嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

新一代混合信号LED驱动控制器芯片

2022/11/28 10:36:34
浏览次数: 10

    LED照明产品标准迭代升级,以及使用者对照明光质量的追求,是制造厂商创新产品方案的动力。英飞凌广泛的LED照明产品组合,一直以来是国际国内照明制造厂商青睐的选择。


    ICL88xx家族系列为新一代LED通用照明而设计研发,创新的混合信号控制技术,使得产品具有超高性价比。ICL88xx适用于反激AC-DC控制拓扑。基于ICL88xx设计的系统在提供高质量光输出同时,具有高功率因素,低谐波失真,低EMI,高效率等性能。ICL8800具有家族系列全部基本功能,ICL8810及ICL8820在ICL8800基础上增加额外功能,包括支持智能照明的低待机功耗,支持更好EMI性能的频率抖动功能。


    英飞凌AC-DC LED 驱动控制芯片,分为两大类别:数字控制器XDPL系列,针对高性能需求设计;混合信号控制器ICL系列,针对更高性价比需求场合。


    跟市场上其他方案相比,ICL88xx具明显优势:满足最新IEC61000-3-2谐波要求及欧盟ERP2019年后的新标准要求;动态响应快;满足智能照明要求的低功耗;支持应急照明设计;支持小型化高功率密度设计。


    ICL88xx全系列高度集成AC-DC LED驱动ICs,支持功率可达150W,非常适合中小功率LED驱动电源设计,以及其他需要高PF或低待机功耗的应用领域。


    CL88xx功能描述


    ICL88xx系统概述


    ICL88xx组成的典型LED照明系统框图如图1所示,ICL88xx控制的反激输出恒压给后级,图示两级方案不但减小了输出纹波,提高了光输出的质量,而且降低了单级系统对设计余量的要求,大幅提高了整个系统的性能。基于这种拓扑架构可以设计从简单入门级的LED驱动器到复杂的智能LED驱动器,灵活性和可扩展性非常高。


  新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图1 ICL88xx组成典型两级LED驱动器系统


    ICL88xx可以实现副边反馈控制或者原边反馈控制,根据项目的需求可自主选择。原边控制的优点在于不需要光耦,BOM成本相对节省;副边控制比原边控制具有更多优点:变压器设计更容易更简单,直接测量输出电压,不需要泄放电路,降低了过电压的风险,同时也节省了成本;副边控制可以和线性恒流控制器配合使用,减少DC-DC级的压降,提升了效率;副边控制在极轻载比如深度调光时仍能保持输出恒定,同时保持高效率。对于深度调光的LED驱动器设计,副边控制是最适合的。典型副边控制ICL88xx系统如图2所示。


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    ICL88xx集成创新混合信号控制技术,采用DSO-8封装。家族系列一共有三款产品,ICL8800基本款具有优异的PFC和THD性能,完善的功能及相关保护;ICL8810在ICL8800的基础上增加了间歇模式,以支持智能照明低功耗需求;ICL8820在ICL8810的基础上集成了了频率抖动功能,在直流输入模式下有更优异的EMI性能。全系列支持以下功能:


    ●   反激恒压输出;


    ●   副边反馈控制或原边控制;


    ●   全电压输入(90Vac to 300Vac,45Hz to 66Hz)和直流输入;


    ●   可调节最大导通时间,低压输入限功率以保证安全;


    ●   开机软起动;


    ●   间歇工作模式;


    ●   频率抖动功能


    此外,全系列集成过电压,过电流,过温度保护,及输入过压欠压检测保护,开环保护。


    工作模式


    ICL88xx电压模式工作有利于功率因数校正,基于工作条件比如输入电压输入频率负载状况等自动选择最优的工作模式。支持的工作模式有:


    ●   准谐振模式


    这种模式通过控制导通时间让开关在谷底开通,最小化开关损耗,以最大化系统效率。


 新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图3 第一个谷底开关波形


    ●   间歇模式


    这种模式提高了系统在轻载时的效率,扩展了宽电压输入的功率范围,满足低待机功耗要求。


    在高功率时,控制器工作在准谐振模式,功率降低时导通时间减少;功率降到一定程度时,控制器增加谷底数,避免频率过高;谷底数改变时,导通时间会同步优化使得功率相对恒定。


