这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2 引线）和 H2PAK-7（7 引线）适用于有散热基板的底部散热设计或有热通孔或其他增强散热功能的 PCB板。两款新产品还提供 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部散热表面贴装封装。STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封装符合 AEC-Q101标准的 27A N沟道 600V 器件，典型导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩大该产品系列，提供型号齐全的产品，涵盖更宽的额定电流范围和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:55:59
全球半导体产业发展在2023年经历了较大波动。Omdia最新的行业报告显示，半导体行业的收入从2022年的5977亿美元下降到2023年的5448亿美元，下降9%。在经历了两年创纪录的增长之后，这一降幅突显出半导体市场的周期性。“先前半导体需求激增，导致市场短缺，但情况发生了逆转。由于宏观经济因素，需求有所减弱，而半导体元件供应有所增加，”Omdia高级研究分析师Cliff Leimbach评论道。2023年，尽管半导体行业整体低迷，人工智能却成为该行业的重要增长动力，专注于该领域的公司从中受益。英伟达是这一领域明显的赢家，其半导体收入从2022年增加了一倍多，到2023年达到490亿美元。英伟达的发展轨迹凸显了这一成就，因为2019年其半导体收入还不到100亿美元。值得注意的是，英伟达并不是唯一受益于这一趋势的公司。2023年，汽车领域在半导体市场的影响力更大，收入增长超过15%，超过750亿美元。电动汽车的增加以及汽车智能化的融合正在推动该领域对半导体的需求，约占整个半导体市场的14%。“英伟达半导体收入的快速增长使其在2023年成为收入第二大的半导体公司，仅次于英特尔。三星是2022年的行业领导者，但由于其内存收入比2021年下降了近一半，到2023年跌至第三位。”Leimbach补充道。经济低迷对主要内存制造商的影响尤为明显，按营收计算，这些制造商传统上都是排名前几位的半导体公司。此前，从2017年到2021年，三星电子、SK海力士、美光科技的销售额都排在前5位。但是，在存储器市场严峻的情况下，到2023年，三星电子排在第3位，SK海力士排在第6位，美光科技排在第12位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:51:23
成均馆大学化学工程学院教授权锡俊在参加韩国投资信托管理公司主办的2024年ACE半导体新闻发布会时表示，「AI半导体一词被广泛用来指代用于各种用途的芯片，例如学习、推理、创建、终端、服务器和云使用。随着市场多元化，英伟达和HBM的垄断结构可能会被打破。」权锡俊教授预测，由于不可能有一种通用芯片能够满足人工智能的所有不同应用，因此对包括DRAM在内的各种产品的需求将会增加。他提到，「三星电子和Naver宣布的「Mach 1」人工智能芯片不采用 HBM，而是使用低功耗 LPDDR5内存。与 HBM相比，LPDDR5的带宽较低，但价格更便宜且功耗更低，随着此类模型的出现，这可能会导致AI芯片的多样化。」预计今年内存业务将有所改善，三星电子由于其早期投资，有望从DRAM中获得可观的收益。「随着兴趣从HBM转移，HBM和DRAM之间的价格差距从5-6倍缩小到2-3倍，生产稳定产量的DRAM可能会变得有利。三星电子作为HBM的后来者，也可能会与AMD等公司进行战略合作。」权锡俊教授补充道。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:50:49
英飞凌科技股份公司近日宣布推出最新款蓝牙模块CYW20822-P4TAI040，在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破，推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。该模块相比同类产品有更高的性价比，通过支持蓝牙低功耗长距离传输（LE-LR）增强了性能，具有出色的可靠性，能够无缝集成且支持各种应用。英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块集低功耗和高性能于一身，可支持包括工业物联网应用、智能家居、资产追踪、信标和传感器、以及医疗设备在内的所有蓝牙LE-LR应用场景。ABI Research最近发布的一份报告显示，包括传感、机器人、信标、智能家居、资产追踪等工业物联网应用以及其他未来应用场景，对产品的各种性能都有更高的要求。为此，英飞凌最新推出的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块通过提供强大的连接能力和出色的性能，能帮助客户打造出适用于物联网和消费电子领域的创新产品。英飞凌在提供认证的蓝牙和低功耗蓝牙模块方面拥有丰富的经验。而且，英飞凌产品的监管测试（FCC、ISED、MIC、CE）以及蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）认证流程非常精准且严格。除此之外，英飞凌提供的认证模块在成本、尺寸、功率和覆盖范围方面均已进行优化。CYW20822-P4TAI040蓝牙模块的主要特性–强大的连接能力：CYW20822-P4TAI040模块采用最新的蓝牙 5.0技术，支持1M，2M以及Coded PHY接口、广播和数据扩展，这保证了低功耗蓝牙的长距离连接的稳定性和兼容性。–高能效：英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块采用了电源管理技术，不仅能够降低能耗，还延长了便携式设备的电池使用寿命。CYW20822-P4TAI040模块是英飞凌为推动低碳化和数字化进程而推出的又一力作，该蓝牙模块的功耗极低，在Rx @ -95 dBm工作模式下仅为1.3 mA，...
