AI热潮下，机器学习、生成式AI等需要大量计算能力和存储空间，这对存储芯片是一大利好，成为带动存储芯片市场回暖的主要动力之一。TechInsights报告预测，得益于AI数据中心对高带宽存储器（HBM）的旺盛需求，以及对NAND闪存使用量的增长，存储市场已经全面复苏。在此过程中，HBM3e、QLC NAND、GDDR7等存储新品均呈现出极大潜力。三大存储大厂也各显神通，积极卡位，希望在新一轮市场周期中抢得先机。
AI需求拉动：供应商将延续涨价态度
人工智能需求的激增是本轮存储市场扭转的主要原因之一。据报道，有供应链企业透露，三星将提供高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，将导致DRAM市场本季度供给更紧俏。而根据集邦咨询调查显示，由于通用型服务器需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季度DRAM均价将持续上扬，涨幅预计将为8%～13%。
Omdia半导体研究高级首席分析师Lino Leng表示，DRAM市场在去年经历了一些产能和库存的调整，而从今年开始，主要还是人工智能产业链的需求引领了DRAM 市场的全面增长，预计这一强势将在下半年得以延续。一方面HBM 这一高端高溢价产品的销售占比将持续增加；另一方面， 受到端侧AI的驱动，PC 和智能手机DRAM平均容量也有望快速提升，共同推动DRAM市场走强。
人工智能热潮也推动了NAND闪存芯片的需求，尤其是企业对数据中心等IT基础设施进行大规模投资。资料称，AI数据中心对服务器容量的要求比一般数据中心高出20倍。对此，Omdia半导体研究首席分析师Alex Yon认为，各种AI相关应用的发布，包括AI智能手机、AI PC 新机型的推出以及企业/数据中心都将推动对大容量存储的需求。这些应用中的人工智能工作负载需要大容量、高密度存储，NAND 厂商将在下半年推出新一代286 层QLC闪存，以支持这些需求。
“人工智能本身的发展应用还处于相对初级阶段，但是其过去几年的迭代速度和成果都是惊人的。人工智能将在可预见的未来不断推动对 NAND 闪存的需求。”Alex Yon表示。当然，NAND 供应商主动削减晶圆产量和持续提价也有助于减少库存和提振市场。
中国市场在本轮周期中的回暖也很快。有半导体专家指出，存储芯片市场2024年行情看好，其中，30%的存储需求在中国大陆，相关大陆厂商的供应也稳定成长。总体来说，HBM与DDR5的需求是市场的主流。
与MLC NAND和TLC NAND相比，QLC NAND每个单元可以存储更多数据，显著提升存储性能，这使得QLC SSD被业界认为其在人工智能领域将有更大作为。此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域，随着AI大模型不断普及，数据中心存储需求不断激增，QLC NAND尤其是QLC SSD在AI、大数据领域被看好。
Omdia半导体研究高级首席分析师赵达海表示，本轮企业级应用的需求集中于存储密度，而QLC刚好是实现高密度和高速读取存储的最具性价比的方案之一。QLC面临前所未有的有利环境得以进入市场。集微咨询也表示，QLC的主要优势在于高存储容量之下的低成本。随着AI数据的爆发，QLC SSD可以满足速度和容量需求。
迄今为止，人工智能一直以大规模学习模型为基础，但最近，高性价比人工智能模型的开发正在普及。以 SLLM（小型轻量级语言模型）为例，学习模型的参数从小于 10B 到 70B 不等。在这种轻量级模型中，采用 GDDR7 等产品可能是合适的。
目前，SK海力士、三星与美光均在争夺GDDR7的主导权。2023年2月，三星首次展示了单引脚速率为37Gbps的GDDR7 芯片。今年3月份英伟达GTC大会上，三星展示16GB存储密度的产品。SK海力士则表示将提供速率达40 Gbps的GDDR7芯片，16GB存储密度的产品基本准备就绪，将在今年晚些时候批量出货。美光则在6月举行的Computex 2024上展示新一代 GDDR7 ，数据传输速率32Gbps。
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