Mini-Circuits的HFHK-5500+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为6000至16500MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.2 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。1.2分贝阻带抑制，典型。73分贝典型通带回波损耗。11分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:56:47
Mini-Circuits的HFHK-4600+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为5000至15500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。1.1分贝阻带抑制，典型。75分贝典型通带回波损耗。16分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:53:21
Mini-Circuits的HFHK-3500+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3900至12500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.9 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.9分贝阻带抑制，典型。76分贝典型通带回波损耗。15分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:49:55
Mini-Circuits的HFHK-2000+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为2100至9500 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.7分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。18分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 13:46:11
Mini-Circuits的HFHK-2700+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为3000至11000 MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.8 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保射频性能变化最小，同时提供非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性典型插入损耗。0.8分贝阻带抑制，典型。74分贝典型通带回波损耗。17分贝1008表面安装占地面积功率处理：6 W屏蔽结构：防止去谐和EMI应用5G低于6 GHz雷达、电子战、电子对抗防御系统测试和测量设备电信和宽带无线系统WiFi 6E
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2025/5/14 11:55:13
MERA-533+是一款双匹配宽带放大器，提供高动态范围。它具有可重复的性能。它被封装在3.25 x 3.25毫米的MCLP塑料包装中。MERA-533+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。整个装置（A1和A2）在85°C外壳温度下的预期MTBF为420年。特性•一个封装中有两个匹配的50欧姆放大器•InGaP HBT中频和射频放大器•频率范围DC至4 GHz•高增益，典型值20.5 dB。0.1 GHz•在50-1000MHz下具有非常好的平坦度响应。•典型值高达+17.9 dBm。输出功率为0.1 GHz•高IP3，0.1 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为3.5 dB。•低热阻•瞬态保护•可用作平衡放大器和推挽放大器应用•蜂窝•有线电视•超高频/甚高频通信•接收器和发射器•FTTH
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2025/5/13 15:27:54
YSF-322+是小型电路系统级封装中的高级放大器模块。该模块完全匹配50Ω 输入/输出阻抗，内置输入和输出直流阻断电容器。它被封装在一个5 x 6毫米的MCLP塑料包装中。YSF-322+采用E-PHEMT*技术，使其能够在单个正电源电压下工作。特性•匹配的50欧姆表面贴装放大器•高增益，典型值为20 dB。2 GHz•典型值高达+20 dBm。2 GHz输出功率•高IP3，2 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为2.8 dB。2 GHz•高指向性，30dB隔离•内部输入和输出直流模块•单独的直流端子应用•蜂窝•便携式无线•接收器和发射器•雷达•GSM•WiMax•仪器仪表
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2025/5/13 15:14:09
Mini-Circuits的RMK-5-13+倍频器提供5的乘法因子，将150至200 MHz的输入频率转换为750至1000 MHz的输出频率，支持合成器、本地振荡器、卫星上下变频器等应用。该单元支持+17 dBm的信号输入功率，转换损耗为21.2 dB，谐波抑制效果非常好。乘法器采用微型表面贴装封装（0.25 x 0.31 x 0.16英寸），非常适合密集的电路板布局。特性•低转换损耗，典型值21.2 dB。•出色的相邻谐波抑制，F4，典型值63 dBc。F6，68 dBc典型值•可水洗应用•合成器•本地振荡器•卫星上下变频器
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2025/5/13 15:06:55
M3SWA-2-50DRA+是一款具有集成CMOS驱动器的高隔离度快速开关吸收型SPDT开关，在消耗50µa典型电流的同时，以单正电源电压运行。它专为宽带操作而设计。它采用3.25mm x 3.25mm的小型8引脚封装，可通过250V的ESD（HBM）。特性•高隔离度，1 GHz时为52 dB•插入损耗低，典型值为0.8 dB。1 GHz•电源电流消耗低，典型值为50µA。•快速上升/下降时间，典型值为16ns。应用•防御•通信基础设施•测试和测量
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2025/5/13 14:56:58
