三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
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2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/5 15:09:57
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的企业安森美onsemi，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM 还具有以下优势：栅极驱动和保护控件低损耗、具有抗短路能力的IGBT每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法内置欠压保护 (UVP)内置自举二极管和电阻器内置高速高压集成电路单接地电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编...
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2024/3/1 16:20:55
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增...
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2024/3/1 16:16:47
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 16:14:00
TDK 公司推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。基于独特的设计专业知识，为汽车行业提供高安全性、高可靠性采用TDK开发的原创内部结构，高频性能等同或优于与传统产品采用积层方法，满足电感精细增量要求工作温度范围为-55 至 +125 ℃产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK 公司（TSE：6762）推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。该产品将 TDK 独特的设计专业知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。主要应用用于汽车设备的高频电路（汽车内外通信的发射器-接收器电路，如远程信息处理和 V2X）智能手机、平板电脑、基站等设备的无线电通信高频电路发射器-接收器（用作阻抗匹配或滤波电路的元件）主要特点与优势采用TDK开发的原创内部结构，高频性...
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2024/3/1 16:11:05
随着科技行业寻求下一个增长动力，英特尔高管2月27日表示，该公司的目标是到2025年为多达1亿台支持人工智能的个人电脑（AI PC）提供核心处理器。英特尔客户端计算集团副总裁David Feng称，英特尔预计今年将为4000万台“AI PC”提供芯片，2025年扩大至6000万台，占2025年全球个人电脑市场预计总量的20%以上。“在人工智能个人电脑时代，英特尔不仅需要关心芯片性能，还需要关心服务和用户体验，这使得与软件和应用程序开发商的合作变得更加重要。我们的业务是销售CPU和GPU性能芯片。现在我们真正进入了销售体验的行业，我所描述的东西只能通过软件来实现，因此越来越需要与应用程序开发人员合作。”他说，英特尔正在与微软合作定义人工智能个人电脑。这一概念有三个关键要素：英特尔的酷睿Ultra PC芯片组，其特点是该公司的第一个内置神经处理单元（NPU）的平台，旨在处理人工智能工作负载；微软的人工智能聊天机器人Copilot以及键盘上还有一个专用的“Copilot键”。David Feng表示，由于人工智能个人电脑提高工作效率的潜力，预计企业支出会增加。除了苹果之外，所有的主要个人电脑制造商都表示，他们计划在今年晚些时候推出人工智能个人电脑。据悉，英特尔是全球最大的个人电脑微处理器供应商，控制着笔记本电脑芯片约76%的市场份额。然而，苹果和高通正试图通过基于Arm的电脑设计抢占更大的市场份额。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:57:57
据韩联社报道，据市场调研机构Omdia27日发布的一组数据，三星电子2023年第四季度DRAM全球市占率为45.7%，位居榜首，继2016年第三季度（48.2%）之后时隔7年创下最高值。三星电子DRAM的市占率环比提升7个百分点，与排名第二的SK海力士（31.7%）的差距拉大到14个百分点。美光以19.1%位列第三。同期，三星电子DRAM销售环比和同比分增21%和39%，时隔6个季度首次由负转正。分析指出，DDR5内存和HBM等高附加值产品销售大增，拉动整体销售增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:54:58
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。SMT 器件采用紧凑型 36 引脚 SSOP 封装，尺寸为 7.5 x 12.83 mm，可方便提供非对称双路输出电压，并可通过外部电阻网络进行编程。路输出电压范围可设置在 +2.5 至 +22.5 VDC，另一路可设置为 -2.5 至 -22.5 VDC，总正负电压范围为 18 至 25 VDC，例如 +15/-3 V，以高效驱动 SiC 栅极。电压保持在 +/-1.5% 范围内，防止过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度高达 82°C，2.5W时可达 75°C。即使在最高温度 125°C 时，转换器仍然可以提供有效的降额功率。R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度。所以这款产品非常适合为具有快速 dV/dt 和 dI/dt 电源开关斜率的高侧栅极驱动器供电。R24C2T25 可以提供软启动、输入欠压和过压锁定、热关断以及输出过功率保护功能。还提供输出过压和欠压锁定功能，以确保功率器件不会受到无效栅极电压的影响。同时提供电源良好信号和开/关控制功能，当电流消耗低于 700 μA时产品会进入待机模式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:22:17
