南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其低通滤波器芯片的型号及产品介绍主要如下：型号主要有：MWF005、MWF0066、MWF0067、MWF0068、MWF0069、MWF0070、MWF0071、MWF0072、MWF0073、MWF0074MWF005MWF005 是一款低通滤波器芯片，频率范围为19.2-21.4GHz，主要应用 于谐波抑制及本底噪声改善，具有体积小、一致性好等特点。MWF0066MWF0066 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-0.4 GHz，通带损耗在 0.4 GHz 的值为 1.5 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0067MWF0067 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-0.5 GHz，通带损耗在 0.5 GHz 的值为 1.2 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0068MWF0068 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-1 GHz，通带损耗在 1 GHz 的值为 1.3 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0069MWF0069 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-1.5 GHz，通带损耗在 1.5 GHz 的值为 1.3 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0070MWF0070 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-2 GHz，通带损耗在 2 GHz 的值为 1.2 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0071MWF0071 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-2.5 GHz，通带损耗在 2.5 GHz 的值为 1.1 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0072MWF0072 是一款低通滤波器芯片。频率范围在 DC-3 GHz，通带损耗在 3 GHz 的值为 1.2 dB，具有插损小、带外抑...
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2025/10/30 11:32:58
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其带通滤波器芯片的型号及产品介绍主要如下：型号主要有：MWF0063、MWF0065、MWF002、MWF001、MWF0062MWF0063MWF0063 是一款带通滤波器芯片，频率范围为 1.3-2.3 GHz，该芯片具有通带损耗小、带外抑制度好等特点。MWF0065MWF0065 是一款带通滤波器芯片，频率范围为 8-12 GHz，该芯片具有通带损耗小、带外抑制度好等特点。MWF002MWF002 是一款基片集成的波导（SIW）滤波器，频率范围40.5-43.5GHz， 5 阶切比雪夫滤波器。MWF001MWF001 是一款基片集成的波导（SIW）滤波器，频率范围41.5-45.5GHz， 5 阶切比雪夫滤波器。MWF0062MWF0062 是一款W波段带通滤波器芯片，频率范围为 92.6-96 GHz，该芯片插损典型值为 5 dB，远端抑制 40 dB@99.1 GHz，具有带外抑制度优等特点。如有米乐为型号需求，可直接联系客服
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2025/10/30 11:27:12
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其高通滤波器芯片的型号及产品介绍主要如下：型号主要有：MWF003、MWF004、MWF0095、MWF0023MWF003MWF003 是一款高通滤波器芯片，频率范围为20~40GHz，主要应用于本 底噪声改善，具有体积小、一致性好等特点。MWF004MWF004 是一款高通滤波器芯片，频率范围为29.3-31.2GHz，主要应用于本底噪声改善，具有体积小、一致性好等特点。MWF0095MWF0095 是一款高通滤波器芯片。频率范围在 22.8-40 GHz，通带损耗典型值为 1.7 dB，具有插损小、带外抑制度好等特点。MWF0023MWF0023 是一款基于 GaAs 工艺设计制造的高通滤波器芯片。频率范围为24-50GHz，主要应用于本底噪声改善，具有体积小、一致性好的优点。如有米乐为型号需求，可直接联系客服。
