嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

IGBT主导新能源汽车上半场,SiC提速上车剑指新周期

2023/1/28 10:17:18
浏览次数: 3

    2022年,半导体行业依然在挑战中前行。后疫情时代、行业下行、地缘政治等因素仍深刻地影响着全球半导体产业链及生态。来到2023年,全球半导体行业如何发展?新的挑战又会从何而来?为了厘清这些问题,《集微网》特推出回顾展望系列,邀请行业中的代表企业,围绕热门技术和产业,就产业链发展态势、热点话题及未来展望做一番详实的总结及梳理,旨为在行业中奋进的上下游企业提供参考镜鉴。


IGBT主导新能源汽车上半场,SiC提速上车剑指新周期


    集微网消息,回顾2022年,半导体行业再度发生巨大变化,多数领域由缺货涨价进入去库存新周期,不过在汽车领域,车规级芯片依旧紧缺,其中,作为新能源汽车的核心“大脑”功率器件紧张程度加剧,一度影响了行业的正常生产。


    同时,作为新能源汽车下一代功率器件,SiC正加速量产上车,至今已在特斯拉、比亚迪、蔚来汽车、小鹏、吉利、问界等主流新能源汽车主机厂中得到迅速应用,预计明年将会在这些企业的引领下,SiC加快上车导入。


    车规级IGBT“逆”周期缺货涨价


    受2020年年初疫情影响,因部分芯片提供商误判市场需求及各种天灾、人祸影响,导致从该年年底开始,全球芯片短缺情况持续加剧,最终演变为全行业芯片缺货涨价现象,并延续到2021年全年。不过进入2022年后,多个行业风向逆转,进入去库存周期。


    而汽车领域作为最早“吹响”缺货的行业之一,除了如上因素,新能源汽车产业的超预期发展,也加剧了车用芯片的短缺程度。不过,在各行各业逐步恢复芯片正常供应过程中,以功率器件为代表的车规级芯片至今仍处于短缺状态。


    中汽协数据显示,今年10月我国新能源汽车产销量分别为76.2万辆和71.4万辆,同比增长87.6%和81.7%;1-10月我国新能源汽车累计产销分别达到548.5万辆和528万辆,同比均增长1.1倍,继续保持高速增长趋势,对IGBT等功率器件形成庞大需求。


    截至目前,英飞凌和安森美等国际大厂仍是主要车规级功率器件供应商,但两家企业新增产能增幅缓慢,部分大厂甚至停止接单,导致供需缺口不断扩大,今年初,集微网曾就车规级IGBT供需走势分析称,今年下半年IGBT将成新能源汽车生产瓶颈。事实上,仅支撑到今年年中,比亚迪等本土新能源车企就出现IGBT供应跟不上生产所需的情况。


    富昌电子2022年Q4市场行情报告显示,截至12月,主力供应商英飞凌的车规级IGBT交期最长仍达50周,与年中基本持平,且价格呈上扬趋势,反映出车规级IGBT仍处于“逆”周期缺货涨价阶段。多位业内人士及分析机构表示,在汽车电动化持续渗透背景下,车规级功率器件短缺问题或要到2024年才能解决。


    国际大厂IGBT供应不足,给本土供应商带来非常大的发展机会。BYD半导、斯达半导、时代电气、士兰微、华虹、翠展微、宏微科技、芯朋微、华润微、天龙股份等产业链企业获得快速成长。其中,BYD半导2021年配套车辆约为40万辆,在济南、长沙两大工厂于2022年先后投产支持下,预计今年配套车辆可提升至120万辆。另外,斯达半导、时代电气、士兰微等企业也实现快速导入,行业预计今年本土IGBT出货量可满足约300万辆新能源汽车的配套需求,国产化率将创新高。


    截至目前,国产IGBT产品已成功应用于比亚迪、理想、广汽、东风、长安、小鹏、零跑、极氪等主机厂旗下车型中。值得注意的是,导入初期,有主机厂计划待芯片短缺问题解决后,将重新选用国际大厂产品,不过随着国内功率器件企业与主机厂的持续深入合作,缺货背景下,今年这一声音日渐削弱,可以预见,未来车规级IGBT国产化率仍将进一步提升。