金升阳深耕大功率开关电源领域，为响应全国产化趋势，现推出5000W AC/DC机壳电源产品LMF5000-25Bxx系列。该系列具有高效率(90%)、宽工作温度范围、超宽范围调压、调流等优势，是一款高效率、高可靠的优质电源，为工程师提供更优选择。一、产品优势（1）小体积：460.00×211.00×83.5mm（2）兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流（3）高效率：效率高达90%（4）宽工作温度范围：-40℃ to +70℃（5）20%-120%超宽范围调压、调流（6）并联均流可达20000W（3+1）（7）高可靠性：a.传导/辐射骚扰满足CLASS A；静电放电 ±8KV/Air±15KVb.4000VAC高隔离耐压c.符合IEC/EN/UL62368等认证标准d.五年质保二、产品应用可广泛适用于激光设备、半导体设备等领域。三、产品特点• 输入电压范围：3W+PE △196-305VAC或3W+N+PE Y340-530VAC• 兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流• PF值高达0.98• 工作温度范围：-40℃ to +70℃• 低待机功耗、高效率、低纹波噪声• 20%-120%超宽范围调压、调流• 并联均流可达20000W（3+1）• 485通信• 双面三防漆• 4000VAC高隔离电压• 输出短路、过流、过压、过温保护• 满足5000m海拔应用• 过电压等级Ⅱ• 符合IEC/EN/UL/BSEN62368等认证标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:17:39
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案，具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线，可量身定制以优化模块性能。它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、短路/过流保护（DESAT）和负温度系数 （NTC）。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示：“随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。”Microchip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC™产品可提供最低的系统成本、最快的上市时间和最低的风险。Microchip...
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2024/2/28 16:14:53
根据路线图，英伟达将于今年推出下一代采用Blackwell架构的AI芯片B100。英伟达首席财务官Colette Kress在财报电话会议上表示：“我们预计，由于需求远远超过供应，我们的下一代产品将供不应求。”此外，黄仁勋表示，目前正在扩产当前的旗舰产品H200。当前最火热的H100芯片交货时间刚刚缩短几天，作为下一代旗舰AI芯片，英伟达B100采用全新的Blackwell有望显著提升AI计算性能可达2~3倍。鉴于市场对AI芯片巨大的需求，海外业界称英伟达现有客户很可能已经预购了一部分B100产品。根据此前爆料，B100预计将采用台积电3nm制程工艺，采用多芯片设计；另一升级之处便是搭载更大容量的HBM3e高带宽存储，可集成8片HBM芯片，显存带宽也将增加。根据路线图，英伟达还将推出GH100的迭代款GB100，整合英伟达自研CPU和GPU。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:11:51
SRAM（静态随机存取存储器）作为一种传统存储方案，近两日相关概念连续点燃A股半导体板块。2月21日，SRAM概念股再度拉升，西测数据20CM涨停，北京君正、恒烁股份等个股盘中一度涨超10%，万润科技、东方中科等个股跟涨。消息面上，谷歌TPU第一代设计者Jonathan Ross所创立的Groq公司正式宣布，其新一代LPU在多个公开测试中，以几乎最低的价格，相比GPU推理速度翻倍。并且后续有三方测试结果表明，该芯片对大语言模型推理进行优化效果显著，速度相较于英伟达GPU提高了10倍。与GPU不同的是，LPU的内存采用了SRAM。据介绍，Groq的大模型推理芯片是全球首个LPU（Language Processing Unit）方案，是一款基于全新的TSA架构的Tensor Streaming Processor (TSP) 芯片，旨在提高机器学习和人工智能等计算密集型工作负载的性能。虽然Groq的LPU并没有采用更本高昂的尖端制程工艺，而是选择了14nm制程，但是凭借自研的TSA架构，Groq LPU芯片具有高度的并行处理能力，可以同时处理数百万个数据流，并该芯片还集成了230MB容量的SRAM来替代DRAM，以保证内存带宽，其片上内存带宽高达80TB/s。根据官方的数据显示，Groq的LPU芯片的性能表现相当出色，可以提供高达1000 TOPS (Tera Operations Per Second) 的计算能力，并且在某些机器学习模型上的性能表现可以比常规的 GPU 和 TPU 提升10到100倍。Groq表示，基于其LPU芯片的云服务器在Llama2或Mistreal模型在计算和响应速度上远超基于NVIDIA AI GPU的ChatGPT，其每秒可以生成高达500个 token。相比之下，目前ChatGPT-3.5的公开版本每秒只能生成大约40个token。由于Cha...