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2025/10/30 11:23:30
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其收发多功能芯片的型号及产品介绍主要如下：型号主要有：MWR201、MWT201、MWZ1004、MWZ4001、MWZ4002MWR201MWR201 是一款采用GaAs pHEMT 工艺设计制造的带有三倍频、低噪放和混频器的接收系统。本款产品能够实现射频86-98 GHz频带内下变频功能。它能够广泛应用于点对点通信系统，军用雷达，电子对抗等多个领域。MWT201MWT201是一款采用GaAs pHEMT 工艺设计制造的带有三倍频、驱动和混频器的发射系统。本款产品能够实现射频86-98 GHz频带内上变频功能。它能够广泛应用于点对点通信系统，军用雷达，电子对抗等多个领域。MWZ1004MWZ1004 是一款接收变频多功能芯片，射频输入频率为 57-64 GHz，本振输入频率为19-21.4 GHz，中频输出频率为 DC-500 MHz。芯片集成射频低噪声放大、本振三倍频、本振放大，工作频率范围内变频增益典型值为 8.5 dB，具有优良的变频增益及端口驻波特性。MWZ4001MWZ4001 是一款接收多功能芯片，芯片内集成 6 倍频器、放大器及混频器，采用 +4 V 供电，变频增益典型值为 29 dB，隔离度（本振抑制）高达 46 dBc，可提供 10 dBm 的输出 P1dB。MWZ4002MWZ4002 是一款发射多功能芯片，芯片内集成 6 倍频器、放大器及混频器，采用 +4 V 供电，变频增益典型值为 18 dB，饱和输出功率典型值为 13 dBm。
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2025/10/30 11:13:54
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其二极管检波器型号及产品介绍主要如下：型号主要有：MWJ0027、MWJ0028MWJ0027MWJ0027 是一款工作频率为 0.5-30 GHz 的二极管检波器芯片，检波动态范围为 30 dB。本款检波器在 +5 V 电压供电时，检波灵敏度达到 170 mV/mW。关键特征频率范围：0.5-30GHz输入回波损耗：20 dB检波灵敏度：170mV/mW动态范围：30 dB芯片尺寸：700μmx1050μmx100 pmMWJ0028MWJ0028 是一款工作频率为 0.5-50 GHz 的二极管检波器芯片，检波动态范围为 25 dB。本款检波器在 +5 V 电压供电时，检波灵敏度达到 250 mV/mW。关键特征频率范围：0.5-50GHz输入回波损耗：20dB检波灵敏度：250mV/mW动态范围：25 dB芯片尺寸：700 μmx1050pmx100μm如有产品需求，可直接联系客服。
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2025/10/30 10:48:42
10月23日，雷鸟创新在秋季新品发布会上正式推出第四代“口袋电视”——雷鸟Air 4系列AR眼镜。作为全球首款支持HDR10显示的AR眼镜，该产品首次搭载自研画质芯片Vision 4000，联合音响品牌B&O打造音频系统，在画质、音质及AI功能上实现全面升级，进一步拓展了AR眼镜的实用场景。画质突破：自研芯片与HDR技术加持雷鸟Air 4系列最大的亮点在于首次为AR眼镜配备了专用画质芯片——Vision 4000。该芯片由雷鸟创新与Pixelworks联合开发，能够针对AR光学系统特性优化亮度动态与色彩层次，使微显示光路下的画面仍具备影院级观感。硬件参数上，雷鸟Air 4的峰值亮度提升至1200nits，支持10bit色彩输出，色彩丰富度较前代8bit提升64倍，动态范围实现翻倍。这一升级使其能够充分展现HDR内容细节，并保障户外环境下的清晰使用。此外，眼镜内置AI SDR转HDR算法，可对普通视频源进行亮度和色彩重构，输出接近原生HDR的画质，有效缓解了HDR片源稀缺的行业痛点。音质升级：联合B&O打造沉浸声场雷鸟创新此次与音响品牌B&O合作，为雷鸟Air 4定制音频系统。通过联合调校与独家“导音鳍”配件，显著减少了音频外泄与损耗。四颗独立扬声器采用高分子振膜单元与独立DAC芯片驱动，配合B&O特调音效，实现了环绕立体声效果，使音画体验同步跃升。AI赋能：2D转3D拓展内容生态软件层面，雷鸟Air 4新增AI 3D视频生成功能，通过视觉分析系统将2D视频实时转化为3D立体画面，大幅提升沉浸感。这一技术降低了AR眼镜对原生3D资源的依赖，让用户能够将任意视频内容转化为更具临场感的视听体验。多产品线更新：生态布局持续完善同期，雷鸟创新还公布了V3系列AI拍摄眼镜与X3 Pro的升级计划。V3系列获得苹果MFi认证，支持Apple Watch联动...