    SiC量产上车将成2023年新亮点


    在IGBT供应短缺之时,另一功率器件SiC则加速成长,部分主机厂开始导入旗下车型,一定程度上缓解了IGBT供应短缺现状,更重要的是,SiC产业链上下游企业正摩拳擦掌,为大规模量产上车继续冲刺。


    资料显示,SiC具有IGBT所无法比拟的优势,主要包括开关损耗小、导通损耗小、面积小、电流密度高、禁带宽度及热导率高等特点,能有效降低汽车电耗,提高电动汽车续航里程,如蔚来ET7在SiC模块支持下,成为为数不多实现续航里程突破1000公里的纯电车型。


    事实上,早在2014年,丰田就已经尝试选用SiC MOSFET,但受限于彼时技术不够成熟、上车成本高等原因,未能实现规模落地。即便到了2022年底,高成本仍是制约SiC上车的重要原因之一。


    产业链企业同时面临产能紧缺、良率不足等问题,截至目前,SiC仍只获得小部分主机厂选用。不过,在特斯拉的带动下,SiC自2019年9月起加速了上车进程,据集微咨询(JW Insights)不完全统计,目前市场已有超过20款车型已搭载或计划搭载SiC器件,如Model 3、Model Y、小鹏G9、长城机甲龙、蔚来ET5/ET7/ES7、吉利Smart精灵#1、汉EV、唐EV、驱逐舰、海豹等,预计未来SiC车型将会越来越多,并成为提升用户用车体验的核心利器。


    在市场需求持续增长驱动下,SiC的技术短板迅速得到填补,产能也不断得到释放,天岳先进、天科合达、露笑科技、东尼电子等企业已有部分产能投产,晶盛机电、三安光电等企业也在加快投片进程。进入2022年四季度,又有包括翠展微、智新半导体、芯朋微、中科汇珠、德智新材、忱芯科技、威兆半导体、士兰微等产业链上下游企业取得新突破。


    除了国内企业,国际企业的产能布局更大,公开资料显示,Wolfspeed、安森美、罗姆半导体、贰陆半导体等巨头至2025年的产能将分别较2020年前后提升30倍、16倍、6倍、5-10倍。


    行业分析认为,当SiC的成本降至Si基成本的2倍左右,SiC电驱系统的综合优势将会体现出来,也将成为SiC逆袭IGBT的关键节点。随着产能的不断投产,SiC的上车成本正在快速下降,价格也有望在未来4~5年内降至IGBT的3倍以内。


    短期看,受Model 3、Model Y产销量持续增长,特斯拉仍是SiC上车的引领者;2022年比亚迪也有非常不错的上车表现,从供应链披露数据,2022年其SiC车型约为10万辆,2023年有望提升至40万辆,紧随特斯拉。另外,造车新势力也是SiC上车的另一增长极。


    如果说2019年是SiC量产上车元年,2020~2022年为起步期,那么从2023年开始,SiC上车将开始进入提速期。


    小结:互补仍是短期常态


    SiC将逆袭IGBT上车已成为不可逆转的趋势,不过,短期受成本及产能制约,SiC仍主要在单价20万元以上的车型中投放,而对于价格亲民的车型,如A00、A0等车型,IGBT仍是未来较长一段时间内的主要车用功率器件。


    值得注意的是,无论IGBT还是SiC,国产化率仍较低,特别是在芯片上,仍高度依赖于国际大厂,因此我们看到,借助未来较长的过渡期,本土IGBT及SiC产业链企业仍在加快自主可控进程,