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2024/3/27 14:31:19
美光日前宣布成功量产最新一代HBM高带宽存储产品HBM3E，并将于今年为英伟达H200 GPU供货。美光公司高管表示，这背后离不开中国台湾供应链的支持。随着人工智能（AI）的发展，HBM芯片的市场需求量大增，业界积极推动技术进步以及产能提升。美光科技副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示，中国台湾供应链合作伙伴的支持，是美光提前实现HBM3E量产的原因之一。从产品设计阶段开始，美光便与供应链伙伴紧密合作，中国台湾的伙伴包括IP提供公司，他们的技术帮助加快HBM与GPU之间的互联。此外，台积电在封装工艺方面提供了帮助，由于美光与台积电都是3D Fabric联盟的成员，因此从开发的最初阶段就开始合作。根据研究机构KED Global统计，美光在2023年第四季度的DRAM市场份额为20%，预计2025年，美光在HBM市场的份额将与DRAM相当。据悉，美光8层堆叠的24GB HBM3E产品已于2024年2月开始量产，12层堆叠36GB HBM3E产品也已开始出样。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/27 14:28:26
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。与上一代OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 11:03:50
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:58:45
3月20日，安徽省统计局、国家统计局安徽调查总队发布了2023年安徽省国民经济和社会发展统计公报。初步核算，全年全省生产总值（GDP）47050.6亿元，比上年增长5.8%。新兴动能不断增强。规模以上工业中，高新技术产业增加值比上年增长11.2%，占规模以上工业增加值比重为49.1%；装备制造业增加值增长13.3%，占规模以上工业增加值比重为38.7%；战略性新兴产业产值增长12.2%，占规模以上工业总产值比重为42.9%。全年汽车全产业链营业收入突破万亿元，达1.16万亿元，比上年增长28.5%。全年规模以上工业增加值比上年增长7.5%。分行业看，41个工业大类行业中有28个行业增加值保持增长。其中，化学原料和化学制品制造业增长4.2%，非金属矿物制品业增长5.6%，汽车制造业增长33.9%，电气机械和器材制造业增长20.0%，计算机、通信和其他电子设备制造业增长4.2%。工业产品中，集成电路和液晶显示屏产量分别增长116.3%和21.3%，汽车产量249.1万辆，增长48.1%，其中新能源汽车产量86.8万辆，增长60.5%。集成电路产量60.4亿块，液晶显示屏产量7.5亿片。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:56:45
近日，意法半导体宣布推出基于18nm全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术和嵌入式相变存储器 (ePCM) 的工艺，以支持下一代嵌入式处理设备。意法半导体表示，这项和三星代工厂共同开发的新工艺技术，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。对于业界最关心的新款STM32产品，意法半导体表示，首款基于新技术的下一代STM32 MCU将于2024年下半年开始向特定客户提供样品，计划于2025年下半年投入生产。与目前使用的ST 40nm eNVM技术相比，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺制造的产品取得了巨大的飞跃：能耗比提高50%以上；非易失性存储器 (NVM) 密度提高2.5倍，可实现更大的片上存储；数字密度提高3倍，可集成AI和图形加速器等数字外设以及安全功能；噪声系数改善3dB，增强无线MCU的射频性能。此外，ST的PCM+FD-SOI技术能够在低至18 nm的3V电压下运行，以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能，目前它是唯一支持此功能的20nm节点以下技术。同时，该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能，提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。此前，通用MCU制程卡在40nm多年，主要受限于内部Flash存储工艺，这套量产工艺掌握在台积电等少数代工厂手上，2020年开始的28/40nm制程严重短缺也挤占了大量eFlash工艺产能。意法半导体基于自家28nm FD-SOI推出了Stellar G和P系列，分别用于网关、控制等，和三星（主攻MRAM存储技术）合作多年同时又对自有PCM存储技术有充分自信。未来几年，下一代“超强”通用STM32的到来也许将重新点燃通用MCU领域的工艺争夺战。早在2018年，汽车MCU大佬瑞萨就推出了基于28nm eFlash技术的M...
