MAPC-A1501是一款适用于960-1215MHz频率操作的高功率碳化硅上GaN HEMT D模式放大器。该设备支持脉冲操作，在65V时输出功率水平为1300 W（61.1 dBm），在50V时为1000 W（60.0 dBm），采用气腔陶瓷封装。特征·MACOM纯碳化物™放大器系列·适用于线性和饱和应用·脉冲操作：1300 W输出功率@65V·脉冲操作：1000W输出功率@50V·内部预匹配·260°C回流兼容·65V操作·100%射频测试·符合RoHS标准应用航空电子设备、敌我识别应答机。
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2025/9/10 14:43:58
MAAM-007501-SA2002放大器是一种离散混合设计，它使用薄膜制造工艺来实现精确的性能和高可靠性。这种单级PHEMT反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能。该设计还采用了阻抗变压器，并使用射频扼流圈进行电源去耦。表面安装封装是密封的，并且可以进行MIL-STD-883环境屏蔽。特征·低噪声系数：2.5 dB（典型值）·高三阶IP:+40.0 dBm·输出功率：+27 dBm（典型值）
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2025/9/10 14:42:00
HMC390LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为3.55至3.9 GHz。 采用3V单电源(42 mA)时，输出功率为4.7 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。特征+4.7 dBm相位噪声：-112 dBc/Hz@100 KHz无需外部谐振器单电源：3V@42 mAQFN无引线SMT封装，16mm2应用•无线本地环路（WLL）•VSAT和微波无线电•测试设备和工业控制•军事
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2025/9/10 14:36:34
TDK株式会社推出B41699（轴向式）与B41799（焊星式）系列超紧凑铝电解电容器，工作温度高达+140°C，支持60g振动稳定性与34.6A大纹波电流（10kHz）。该系列电容容量覆盖1800-13000μF，在+125°C环境下寿命超过4000小时，并通过AEC-Q200车规认证，为电动转向（EPS）、风扇控制及xEV平台提供高可靠性解决方案。核心作用解决汽车电子在高温、振动与空间约束下的电容可靠性问题：●电动转向系统（EPS）响应速度提升20%●48V/12V DC-DC转换器纹波抑制率＞90%●整车电容器数量减少30%，降低BOM成本产品关键竞争力●温度极限：+140°C工作温度（行业主流为+125°C）●振动抵抗：60g抗振（竞品普遍≤20g）●寿命保障：4000小时@+125°C（同等条件比竞品长50%）●容量密度：13000μF/21×49mm（体积效率较竞品高40%）实际应用场景●电动助力转向（EPS）：高频纹波电流支持（34.6A确保电机瞬时扭矩）●新能源车DC/DC转换器：48V-12V电源转换（低ESR减少压降）●智能热管理系统：冷却风扇驱动（+140°C耐受过温场景）●变速箱控制单元：60g抗振适应发动机舱振动TDK通过SIKOREL结构与材料创新，将车规电容的性能边界推升至140°C高温与60g抗振新高度。其超紧凑设计显著提升xEV平台空间利用率，而4000小时寿命与15年储存期则重新定义汽车电子可靠性标准。随着电动汽车复杂度提升，此系列有望成为下一代车身控制系统的核心储能元件。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/9/10 14:13:26
英飞凌科技扩展其OptiMOS™ 6产品组合，推出150V车规级MOSFET系列，提供TOLL、TOLG、TOLT三种封装。该系列基于第六代OptiMOS™技术，实现同级别最低2.5mΩ导通电阻及0.4K/W热阻，显著降低高频应用中的开关损耗与导通损耗，为xEV高压-低压DC/DC转换器、电动两轮车牵引逆变器等场景提供高可靠性解决方案。核心作用●解决电气化系统中效率-密度-成本三角矛盾：●电动两轮车牵引逆变器效率提升至98.5%●高压-低压DC/DC转换器功率密度达4.8W/cm³●并联系统元件数量减少30%，BOM成本降低15%产品关键竞争力●能效极致：2.5mΩ RDS(on)（100A工况损耗较竞品低3.5W）●热管理革新：TOLT封装顶部散热（结温降低20℃）●集成灵活性：TOLL/TOLG布局兼容（10×12mm²占板）●车规可靠性：-40℃~175℃工作温度（发动机舱直接安装）实际应用场景●电动乘用车：48V-12V DC/DC转换（TOLL封装节省50%布局空间）●电动两轮车：牵引逆变器主板（TOLT封装直接散热免风扇）●商用物流车：电池管理系统均衡电路（并联同步偏差＜1%）●工业电源：通信基站高效整流（150V耐压适配48V系统）英飞凌通过第六代OptiMOS™技术将150V MOSFET的性能边界推向新高度，其2.5mΩ导通电阻与0.4K/W热阻的组合直击电气化系统能效痛点。三封装策略覆盖从紧凑型到高散热全场景，为新能源汽车及电动两轮车提供“效率-密度-成本”三重优化方案，加速全球交通电气化进程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/9/10 14:01:28
Mini-Circuits的LFCG-1525+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到1525MHz，支持各种应用。该模型提供了1.0 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征•低损耗，典型值为1dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•军事无线电应用•警用移动电台
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2025/9/9 15:21:27
