MC12093是一个单模预分频器，用于1.1 GHz高频输入信号的低功率分频。MOSAIC V（tm）技术用于在2.7 V的最小电源电压下实现6.75 mW的低功耗。片上输出端提供输出电流来驱动2.0 pF（典型）的高阻抗负载。如果预分频器输出需要额外的驱动，可以从OUT引脚到GND并联添加一个外部电阻器以增加输出功率。必须注意不要超过通过输出的最大允许电流。分频比控制输入SW1和SW2选择所需的分频比2、4或8。待机模式的特点是，当待机引脚SB切换为低电平，禁用预分频器时，电流消耗通常会减少到50 uA。特性•1.1 GHz切换频率•电源电压2.7 V至5.5 Vdc•典型低功耗3.0 mA•工作温度-40至85°C•除以SW1和SW2引脚选择的2、4或8•芯片端接•提供无铅包装应用•通用时钟生成
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2025/6/3 14:25:59
FSA5157是低导通电阻、低功率、单刀双掷(SPDT)模拟开关。该产品设计用于手机和便携式媒体播放器等应用中的开关音频信号。0.4Ω的超低阻抗、小于1µA的电流消耗以及1.65V到4.3V的工作电压范围使该产品成为电池供电应用的理想之选。FSA5157还具有双向操作和先开后合功能。该器件的额定工作电压为1.8V、2.5V和3.3V。越来越多的应用要求施加于选定输入的电压要比施加的VCC小。在该情况下，大多数开关通常消耗的电流会大于100µA。对于电池供电的应用来说这是不可接受的。FSA5157设计用于在该情况下最大程度减小电流消耗。特性•电源电压=+2.7V时，典型导通电阻(RON)=0.4Ω•S输入小于VCC时，FSA5157的ICCT电流小于12µA。•0.25Ω最大RON平坦度（+2.7V电源）•1.0mmx1.45mm6引脚MicroPak™封装•广泛的VCC工作电压范围：1.65V至4.3V•低THD（32Ω负载的典型值为0.02%）•大电流处理功能（电源电压=3.3V时，连续电流=350mA）•控制逻辑为1.8VCMOS逻辑兼容应用•多媒体平板电脑•存储和外设•手机•WLAN网卡和宽带接入•PMP/MP3播放器
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2025/6/3 14:18:35
FSA2466是一款双通道双刀双掷(DPDT)模拟开关。 FSA2466采用单电源1.65V至4.3V工作，具有2.7V电源和TA=25°C时具有超低通态电阻2Ω。该器件采用亚微米CMOS技术制造，以实现快速开关速度，专门设计用于先开后合操作。 FSA2466具有非常低的静态电流，即使在控制电压低于VCC电源电压时也是如此。 这允许移动电话应用直接与基带处理器通用I/O接口。特性•开关类型： DPDT (2x)•输入类型： 数据/音频开关•输入信号范围： 0至VCC•VCC： 1.65至4.3•RON： 2.5W至2.7V•RFLAT： 0.8W至2.7V•ESD: 8kV HBM•带宽： 245MHz•240MHz时，CON： 16pF•240MHz时，COFF： 16pF•低ICCT•封装： 16引脚UMLP 1.80 x 2.60 x 0.55mm，0.40mm间距应用• 多媒体平板电脑• 存储和外设• 手机• WLAN网卡和宽带接入• PMP/MP3播放器
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2025/6/3 14:03:53
NC7SB3157/FSA3157是高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关，或2:1复用器/解复用器总线开关。该器件采用次微米CMOS技术制造，实现了高速使能和停用时间以及低导通电阻。先开后合选择电路可防止由于选择引脚开关期间临时使能两个开关而造成B端口上信号损坏。该器件的额定工作范围为1.65到5.5VVCC。控制输入容差电压最高可达5.5V，且与VCC工作范围无关。特性•可在模拟和数字应用中使用•节省空间的SC706引线表面贴装封装•超小型MicroPak™无铅无引线封装•低导通电阻；•宽VCC工作范围：1.65V到5.5V•轨到轨信号处理•关断高阻抗控制输入•控制输入的耐过压达7.0V•先开后合使能电路•250MHz-3dB带宽应用•多媒体平板电脑•存储和外设•手机•WLAN网卡和宽带接入•PMP/MP3播放器
