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特罗半导体功率放大器型号特征对比汇总

2026/5/14 15:05:38

浏览次数: 1

TA9010K

2WGaN功率晶体管20MHz至5.0GHz

特性

•2W GaN驱动级

•28V典型操作

•频率范围20MHz至5.0GHz

•1000MHz时的小信号增益：20dB

•1000MHz时的P3dB增益：15dB

• PAE@P3dB@1000MHz:45%

TA9110K

6 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管

特性

● 1000 MHz时的小信号增益：17 dB

● 1000 MHz时的大信号增益：14 dB

● 1000 MHz时的PSAT：40 dBm

● 在1000 MHz时，PSAT的PAE:55%

● 28 – 32 V典型操作

● 工作频率：30 MHz至4.0 GHz

TA9210D

12.5W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管

特性

● 800 MHz时的小信号增益：18 dB

● 800 MHz时的大信号增益：13.5 dB

● 800 MHz时的PSAT：41.5 dBm

● 在800 MHz时，PSAT的PAE：>55%

● 28 – 32 V典型操作

● 工作频率：30 MHz至4.0 GHz

TA9310E

20 W CW，30–4000 MHz GaN功率晶体管

特罗半导体功率放大器型号特征对比汇总

特性

•900 MHz时的小信号增益：17.5 dB

•900 MHz时的大信号增益：14.0 dB

•900 MHz时的PSAT：44 dBm

•900 MHz时PSAT的PAE：>55%

•28-32V典型操作

•工作频率：30 MHz至4.0 GHz

TA9410E

25 W CW、50V、20-3000 MHz GaN功率晶体管

特性

● 1000 MHz时的小信号增益：20 dB

● 1000 MHz时P3dB的增益：17 dB

● 1000 MHz时的P3dB:44 dBm

● 1000 MHz时P3dB的PAE：57%

● 50 V典型操作

● 工作频率：20 MHz至3.0 GHz

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