三菱电机2023年6月13日宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
三菱电机于2010年开始推出搭载SiC芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显著降低了功率损耗。并且该产品的开发得到了日本新能源·产业技术综合开发机构(NEDO)的部分支持。
SiC功率半导体模块产品特点：
优化的内部结构并采用SiC芯片，有助于实现设备的高效率、小型化、轻量化
内部连接采用优化的叠层结构，实现了9nH的内部杂散电感，比现有IGBT模块降低约47%；
通过降低内部杂散电感，抑制设备的浪涌电压，实现高速开关的同时降低开关损耗；
采用 JFET掺杂技术*2的第二代SiC芯片具有低损耗特性，与现有Si IGBT模块相比，功率损耗降低约72%*1，有助于提高设备效率；
低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量更轻的散热器。
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