嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

3nm大战即将打响!

2021/2/2 15:53:21
浏览次数: 3

兆亿微波商城】上周,业内最受关注的新闻,非三星计划在美国德克萨斯州奥斯汀建设一个价值100亿美元的晶圆厂莫属了。这被认为是其追赶台积电发展步伐的又一举措。实际上,三星在美国建新晶圆厂已经不是什么新闻了,该公司在这方面早有想法,特别是去年台积电宣布在美国亚利桑那州投资120亿美元新建5nm晶圆厂以后,三星希望在其美国原有晶圆厂的基础上,更上一层楼,不被台积电甩在远处。


3nm大战即将打响!


在5nm制程方面,三星已经赶上了台积电的脚步,于2020年实现了量产。但在3nm上,三星似乎还是落后于台积电的,据报道,台积电已经为其3nm工艺的晶圆厂投资了200亿美元。为了缩短差距,有报道称,三星将完全跳过4nm制程节点,直接上3nm。


由于3nm制程工艺的难度极大,如果三星美国工厂计划生产3nm制程芯片的话,按照正常进度,目前还处于初步计划阶段的德克萨斯州奥斯汀的晶圆工厂,在2023年前难以开展生产。而台积电的3nm制程工艺将于今年进行试产,2022年量产。这对于力求赶超台积电的三星来说,压力还是很大。不过,相信三星3nm制程的主阵地应该还是在韩国本土的。


同5nm一样,全球半导体业具备且正在3nm制程上进行竞争的产商,依然只有台积电和三星这两家。由于3nm工艺更加高精尖,这种“塔尖上”的竞争会更加激烈,因为能够给这两大晶圆厂提供相关设备、工具、材料、服务等的上游企业更少了,这对于上游供应商来说是个好消息,因为它们的竞争者很少,但对于下游的台积电和三星来说,可选择的上游供应链余量更有限了,特别是对于三星来讲,难度恐怕会更大。


晶圆厂建设


台积电方面,该公司董事长刘德音曾经表示,在3nm制程上,于南科厂的累计投资将超过 2万亿元新台币,目标是3nm量产时,12英寸晶圆月产能超过60万片。60万片的月产能,这是一个非常惊人的数字,不过,在量产初期是达不到的,需要一个过程。据Digitimes报道,台积电3nm芯片在2022年下半年开始量产,单月产能5.5万片起,2023年,将达到10.5万片。


台积电在台南科学园区有3座晶圆厂,分别是晶圆十四厂、晶圆十八厂和晶圆六厂,其中前两座是12英寸晶圆厂,后一座是8英寸晶圆厂。晶圆十八厂是5nm制程工艺的主要生产基地。而除了5nm工艺,台积电3nm制程工艺的工厂,也建在台南科学园区内,他们在2016年就公布了建厂计划,工厂靠近5nm制程工艺的主要生产基地晶圆十八厂。


2020年11月,台积电举行了南科晶圆十八厂3nm厂新建工程上梁典礼,预计今年装机,并于年底试产。


三星方面,2020年初,有外媒报道称,三星已开始其新建的V1晶圆工厂的大规模生产,成为业内首批完全使用6LPP和7LPP制造工艺的纯极紫外光刻(EUV)生产线。而该工厂还被认为是三星3nm制程的主阵地。


据悉,三星V1晶圆厂位于韩国华城、毗邻 S3。三星于2018年2月开始建造V1,并于2019 下半年开始晶片的测试生产。目前,该公司还在扩大V1晶圆厂的产能规模,也在紧锣密鼓地为3nm量产做着准备。


设备


为了如期量产3nm制程芯片,台积电一直在加大投资力度,2021年全年投资预估达到了280亿美元,预计超过150亿美元会用于3nm制程。其中,很大一部分都要用于购买半导体设备,涉及的厂商主要有ASML、KLA、应用材料等,他们供应的光刻机、蚀刻机等都是制造3nm制程芯片的重要设备。


