单端FET混频器利用了FET晶体管非线性最强的跨导gm参量,一般采用共源极结构,并在栅极加负的偏置,使FET晶体管工作在夹断区。此时跨导接近零,小的正栅压变化就能导致大的跨导变化,产生非线性效应,如图11.7所示。
单端FET混频器的原理就是利用加在栅极上的LO信号驱动FET晶体管的跨导在高低间转换,提供所需要的频率。

常用的电路结构如图11.8所示,与单端二极管混频器一样,RF和LO信号首先输入到同相双工器中合成,再输入到FET晶体管的栅极.上。漏极的LO电容用于提供LO信号的返回支路,而滤波器用于选择出所需要的IF频率分量。
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