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2024/2/26 14:54:15
21日，美光科技宣布即将推出两款新Crucial Pro系列产品，DDR5 Pro超频内存和强调全球最快速的PCIe Gen5 SSD。Crucial DDR5 Pro内存：超频板模组提供速度高达6000MT/s的16GB容量，以更高的效能、更低的延迟和更大的带宽提高游戏胜率并降低效能瓶颈。此强大DDR5超频DRAM模组与最新的DDR5 Intel和AMD CPU兼容，每个模组都支援Intel XMP 3.0 和AMD EXPO规格。Crucial T705 SSD采用美光232层TLC NAND，释放完整的Gen5效能。闪电般的循序读取和写入速度分别高达14500MB/s和12700MB/s（随机读取和写入速度则高达1550K/1800K IOPS），可实现更快的游戏、视频剪辑、3D渲染和繁重的AI应用程式处理。透过DDR5 Pro超频DRAM和T705 SSD，电脑爱好者、游戏玩家和专业人士可以轻松驾驭AI电脑所需的速度、带宽和效能，借此处理、渲染和储存AI产生的大量内容。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/26 14:51:43
DRAM报价还要上涨，本周各类产品全面上调价格。随着三大原厂控制供应，拉抬报价态度坚定，因此会促进DRAM市场价格进一步提升。DRAM报价还要上涨，本周各类产品全面上调价格。随着三大原厂控制供应，拉抬报价态度坚定，因此会促进DRAM市场价格进一步提升。第2季预估DRAM合约价涨幅，将由过去两季的双位数收敛至个位数，第3季起将因四项驱动力而重新扩大，建议逢低布局。大多数投资人自去年12月起担忧通用型服务器、个人电脑需求展望下修，加上原厂陆续收敛减产幅度，恐拖累今年供需平衡，DRAM合约价涨幅亦自预计去年第4季的19%、今年第1季的17%，缩减至第2季的5%。四大驱动力将带动DRAM合约价自第3季起扩大至10%。首先是今年预估整体HBM投片量自每13.6万片上修至15.3万片，占整体DRAM投片量比重自8.7%上修至9.4%，排挤整体DRAM投片产能的效应更为扩大。其次是厂商并未积极新建新厂房，使部分厂区无尘室空间用尽，进行制程升级则造成投片量永久性降低，合计影响每月16.5万片产能，估计SK海力士及美光稼动率于第1季接近满载，后续进一步升载空间相当有限。第三，三星稼动率预估前三季将依序提升至79%、87%、94%，升载速度明显慢于同业，且持续依据需求及库存情势动态调整稼动，显示积极维持供给秩序考量，有助产业供给在第2季总体需求未明时，不致大幅上升。第四，数据中心业者截至第1季库存水准仍仅约10周，预期第3季终将回补库存，进而带动DRAM需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/23 16:05:22
TDK株式会社（TSE：6762）推出用于汽车的两款AVRH压敏电阻系列新产品。此两款新品均具备较高的静电放电（ESD）抗扰度，进而确保先进驾驶辅助系统（ADAS）等安全关键汽车功能的安全运行。AVRH系列符合AEC-Q200标准，工作温度最高可达到150 °CLIN用压敏电阻采用环保设计，为较小的客户设备实现了小型化空间需求，同时减少材料的使用CAN用压敏电阻具有二合一阵列结构，集两个压敏电阻的功能于一体，将不同通道之间的电容差降至最低TDK株式会社（TSE：6762）推出用于汽车的两款AVRH压敏电阻系列新产品。此两款新品均具备较高的静电放电（ESD）抗扰度，进而确保先进驾驶辅助系统（ADAS）等安全关键汽车功能的安全运行。TDK AVRH系列的两款新型压敏电阻均符合汽车级AEC-Q200标准，且在静电放电试验中均达到了IEC 61000-4-2标准项下的25 kV抗扰要求。两款产品的工作温度范围为-55 °C到+150 °C，不仅满足耐静电放电要求，并且将空间需求降到了最低，顺应汽车原始设备制造商（OME）的小型化趋势。AVRH10C220YT201MA8和AVRH16A2C270KT200NA8均计划于2024年3月开始量产。随着汽车原始设备制造商不断增加和优化车道偏离警告、防撞和自适应巡航控制等ADAS功能，汽车的物料清单（BOM）也在不断增加。电动汽车（EV）、混合动力汽车和传统油车皆是如此。与此同时，汽车制造商也在努力提高自动驾驶功能，而这意味着需要更多更复杂的电子元器件。管理所有这些新型电子子系统的电子控制单元（ECU）尤其容易受到静电放电损害，因为对于安全关键ADAS和自动驾驶功能而言，即便是极其短暂的中断也是不可接受的。压敏电阻是处理电压严重异常情况的基本电路元件。在汽车应用中，它们可以保护精密的电子控制单元，是符合AEC-...