全球排名前五的半导体设备供应商在台积电采购中占比达75%,其中,ASML占比1/3,是第一大设备供应商。据统计,2019年台积电设备采购中,ASML光刻机等设备金额约为34亿美元,占台积电总采购额的33%,其次是应用材料,采购额约为17亿美元,占比16%,TEL约12亿美元,占11%,Lam Research为10亿美元,占台积电采购额的9%,迪恩士占5%,KLA占4%。


对于3nm这样尖端地制程工艺来说,光刻机地重要性愈加突出,而能提供EUV设备的,只有ASML一家,因此,该公司对于台积电和三星的重要性也愈加突出,双方都在尽可能地从ASML那里多获得一些最先进地EUV设备。


不久前,ASML CEO Peter Wennink在财报会上指出,5nm制程采用的EUV光罩层数将超过10层,3nm制程采用的EUV光罩层数会超过20层,随着制程微缩EUV光罩层数会明显增加,并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。


1月20日,ASML公布了2020全年财报,数据显示,2020年,该公司累计交付了258台光刻机,其中EUV光刻机31台。按照交付地区划分,中国台湾地区排名第一,占比36%;韩国排名第二,占比31%;中国大陆排名第三,占比18%。显然,台积电和三星获得了ASML绝大部分的EUV光刻机。


封测


近些年,台积电一直在布局先进封测厂。目前,该公司旗下有4座先进封测厂,分别是先进封测一厂、先进封测二厂、先进封测三厂和先进封测五厂,它们位于竹科、中科、南科、龙潭等地,苗栗竹南封测基地将是其第五座先进封测厂。该厂预计投资3000亿元新台币,位于竹南科学园区周边特定区、大埔范围。


目前来看,该公司7nm制程芯片封测工作已经能够自给自足了,5nm的也在不断扩充之中。面向3nm的封测产线也在建设当中。


为了满足5nm及更先进制程的需求,台积电已建立了整合扇出型(InFO)及CoWoS等封测产能支持,完成了3D IC封装技术研发,包括晶圆堆叠晶圆(WoW)及系统整合单芯片(SoIC)等技术,预计竹南厂将以3D IC封装及测试产能为主,计划今年量产。


人才


对于3nm制程而言,人才更加稀缺,而台积电在这方面具有更多优势,基于此,可以优中选优,挑选出更合适的人才,特别是领军人物。


此外,台积电在先进制程可以一直领先对手的关键就是封装。封装技术是台积电拿下苹果订单的决胜武器。半导体产业面对物理极限挑战,为了能在同一颗芯片里装进更多晶体管,于是有了先进封测计划。三星就是因为没有这样的技术,所以才与苹果单失之交臂。


台积电在封装领域的灵魂人物是余振华与廖德堆两位副总。余振华是台积电闻名世界铜制程技术的重要推手,也是台积电目前后段封测的研发推手;廖德堆2002年加入台积电之前曾在特许半导体及应用材料任职过,曾任晶圆六厂的厂长和后段技术暨服务处资深处长,现负责管理后段技术与营运。



上周,据国外媒体报道,由于芯片制程工艺领先,还有更多的厂商在寻求获得台积电产能的支持,目前已知英伟达和高通正在寻求获得台积电3nm芯片制程工艺的产能支持。


此前有报道称,台积电共为3nm工艺准备了4波产能,首波产能中的大部分会留给多年的大客户苹果,后3波将被高通、赛灵思、英伟达、AMD等厂商预订。


具体来看,有报道称,台积电3nm制程的初期订单,已被苹果的Mac台式机/笔记本芯片、iPhone/iPad所用的A17芯片,以及英特尔的最先进CPU包下。


除了苹果A17、英特尔订单外,包括AMD、NVIDIA,以及2020年转向拥抱三星5nm的高通等芯片大厂,据称也都已经预定了台积电3nm制程在2024年的产能。


此外,2020年底,台积电又宣布,将会在2023年推出3nm工艺的增强版,命名为“3nm Plus”,首发客户是苹果。如果苹果继续一年一代芯片,那么到2023年使用3nm Plus工艺的,将会是“A17”。台积电没有透露3nm Plus相比于3nm有何变化,但是显然会有更高的晶体管密度、更低的功耗、更高的运行频率。


