7月22日，在京畿道城南市举办的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇透露：三星计划从第7代16层HBM“HBM4E”开始逐步引入混合键合技术，并将在第8代20层HBM“HBM5”中实现全面量产。这一技术升级标志着HBM（高带宽存储器）向更高层数、更薄形态的关键突破。
HBM技术升级背景：传统键合工艺遇瓶颈
HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM芯片来提升数据处理速度的存储器，其性能核心在于“键合”工艺——即连接各层DRAM的技术。目前，主流HBM产品（如第5代HBM3E）最高堆叠12层，主要采用热压键合（TC）技术。但随着HBM层数向16层及以上扩展，传统TC键合的局限性逐渐显现：堆叠间隙难以进一步缩小，且散热性能受限。
金大宇常务指出：“当HBM层数超过16层时，传统热压键合将无法满足工艺需求。若键合间距缩小至15μm以下，必须转向无焊料的混合键合技术。”
混合键合技术优势：更薄、更高效
混合键合是一种颠覆性工艺，其通过直接连接DRAM的铜电极，消除传统微凸块（焊球）结构。这一改变不仅能大幅减少HBM厚度（更适合高密度封装），还能提升散热效率——由于铜电极直接接触，热量传导路径更短，有助于缓解高功耗下的散热难题。
根据三星规划，第7代16层HBM4E将同时采用TC键合与混合键合技术，逐步过渡；而第8代20层HBM5则将完全依赖混合键合，实现量产。目前，商业化最新的HBM3E产品仍以12层为主，预计第6代16层HBM4将延续传统键合工艺，为技术升级预留缓冲期。
行业影响：推动HBM性能与密度双提升
三星作为全球存储器龙头，其技术路线对HBM行业发展具有风向标意义。混合键合的引入，不仅将解决高层数HBM的物理限制，更可能推动HBM向更小尺寸、更高带宽的方向演进，满足AI、高性能计算等领域对存储器性能的苛刻需求。
业内分析认为，随着HBM层数突破16层，混合键合或成为未来高端存储器的标配工艺。三星提前布局这一技术，有望巩固其在HBM市场的地位，同时为下一代AI芯片提供更强大的存储支持。
结语：技术迭代加速，HBM竞争进入新阶段
从12层到16层，再到20层，HBM的层数突破始终与键合工艺升级紧密相关。三星电子通过引入混合键合技术，不仅解决了高层数HBM的物理限制，更推动了存储器向更薄、更高效的方向发展。未来，随着HBM5的量产，混合键合有望成为高端存储市场的核心技术门槛，而三星在这一领域的提前布局，或将进一步拉开其与竞争对手的差距。
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