BFHK-8501+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。7.5-8.8 GHz的通带损耗低至3.1 dB，典型的阻带抑制在90 dB到25 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:13:26
BFHK-6251+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。5.35–6.7 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在76 dB到15.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为76 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:10:01
BFHK-1272+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。11.9–12.8 GHz的通带损耗低至2.9 dB，典型的阻带抑制在100 dB到31 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为100 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:07:38
BFHK-1072+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。9.2-11.3 GHz的通带损耗低至3.1 dB，典型的阻带抑制在90 dB到30 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:04:48
表面贴装陶瓷谐振器滤波器都采用坚固的结构，能够承受多次苛刻的回流循环。通过精确的调谐和过程控制，实现了跨单元的出色可重复性。特征高抑制，典型值60 dB。部分带宽：2.5%卓越的功率处理：5瓦低剖面屏蔽封装，10x12mm应用测试与测量射电天文学
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2025/9/9 15:00:40
BFHKI-4951+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为4.3至5.3 GHz，支持多种应用。该模型实现了高达12.3 GHz的60 dB典型阻带抑制，并能够安装在共面波导布局上。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征带集成插入板的LTCC带通滤波器宽阻带抑制型。高达12.3 GHz的60 dB小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
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2025/9/9 14:57:49
并行/串行选择可使用并行或串行接口进行控制，PE43711的P/S引脚提供此选择功能。P/S=LOW时选择并行接口，P/S=HIGH时选择串行接口。并行模式接口并行接口由七条CMOS兼容的控制线组成，用于选择所需的衰减状态，如表4所示。并行接口的时序要求在表8（并行接口时序图）、表4（并行接口直流特性）和开关时间（表3）中定义。对于锁存并行编程，锁存使能（LE）在更改衰减状态控制值时应保持为低电平，然后将LE从高电平脉冲至低电平（见表4）以锁存新值。在直接并行编程中，LE线应拉高。更改衰减状态控制值将直接使器件状态变为新的衰减值。直接模式适用于手动控制器件（使用硬件、开关或跳线）。串行接口串行接口是一个8位移位寄存器，后接一个透明锁存器。这8位构成一个衰减字，用于控制DSA。图3中的时序图示例说明了编程一个状态的时序。串行接口使用三条CMOS兼容的信号进行控制：时钟（CLK）、串行输入（SI）和LE。SI和CLK输入允许串行数据被移入。数据应在时钟的上升沿串行锁存，先输入最高位。在加载移位寄存器时，必须将LE保持为低电平，以防止衰减值在数据输入期间发生变化。当所有数据输入完成后，应将LE拉高，然后再拉低，将新数据锁存并送入DSA。表5中列出了串行寄存器的编程示例。图2为串行寄存器的逻辑真值表，图3为串行时序图示例。当DSA工作在串行模式时，所有并行控制输入必须接地。上电控制设置PE43711在上电时将始终初始化为衰减设置（31.75 dB）和下一个编程字。在直接并行模式下，该设置将保持不变，直到用户重新编程该字。在DSA上电期间，可通过在电源接通前预设并行控制引脚的状态，将衰减范围预设为31.75 dB以内的任何状态。在此模式下，DSA有400 μs的上电时间延迟，器件在此期间完成初始化。在上电期间，衰减设置（31.75 dB）在默认为用户定义状态之前有效。如果控制引脚悬空...
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2025/9/9 14:38:00
圣邦微电子推出高性能功率监控器SGM838，支持0V-85V超宽共模输入电压与16位Σ-Δ ADC精度，集成电流/电压/温度三参数测量及功率计算功能。通过24μs超快警报响应与±1℃温度精度，为AI服务器、48V储能系统及工业设备提供全链路精密监控解决方案，工作温度覆盖-40℃~125℃车规级范围。核心作用●解决高电压平台精密测量与系统保护协同难题：●AI服务器48V总线功耗实时监控（精度±0.5%）●储能系统BMS多参数同步采集（电流/电压/温度）●工业设备预测性维护（过功率预警减少停机损失）产品关键竞争力●测量维度：电流+电压+温度+功率四参数集成（竞品多为单电流监测）●速度精度平衡：16位ADC支持4.12ms-150μs可调转换时间（噪声抑制与响应速度兼得）●接口生态：I²C兼容接口（支持主机远程配置与数据读取）●可靠性设计：MSOP-10封装通过AEC-Q100认证实际应用场景●AI服务器集群：GPU机柜48V总线效率优化（85V耐压抵御电压尖峰）散热系统实时热监控（±1℃精度防止过热降频）●光伏储能系统：BMS充放电效率分析（nA偏置电流支持μA级休眠电流检测）●工业自动化：机器人关节电机功耗管理（24μs响应防止过流烧毁）●电信设备：5G基站电源健康度预测（I²C接口对接主控MCU）SGM838以85V共模耐受与16位精度重塑高压功率监控标准，其多参数集成能力显著降低AI服务器与储能系统的BOM复杂度。作为圣邦微在高端模拟芯片领域的最新突破，该产品有望加速48V基础设施的国产化替代进程，为中国智造提供“测量+保护”双引擎。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/9/9 14:20:55