有报道称,三星的3nm制程也将定在2022年量产,就是要与台积电一较高下。目前已进入2021年,按照台积电的计划,今年就要进行3nm制程的风险试产,明年量产,而三星也在加快进度。这两大晶圆代工厂的3nm制程争夺战已进入倒计时阶段,在接下来的一年多时间里,两家前进和追赶的步伐将呈现出更快的节奏。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 0
    2026-02-25
    瑞萨电子宣布其面向ADAS(高级驾驶辅助系统)的车规级片上系统(SoC)R-Car V4H,已被应用于丰田汽车全新RAV4车型的TSS(LSS)控制单元。该车型已于2025年12月正式发布,其中央ADAS单元由电装株式会社(Denso Corporation)提供。R-Car V4H专为高阶ADAS应用设计,可在RAV4中高效运行多项ADAS处理功能,包括摄像头与雷达传感器融合、驾驶员监测、智能泊车及全景视图等,显著提升车辆安全性能和驾驶体验。在TSS(LSS)控制单元中,R-Car V4H通过内置图像识别功能(含AI神经网络)处理前置摄像头数据。该芯片将图像数据与雷达输入数据融合,实现ADAS功能,支持高精度检测车辆、行人及障碍物等。在泊车辅助方面,其集成GPU能够基于前、后、左、右摄像头生成实时3D全景图像,并通过融合摄像头与超声波传感器数据识别停车位及周边障碍物。此外,该SoC还能通过车内摄像头监测驾驶员状态,进一步提升行车安全。Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示:“R-Car V4H能应用于RAV4车型,我们深感振奋。丰田已在ADAS SoC、微控制器及功率器件等多个领域广泛采用我们的产品。我们将继续支持智能汽车技术的发展,助力打造面向未来的移动出行解决方案。”免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 0
    2026-02-25
    瑞萨电子公司宣布了一款基于3nm FinFET工艺的可配置三元内容寻址存储器(TCAM)。新型TCAM同时实现了更高的密度、更低的功耗和增强的功能安全,使其适合汽车应用。瑞萨斯在2026年2月15日至19日在美国旧金山举行的国际固态电路大会(ISSCC 2026)上展示了该成果。随着5G和云/边缘计算的快速扩展,网络流量持续激增,推动了对大型多样TCAM配置的需求,如256位×4096条条目。传统的仅依赖硬宏的扩展增加了更多银行和中继站的外围区域,使得时间关闭更困难,同时提升搜索能力。汽车应用还需要更高的安全覆盖以符合ISO 26262等标准。瑞萨通过以下创新来应对这些挑战。1. 整合硬宏与软宏方法,实现灵活配置新开发的TCAM硬宏由内存编译器以细粒度支持——搜索键宽度为8–64位,入口深度为32–128位。通过将这些硬宏与工具驱动的软宏自动生成结合实现更大的配置(例如256位×4096个项),即可在单芯片上实现可配置的单一宏,覆盖广泛的应用场景。这实现了内存密度5.27 Mb/mm²。2. 全不匹配检测与宏观流水线搜索每个硬宏集成一个全不匹配检测电路,并执行两级流水线搜索。基于第一阶段的结果,第二阶段可以继续或停止,以避免不必要的能量消耗。例如,在64–256位×512项配置中,该方法通过以下方式降低搜索能量:采用列分区、64位键时,可实现高达 71.1% 的按列流水线搜索通过按行流水线搜索(无密钥分区,≤64位密钥)可达65.3%在256位×512条配置中,该设计实现了低功耗,搜索能量为0.167 fJ/bit,分布式时序负载支持1.7 GHz的搜索时钟。所得的TCAM优点指数(密度×速度÷能量)达到53.8,超过了之前的工作。3. 增强汽车应用的功能安全(分体数据总线和专用SRAM)由于同一地址的 ...
  • 点击次数: 1
    2026-02-25