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2025/6/3 14:00:09
Littelfuse全球首发采用DO-214AB（SMC）封装的Pxxx0S3G-A系列保护晶闸管，在仅7.1×6.2×2.5mm空间内实现2kA（8/20μs）浪涌防护能力，为车载充电机、光伏逆变器等高密度场景提供汽车级抗瞬变解决方案。较传统TO-262方案节省50%布局空间，同时通过AEC-Q101认证，填补紧凑型高功率防护器件市场空白。技术突破：三重创新1. 封装工艺革命● 采用铜引线框架+环氧树脂真空密封，在-55℃~150℃温度范围内维持热稳定性，解决微型化导致的散热瓶颈；● SMC封装兼容回流焊工艺，提升自动化贴装效率30%4。2. 非降级防护机制● 基于硅控整流结构（SCR），在纳秒级内触发低阻抗通路，2000次浪涌冲击后性能衰减＜6%，寿命为MOV器件的3倍；3. 车规级材料适配● 阳极采用钼掺杂铝基材，耐受800V平台下的反向击穿电压，通过ISO 16750-2标准测试。行业价值：成本与可靠性重构● 设计成本：减少50%占板面积，允许PCB层数从6层降至4层，单板成本降低18%；● 维护成本：免更换设计降低工业设备全周期运维费用40%，适配光伏电站25年寿命需求；● 国产替代加速：中国厂商平尚科技同步开发SMC封装1.8kA器件，价格低20%，倒逼国际巨头技术迭代。技术难题攻关● 电弧抑制：在DO-214AB腔体内集成二氧化硅弧隔栅，将2000A电流下的电弧扩散时间压缩至≤10ns，避免微封装烧蚀；● 热应力均衡：通过铜钨合金基板分散瞬态热冲击，解决微型化导致的局部高温（＞200℃）失效问题。Pxxx0S3G-A的诞生标志电路防护进入“毫米级高能时代”——以7mm身躯承载2kA浪涌，破解了新能源与智能工业的微型化悖论。随着中国厂商加入SMC封装竞赛，车规级高密度防护器件价格年降幅将超12%，加速800V快充与储能系统普及。未来三年，固态...
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2025/6/3 13:52:23
TDK推出业界首款 1608封装（1.6×0.8mm）8A积层贴片磁珠MPZ1608-PH ，以单芯片方案终结传统大电流电路需并联磁珠的历史。该产品通过 +125℃汽车级耐温认证 与 8A连续载流能力 ，为车载ECU、服务器电源等场景节省50%布局空间，2025年5月已投入量产。技术突破：材料与结构的双重革新1. 复合铁氧体材料：纳米晶掺杂配方将饱和磁通密度提升至650mT（常规500mT），抗直流偏置能力增强30%；125℃下阻抗衰减率2. 立体电极架构：三维铜柱电极替代平面电极，通流截面积扩大80%；热阻降至15℃/W（竞品25℃/W），8A满载温升3. 均流控制技术：消除并联磁珠的电流失衡问题（传统方案偏差＞20%）；100MHz频点阻抗一致性达±5%。行业价值：破解电源设计的空间魔咒空间节省：服务器GPU供电电路减少50%磁珠数量，释放12mm²布线空间；可靠性跃升：消除并联电流失衡风险，车载ECU故障率降低40%；降本增效：新能源汽车OBC模块减少焊点数量，生产良率提升5%。技术难题与破局之道1. 大电流磁饱和：问题：8A直流偏置导致传统铁氧体阻抗衰减＞50%；方案：梯度掺杂钴锌铁氧体，直流叠加特性提升3倍。2. 微型化散热挑战：问题：1.6mm长度下8A电流热密度达8W/cm³；方案：内嵌铜导热柱将热阻降至15℃/W。应用场景与千亿市场●智能汽车： ●电驱逆变器（抑制IGBT开关噪声，EMC通过ISO 7637-2）； ●智能座舱（USB PD快充电路节省70%EMC面积）；● 工业设备： ●5G基站AAU（单磁珠支持64T64R射频供电）； ...
