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特罗半导体天线调谐开关型号特征对比总结

2026/5/14 15:12:59

浏览次数: 2

TS64210L–1.1Ω ON电阻GaN宽带射频开关SP2T

特性

● 低1.1Ω 导通电阻

● 0.28pF-Coff

● 120V射频峰值电压处理

● 每个州都可以独立控制

● 4 独立状态配置

● 射频线路上没有外部隔直电容器

● 多功能2.6~5.5V电源

● 1.2~5.0V数字控制

TS63421K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T

特性

● Rds在1.1Ω

● Coff 0.21pF

● 100V射频峰值电压处理

● 4-BIT 16可能的独立状态配置

● 射频线路上没有外部隔直电容器

● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V，Vcp=-18V

● 1.2~5.0V GPIO总线

● 超低杂散选项需要-18V外部电源

TS63410K–GaN宽带射频调谐开关4位SP4T

特性

● Rds在1.1Ω

● Coff 0.21pF

● 100V射频峰值电压处理

● 4-BIT 16可能的独立状态配置

● 射频线路上没有外部隔直电容器

● 直流电源：Vdd=2.6~5.5V

● 1.2~5.0V GPIO总线

TS63430D–4调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V

特性

•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V

•频率范围30MHz至1000MHz

•RON=0.5Ω

•50WCW功率

•VPEAK=100V

•与SOI相比，无突然电压击穿

•切换时间=5.9µs，无功率降额

•低功耗，小于1mW

•不需要提供负电压

TS63430D–4T/5T二进制调谐开关，RON=0.5Ω,V=100V

特性

•全集成解决方案，单个VDD=2.6…5.25V

•频率范围30MHz至1000MHz

•RON=0.5Ω

•50WCW功率

•VPEAK=100V

•与SOI相比，无突然电压击穿

•切换时间=7.2µs，无功率降额

•低功耗，小于1mW

•不需要提供负电压

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