三星电子于27日宣布，他们成功研发出一种可将电力消耗最多降低96%的新型NAND闪存技术。这项基础性研究首次在全球范围内发现了一种核心机制，利用铁电材料可将现有NAND闪存的功耗降低高达96%，为解决AI时代的电力危机提供了关键技术方案。
这项突破性成果由三星综合技术院（SAIT）与半导体研究所共34名研究人员共同完成，相关论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已发表于国际顶级学术期刊《自然》。研究团队重新审视了长期以来被视为“不适合高性能芯片”的氧化物半导体材料，发现其较高的“阈值电压”特性反而可在高堆叠层数的3D NAND结构中有效抑制漏电流，从而显著提升能效。
传统NAND闪存采用“单元串”结构，随着存储密度提升、堆叠层数增加，即使在关闭状态下也会产生不可忽视的漏电流，导致读写功耗持续上升。而三星的新技术通过引入铁电晶体管，精准控制低于阈值电压的电流流动，在维持高存储容量的同时，大幅削减能耗。
据测算，相较现有NAND闪存，新技术可实现最高96%的功耗降低。一旦实现商业化，不仅有助于AI数据中心降低运营成本，还将延长智能手机等移动设备的电池续航时间。
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