    意法半导体推出了MasterGaN6,开启了第二代MasterGaN半桥系列。封装中的新功率系统将升级版BCD驱动器与高性能氮化镓功率晶体管耦合,晶体管功率仅为140mΩ RDS(开).借助与ST MasterGaN家族已建立的高集成度,MasterGaN6通过加入专用引脚以实现故障指示和待机功能,扩大了功能数量。这些功能不仅实现智能系统管理和提升节能效果,新设备还集成了LDO(低频导航仪)和引导二极管,确保最佳驱动性能,同时节省外部组件成本。该新型驱动器设计具有极快的时序,凭借其低的最小导通时间和传播延迟,支持高频工作,帮助设计者最大限度地减少电路占用。此外,其超快唤醒时间提升了突发模式运行,实现最佳低负载效率。MasterGaN6内置了包括交叉导通、热关机和低压锁定在内的完整保护措施,使工程师能够实现低材料成本、紧凑的PCB尺寸和简化的电路布局。MasterGaN6可承受最高10A电流,设计用于消费和工业应用,如充电器、适配器、照明电源以及直流转交流太阳能微逆变器。其半桥结构适用于多种拓扑结构,如主动钳位回扫(ACF)、谐振LLC、逆降压转换器和功率因数校正(PFC)电路。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 0
    2026-02-25
    意法半导体宣布推出Stellar P3E,首款内置AI加速的汽车边缘智能微控制器(MCU)。Stellar P3E为未来的软件定义车辆设计,简化了X合1电子控制单元(ECU)的多功能集成,降低了系统成本、重量和复杂度。“Stellar P3E 通过将高性能实时控制与边缘人工智能集成于单一设备中,为汽车电气化树立了新的标杆,满足最高的汽车安全标准,”意法半导体集团副总裁兼通用与汽车微控制器部门总经理 Luca Rodeschini 表示。“其增强的处理能力、人工智能加速、大容量且可扩展的内存、丰富的模拟内容、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等新应用。这使汽车制造商能够更好地打造更安全、更高效、更灵敏的驾驶体验。”Stellar P3E 的一个显著特点是集成了 ST Neural-ART 加速™器,实现实时 AI 效率——使其成为汽车行业首个集成神经网络加速器的 MCU。P3E由专用神经处理单元(NPU)驱动,配备先进的数据流架构,应用于AI工作负载,并结合其丰富的传感能力,使智能传感成为可能,为虚拟传感器等新应用打开大门。P3E实现微秒级推理处理,效率高出传统MCU核心处理器的30倍。这使得始终在线、低功耗的人工智能(AI)能够支持实时功能,包括预测性维护和智能感知,在广泛应用中带来显著优势。例如,这些能力可以提升电动汽车的充电速度和效率,并支持新特性的快速部署,无论是工厂还是现场。原厂(OEM)可以通过不同的AI模型引入新功能和更直观的行为,减少对额外传感器、模块、布线和集成工作的需求。“将神经处理从集中枢纽转移到车载边缘,实现了亚毫秒级的决策,这对于下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速,使OEM能够提供先进能力,如车辆性能预测性维护和虚拟传感器应用的智能传感。Counterpoint Research副主任Greg Basich表示:“这实现了...
  • 点击次数: 0
    2026-02-24
    Vishay推出了一系列超紧凑型0201机壳尺寸的AEC-Q200认证厚薄膜芯片电阻器。CRCW0201-AT e3系列器件体积仅为0.6毫米×0.3毫米×0.23毫米,为设计者提供了一种可靠且节省空间的解决方案,适用于汽车、工业和电信应用。与下一个更大0402机壳尺寸的器件相比,目前发布的电阻价格具有竞争力,同时将PCB要求降低了50%。对于设计师来说,这支持了现代电子产品持续缩小的趋势,同时保持稳定的电气性能和高可靠性。尽管体积小,CRCW0201-AT e3系列电阻在+70°C时可提供0.05瓦的额定功率,工作电压为30伏。这些设备的工作温度范围为-55°C至+155°C,电阻范围广泛,范围从10瓦到1兆瓦(0瓦跳线),公差±为1%和±5%,TCR为±200 ppm/K。符合RoHS标准且无卤素的CRCW0201-AT e3系列电阻器具有设计用于电气、机械和气候保护的保护涂层。该器件适合通过回流或气相自动焊接,其纯哑光锡镀层兼容无铅(Pb)和含铅焊接工艺。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开