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2024/3/25 10:53:23
美商存储大厂美光近日公布2024财年第二季财报，因受惠AI硬件需求强烈带动，使得整体营收成绩比市场预期强劲，整体营运也意外转亏为盈，连五季亏损的阴霾至此结束，加上预期接下来第三季营收更加强劲，美光在美股盘后股价大涨18%，带动今日台系存储类股走势。美光第二季受惠DRAM和NAND Flash价格同步走扬，单季营收金额来到58亿美元，较第一季增加23%，优于预期的51亿至55亿美元。毛利率20%，也优于预期11.5%~14.5%，营运由亏转盈，税后净利4.76亿美元，EPS到0.42美元。第三季营收可望进一步达64亿至68亿美元，毛利率也攀升到25%~28%，EPS 0.38~0.52美元。整体2024会计年度DRAM和NAND Flash市场都供不应求，2025会计年度可望创新高，获利也将大幅改善。因美光第二季业绩亮眼，带动台系存储类股走势。南亚科在接近尾盘时攻上涨停价位，每股新台币67.6元，华邦电与旺宏分别超过6%及3%涨幅。模组厂威刚攻上超过半根停板，十铨更涨近8%。存储市场数据中心部分，DRAM受惠需求成长，尤其HBM、DDR5人工智能与高效能运算都开始获利。跌幅较深NAND Flash也因2023下半年价格陆续回温，2024年第一季使部分供应商赚钱，第二季后多数供应商都有获利。增产时间点最快下半年后，2025上半年维持这波涨价行情，持续向上可维持约两年。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/25 10:51:45
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。Mehrotra并且提到，美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/22 15:53:59
根据市场需求，金升阳持续拓宽机壳开关电源功率段，本次推出的是2000W机壳电源——LMF2000-20Bxx系列。该系列是一款高效率、高可靠的优质电源产品，具有高效率、宽工作温度范围等优势，适用于工业、医疗领域。一、产品优势（1）小体积：290.00×127.00×40.5mm（2）高效率：效率高达92%（3）宽工作温度范围：-40℃ to +85℃（4）支持3+1并联冗余（5）支持485通信，远程关断（PS-ON/OFF）（6）高可靠性：a.传导/辐射骚扰满足CLASS B；静电放电 ±8KV/Air±15KVb.4000VAC高隔离耐压c.符合CISPR32/EN55032、IEC/EN/UL/BSEN62368、UL60601、GB4943等认证标准d.五年质保二、应用三、产品特点• 输入电压范围：85-277VAC/120-390VDC• 宽输出电压可调范围• 交直流两用(同一端子输入电压)• 工作温度范围：-40℃ to +85℃• 高效率、高可靠性• 主动式PFC• 4000VAC高隔离电压• 支持3+1并联冗余• 支持485通信，远程关断（PS-ON/OFF）• 输出短路、过流、过压、过温保护• 满足5000m海拔应用• 符合CISPR32/EN55032、IEC/EN/UL/EN62368/60601、GB4943等认证标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/21 17:13:38
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)发布了新一代近距离无线微控制器。在采用这些多合一的创新产品后，穿戴设备、智能家居设备、健康监测仪、智能家电等智能产品将会变得更小、好用、安全、经济实惠。Bluetooth® LE低功耗蓝牙、Zigbee®和Thread(在智能电表和智能建筑市场热度较高)等近距离无线通信技术，可以连接智能设备与家庭网桥、网关、智能手机等控制器。随着人们都在寻找如何过上成本更低、低碳绿色、安逸舒适的生活，企业希望更快地将成本严格控制的高性能创新解决方案推向市场。这些解决方案必须外观设计时尚：小巧纤薄，甚至隐身嵌入其他设备，例如，智能灯泡。为了摆脱线缆羁绊，用起来灵活多变，外观设计时尚，无线化是这一趋势中的一个方向。意法半导体无线微控制器，例如，新的STM32WBA5系列，可以用于设计尺寸非常小的单片无线连接解决方案，降低物料成本和无线通信设计难度，缩短终端产品上市时间。此外，新产品线兼容STM32微控制器开发生态系统的开发工具和软件包，可以简化存量有线连接产品的无线化转型。新系列的旗舰产品STM32WBA55微控制器可以同时运行多种无线技术标准，包括低功耗蓝牙Bluetooth LE 5.4、Zigbee、Thread和Matter(Thread RCP)。Matter边界路由器和STM32WBA5是实现这种智能家居和物联网设备开源连接新标准的完美组合。因此，STM32WBA55支持更好的用户体验，同时能够简化软硬件工程师的开发过程，降低新产品的成本，加快上市时间。新一代产品还支持最近发布的Bluetooth LE Audio低功耗蓝牙音频规范，让令人兴奋的创新产品能够带来更丰富的听觉体验。这些技术包括新的蓝牙Auracast™功能，为人们打开了通向音频广播应用新世界...
