随着存储芯片市场价格全面回升，以及三星成功跻身英伟达高带宽内存（HBM）供应链，其半导体业务在经历连续四个季度下滑后迎来显著复苏。人工智能应用的广泛部署成为推动业绩反弹的关键外部动力，其中HBM3E芯片与服务器固态硬盘的销售表现尤为突出，共同构成了AI基础设施的核心支撑。
然而，这一复苏并非仅受行业整体上行带动。更深层的原因在于，三星在经济低迷阶段所做出的战略调整逐步显现成效，使其得以把握有利的市场趋势，并在激烈的竞争压力下加速推进AI芯片的技术路线图。
走出低谷的转型之路
回顾2024年至2025年初，三星曾面临多重挑战：存储芯片产能过剩引发的价格持续走低、HBM产品在关键客户认证进程中的延迟，以及竞争对手SK海力士在AI存储领域抢占先机。尤其在2025年第二季度，其芯片部门营业利润跌至低点，引发外界对其技术地位的质疑。彼时，SK海力士凭借向英伟达稳定供应HBM芯片，一度跃居内存市场首位。
不过，随着市场回暖与通用内存价格回升，三星在第三季度成功反超，重夺内存市场第一。Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出，除了行业整体复苏外，三星自身的战略执行也起到了决定性作用。
HBM业务：从滞后到全面量产
HBM业务的逆转是三星实现扭亏为盈的关键。目前，三星HBM3E已进入大规模量产阶段，并向所有主要客户供货；同时，更的HBM4也已开始向核心客户送样。尽管三星未公开确认，但业界消息显示其HBM芯片已于9月下旬通过英伟达认证，这一突破与第三季度HBM销售额的快速增长高度吻合。
在公司财报会议上，三星高管指出，数据中心为构建AI基础设施正持续扩大硬件投入，导致AI服务器相关需求远超行业供给能力。这一供需缺口显著增强了三星的定价能力，加之库存成本下降等因素，共同推动了利润增长。
拓展布局：晶圆代工业务进展与挑战
三星的复苏不仅限于存储芯片。其晶圆代工业务在第三季度同样实现显著改善，主要得益于一次性成本下降与产能利用率提升。该部门在制程节点上获得了创纪录的客户订单，并计划进一步提高3纳米全环绕栅极（GAA）工艺的产能。此外，位于美国德州的泰勒工厂预计将于2026年投入运营，进一步强化其制程布局。
不过，系统LSI业务（包括Exynos处理器和图像传感器）因季节性因素及客户库存调整，增长仍显疲软。值得关注的是，三星最新旗舰机型将重新搭载自研Exynos芯片，或将为该业务带来转机。
展望2026：持续增长与潜在挑战
展望未来，三星对半导体业务的持续复苏表现出信心。内存部门将继续聚焦于具备差异化性能的HBM4产品量产，并致力于扩大HBM的客户基础。公司还计划扩充1c纳米制程产能，以应对预计增长的HBM4需求。
在整体业绩方面，第三季度综合收入达86.1万亿韩元，环比增长15.4%，同比增长8.85%。设备体验部门在Galaxy Z Fold7等旗舰机型推动下，贡献了34.1万亿韩元收入。然而，视觉显示业务因市场竞争加剧仍面临亏损压力，尽管高端产品销量有所增长。
尽管代工业务在产能与客户规模上仍落后于台积电，但内存业务的强劲盈利为三星提供了持续投入与技术扩张的财务支持。业内分析认为，三星在存储与逻辑制造领域的双重优势，将有助于其在未来AI半导体市场中进一步提升份额。
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