    为了输出最小的功率,ICL8810和ICL8820会进入间歇模式,间歇频率是交流输入频率的四倍。


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图4 开关特性VS相对功率(ICL8810/ICL8820)


    反馈环


    脉冲的产生基于从VS引脚引出的电流。这种方法具有更好的抗噪性。在包括突发模式在内的整个脉冲宽度范围内,VS电流从200μA指数映射到600μA。在20μs到1μs的范围内,映射相对良好,每50μA光电流的脉冲持续时间减少一半。


    新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图5 导通时间与vs引脚电流的映射


    为确保反馈回路正常运行,需要从VS引脚接一个12 k?接地。该引脚的最小电流(通过光耦的电流加上12 k ? 电阻的电流)导致最大功率传输,VS引脚输出的最大电流导致最小功率工作点。为了获得最佳的THD和PF结果,建议使用几Hz的交叉频率。


   新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图6 VS引脚电路


    功率因数校正和THD校正


    栅极驱动GD通过导通时间控制在电压模式下驱动功率MOSFET。通过外部反馈回路抑制输出纹波,可在交流半正弦波期间获得准恒定的导通时间。这已经确保了基本的高功率因数和低THD性能。


    此外,ZCD引脚用于THD校正功能,根据检测到的IZCD电流扩展驱动信号的脉冲宽度。这优化了输入电流波形,尤其是在接近交流电压过零的区域。原理如图7所示。


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图7 THD校正原理


    设计案例


    以下为设计案例的部分信息结果(基于运放反馈)。


    副边控制案例


    由于一次侧功率扩展以及二次侧功能扩展更加方便,两级拓扑越来越流行。高光质、深度调光,以及带有传感器和MCU的更复杂系统,需要通过二次侧调节(SSR)拓扑实现稳定的输出电压(CV)。闪烁和总谐波失真(THD)以及谐波的更严格标准也更有利于SSR拓扑。SSR配置中使用的控制器适用于开/关LED驱动器,是深度调光至0.1%和调灭的最佳解决方案。


    本案例是基于SSR控制的43W设计。主要设计规格如下:


    ●   输入电压:90 to 305Vac;


    ●   输出电压:   54Vdc


    ●   输出电流: 0-800mA


    ●   最低效率 (满载):  91%


    ●   最小工作频率(满载):52kHz


    ●   谐波:EN61000-3-2


    ●   EMI:EN55015


    电路板实物及PCB布局如下图8所示。


  新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图8 43W SSR 电路板


    输出电压调整率如下图9:


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图9 电压调整率


    效率曲线如图10:


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图10 效率曲线


    空载待机功耗如图11:


    新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图11 待机功耗


    THD如图12:


    新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图12 THD曲线


    PF测量结果如图13:


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图13 PF曲线


    其他测试结果请参考相关文档,比如谐波,EMI,Jitter, Burst mode及相关保护功能等。


    原边控制案例


    如果只需要调光到5%到10%,并且可以接受更大的输出电压公差(3%到5%),那么就有可能采用PSR设计,与SSR解决方案相比,系统成本更低,省去了光耦,电压基准和误差放大器。ICL88xx系列可用于SSR系统以及PSR拓扑中的所有功能。


    本案例为基于PSR控制模式设计的42W参考设计。主要规格如下:


    ●   输入电压 100-264Vrms


    ●   输出电压设定 Vout,setpoint 54V


    ●   输出电流 Iout 0-750mA


    ●   最大效率(Pout,max)91%


    ●   目标最小频率(Pout,max) 52kHz


    图14为设计电路板。


   新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图14 PSR设计案例电路板


    图15是输出电压调整率。


  新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图15 输出电压与负载


    效率曲线如图16所示。


   新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图16 参考设计效率


    PF和THD分别如图17和图18所示。


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图17 PF曲线


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图18 THD曲线


    小型化设计案例


    小型化,高功率密度是电源产品设计的趋势之一。提高工作频率有利于缩小变压器和被动器件的体积。使用ICL88xx有两种小型化设计的方式。


    ICL88xx SSR模式结合DC-DC 降压变换器,使用电压差值控制,可以显著提高系统效率,降低后级Buck级温度,并降低buck电感等组件的尺寸及成本,从而减少系统的尺寸和成本。系统简图如图18所示,具体信息请参阅:《ILD8150E 高效率参考设计报告》。


