子保护的重要性日益凸显，以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-ECU”应用进程加速。在这种趋势下，用于对负载进行电子保护和控制的IPD的应用也在加速。Zone-ECU需对大量负载进行集中控制，而传统IPD在容性负载驱动能力方面存在不足。ROHM本次发布的高性能IPD在满足低导通电阻、高能量耐受能力等基本性能要求的同时，弥补了容性驱动能力的短板，实现性能提升，充分满足Zone-ECU的需求。未来，新产品投入市场后将会大力推动无需使用机械式保险丝的“汽车电子化”进程。新产品具备高容性负载驱动能力*3，在Zone-ECU与输出负载（含各种ECU）的连接部位可充分发挥其性能。同时，凭借ROHM自主研发的最新工艺技术，新产品还成功实现以往难以兼顾的低导通电阻与高能量（破坏）耐受能力。由此，BV1HBxxx系列得以在驱动能力、导通电阻及能量耐受能力这三大关键要素上形成高水平的平衡，有助于实现安全性、效率性与可靠性俱佳的系统设计。与此同时，新产品搭载达到业界先进水平的高精度（实际精度：±5%）电流检测功能，可有效保护连接输出负载的线束。其小型且兼具优异散热性能的HTSOP-J8封装具有很高的通用性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/7 13:43:23
2025年旗舰手机芯片竞争白热化，联发科天玑9500凭借GPU能效超40%的突破性升级，成为年末安卓阵营焦点。据爆料，该芯片搭载Arm全新Drage GPU架构与Travis超大核CPU，结合台积电3nm制程工艺，在图形性能、功耗控制及AI计算维度实现多维进阶，光追帧率更有望突破100FPS，为高端市场注入强劲动力。GPU能效革命：Drage架构释放Arm技术潜力天玑9500的GPU性能提升成为最大看点。据数码博主@i冰宇宙透露，其能效较前代提升超40%，峰值性能与光追能力同步增长超40%。这一突破得益于Arm最新Drage GPU架构，该架构集成ASR（超分辨率）图像增强技术，可在高画质游戏、视频播放中实现更稳定的帧率与更细腻的画面表现，推动移动端光追体验迈入“百帧时代”。CPU升级：Travis超大核引领能效新标杆除GPU外，天玑9500将首发Arm全新Travis超大核CPU，通过提升IPC（每时钟周期指令数）实现同频性能跃升。这一设计摒弃单纯堆砌频率的传统路径，转而通过架构优化降低功耗，满足旗舰芯片“高性能+低能耗”的双重需求。制程工艺：3nm技术赋能综合优势天玑9500基于台积电3nm制程打造，该工艺在晶体管密度、电源效率及热管理方面均有显著提升。结合Arm Drage GPU与Travis CPU的协同优化，芯片在持续高负载场景下（如长时间游戏）的稳定性进一步增强，为终端设备轻薄化设计提供支撑。联发科天玑9500通过Arm技术生态的深度整合与3nm制程的落地，在性能与能效间找到新平衡点。其GPU能效突破、光追帧率飞跃及CPU架构升级，不仅将推动2025年末旗舰手机体验升级，更可能重塑高端芯片市场竞争格局，助力联发科巩固并扩大市场份额。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进...
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2025/8/7 13:39:32
VLFG-510+是一款低通滤波器，具有DC至510 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的一体式结构，该型号在宽带上提供了1.1 dB的典型插入损耗。VLFG-510+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达3.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。特征低插入损耗，典型值为1.1 dB。回波损耗，典型值15dB。阻带抑制，典型值50 dB。坚固的一体式结构。功率处理：3.5瓦应用VHF/UHF发射机/接收机测试与测量飞机通信磁共振成像
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2025/8/6 13:56:49
Mini-Circuits的ZVBP-4R3G-S+是一种同轴腔滤波器，通过实现具有极高Q值的谐振结构而设计，非常适合窄带、高选择性应用。Mini-Circuits的同轴腔滤波器具有特殊的保护组件，可防止意外失谐，否则需要昂贵的更换或返回工厂进行重新调谐。精密加工允许实现具有小形状因子的腔体滤波器，适用于尺寸至关重要的应用。特征低插入损耗，典型值0.6 dB。回波损耗良好，典型值为19dB。高抑制，典型值为93 dB。阻带高达8 GHz功率处理15瓦应用航空航天5G缓解
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2025/8/6 13:52:00
Mini-Circuits的ZVBP-8500-S+是一种同轴腔滤波器，通过实现具有极高Q值的谐振结构而设计，非常适合窄带、高选择性应用。Mini-Circuits的同轴腔滤波器具有特殊的保护组件，可防止意外失谐，否则需要昂贵的更换或返回工厂进行重新调谐。精密加工允许实现具有小形状因子的腔体滤波器，适用于尺寸至关重要的应用。特征低插入损耗，典型值为0.4 dB。回波损耗良好，典型值为18 dB。高抑制，68 dB典型值。阻带高达17 GHz功率处理10瓦应用测试与测量航空航天与国防