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2025/10/30 10:37:07
金升阳近期推出了定压高隔离小体积R3S/R3SG系列DC/DC电源模块，功率覆盖1-2W。该系列产品采用紧凑型设计，提供高达5000VAC或6000VDC的隔离电压，并具备低至4pF的隔离电容和基本特性1. 卓越的安全性与高隔离特性●高绝缘强度：模块满足加强绝缘要求，隔离电压高达5000VAC或6000VDC。●优化的电气间隙与爬电距离：WS封装版本电气间隙与爬电距离＞8mm，S封装版本＞5mm，有效防止电弧击穿和表面漏电，提升长期使用的安全性。●极低的漏电流：在250VAC、50/60Hz工作条件下，漏电流2. 出色的可靠性与环境适应性●低干扰与高稳定性：隔离电容低至4pF，能有效抑制高频噪声传递，确保模块在复杂电磁环境下的稳定运行。●宽工作温度范围：支持-40℃ 至 +105℃的宽温工作，适应极端恶劣的工业与环境条件。●完善的保护机制：具备可持续短路保护功能，防止因输出短路导致的设备损坏，延长使用寿命。3. 紧凑的物理尺寸●小型化设计：R3S系列相较于前代R3系列，体积降低了近34%，更加契合现代电子设备对高功率密度和小型化的追求。技术难点及应对方案●难点一：高隔离与小型化的矛盾行业挑战：实现高隔离电压通常需要较大的电气间隙和爬电距离，这与设备小型化的趋势相悖。应对方案：金升阳通过优化的内部结构设计与材料应用，在WS封装中实现了＞8mm的电气间隙和爬电距离，同时使R3S系列体积较R3系列减少约34%，成功平衡了高隔离与小型化的需求。●难点二：复杂环境下的电磁干扰（EMI）行业挑战：工业、医疗等场景中复杂的电磁环境易对电源及信号造成干扰。应对方案：通过将隔离电容降至4pF，显著减少了共模噪声的耦合路径，增强了产品在噪声环境下的抗干扰能力和系统稳定性。●难点三：医疗安规与可靠性的兼顾行业挑战：医疗设备电源需同时满足严格的漏电流限值、高安全隔离和长期可靠性要求。应对方案：产品...
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2025/10/30 10:33:39
9月下旬，小米汽车宣布一项重大组织架构调整，成立直接向雷军汇报的一级部门——架构部，专门负责智能电动汽车下一代技术架构的规划与定调。新部门由雷军亲自挂帅，成员包括部分研发部门负责人与核心骨干。整车研发负责人崔强已转入该部门，原电动力负责人王振锁接替崔强负责整车研发工作。此次调整发生在小米汽车业务发展的关键节点。截至2025年9月，小米SU7累计销量已突破25.8万辆，首款SUV车型YU7上市三个月交付超4万辆，售价52.99万元起的SU7 Ultra锁单量超过2.3万辆。业内预计小米汽车业务有望在今年实现单季度盈利。01 新部门战略定位架构部作为小米汽车的一级部门，具有独特的战略定位。该部门将直接向雷军汇报工作，成员由研发部门负责人与核心骨干组成。在汽车行业，类似职能通常被列为二级部门或项目组，小米将其提升为一级部门，显示出对技术前瞻规划的高度重视。架构部的核心使命是思考并定调小米智能电动汽车的下一代技术架构。在汽车行业，一个技术平台通常会推出3款以上车型，存续3-5年，直接决定车企未来相当长时间内的市场竞争力。由于产品开发、验证与量产都是长周期工作，技术定调需要提前5-8年进行。这意味着架构部当前的决策，将影响小米2030年前后的产品技术基调和市场地位。02 技术布局的紧迫性汽车行业正经历深刻变革，技术路线选择成为企业竞争的分水岭。电动化领域，高性能电机技术竞争白热化；电池面临超充与固态路线选择。智能化领域，L3级自动驾驶商业化路径与付费意愿尚不明确，纯视觉与激光雷达方案各有拥趸。2025年3月小米SU7辅助驾驶事故后，工信部收紧了智能驾驶宣传口径，禁止使用“智驾”等模糊表述，行业从“技术狂热”转向“安全务实”。一位行业人士举例解释技术决策的长周期特性：“在2019年，当电动汽车快充技术普遍在100kW时，车企就需要思考，是要在2025年推800kW的超快充，还是能量密度...