新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图19 ICL88xx+ILD8150高效率方案示意图


    使用ICL88xx做小型化方案还可以直接用高频工作模式,ICL88xx可以工作在250kHz以上,搭配市面上开关速度最快的CoolMOS,或者搭配氮化镓器件,可以使整个系统的体积大幅度减少。


    设计工具


    英飞凌提供基于ICL88xx的开发设计工具,方便设计者使用。点击此处即可下载图19所示界面的开发工具。

新一代混合信号LED驱动控制器芯片


    图20 ICL88xx设计工具


    结论


    本文描述了英飞凌LED AC-DC控制器ICL88xx的概况,并配以设计案例测试结果。ICL88xx非常适合LED驱动器电源系统的AC/DC一级,高PF,低THD,高效率,支持0.5%以下的调光,支持低待机功耗,支持小型化设计。能够满足绝大多数智能照明对控制芯片的要求。


    参考文献


    Infineon_Datasheet_ICL88xx_Rev1.0


    Infineon-Design_guide_Lighting_ICs_ACDC_LED_Driver_ICs_ICL88xx-ApplicationNotes-v02_00-EN


    Infineon-Reference_board_REF_ICL8810_LED_42W_PSR-ApplicationNotes-v01_01-EN


    Infineon-Reference_boards_REF_ICL88xx_LED_xxx-ApplicationNotes-v01_00-EN


    Infineon-Engineering_report_ILD8150E_LED_Driver_high_efficiency_reference_design-ApplicationNotes-v01_00-EN