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2025/8/6 13:47:34
Mini-Circuits的ZVE-433GX+是一款同轴、宽带、中等功率放大器，工作频率为18至43.5 GHz。该型号在+10至+15 V的单一电源范围内运行，允许用户选择所需的工作电压。内部DC-DC转换电路在整个输入电压范围内保持一致的效率。放大器具有多种直流保护功能，如过压、反向电压和浪涌电流限制，可保护放大器在操作过程中不受损坏。宽带操作与高输出功率相结合，使该放大器成为测试和仪器应用的理想选择。特征宽带覆盖范围，18至43.5 GHz典型41dB的高增益。典型值为±3.0 dB。平面度宽输入直流电压范围，+10至+15 V反向电压保护饱和输出功率，+29 dBm典型值。高指向性，典型值为40 dB。应用5G FR2毫米波测试航空航天与国防测试与测量宽带电信Ka波段卫星通信
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2025/8/6 13:45:50
ZMIQ-34H-K+是一种无源宽带同相/正交（I/Q）混频器，利用MCL自己的GaAs HBT器件SMIQ134H+。该混频器可以用作传输的单边带上变频器，也可以用作接收应用的图像抑制混频器。它特别适合于需要固有图像信号抑制和抑制不希望的边带的宽带使用。混频器覆盖了10至30 GHz的RF和LO频率范围以及DC至7 GHz的IF频率范围的宽带。作为无源混频器，ZMIQ-34H-K+的噪声系数低于有源混频器，为高性能应用提供了卓越的动态范围。该混频器采用紧凑、坚固的封装，带有SMA和2.92毫米同轴连接器。该模型也是SMIQ-134H+的优秀评估模块。特征宽带射频和本振，10至30 GHz宽带中频，直流至7 GHz出色的图像抑制，典型。30分贝出色的侧带抑制，典型。30分贝典型的高LO-RF隔离。35分贝高输入IP3，典型。+25 dBm可用作图像拒绝混合器和SSB转换器IF端口上带有SMA的小尺寸，2.92毫米RF和LO端口上的连接器应用测试和测量设备5G毫米波和回程无线电卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/8/6 13:39:40
Mini-Circuits的TERM-5W-183S+是一款宽带50Ω 能够吸收从DC到18GHz高达5W的信号的高功率终端。它在整个工作频率范围内提供了出色的回波损耗，有效地以最小的反射耗散信号功率。此型号有一个SMA公连接器，允许连接到SMA母连接器。该装置结构坚固，寿命长，采用钝化不锈钢外壳。特征宽带操作，直流至18 GHz输入功率处理，5 W出色的驻波比，典型值1.08 dB。坚固的结构应用蜂窝通信卫星通信试验装置国防和雷达
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2025/8/6 11:58:14
Mini-Circuits的TCD-10-23BDX+表面贴装双向耦合器提供10 dB标称耦合，在5至2250 MHz范围内具有出色的平坦度，支持各种应用，包括VHF/UHF、CATV、蜂窝等。该模型具有低主线损耗、高方向性和出色的回波损耗。耦合器采用芯线结构，安装在6引线塑料基座（0.16 x 0.15 x 0.22英寸）上，并包括Mini-Circuits的Tophat®功能，可实现更快、更精确的拾取和放置组装。特征宽带，5至2250 MHz低干线损耗，典型值2.0 dB。出色的回波损耗；典型值为18 dB。可水洗引线具有出色的可焊性应用甚高频/超高频有线电视蜂窝数据
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2025/8/6 11:52:05
TDK推出全系大尺寸铁氧体磁芯，覆盖E/U/I/PM/PQ等8种形状，适配N27-N97六种材料体系。专为EV充电桩、光伏逆变器等高温高功率场景设计，支持140℃持续运行，助力工业设备突破功率密度与热管理瓶颈。核心作用●解决新能源设备磁芯选型标准化缺失问题：●充电桩功率模块体积缩小30%●光伏逆变器开关频率提升至100kHz（传统50kHz）工业UPS效率突破98%产品关键竞争力●全场景覆盖：48种标准组合（6材料×8形状）●高温性能：140℃工况下损耗比竞品低35%●模块化扩展：骨架支持多层E型磁芯堆叠●生态支持：磁路设计工具预置300+工业方案库实际应用场景●EV充电桩：30kW模块磁芯体积缩减至传统方案60%●光伏逆变器：组串式逆变器功率密度突破5W/cm³●工业焊接机：高频变压器温升降低25℃，寿命延长3倍●医疗CT机：X射线发生器电源噪声降低20dBTDK以标准化+模块化重构工业磁芯供应链，其140℃高温性能与自由堆叠架构直击新能源设备能效痛点。配合磁路设计工具生态，为光伏/电动汽车等绿色产业提供“磁芯即服务”新范式，加速全球工业电气化进程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/6 11:33:54
