嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

兆亿微波商城:用GaN推动电动汽车的发展

2020/11/13 14:38:35
浏览次数: 13

  【兆亿微波商城】:再电动化浪潮推动下,随着新能源汽车市场的快速发展,各种材料和功率器件的出现,促进汽车行业的电动进程。

  TI独特的高度集成的氮化镓(GaN)解决方案可帮助混合动力电动汽车–从入门级到高级车型??–充电更快,行驶更远,降低了更高普及率的障碍,当我们为电动和混合动力汽车电源管理技术创建更高效??率的集成电路时,我们的客户可以设计出更高效,更实惠的汽车,以减少排放并帮助创造更清洁的环境。

  由于行驶距离焦虑加剧,并且担心寻找需要长时间停车的充电站,许多驾驶员犹豫要从传统汽车转换为混合动力或电动(HEV / EV)车辆。

兆亿微波商城:用GaN推动电动汽车的发展

  但是电源管理方面的创新正在帮助结束他们的等待。

  结合我们公司最新的汽车级氮化镓(GaN)功率管理技术的HEV / EV能够比基于传统硅基充电技术的汽车系统更快地充电,并且行驶更远。让汽车制造商消除这些障碍,以免广泛使用混合动力汽车/电动汽车,是朝着降低影响全球空气质量和气候的排放迈出的重要一步。

  “我们的客户正在寻找在不大幅增加车辆重量或成本的情况下增加功率的方法,”该公司高压电源团队的负责人史蒂夫·兰博兹说。TI的高度集成的GaN解决方案使汽车设计人员能够开发更可靠,更实惠,更高效地使用电源的充电系统。那是真正的游戏规则改变者。”

  可靠的电源管理技术

  GaN是一种非常通用的半导体材料,可以在高温和高压下工作-这是功率管理应用(例如发光二极管,太阳能逆变器和可再生能源存储系统)的关键考虑因素。在过去的十年中,TI的GaN产品已用于有效地为各种通信和工业设计供电,每次推出产品时,功率密度和效率都达到了新的水平。

  现在,TI凭借业界首款符合汽车标准的产品,为电动汽车的车载充电系统提供动力,将GaN带入了汽车市场。

  对于HEV / EV,TI GaN比传统的硅或较新的碳化硅(SiC)技术为制造商提供了优势,后者在充电过程中会产生大量热量,并在增加充电时间的同时放出能量。业界最快的集成栅极驱动器可实现两倍于硅MOSFET的功率输出,功率密度翻倍,并使汽车设计人员能够优化其车载充电架构的设计。

  “有效的电源管理的下一步围绕三件事,”我公司汽车电池产品业务开发负责人Ivo Marocco说。“首先,您需要精确充电。其次,电池系统需要更高的安全性。第三,负担能力是关键。锂离子电池可构成车辆成本的30%,而基于GaN的解决方案可通过减少50%的功率损耗来提供更为有效的方法。我们的GaN技术解决了所有这些问题。”

  更快,更小,更可靠的电源管理

  从小型手持式消费类设备和笔记本电脑到庞大的数据中心,技术越来越依赖于电源管理-电动汽车也不例外。诸如绝缘栅双极晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管之类的较早的功率开关技术随着时间的推移表现良好,但是设计人员在尺寸,发热量以及延迟或有问题的开关速度方面受到了限制。

  所有电源管理都涉及开关–接通和关断电流。开关效率低下会导致功率损耗,这就需要更大,更重的电源和更长的充电时间来补偿损耗。快速,精确的开关技术可产生更加无缝和高效的能量流,带来的好处包括减小系统尺寸和成本。

  “ GaN的快速开关速度提高了效率,从而减轻了汽车冷却的负担,” Steve说。“因此,随着电源周围的重磁变小60%,GaN提供的效率降低了系统成本并提高了整体功率密度。最终结果是减轻了车辆的重量,从而增加了车辆的续驶里程。这就是基于GaN的电源管理系统的承诺。”

  GaN还使HEV / EV工程师能够获得比现有解决方案高两倍的功率密度,更快的电池充电速度,更可靠的运行以及更高的电动汽车车载充电系统整体效率。

  “ GaN已经存在了一段时间,每个人都知道其好处,” Ivo说。“但是现在我们看到它已经从汽车领域的理论转变为实际应用,这令人兴奋。”

  TI高度集成的GaN解决方案可优化成本和功耗

  我们的GaN创新远远超出了普通开关。它为客户提供了全套功能,可创建基于GaN的车载充电系统,这对于HEV / EV市场将是重要的一步。

  通过利用我们的汽车专业知识,我们将TI制造的GaN-on-silicon FET和快速开关,2.2MHz硅栅极驱动器共同封装在一起,从而为客户提供了一种将所有部件整合在一起的简便方法-集成了开关,控制器和保护技术到单个芯片上。