Bourns扩展其符合AEC-Q200车规标准的CRF系列电流检测电阻，推出采用SMD 2010封装的CRF2010型号及2512封装的CRF2512型号。两款产品均采用金属片技术，CRF2010支持1.5W功率及1-50mΩ阻值范围，CRF2512功率达3W且感值＜5nH，为电池管理系统(BMS)、工业电源及机器人控制提供高精度、高可靠性电流检测解决方案。核心作用●解决高密度PCB设计中的电流检测精度与空间冲突：●2010封装比传统2512尺寸缩小60%，功率密度提升50%●50ppm/°C TCR保障新能源汽车BMS电流采样全温域精度●金属片技术浪涌耐受能力提升3倍（应对电机启动瞬时电流）产品关键竞争力●功率密度：2010封装1.5W（竞品同尺寸普遍≤1W）●精度保障：±50 ppm/°C TCR + 1%电阻公差●高频优化：CRF2512感值＜5nH（适合开关频率＞100kHz场景）●车规可靠性：通过AEC-Q200认证（含热冲击/湿度老化测试）实际应用场景●电动汽车BMS：电芯充放电电流监控（50mΩ电阻支持100A大电流采样）车载充电机(OBC)过流保护（AEC-Q200保障车规可靠性）●工业机器人：关节电机相电流检测（＜5nH感值适配20kHz PWM）●光伏逆变器：DC/AC转换侧电流采样（1%公差确保转换效率＞98%）●消费电子：高端服务器电源（2010封装兼容高密度主板布局）Bourns通过金属片技术与陶瓷基板融合，在2010封装内实现1.5W功率突破，重新定义电流检测电阻的功率密度极限。其±50ppm/°C TCR与AEC-Q200认证组合，为新能源汽车与工业设备提供“精度-可靠性-体积”三重保障，有望加速进口替代进程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频...
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2025/9/9 14:17:49
AD8190是一款HDMI/DVI开关，具有均衡TMDS输入和预加重TMDS输出，非常适合配置较长电缆的系统。输出可以设置为高阻抗状态，以降低功耗，并且/或者利用线“或”技术构建较大的阵列。AD8190提供节省空间的56引脚LFCSP表贴无铅塑封封装，额定工作温度范围为-40°C至+85°C。特征• 2路输入、1路输出HDMI/DVI链路• 支持HDMI 1.2a兼容型接收机• 每链路4个TMDS通道支持250 Mbps至1.65 Gbps数据速率支持25 MHz至165 MHz像素时钟均衡输入支持使用HDMI长电缆（20米、1080p）完全缓冲的单向输入/输出• 可开关控制的通用50 Ω片内端接电阻预加重输出低附加抖动单电源供电(3.3 V)• 56引脚、8 mm × 8 mm LFCSP无铅封装应用多输入显示器投影仪A/V接收器机顶盒高级电视机（HDTV）
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2025/9/8 14:52:57
OP727是一款精密、双通道、轨到轨输出、单电源运算放大器，具有微功耗特性和轨到轨输出范围。OP777、OP727和OP747放大器性能超越采用±15V电源的工业标准OP07，此外还提供更进一步的优势，例如低至+3.0V的真正单电源操作和令任何其他高压精密双极性放大器相形见拙的更小封装选项。输出稳定，容性负载超过1000pF。电源电压为5 V时，每个放大器的电源电流小于300 μA。其内置500 Ω串联电阻可以保护输入信号，允许输入信号电平高出正电源电压若干伏特，并保证无反相。特征• 低失调电压：100 µV（最大值）• 低输入偏置电流：10 nA（最大值）• 单电源供电：3.0 V至30 V• 双电源供电：±1.5 V至±15 V• 低电源电流：每个放大器300 µA（最大值）• 单位增益稳定• 无反相应用电流传感（分流）线路或电池供电仪器遥感器精密过滤器OP727 SOIC引脚与LT1013兼容
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2025/9/8 14:50:24
AD9236是一款单芯片、12位、80 MSPS模数转换器（ADC），采用3 V单电源供电，内置一个高性能采样保持放大器（SHA）和基准电压源。它采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在80 MSPS数据速率时可提供12位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。利用宽带宽、真差分采样保持放大器（SHA），用户可以选择包括单端应用在内的各种输入范围和偏移。该器件适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统，以及采用远超过Nyquist速率的频率对单通道输入进行采样。与以前的模数转换器相比，AD9236的功耗有所降低，适用于通信、成像和医疗超声等应用。采用一个单端时钟输入来控制所有内部转换周期。一个占空比稳定器（DCS）用来补偿较大的时钟占空比波动，同时保持出色的性能。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。特性• 3 V单电源供电（2.7 V至3.6 V）• 信噪比（SNR）：70.4 dBc（至Nyquist频率）• 无杂散动态范围（SFDR）：87.8 dBc（至Nyquist频率）• 低功耗：366 mW （80 MSPS）• 低功耗：366 mW （80 MSPS）
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2025/9/8 14:48:24