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2024/2/23 15:56:45
我们在进行电子元器件采购的时候，在没有现货的情况下，一般来说，供应商都是按照订单量进行生产加工，如遇到比较订单量多、生产不过来的情况下，则会出现订货的问题，那么电子元器件一般的交货周期是多久?电子元器件的交货通常是以周为计量单位进行交货。一周为7天，依次来算。通常来说，周期分为现货周期、标准周期、定制周期、长期供货周期。现货货期：有些常用的电子元器件供应商会有现货库存，下单后可以立即发货，货期一般在1到3个工作日内。标准货期：对于一些普通的电子元器件，供应商可能需要进行生产或采购，货期一般在1周到2周左右。定制货期：对于一些定制化或特殊规格的电子元器件，供应商可能需要根据客户的需求进行生产，货期可能在2周到数个月不等。长期供货周期：对于一些稀缺或高端的电子元器件，供应商的产能有限，货期可能会延长到数月甚至更长时间。因此进行采购时需要考虑到这个问题，针对稀缺型号提早进行订货，避免影响项目进展。兆亿微波商城是一家专业的电子元器件供应商，具有北京和深圳两大库房，现货多，型号全，长期合作客户会提前进行备货，避免需求是没有现货的困扰。
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2024/2/21 16:08:42
近年来，随着电子设备加速升级换代，市场对电源的体积、效率等指标提出更高要求。对此，金升阳进行新一代产品升级，重磅推出了VRF24_DD-50WR4系列。该系列输出电压涵盖3.3-28VDC，在保证优异性能的同时，以其超小体积优势为客户提供更优选择，可广泛用于通信、工业控制等领域。VRF24_DD-50WR4系列与行业传统2*1 inch的灌封常规品相比，实现了更高功率密度的设计以及性能提升，产品尺寸仅为25.82*22.80*7.20mm；除了内部电路技术和性能指标有大幅升级之外，最重大的技术创新点，还在于封装工艺上获得重大突破。VRF24_DD-50WR4系列集电路技术、工艺技术、材料技术于一体，减小体积的同时提升产品性能。1、 散热性：采用双面塑封的工艺，以及使用高导热塑封料，有效提升了模块的散热性能；2、 集成度：新一代的电路技术，产品较行业标准品体积减小72%，功率密度高达193W/inch3；3、 可靠性：设计的同时考虑电源模块的稳定与安全，并满足更高要求可靠性试验，使得新一代产品更加稳定可靠。产品优势（1）更高功率密度-为客户提供更多设计空间VRF24_DD-50WR4系列产品尺寸为25.82*22.80*7.20mm，功率密度高达193W/inch3；相较于行业2*1 inch标准产品体积减小72%，占板面积减小55%，高度减小39%。可有效提高客户系统空间利用率。（2）齐全的保护功能-安全可靠VRF24_DD-50WR4系列产品隔离电压3000VDC，具有输入欠压保护，输出短路、过流、过压保护，过温保护功能，这些保护功能可以确保电源模块在异常工作条件下不会损坏。该系列产品还经过一系列可靠性试验，例如在-55℃ to +125℃条件下通过了温度冲击500次试验，大大提高电源模块的安全性和稳定性，更有效的保护客户系统。（3）全国产化-交期稳定产品满足元器件100...
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2024/2/21 16:04:02