电压基准输入
AD7980 的电压基准输入 REF 具有动态输入阻抗，因此应由低阻抗源驱动，并在 REF 和 GND 引脚之间进行有效的去耦，如布局部分所述。
当 REF 由极低阻抗源驱动时，例如使用 AD8031、ADA4805-1 或 ADA4807-1 的基准缓冲器，陶瓷芯片电容适用于最佳性能。
如果使用无缓冲的基准电压，去耦值取决于所使用的基准。例如，对于使用低温漂基准（如 ADR435、ADR445、LTC6655 或 ADR4550）的最佳性能，22 µF（X5R，1206 封装）陶瓷芯片电容是合适的。
如果需要，可以使用小至 2.2 µF 的基准去耦电容，对性能（特别是 DNL）影响最小。
无论如何，不需要在 REF 和 GND 引脚之间额外使用低值陶瓷去耦电容（例如 100 nF）。