GaNSense Control合封氮化镓芯片是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在尺寸和重量减半的前提下，产品实现了高达3倍的功率处理能力或快3倍的充电能力。并且在电源系统中，一个优化的高频低压 (LV) 硅系统控制器必不可少。纳微不仅开发了这样的控制器还将其与其高性能的氮化镓芯片集成在一起，还推出了业界首创的GaNSense Control合封氮化镓功率芯片技术。
初代GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片系列具有高频准谐振 (HFQR) 反激，并且支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式运行，频率高达 225 kHz。可以从单个采用表面贴片的QFN 封装（NV695x 系列）到以芯片组 (NV9510x + NV61xx)，可最大化电路设计的灵活性。并且在副边方面，与传统整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化镓功率芯片(NV97xx) ，可在任何负载条件下实现最大效率。
GaNSense Control合封芯片集成了无损电流检测、高压启动、抖频、低待机功率、宽Vdd输入电压的特性，能在元件更少，无电流采样电阻热点的前提下，带来小巧、高效、温控更优的系统。产品一系列的集成保护功能包括800V瞬态电压击穿、2kV ESD及智能的过压、过流、过温保护带来了更稳固的功率芯片和可靠的电源系统。