英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块引入数据中心SST应用领域，提前布局SST在数据中心爆发式增长前的战略机遇，共同推动能源技术的持续进步与广泛应用。
在电力系统中，可靠性是SST稳定运行、保障供电连续性的基石，更直接关乎运维成本与整体经济效益。英飞凌新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2凭借创新设计，成为SST高可靠性应用的理想之选：增强型.XT扩散焊技术大幅提升散热效率，使SST在高温工况下稳定运行，显著延长系统寿命、增强可靠性；而沟槽栅设计与严苛生产管控，使栅极开启阈值电压参数分布更集中，保障多器件并联时的高可靠性，同时简化系统设计与控制，为SST市场提供了高可靠、易运维的优质解决方案。
为光能源在其SST系统中采用1200V TRENCHSTOP™ IGBT7与CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件，并创新性地运用混合三电平拓扑技术，最高效率突破至98.5%，大幅降低能源损耗，提升能源利用效率；同时，系统尺寸显著缩减，链路结构更精简，从全链路层面显著提升了系统可靠性，树立了行业效率与可靠性的双重标杆。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。