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2025/10/30 10:30:05
闻泰科技2025年第三季度财报显示，公司单季实现净利润10.4亿元，同比增幅高达279%，创下历史最佳三季度表现。其中，子公司安世半导体贡献净利润7.24亿元，占总体净利润约70%，成为业绩增长的核心驱动力。公司整体营收达44.27亿元，半导体业务营收43.00亿元，同比增长12.20%，毛利率维持在34.56%的高位。业务剖析：双轮驱动战略成效显著一、半导体业务全面增长，汽车与AI应用引领需求地区表现：中国市场收入创季度新高，同比增长14%，占全球总收入49.29%；欧洲市场同比增长超10%；美洲市场增长约14%产品进展：MOSFET收入同比增长13%，80V/100V新品实现量产；逻辑与模拟芯片增长15%，多款AI电源与车规产品上市；宽禁带与IGBT收入实现三倍增长，SiC MOSFET与GaN FET进入量产阶段市场地位：安世半导体全球排名从第11位跃升至第3位，汽车功率半导体份额达约12%二、产品集成业务战略性剥离，完成轻资产转型受实体清单影响，产品集成业务收入显著收缩，第三季度营收仅1.10亿元，占比2.50%。公司通过出售多家子公司完成业务剥离，实现净利润3.70亿元（主要来自资产出售收益），标志着公司已全面转向以半导体为核心的业务模式。战略背景：收购赋能与治理挑战自2019年被闻泰科技收购以来，安世半导体在中国管理层带领下实现惊人蜕变：营收增长60%、利润实现数倍增长，并于2024年10月还清所有债务。然而，公司目前正面临控制权之争，荷兰政府强行接管安世半导体后，中国政府已对其实施出口管制，中国安世宣布拒绝执行荷兰方面的指令。中国市场作为安世最关键的收入来源（占比近50%），为中国管理层提供了重要谈判筹码。结语闻泰科技通过精准的半导体聚焦与果断的业务重组，成功实现了盈利能力的历史性突破。安世半导体在汽车与AI领域的深度布局，以及在中国市场的强劲表现，为公司未来...
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2025/10/30 10:25:04
定义Avago Technologies的ALM-38140是一款完全匹配的宽带可变衰减器模块，具有高线性性能和高动态范围。只需在Linput和Loutput之间放置一个外部电感器，即可实现高动态范围和低相移。ALM-38140是一个完全集成的解决方案，使用Avago Technologies的低失真硅PIN二极管，封装在微型3.8 x 3.8 x 1.0 mm3 MCOB（板上多芯片）封装中。该可变衰减器模块易于在恒定电压Vsupply=2.7V和控制电压Vcontrol=0.8-5V下操作。不需要外部偏置组件。ALM-38140是RF放大器电路中增益控制的理想选择。特征•完全集成的模块•高动态范围•出色的输入IP3性能•高输入P1dB压缩•相移性能低•提供磁带和卷轴包装选项1.9GHz下的典型性能•衰减：39dB•插入损耗：3.2dB•输入IP3:50dBm•输入P1dB:30dBm应用•宽带系统应用；如有线电视、WCDMA、VSAT、WIMAX、蜂窝基站。•适用于低电流应用的通用压控衰减器。•温度补偿电路•自动增益控制
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2025/10/29 11:10:46
定义AG201-63通常提供11 dB增益、+19 dBm OIP3和+6.5 dBm P1dB。该器件将可靠的性能与一致的质量相结合，在+85°C的安装温度下保持MTTF值超过1000年，并采用无铅/绿色/RoHS兼容的SOT-363行业标准SMT封装。AG201-63由使用高可靠性InGaP/GaAs HBT工艺技术的达林顿对放大器组成，只需要隔直电容器、偏置电阻器和电感RF扼流圈即可运行。宽带MMIC放大器可以直接应用于各种当前和下一代无线技术，如GPRS、GSM、CDMA和W-CDMA。此外，AG201-63将适用于直流至6 GHz频率范围内的其他各种应用，如有线电视和WiMAX。特征•直流–6000 MHz•900 MHz时增益为11 dB•900 MHz时为+6.5 dBm P1dB•900 MHz时为+19 dBm OIP3•单电压电源•内部匹配50Ω•坚固的1000V ESD，1C级•无铅/绿色/RoHS兼容SOT-363封装应用•移动基础设施•有线电视/FTTX•无线局域网/ISM•射频识别•WiMAX/WiBro