    特别是在SiC领域,已涌现出一批上下游供应链企业,如衬底有天岳先进、天科合达、露笑科技、晶盛机电、三安光电、世纪金光、河北同光等,外延片有瀚天天成、东莞天城、中电科13所、中电科55所、三安集成等,IC设计公司有闻泰科技、斯达半导、绿能新创、陆芯科技、瞻芯电子等,制造企业有BYD半导、扬杰科技、时代电气、基本半导体、泰科天润等,封测领域也有长电科技、华天科技等企业支持,其中,BYD半导、三安光电、泰科天润等企业涉猎SiC多个环节,已形成较为完善的产业链布局。整体来看,SiC较IGBT具有更完善的产业链布局和更强的国产自主能力,将为国内功率上车提供强有力支撑。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-03-20
    Microchip Technology宣布其BZPACK mSiC®功率模块,旨在满足严格的高湿度高压高温反向偏置(HV-H3TRB)标准。BZPACK模块能够提供卓越的可靠性,简化制造流程,并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统集成选项。提供多种拓扑配置,包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置,为设计者提供优化性能、成本和系统架构的灵活性。经过测试,BZPACK mSiC功率模块符合超过1000小时标准的HV-H3TRB标准,为工业和可再生能源应用的部署提供了信心。采用比较跟踪指数(CTI)600伏外壳,稳定的Rds(on)在温度范围内,以及铝氧化物(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)等基材选项,这些模块提供了卓越的绝缘、热管理和长期耐用性。Microchip高功率解决方案业务部门副总裁Clayton Pillion表示:“我们BZPACK mSiC功率模块的发布,强化了Microchip为最严苛的电力转换环境提供坚固高性能解决方案的承诺。”“通过利用mSiC技术,我们为客户提供了更简便的路径,打造高效且持久的系统,涵盖工业和可持续发展市场。”为了简化生产并降低系统复杂度,BZPACK模块采用紧凑、无底板设计,配备按压式、无焊接端子和可选预加热接口材料(TIM)。这些多功能选项使组装更快、制造一致性提高,并通过行业标准的布局实现更便捷的多采购。此外,模块设计上兼容引脚,便于使用。Microchip的MB和MC系列mSiC MOSFET为工业和汽车应用提供了强大的解决方案,并提供AEC-Q101认证选项。这些器件支持共同的门极源电压(VGS≥15V),并以行业标准封装提供,便于集成。经过验证的高压-H3TRB能力通过帮助降低因湿气引起的泄漏或击穿导致现场失效的风险,支持长期可靠性。MC系列集成了栅极电阻,提升开关控制,保持低开关能量,并在多芯片模块配置中提升稳定...
  • 点击次数: 1
    2026-03-20
    半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用,推出支持近场通信技术(NFC,近距离非接触式无线通信技术)的无线供电IC芯片组“ML7670(接收端)”和“ML7671(发射端)”。近年来,以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言,很难进行有线供电;而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此,业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下,采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目,其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组,此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671,助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660(接收端)”和“ML7661(发射端)”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW,同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此,在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备(尤其是智能戒指)所需的功率等级进行了优化。接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸,在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素,实现了超越同等产品效率水准的性能。而且,IC内部已经集成无线供电所需的固件,无需再外置主控MCU,这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。另外,由于符合NFC Forum*2标准(WLC 2.0),因此可在保持与现有设备兼容性的同...
  • 点击次数: 0
    2026-03-20
