TSL8329M
特征：
集成双通道射频前端
2级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作
3.6 GHz时的增益：32 dB（高增益模式）
@3.6 GHz:13 dB（低增益模式）
NF@3.6 GHz:1.0 dB（高增益模式）
@3.6 GHz:0.9 dB（低增益模式）
OP1dB@3.6 GHz:20 dBm（高增益模式）
@3.6 GHz:10.5 dBm（低增益模式）
工作频率：2.0至4.2 GHz
高隔离度：RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为40 dB
TERM-CHA和TERM-CHB:55 dB典型值
3600 MHz时的插入损耗：0.45 dB（TX模式）
TCASE=105°C下的高功率处理全寿命
LTE平均功率（9 dB标准杆数）：43 dBm
高OIP3（高增益模式）：典型值为35 dBm
高增益模式电流：5V时典型值为90mA
低增益模式电流：5V时典型值为45mA
断电模式电流：5V时典型值为5mA
正向逻辑控制
6毫米×6毫米，40针QFN
TSL8028N
特征：
集成单通道射频前端
两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配
单电源操作
3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:14 dB[低增益模式]
NF@3.6 GHz:1.2 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]
OP1dB@3.6 GHz:21 dBm[高增益模式]
@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]
工作频率：2至5 GHz
3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]
3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]
3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]
3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]
TCASE=105°C下的高功率处理全寿命
LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm
高OIP3[高增益模式]：典型值为32 dBm
高增益模式电流：5V时典型值为90mA
低增益模式电流：5V时典型值为50mA
断电模式电流：5V时典型值为4mA
正向逻辑控制
5毫米×5毫米×0.85毫米，32导联QFN
TSL8029N
特性
集成单通道射频前端
两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配
单电源操作
3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:14.5 dB[低增益模式]
NF@3.6 GHz:1.4 dB[高增益模式]
@3.6 GHz:1.3 dB[低增益模式]
OP1dB@3.6 GHz:22 dBm[高增益模式]
@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]
工作频率：2至5 GHz
3600 MHz时的插入损耗：0.5 dB[TX模式]
3.6 GHz下的开关隔离度：18 dB[RX HG模式]
3.6 GHz时的RX隔离度：53 dB[PD=BP=0 V]
@3.6 GHz：42 dB[PD=BP=5 V]
@3.6 GHz：38 dB[PD=0 V，BP=5 V]
@3.6GHz:45dB[PD=5V&BP=0 V]
TCASE=105°C下的高功率处理全寿命
LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm
高OIP3[高增益模式]：典型值为31 dBm
高增益模式电流：5V时典型值为90mA
低增益模式电流：5V时典型值为45mA
断电模式电流：5V正逻辑控制下典型为4mA
5毫米×5毫米×0.85毫米，32导联QFN