  史蒂夫说:“我认为它凝聚了大脑和大脑。” “这款交换机功能强大,但是TI GaN创新中集成控制器提供的智能功能使开发人员可以从我们的解决方案中获得最高性能。”

  对GaN进行测试

  由于GaN和其他宽带隙晶体管在结构和材料上与硅器件不同,因此它们需要专门定制的测试指南以确保器件的可靠性。测试指南对于增强人们对GaN可靠性的信心并加速整个行业的采用至关重要。

  我们公司与他人共同创立了JEDEC的JC-70宽带隙功率电子转换半导体委员会,旨在为工程师提供有用的指导,以创建可靠的设计。该委员会最近发布了专门针对GaN的新开关指南-JEP180:氮化镓功率转换器件的开关可靠性评估程序指南。

  GaN的Stephanie Watts Butler博士说:“这项新指南为工程师提供了对开关行为的强大评估,这将进一步加速GaN在整个行业的普及,尤其是在效率,功率密度和可靠性至关重要的汽车和工业市场中。”我们公司的技术创新架构师。

  在过去的十年中,我们的内部可靠性实验室对GaN性能进行了测试,提供了超过4,000万小时的设备可靠性测试和近5吉瓦小时的应用内测试,以确保设备的长期可靠性。

  “ GaN就像是精密的瑞士手表,” Steve说。“可以非常精确地对其进行调整,我们知道如何做到这一点来调整最佳性能。我们的测试实验室为我们提供了这一点。”

  更清洁,更安全,更智能的交通世界

  到2025年近60%,比去年同期增长,与今天的560万台车辆预计将增加至全球所有汽车销售的30% -汽车行业是看到在售的混合动力/电动汽车的快速增加1的现有网络预计美国大约25,000个充电站也将大量增加。

  史蒂夫说:“我们的GaN电源管理技术为汽车设计工程师和汽车制造商提供了大幅减少车辆充电时间,增加功率密度,提高成本效益,扩大行驶里程和提高可靠性的机会。” “将降低采用混合动力电动汽车的障碍,我们所有人都可以向更清洁,更环保的星球靠拢。”