英飞凌推出ID Key S USB安全令牌，采用SLC38安全芯片+USB桥接控制器合封设计（4×4×0.85mm），通过CC EAL 6+与FIPS 140-3双认证。集成100MHz 32位CPU与800KB加密存储，支持FIDO快速认证/数字签名/硬件钱包等场景，为USB/NFC密钥设备提供军工级安全方案。核心作用●解决数字身份跨平台安全认证难题：●FIDO登录认证速度提升5倍（vs软件OTP）●加密货币交易签名延迟●政府/军工系统CC EAL 6+合规强制要求产品关键竞争力●安全等级：全球首款消费级CC EAL 6+认证令牌●存储容量：800KB NVMe可存2000个数字证书●微型化：4mm²体积比竞品缩小60%●成本控制：合封方案降低BOM成本30%实际应用场景●金融科技：银行U盾/证券交易数字签名●零信任架构：企业VPN双因子认证硬件锚点●区块链：冷钱包私钥离线签名●政务系统：电子公章硬件载体●物联网：设备身份证书安全烧录ID Key S USB以军工级安全认证+消费级体积成本重塑硬件令牌市场格局，其合封技术攻克了安全芯片与接口控制器协同设计难题，为Web3.0时代的数字身份管理提供可信硬件基石。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/6 11:31:58
2025年7月，韩国出口额达608.2亿美元，同比增长5.9%，创下月度历史新高及七个月来最强劲年度增速。这一成绩背后，半导体与汽车两大支柱产业呈现“冰火两重天”态势：AI技术驱动的芯片需求爆发，推动半导体出口同比飙升31.6%；而美国高关税政策则导致电动汽车出口暴跌97.7%，汽车产业整体增长8.8%的表象下暗藏结构性分化。半导体：AI与高价值产品驱动增长半导体出口额达147.1亿美元，占韩国总出口额的24.2%，成为绝对支柱。增长动力主要来自三方面：一是全球AI算力升级对HBM（高带宽内存）、DDR5等高价值存储芯片的稳定需求；二是企业为应对地缘政治风险掀起的“芯片囤积潮”；三是存储芯片价格触底反弹带来的量价齐升。值得关注的是，韩国对台湾地区半导体出口同比激增68%至46.6亿美元，创单月历史纪录，显示区域供应链协同加深。汽车：欧盟需求强劲，美国市场承压汽车出口额增长8.8%至58.3亿美元，达到五个月高点，主要受益于欧盟市场的强劲需求。然而，美国对进口汽车征收97.7%的高关税政策，导致韩国对美电动汽车出货量暴跌97.7%，整体汽车对美出口同比下降25%。不过，韩国对美科技产品出口增长抵消了部分冲击，推动对美出口额结束连续三个月下降，实现1.4%的正增长。区域市场：对华出口下降，欧盟成关键增量从出口目的地看，韩国对中国出口额下降3%，延续了近期低迷态势；对欧盟出口则增长8.7%，成为继美国之后的第二大市场。此外，对越南等东南亚国家的出口也保持稳定增长，显示韩国正在通过市场多元化降低对单一经济体的依赖。挑战与机遇：关税阴影与创新突围尽管7月出口数据亮眼，但韩国产业通商资源部警告，美国持续加码的关税政策仍将是下半年最大不确定性因素。不过，半导体领域的技术优势为韩国提供了缓冲空间——HBM、DDR5等高附加值产品需求稳定，且韩国企业正加速布局AI芯片、汽车电子等新兴领域，试...
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2025/8/6 11:29:46
Mini-Circuits的TCD-20-23BD+表面贴装双向耦合器提供20 dB的标称耦合，主线损耗低，从500到2000 MHz，支持各种应用，包括UHF、GSM、ISM、GPS和PCN、蜂窝等。该耦合器采用芯线结构，安装在5导联底座上（0.162 x 0.150 x 0.022英寸）。特征宽带500至2000 MHz，倍频程低干线损耗，典型值为0.2 dB。功率处理，2瓦坚固可靠应用UHF。GSM，ISM、GPS和PCN蜂窝
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2025/8/5 14:41:51
Mini-Circuits的HFHK-5000+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5600至16000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/8/5 14:38:00
Mini-Circuits的HFHK-7300+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为7900至17500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统
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2025/8/5 14:34:07
ZHL-10M1G01W1（X）+是一款中等功率宽带放大器，在10至1000 MHz频带内提供超过1W的输出功率，典型的小信号增益为34dB。该放大器采用半导体技术，可用于广泛的应用。单一电源电压确保了操作的便利性。放大器采用坚固的铝制外壳制成，可以配备或不配备散热器。特征宽带，10至1000 MHz高增益，典型值为34 dB。高P1dB，+31 dBm，典型值。高OIP3，典型值+45 dBm。应用通信系统研发、生产和测试系统测试和测量设备一般实验室应用
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2025/8/5 14:30:08