Microchip宣布了一款耐辐射、64兆位（Mbit）并行接口超级闪存设备，具备无与伦比的总电离剂量（TID）容忍度，以实现在太空任务恶劣辐射环境中的最大可靠性和稳健性。它是Microchip空间就绪微控制器（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想伙伴，这些产品为这一可扩展开发模型提供了基础。
Microchip航空航天与国防业务部副总裁Bob Vampola表示：“SST38LF6401RT SuperFlash设备进一步强化了我们利用辐射耐受或辐射硬化微处理器及FPGA开发全空间系统解决方案的可扩展方法。”“它为这些航天系统提供了关键保护，使其实现最可靠的数字处理，而伴随闪存则需要存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流。”
即使闪存仍具偏置状态且仍在运行，该SST38LF6401RT设备具备高达50千弧（krad）耐辐射的TID，使系统能够在广泛的空间应用中运行，避免代码执行丢失导致严重缺陷和系统故障。它是Microchip基于SAMRH71 Arm® Cortex-M7®的辐射硬化SoC处理器的理想伴侣，也可与公司RT PolarFire® FPGA配合使用，支持飞行中系统重配置。该器件与工业版在引脚分布上兼容，便于在印刷电路板（PCB）层面轻松过渡到经过空间认证的塑料或陶瓷版本。SST38LF6401RT的电压工作范围为3.0至3.6伏（V）。
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