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2024/3/21 17:10:01
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款内置旋钮开关---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板电位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。器件内置旋钮开关，IP67密封，介电强度高达5000 VAC，额定功率1 W美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款内置旋钮开关---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板电位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。日前发布的器件在一个组件中集成了旋钮和面板电位器，无需采购组装单独的旋钮。此外，只有安装硬件和端子位于面板背面，微型电位器面板背面所需间隙小于15 mm。PA16F采用导电塑料电阻芯，适用于音频应用，P16F金属陶瓷旋钮电位器适用于工业电机驱动、焊接设备、暖通空调和照明系统以及控制面板。器件全密封符合IP67标准，能够在极端环境条件下可靠工作。电位器可定制旋钮刻度、阻值、导线和接头，以及棘爪和开关选项。器件还可根据要求提供金属旋钮。P16F和PA16F符合CECC 41000或IEC 60393-1测试标准。器件规格表：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/21 17:07:55
美国存储芯片大厂美光上季营收有望激增45%，成为存储芯片需求回升的迹象，且人工智能（AI）热潮也将带来助益。市场除了紧盯DRAM芯片的价格展望，也将关注该公司供应给英伟达的AI存储芯片出货量，以掌握该公司受惠于AI热潮的程度。美光预定20日美股盘后发布止于2月底的年度第2季（上季）财报，营收预料将年比成长45%至53.4亿美元，净损将大幅缩小86%至约2.9亿美元，主要是DRAM营收成长带动。Wedbush预测，美光上季DRAM营收年增43%至39亿美元。花旗指出，美光的DRAM内存芯片订单已增加，AI热潮带来的数据中心需求也有所帮助。近来许多券商都已更看好美光的前景，Wedbush、Stifel Nicolaus、TD Cowen等业者都上调美光的股价目标价。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/21 17:06:20
3月20日消息，据CNBC报道，英伟达（Nvidia）CEO黄仁勋在接受其采访时表示，英伟达计划以 3 万至 4 万美元的价格出售用于 AI 和 HPC 工作负载的全新Blackwell GPU B200。不过，这只是一个大概的价格，因为英伟达更倾向于销售面向数据中心的整体解决方案，而不仅仅是芯片或加速卡本身。与此同时，Raymond James 分析师认为英伟达 B200 芯片的硬件成本约为 6,000 美元。在昨天的英伟达GTC 2024大会上，英伟达正式发布了全新一代AI加速芯片B200，基于台积电的N4P制程工艺，晶体管数量达到了2080亿个，是H100的800亿个晶体管两倍多，并且配备了 192 GB HBM3E 内存，远高于仅有 80GB HBM内存的H100芯片。其AI运算性能在FP8及新的FP6上都可达20 petaflops，是前一代Hopper构架的H100运算性能8 petaflops的2.5倍。在新的FP4格式上更可达到40 petaflops，是前一代Hopper构架GPU运算性能8 petaflops的5倍。成为了目前全球最快的AI芯片。不过，B200芯片的性能提升主要得益于晶体管数量（即芯片面积）的提升，其架构本身所带的性能提升相对有限，再加上价格高昂的192 GB HBM3E 内存，使得其硬件成本也将大幅提升。Raymond James 分析师估计，英伟达 H100的硬件成本约为 3,100 美元，而 B200的硬件成本则大幅提高到了 6,000 美元。如果英伟达计划以 3 万至 4 万美元的价格出售B200，那么则意味着该芯片的毛利率将会高达80%-85%。要知道在2023年，市场对于英伟达H100芯片的需求暴涨之时，由于先进封装产能紧缺导致H100供应严重不足，英伟达的合作伙伴就曾以 30,000 至 40,000 美元的价格出售 H10...
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2024/3/21 17:03:45
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉...
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2024/3/18 14:49:59
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2024/3/18 14:36:07