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2025/6/3 13:48:24
Mini-Circuits的CY3-453+是一款宽带MMIC频率倍增器，可将6.66至15 GHz的输入频率转换为20至45 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。CY3-453+采用GaAs HBT技术，采用4x4mm 24引脚QFN型封装，具有出色的可重复性、低电感和良好的热效率。特性宽带输出范围：20至45 GHz出色的基波和近谐波抑制：F1:39 dBc典型值。F2:46 dBc典型值。F4:40 dBc典型值。输入驱动电平：+12至+17 dBm转换损耗：典型值20 dB。微小尺寸，4x4mm 24导联，QFN型应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/5/29 14:13:06
EQY-10-453+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。EQY-10-453+的标称衰减斜率为10.2 dB，采用2 x 2 mm的6引脚微型MCLPTM封装。特性宽带，直流至45 GHz出色的回波损耗，典型值为20dB。从直流到45 GHz的10.2 dB斜率小包装2 x 2 mm MCLP应用蜂窝基础设施5G宽带通信测试仪器防守
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2025/5/29 14:10:28
Mini-Circuits的SCPHS-180+是一种电压可变移相器，在微型表面贴装封装中提供90至180 MHz的360°相位控制。该模型的控制带宽为DC至30 kHz，控制电压范围为0至+10V。该装置采用屏蔽的12导联封装，带有环绕式端子，尺寸仅为0.87 x 0.80 x 0.25英寸，为低频操作中常见的更大、更昂贵的连接器移相器提供了一种节省空间、低成本的替代方案。特性•插入损耗低，典型值为2.2 dB。•宽相移，360°•可水洗应用•调频广播•飞机通信•甚高频
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2025/5/29 14:07:51
VAEQ-2150R+是一个内置于屏蔽外壳（尺寸为.394“x.394”x.150“）中的50Ω电压可变均衡器。该型号在950至2150 MHz的宽频率范围内具有出色的性能，可变斜率在10mm的小封装中提供了极大的灵活性。VAEQ-2150R+通常用于补偿射频链增益平坦度或电缆损耗与频率的关系。特性•宽带•线性损耗偏差低，典型值为±0.05 dB。•典型的高IP3+55 dBm。•屏蔽外壳•可水洗应用•电缆损耗补偿•仪器仪表•卫星L波段
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2025/5/29 14:05:03
Mini-Circuits的TCBT-203+是一种超宽带表面贴装偏置三通，覆盖10 MHz至20 GHz的应用，在整个频率范围内具有低插入损耗、出色的VSWR和高DC-RF隔离。该型号能够处理高达+30 dBm（1 W）的射频输入功率和高达250 mA的直流输入电流。该单元采用微型表面贴装封装（0.175 x 0.150 x 0.110“）。特性超宽带，10 MHz至20 GHz极低的插入损耗，0.8 dB出色的驻波比，1.3:1占地面积小，0.175 x 0.150 x 0.110英寸应用偏置放大器激光二极管的偏置有源天线的偏置
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2025/5/29 14:02:01
RCAT-10+（符合RoHS标准）是一种宽带固定衰减器，具有出色的衰减精度和平坦度。它可以处理高达2 W的功率。由薄膜电阻器组成的集成电路被粘合在优化的多层集成LTCC基板上，然后在受控的氮气气氛下用镀金盖和共晶AuSn焊料密封。这些衰减器能够满足MIL对总泄漏、精细泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和HTOL的要求。如果需要，可以进行测试。特性宽带，直流至20 GHz卓越的功率处理能力，2 W出色的衰减精度和平坦度微型尺寸，2.25 x 2.25 x 1.1毫米充氮密封陶瓷可水洗应用蜂窝可生产性成本研究通信雷达宽带军事测试和测量设备
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2025/5/29 13:50:21
QAT-15+是一种采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造的吸收式固定衰减器。该模型的工作范围为直流至50 GHz。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.4W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。特性小包装，2x2mm MCLP™超宽带，直流至50 GHz出色的驻波比，典型值为1.2:1。频率为25 GHz高功率处理，1.4W应用5G测试与测量雷达通信防守人造卫星
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2025/5/29 13:46:58