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2025/10/29 11:02:06
定义CLA4609-086LF是一种表面安装的低电容硅PIN限流二极管，设计为并联PIN二极管，适用于10 MHz至6 GHz以上的高功率限流应用。100 mA时的最大电阻为1.5Ω，30 V时的最大电容为0.6 pF。低连接电容、低寄生电感、低热阻和标称28μm I区宽度的组合使CLA4609-086LF可用于大信号限制器应用。标称阈值电平为+36 dBm。特征•低热阻：25°C/W•典型阈值电平：+36 dBm•低电容：0.6 pF•低剖面、超微型QFN（3针，2 x 2 mm）封装（MSL1，260°C，符合JEDEC J-STD-020）应用•低损耗、高功率限制器•接收器保护器
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2025/10/29 10:58:22
定义SKY66294-11是一款具有高增益和线性度的高效全输入/输出匹配功率放大器（PA）。紧凑型5 x 5 mm PA专为2000至2300 MHz工作的FDD和TDD 2G/3G/4G LTE小蜂窝基站而设计。集成有源偏置电路，以补偿PA性能过热、电压和工艺变化。SKY66294-11是支持所有3GPP频段的高效、引脚到引脚兼容的PA系列的一部分。特征•高效率：PAE=37.3%@+28 dBm•高线性度：+28 dBm，ACLR•高增益：35.5 dB•出色的输入和输出回波损耗：高达50Ω系统•集成有源偏置：温度范围内的性能补偿•集成启用开/关功能：PAEN=1.7至2.5 V•单电源电压：5.0 V•支持所有3GPP频段的针对针兼容PA系列•紧凑型（16针，5 x 5 x 1.3 mm）封装（MSL3，260°C，符合JEDEC J-STD-020）应用FDD和TDD 2G/3G/4G LTE系统3GPP频带1、4、10和23小蜂窝基站用于微基站和宏基站的驱动放大器有源天线阵列和大规模MIMO
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2025/10/29 10:53:58
定义TQP5525是高功率WLAN功率放大器模块，包含内部匹配的3级PA、补偿直流偏置电路和输出功率检测器。该PA模块为宽带OFDM应用提供了高增益（32 dB）、高线性度、行业领先的EVM下限和出色的频谱纯度。该架构和接口针对下一代802.11.ac WLAN设备最严格的EVM要求进行了优化。TQP5525具有芯片组逻辑兼容的控制电压和缓冲PA使能引脚（PAEN），所有这些都消耗非常低的电流，以方便使用，并与当前和未来的收发器世代兼容。凭借其优化的功耗，该放大器模块非常适合在下一代MIMO配置中实现，并且设计良好，可以在有或没有数字预失真（DPD）的情况下工作。TQP5525采用Qorvo的高可靠性HBT技术制造，采用4.0mm x 4.0mm x 0.85 mm的20焊盘QFN封装。特征带功率检测器的全集成802.11ac功率放大器模块内部匹配的输入/输出温度补偿偏置网络高增益=32dB集成CMOS兼容逻辑和关断在-35 dB EVM时，POUT=+25 dBm（典型值），（802.11n/HT40 / MCS7)在-40 dB EVM时，POUT=+18 dBm（典型值），（802.11ac/VIT80/MCS9）在-30 dB EVM时，POUT=+26 dBm（典型值），（802.11ac/VIT80/MCS9）电源电压：+3.3 V至+5.0 V无铅4.0 x 4.0 x 0.85毫米QFN封装应用802.11a/n/ac无线局域网系统CPE（机顶盒、路由器、网关）WiFi接入点和小型蜂窝远程信息处理游戏和信息娱乐便携式设备点对点和回程ISM频段