  用我们的激情创造一个更美好的世界

  为电动和混合动力汽车的车载充电系统开发高度集成的GaN技术是TI创新者如何活出公司的热情的一个例子,该公司致力于通过使半导体变得更加便宜,从而使电子产品变得更便宜。随着每一代创新都在最后一步的基础上进行,以使技术更小巧,更有效,更可靠,更负担得起,新的市场开放了,半导体有可能进入世界各地的电子领域。在TI,我们将其视为工程进步。这就是我们数十年来一直在做的事情。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-05-26
    金升阳SF系列接触器控制模块针对传统产品存在的关断响应慢、稳定性不足及寿命有限等问题,采用自主研发的专用IC芯片,实现20ms的快速关断。这款模块支持170-550VAC/DC的宽电压输入范围,兼容主流接触器型号,并支持单线圈无短路环设计。产品设计符合GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准,确保产品性能稳定可靠。其适用于需要快速关断和高可靠性的工业自动化场景,如大型水泵、电磁启动器及大功率电加热控制柜等负载设备。产品特点:响应迅速,节能性能表现内置自主研发IC,可实现约20ms的快速关断,提升灭弧效率,延长电气元件寿命;智能控制降低吸持电流,达到节能效果;内置EMC及浪涌保护,提高系统安全性。降低成本,兼容性强支持单线圈无短路环设计,有助于降低物料成本;兼容“铜包铝”方案,便于成本调整;宽压输入覆盖170-550VAC及DC,适应多种电网环境;即插即用,适配多种市场主流接触器型号。运行稳定,适应环境广泛低噪音设计,噪声控制在25dB以下,适合对环境噪音有要求的场合;支持每小时1200次的空载开关,满足高频操作需求;适用温度范围为-40℃至+70℃,具备一定耐候性能。主要功能与应用:宽电压输入,满足出口市场多样需求;支持无短路环单线圈及铜包铝线圈设计;快速关断延长接触器寿命;噪声低,适合办公及医疗等环境;抗晃电功能,提升吸合稳定性;规格覆盖115-630A的主流F系列壳架;适应严苛环境与高频操作;可根据客户需求定制应用方案。典型应用场景:电网波动环境模块通过宽电压输入和抗晃电设计,在电压波动情况下仍能保持设备稳定运行,适用于煤矿行吊、配电回路等关键设备,减少设备停机风险。噪声敏感环境通过电子控制线圈方式降低运行噪声,适合楼宇自动化、智能配电室等场所,缓解办公、医疗、住宅区域的噪声影响。高频操作需求模块实现快速关断与高效灭弧,有助于延长接触...
  • 点击次数: 2
    2026-05-25
    ROHM宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 3
    2026-05-21
    Vishay 推出了两款新型汽车级光耦合器,采用宽体封装,采用宽体封装,比较跟踪指数(CTI)为600。Vishay VOWA618A VOWA617A半导体设计用于电动汽车(EV)和太阳能逆变器实现高隔离信号,提供1500伏峰值V的VIORM,1060V有效方距的V外侧空间,以及≥11毫米的外部渐变和间隙距离。≥AEC-Q102认证设备在同级中提供了最高的爬行距离,安全裕度比典型8毫米解决方案高出38%,非常适合电网连接的车载充电器(OBC)、直流/直流转换器和电池管理系统(BMS)隔离级。在这些高压应用中,它们超越了增强绝缘的需求,将高V的IORM和VIOWM(分别比竞争对手提升6%和19%)结合,隔离电压为5300V RMS,V IOTM峰值为8000V。光耦合器每个由一个红外发射二极管组成,光耦合到宽体SMD-8封装中的硅平面光电晶体管探测器。标准方案通常提供175的CTI,而VOWA617A和VOWA618A的600 CTI则赋予其材料组1等级,即最高的绝缘组。此外,其80伏集电极-发射极电压额定提供了更多设计灵活性。与通常工作温度达到+85°C的消费级解决方案相比,光耦合器的工作温度范围更宽,范围从-40°C到+125°C,接点温度可达+145°C。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green标准,这些器件在VOWA617A端5毫安和VOWA618A端1毫安的低输入电流下,电流传输比(CTR)范围从50%到600%。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 7
    2026-05-20
    TDK推出FS3303是其微型POL家族超紧凑、非隔离的直流直流功率模块重大扩展的首款产品,适用于AI边缘系统及其他空间受限设计中的光模块。尽管体积仅为2.5 x 2.5毫米,高度仅1.2毫米,FS3303仍能在环境温度最高+90°C(降低后可达+125°C)下提供3安培电流,峰值效率约为95%。超紧凑型微型POL模块FS3303在2.5×2.5毫米的占地内提供3安培,仅1.2毫米高,支持光模块和AI边缘系统的高密度功率在+90°C以下(降额时为+125°C)时,高效率可达95%,支持ASIC、SoC、DSP和AI芯片组的低压轨道,电压从0.4V到3.3V不等集成控制器、驱动单元、MOSFET和电感元件,集成在TDK 3D芯片嵌入式封装中,最大限度地减少外部元件并最大化板块空间节省FS3303及即将推出的高性能负载点(POL)变换器系列涵盖3A至80A输出,覆盖0.3V至3.3V的轨道。它们使下一代光网络和人工智能加速器平台能够在不牺牲板块空间的前提下提升性能。例如紧凑型光模块,其速率从10 Gbit/s扩展到1.6 Tbit/s。新产品线的高度轮廓介于1.2毫米至1.7毫米之间。FS3303专为低压轨道设计,支持输入电压范围为2.7伏至6伏,输出电压范围为0.4伏至3.3伏。这使得它成为ASIC、SoC、DSP以及新兴AI芯片组的多功能解决方案,适用于需要严格监管和高瞬态性能的新型芯片。FS3303 利用了 TDK 专有的三维芯片嵌入式封装技术,集成了控制器、驱动单元、MOSFET 和功率电感。该架构最大限度地减少外部元件,提供完整的直流直流解决方案,具有卓越的面积和高度节约——非常适合下一代光收发器和边缘AI模块。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
  • 点击次数: 10
    2026-05-20
    在2026年5月19日召开的董事会会议上,TDK公司已决定Amperex Technology(新加坡)私人有限公司。有限公司,作为公司从事可充电电池业务的子公司,将收购Linergy Power Sdn Bhd(以下简称“Linergy”)100%的普通股,并将Linergy成为全资子公司(以下简称“股份收购”)。收购股份的原因2024年5月,为进一步提升企业价值,公司制定了长期愿景“TDK转型”,作为公司未来十年的目标,体现了公司加速为社会转型做出贡献、持续转型,为实现可持续未来的承诺。此外,公司发布了中期计划,代表其三年行动计划(2025财年3月至2027财年3月),并一直按照该愿景推动业务发展。在核心能源解决方案业务中,公司通过中小容量电池的前沿技术开发不断推出高附加值新产品,赢得了多元客户群的信任。值得注意的是,在中容量电池业务中,公司利用积累的技术和专业知识开发并供应符合客户需求的产品,从而实现差异化并扩大业务。通过收购股份,公司将能够提供灵活的全球供应结构,以满足客户多样化的需求。这将进一步增强客户信任,推动业务进一步增长,加速“TDK转型”的实现。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开