ZX76-50G-30-V+是一款50Ω 数字步进衰减器，以0.5 dB的步长提供0至31.5 dB的可调衰减。该控制器是一个6位并行接口，具有单个正电源电压。该型号采用独特的一体式外壳包装生产，坚固耐用，可在恶劣环境中使用。特性宽带，工作频率高达50 GHz免疫闭锁高IIP3，+50 dBm低插入损耗电压驻波比良好，典型值为1.5:1。无毛刺衰减过渡双电源或单电源电压：VDD=+3.3应用测试设置5G卫星通信X波段、S波段、C波段、KU波段和K波段雷达电子战测试设备
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2025/5/29 13:39:23
意法半导体宣布其 ST4SIM-300 eSIM卡 通过GSMA SGP.32认证，成为全球首批符合该标准的物联网专用嵌入式SIM。凭借 -40℃~105℃工业级宽温域、NB-IoT/Cat-M窄带支持 及 GSMA IoT SAFE安全单元集成 ，该产品直击数十亿物联网设备的连接管理痛点，为智能表计、移动医疗等场景提供“连接即服务”的革命性解决方案。技术突破：定义物联网连接新范式1. SGP.32协议首落地：● 突破传统eSIM依赖短信激活的限制，窄带环境下配置速度提升5倍；● 轻量化模板使配置文件体积压缩至2KB（旧标准需10KB），适配资源受限设备。2. 安全-连接一体化架构：● 基于ST33K1M5M安全微控制器（Cortex-M35P内核），硬件加密性能达3000次/秒；● 密钥存储于物理隔离区，抗侧信道攻击能力通过GSMA eSA认证。2. 工业级封装创新：● WLCSP24芯片级封装（3mm×3mm）耐腐蚀、抗硫化，通过96小时盐雾测试；● 加固型插卡版本支持50万次插拔寿命，远超行业20万次标准。行业价值：破解物联网“碎片化”困局● 连接成本降低60%：批量入网功能使百万设备配置时间从3个月压缩至2周；● 故障率下降80%：工业级设计保障极地/沙漠等恶劣环境稳定运行；● 安全合规性：满足GDPR/CCPA数据法规，避免千万级罚款风险。技术难题与解决方案1. 窄带环境配置效率： ● 问题：NB-IoT带宽仅200kHz，传统eSIM激活超时； ● 方案：SGP.32轻量化协议栈，配置耗时2. 高温加密稳定性： ● 问题：105℃下加密性能衰减50%； ...
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2025/5/29 11:49:33
随着消费电子快充迈入240W、工业伺服电机开关频率突破100kHz，传统硅基驱动芯片已成GaN性能释放的瓶颈。意法半导体正式推出STDRIVEG610与STDRIVEG611两款GaN半桥栅极驱动器，针对消费级电源适配器、工业伺服电机等场景优化设计。通过集成自举二极管、智能保护功能及纳秒级传输延迟，为600V GaN功率器件提供高精度驱动方案，助力系统突破能效大关。共性优势：● 驱动能力：2.4A灌电流/1.0A拉电流，开关延迟● 安全防护：高低边独立UVLO、过热关断、交叉传导互锁；● 宽压兼容：3.3V~20V逻辑输入，适配主流MCU。技术突破：三大创新重构性能边界1. 时序精准控制技术： ● STDRIVEG610通过纳秒级延时补偿电路，将LLC拓扑突发模式开关间隔偏差压缩至±5ns，效率提升2%； ● STDRIVEG611的死区时间自适应算法，减少电机换相损耗15%。2. 抗干扰强化设计： ● 内部屏蔽层+Guard Ring结构，dV/dt耐量达±200V/ns（竞品平均±100V/ns），抑制SiC/GaN开关串扰； ● 独立电源地引脚降低PCB布局噪声30dB。3. 集成化降本增效： ● 内置6V LDO省去外部稳压芯片，BOM元件减少40%； ● 4mm×5mm QFN封装功率密度达50W/cm³，较传统方案缩小60%...
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2025/5/29 11:34:11
BPF-B199+是一款采用SMT技术制造的屏蔽封装窄带带通滤波器（尺寸为0.472“x 0.826”x.22“）。这些单元覆盖199 MHz±5 MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性和高抑制性。该单元使用微型高Q电容器和焊线电感器，具有高可靠性。此外，它在生产批次中具有可重复的性能，在温度范围内具有一致的性能。特性•出色的VSWR，通带内典型值为1.2:1•高抑制，典型值为70 dB•插入损耗急剧下降•屏蔽外壳•可水洗应用•谐波抑制•发射器/接收器•无线电通信
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2025/5/28 14:46:02
THP-825+是一款采用SMT技术制造的50W高通滤波器。该高通滤波器覆盖825至4000 MHz。该系列滤波器采用微型封装，在节省空间的SMT封装中具有集总元件滤波器性能优越的双重优势。这些型号适合大规模生产，而不会失去小批量要求的灵活性。它在不同批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特性•插入损耗低•匹配良好•尺寸小（0.25英寸X 0.25英寸0.10英寸）应用•防御系统•模拟/数字陆地移动无线电PMR/PAMR•无线音频应用•公共蜂窝网络和GSM•射频识别•PCS和寻呼
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2025/5/28 14:41:57