    Power and Sensing Selection Guide 2022


    来源:英飞凌科技


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-03-20
    Microchip Technology宣布其BZPACK mSiC®功率模块,旨在满足严格的高湿度高压高温反向偏置(HV-H3TRB)标准。BZPACK模块能够提供卓越的可靠性,简化制造流程,并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统集成选项。提供多种拓扑配置,包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置,为设计者提供优化性能、成本和系统架构的灵活性。经过测试,BZPACK mSiC功率模块符合超过1000小时标准的HV-H3TRB标准,为工业和可再生能源应用的部署提供了信心。采用比较跟踪指数(CTI)600伏外壳,稳定的Rds(on)在温度范围内,以及铝氧化物(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)等基材选项,这些模块提供了卓越的绝缘、热管理和长期耐用性。Microchip高功率解决方案业务部门副总裁Clayton Pillion表示:“我们BZPACK mSiC功率模块的发布,强化了Microchip为最严苛的电力转换环境提供坚固高性能解决方案的承诺。”“通过利用mSiC技术,我们为客户提供了更简便的路径,打造高效且持久的系统,涵盖工业和可持续发展市场。”为了简化生产并降低系统复杂度,BZPACK模块采用紧凑、无底板设计,配备按压式、无焊接端子和可选预加热接口材料(TIM)。这些多功能选项使组装更快、制造一致性提高,并通过行业标准的布局实现更便捷的多采购。此外,模块设计上兼容引脚,便于使用。Microchip的MB和MC系列mSiC MOSFET为工业和汽车应用提供了强大的解决方案,并提供AEC-Q101认证选项。这些器件支持共同的门极源电压(VGS≥15V),并以行业标准封装提供,便于集成。经过验证的高压-H3TRB能力通过帮助降低因湿气引起的泄漏或击穿导致现场失效的风险,支持长期可靠性。MC系列集成了栅极电阻,提升开关控制,保持低开关能量,并在多芯片模块配置中提升稳定...
  • 点击次数: 1
    2026-03-20
    半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用,推出支持近场通信技术(NFC,近距离非接触式无线通信技术)的无线供电IC芯片组“ML7670(接收端)”和“ML7671(发射端)”。近年来,以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言,很难进行有线供电;而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此,业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下,采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目,其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组,此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671,助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660(接收端)”和“ML7661(发射端)”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW,同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此,在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备(尤其是智能戒指)所需的功率等级进行了优化。接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸,在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素,实现了超越同等产品效率水准的性能。而且,IC内部已经集成无线供电所需的固件,无需再外置主控MCU,这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。另外,由于符合NFC Forum*2标准(WLC 2.0),因此可在保持与现有设备兼容性的同...
  • 点击次数: 0
    2026-03-20
    ADI(亚德诺)公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力,同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略,依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络,打造兼具韧性与高性能的解决方案。泰国在ADI全球制造网络中发挥着至关重要的作用。通过扩大ADI在泰布局,提升制造韧性、灵活性与产能规模,为多元市场客户提供支持,从而有力支撑公司的长期发展。新工厂的定位是智能可持续工厂,融合先进自动化、数字化制造技术与完善运营体系,兼顾高效生产与绿色环保,能够更快响应市场需求,并在瞬息万变的全球环境中,持续提供客户所期望的品质、可靠性与性能。ADI首席执行官兼董事会主席Vincent Roche表示:“泰国是ADI全球制造布局中的战略枢纽之一。此次扩建彰显了我们长期致力于将泰国及该地区打造为能够可靠且可持续地提供世界级技术的关键环节的决心。随着客户需求的不断演变,此次扩建投资将确保我们能够持续大规模交付独具优势的创新成果。”ADI全球运营与技术执行副总裁Vivek Jain指出:“新工厂极大提升了我们高效且负责任地开展测试业务的能力。凭借当地雄厚的工程人才储备、供应链优势以及支撑长期发展的产业环境,泰国已成为我们构建更加敏捷、更具韧性且面向未来的制造网络的重要一环。”提升全球供应链韧性通过更广泛的区域布局、更高的运营敏捷性以及增强的制造网络灵活性,ADI在泰国的扩产增能举措强化了公司的全球韧性战略。新工厂坐落于泰国东部经济走廊(EEC),得益于当地完善的基础设施、优质的工程人才储备和稳定中立的运营环境,将进一步强化ADI服务全球客户的能力。推动半导体制造可持续发展新工厂依照LEED标准规划建造,彰显了ADI践行绿色制造的坚定承诺,也是ADI制造网络中首个以获得LE...
  • 点击次数: 1
    2026-03-19
    Vishay推出了一款新型航天级表面贴装共模扼流圈,旨在为要求高的航天、航空航天和国防应用提供EMI滤波和噪声抑制。Vishay定制磁SGCM05339非常适合氮化镓和硅碳开关应用,这些器件在波形中会形成锐利边缘,从而产生辐射辐射。共模扼流圈也将用于低矮、高电流的电源;分布式电力系统中的直流/直流转换器;以及太阳能电池板的电力转换器。为抵御这些应用的恶劣环境,该自屏蔽器件采用紧凑坚固的纳米晶芯和成型坚固结构。SGCM05339在扩展频率下提供高阻抗,支持高达14.43安的高温电流能力,并能连续工作温度范围,范围从-55°C到+130°C。该设备符合ASTM-E595排放标准,提供多种筛选选项,包括MIL-PRF-27、5级产品级T、温度等级S;MIL-STD-981家族-4,S级;以及EEE-INST-002。该SGCM05339提供1000伏RMS的介电耐阻,在500伏直流电压下绝缘电阻最低10吉瓦,并可根据匝数、线规等参数进行定制,以满足具体应用需求。设备规格表如下:部件编号SGCM05339每绕组电感320 μH 到 10 400 μH共模阻抗(类型)540 Ω到3600 Ω每绕组的直流电阻(最大)0.0029 Ω 到 0.1318 Ω等级热电流(类型)2.02 A 至 14.43 A峰值阻抗频率2.06 Hz 到 31.74 Hz泄漏(最大0.35 μH 到 7.75 μH免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 1
    2026-03-19
    Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®(SST®)的memBrain™神经形态硬件知识产权(IP),用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元(APU)。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器(eNVM)比特单元,每瓦特提供高水平的模拟内存计算(aCIM)性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理,实现边缘和数据中心的高效AI加速:Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元(GPU)的100倍。截至目前,Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频(eNVM)解决方案,并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示:“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案,有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术,memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备:每个比特单元最多可支持8位数据(8 bpc) 存储单位纳安(nA)比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示:“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后,确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能,”Taner Ozcelik博士表示。“此外,其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性,加上SST工程团队的...
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
扫一扫官方微信
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
999999

    1
999999

999999

999999

电话 电话 电话
010-62975458
    1
返回顶部
展开