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2025/10/29 10:47:12
定义QPA7489A是一款高性能SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供了高FT和优异的热性能。异质结增加了击穿电压，并最大限度地减少了结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致对互调产物的更高抑制。QPA7489A可以通过使用降压电阻器在各种电源电压下工作。两个隔直电容器、旁路电容器和一个可选的射频扼流圈完成了该内部匹配的50欧姆设备运行所需的电路。QPA7489A采用符合行业标准的SOT-89封装组装，无铅且符合RoHS标准。特征直流至3500 MHz操作单正电压电源可级联50 Ω增益：1950 MHz时为17.7 dB输出IP3:850 MHz时典型值为+37.7 dBm噪声系数：1950 MHz时的典型值为3.2 dB低热阻SOT-89封装无铅/符合RoHS标准应用蜂窝、PCS、GSM、UMTS功率放大器驱动器中频/射频缓冲放大器无线数据，卫星
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2025/10/29 10:29:00
定义Qorvo的TQP369185是一款低成本表面贴装封装的可级联50欧姆增益块放大器。增益块的工作范围为DC至6 GHz，在几乎任何无线应用中都作为增益级提供了灵活性。增益块内部与达林顿对配置相匹配，该配置在Qorvo的高性能InGaP/GaAs HBT工艺上具有内部有源偏压。这只允许直接从5V电源操作时需要外部RF扼流圈和阻断/旁路电容器。该设备采用无铅/绿色/RoHS兼容的行业标准SOT-89封装。特征DC-6000兆赫1.9 GHz时的19 dB增益1.9 GHz时的4.7 dB噪声系数+1.9 GHz时31.7 dBm输出IP3+1.9 GHz时为19.6 dBm P1dB50欧姆级联增益块SOT-89封装应用移动基础设施LTE/WCDMA/CDMA有线电视点对点通用无线
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2025/10/29 10:23:47
定义Qorvo的RF1602是一种单极双掷（SPDT）开关，专为需要极低插入损耗和高功率处理能力以及最小直流功耗的开关应用而设计。RF1602所实现的出色线性性能使其成为SV-LTE、WCDMA和CDMA应用的理想选择。RF1602在RF端口之间提供了非常高的隔离，在发射和接收路径之间提供了更大的分离。RF1602采用非常紧凑的2mm x 2mm x 0.55mm 12引脚QFN封装。特征•低频至3.5GHz操作•典型低插入损耗。1GHz时为0.3dB•典型的极高隔离度。1GHz时为42dB•高线性，IIP2型。129dBm•直接连接到VBATT•兼容低压逻辑（VHIGH最小值=1.3V）•除非外部施加直流电，否则射频路径上不需要外部直流阻断电容器•所有端口的2kV HBM额定值应用SV-LTE、WCDMA、GSM后PA切换通用开关应用
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2025/10/29 10:17:07
CBP-1645J+是一种基于陶瓷同轴谐振器的带通滤波器，采用SMT技术制造，采用屏蔽封装。该滤波器具有窄通带，提供低插入损耗、低VSWR和高功率处理，适用于卫星通信。特征•良好的插入损耗•低驻波比•微型屏蔽封装应用•卫星通信•射电天文学
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2025/10/29 10:10:52