    ADI(亚德诺)公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力,同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略,依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络,打造兼具韧性与高性能的解决方案。泰国在ADI全球制造网络中发挥着至关重要的作用。通过扩大ADI在泰布局,提升制造韧性、灵活性与产能规模,为多元市场客户提供支持,从而有力支撑公司的长期发展。新工厂的定位是智能可持续工厂,融合先进自动化、数字化制造技术与完善运营体系,兼顾高效生产与绿色环保,能够更快响应市场需求,并在瞬息万变的全球环境中,持续提供客户所期望的品质、可靠性与性能。ADI首席执行官兼董事会主席Vincent Roche表示:“泰国是ADI全球制造布局中的战略枢纽之一。此次扩建彰显了我们长期致力于将泰国及该地区打造为能够可靠且可持续地提供世界级技术的关键环节的决心。随着客户需求的不断演变,此次扩建投资将确保我们能够持续大规模交付独具优势的创新成果。”ADI全球运营与技术执行副总裁Vivek Jain指出:“新工厂极大提升了我们高效且负责任地开展测试业务的能力。凭借当地雄厚的工程人才储备、供应链优势以及支撑长期发展的产业环境,泰国已成为我们构建更加敏捷、更具韧性且面向未来的制造网络的重要一环。”提升全球供应链韧性通过更广泛的区域布局、更高的运营敏捷性以及增强的制造网络灵活性,ADI在泰国的扩产增能举措强化了公司的全球韧性战略。新工厂坐落于泰国东部经济走廊(EEC),得益于当地完善的基础设施、优质的工程人才储备和稳定中立的运营环境,将进一步强化ADI服务全球客户的能力。推动半导体制造可持续发展新工厂依照LEED标准规划建造,彰显了ADI践行绿色制造的坚定承诺,也是ADI制造网络中首个以获得LE...
  • 点击次数: 1
    2026-03-19
    Vishay推出了一款新型航天级表面贴装共模扼流圈,旨在为要求高的航天、航空航天和国防应用提供EMI滤波和噪声抑制。Vishay定制磁SGCM05339非常适合氮化镓和硅碳开关应用,这些器件在波形中会形成锐利边缘,从而产生辐射辐射。共模扼流圈也将用于低矮、高电流的电源;分布式电力系统中的直流/直流转换器;以及太阳能电池板的电力转换器。为抵御这些应用的恶劣环境,该自屏蔽器件采用紧凑坚固的纳米晶芯和成型坚固结构。SGCM05339在扩展频率下提供高阻抗,支持高达14.43安的高温电流能力,并能连续工作温度范围,范围从-55°C到+130°C。该设备符合ASTM-E595排放标准,提供多种筛选选项,包括MIL-PRF-27、5级产品级T、温度等级S;MIL-STD-981家族-4,S级;以及EEE-INST-002。该SGCM05339提供1000伏RMS的介电耐阻,在500伏直流电压下绝缘电阻最低10吉瓦,并可根据匝数、线规等参数进行定制,以满足具体应用需求。设备规格表如下:部件编号SGCM05339每绕组电感320 μH 到 10 400 μH共模阻抗(类型)540 Ω到3600 Ω每绕组的直流电阻(最大)0.0029 Ω 到 0.1318 Ω等级热电流(类型)2.02 A 至 14.43 A峰值阻抗频率2.06 Hz 到 31.74 Hz泄漏(最大0.35 μH 到 7.75 μH免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 1
    2026-03-19
    Mythic选择了Microchip Technology子公司Silicon Storage Technology®(SST®)的memBrain™神经形态硬件知识产权(IP),用于其下一代边缘到企业级模拟处理单元(APU)。Mythic将利用SST的SuperFlash嵌入式非易失性存储器(eNVM)比特单元,每瓦特提供高水平的模拟内存计算(aCIM)性能。该合作使Mythic能够实现120 TOPS/瓦的推理处理,实现边缘和数据中心的高效AI加速:Mythic的APU目标能效是传统数字图形处理单元(GPU)的100倍。截至目前,Mythic授权的SST SuperFlash技术已发货1500亿套。SuperFlash技术是工业、汽车、消费和计算等多个行业的关键数据和代码存储的事实电子非视频(eNVM)解决方案,并被全球十大半导体代工厂授权使用。Microchip Edge AI业务部副总裁Mark Reiten表示:“Mythic正在工业、汽车和数据中心应用中开创AI推理处理和AI传感器融合的创新解决方案,有效克服当前AI能力的限制。”“作为Mythic下一代产品的核心存储技术,memBrain为边缘和数据中心应用带来了显著的能效和高性能。”memBrain 细胞具备:每个比特单元最多可支持8位数据(8 bpc) 存储单位纳安(nA)比特单元读电流工作温度下10年数据保留10万次耐力循环8 位元的多态写入操作的全状态机控制aCIM的单周期乘加运算Mythic首席执行官Taner Ozcelik博士表示:“Mythic在对eNVM技术的行业范围内广泛搜索后,确定memBrain单元技术最能帮助我们实现客户所需的超低功耗和高性能,”Taner Ozcelik博士表示。“此外,其行业验证的SuperFlash技术在代工厂的广泛可用性,加上SST工程团队的...
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
扫一扫官方微信
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
999999

    1
999999

999999

999999

电话 电话 电话
010-62975458
    1
返回顶部
展开