Mini-Circuits的CY2-44+是一款超宽带MMIC倍频器，可将6.2至20 GHz的输入频率转换为12.4至40 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。该乘法器采用GaAs HBT技术，采用3 x 3 x 0.89mm微型MCLP封装，具有出色的可重复性、低电感和良好的热效率。特性宽带，输出12.4至40 GHz转换损耗低，典型值为14dB。良好的基波和谐波抑制，F1，典型值为26 dBc。；F3，典型值为34 dBc。；F4，典型值为18 dBc。微型尺寸3 x 3 x 0.89mm可水洗应用合成器本地振荡器5G
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2025/5/13 14:52:54
HXG-122+（符合RoHS标准）是微型电路系统级封装（MSiP）中的高级放大器模块，其中包括内部匹配网络，可提供极高的动态范围模块。它被封装在6.4mm x 7.0mm x 2.4mm的陶瓷封装中。特性•超高IP3，典型值+47 dBm。•增益，典型值15.3 dB。900 MHz•高Pout，典型值为P1dB+23dBm。900 MHz•低噪声系数，900 MHz时为2.2 dB•内部匹配，优化IP3性能•不需要外部匹配组件应用•LTE•基站基础设施•便携式无线
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2025/5/13 14:20:00
DAT-15R5A-SP+为50Ω 数字步进衰减器，以0.5dB的步长提供0至15.5dB的可调衰减。该控件是一个5位串行接口，使用单个（正）电源电压运行。DAT15R5A-SP+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特性•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路
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2025/5/13 14:17:28
MERA-556+是一款双匹配宽带放大器，提供高动态范围。它具有可重复的性能。它被封装在一个6.0 x 4.9毫米的MCLP塑料包装中。MERA-556+采用达林顿配置，并采用InGaP HBT技术制造。整个装置（A1和A2）在85°C外壳温度下的预期MTBF为420年。特性•一个封装中有两个匹配的50欧姆放大器•InGaP HBT中频和射频放大器•频率范围DC至2.2 GHz•高增益，典型值20.5 dB。0.1 GHz•在50-1000MHz下具有非常好的平坦度响应•典型值高达+18 dBm。输出功率为0.1 GHz•高IP3，0.1 GHz时为+35 dBm•低噪声系数，典型值为3.5 dB。•低热阻•瞬态保护•可用作平衡放大器和推挽放大器应用•蜂窝•有线电视•超高频/甚高频通信•接收器和发射器•FTTH
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2025/5/13 14:09:18
PMA3-43-1W+是一款GaAs MMIC功率放大器，工作频率为10至4000 MHz。放大器提供21dB的增益，+32.6dBm的饱和输出功率，并在单个+12V电源下工作时实现+37dBm的输出IP3。此外，它内部匹配50欧姆，采用3x3毫米12引脚QFN型封装。这些特性使其非常适合需要高工作输出功率的宽带测试仪器和防御系统，同时保持非常低的失真特性。特性典型高P1dB。+32.2 dBm典型高PSAT。+32.6 dBm典型低噪声系数。3.2分贝高OIP3，典型。+37 dBm单电源电压，+12V@190mA3x3 mm 12引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统 5G Sub6，MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:59:01
CBN系列秉承了Mini-Circuits对质量、一致性、性能和价值的承诺。在实现极端灵活性的设计目标的同时，CBN设计在很大程度上消除了抗弯性和回弹性。困难的路由挑战得到了极大的简化，同时保持了改进的衰减和无与伦比的射频稳定性。无论应用是工作台上的封装器件表征、电路级面包板、实验室或生产环境中的射频设备互连，还是存在空间限制的可交付产品，当极端灵活性和射频稳定性是首要考虑因素时，CBN都是正确的选择。CBN-XX-SMM+SMA公头到SMA公头电缆系列是连接各种系统中同轴组件和子组件的理想选择，包括测试和测量、仪器仪表等。这种柔性电缆提供了出色的相位和振幅稳定性以及灵活性。目前，这些电缆的长度为1至15英尺。特性宽带低损耗电介质卓越的相位和振幅稳定性非常灵活应用测试和测量高速数据系统仪器精密测量研发实验室和设备特性电路级面包板设备机架和堆叠互连紧凑和有限间距应用
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2025/5/12 14:51:46
AVA-17303+是一款GaAs MMIC中功率放大器，工作频率为17至31.5 GHz。该放大器在160 mA的+6 V电源下工作时，可提供典型的20.5 dB增益、+22.9 dBm P1dB和+33 dBm OIP3。此外，它内部匹配50Ω 并采用4x4毫米20引脚QFN型封装。这些特性使其非常适合作为点对点无线电和通信系统中的驱动放大器，这些系统需要高工作输出功率，同时保持低失真特性。特性典型高P1dB。+22.9 dBm高OIP3，典型。+33 dBm电源电压，160 mA时为+6 V4x4 mm 20引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G毫米波、MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:43:51
AVA-17303-D+是一款GaAs MMIC中功率放大器，工作频率为17至31.5 GHz。该放大器在160 mA的+6 V电源下工作时，可提供典型的19.2 dB增益、+23.8 dBm P1dB和+36 dBm OIP3。该器件与50Ω相匹配，是一款适用于芯片和电线组件的芯片。这些特性使其非常适合作为点对点无线电和通信系统中的驱动放大器，这些系统需要高输出功率，同时保持低失真特性。特性典型高P1dB。+23.8 dBm高OIP3，典型。+36 dBm电源电压，160 mA时为+6 V应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统5G毫米波、MIMO无线基础设施系统微波无线电和甚小口径终端
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2025/5/12 14:38:36
PHA-1H+（符合RoHS标准）是一种使用E-PHEMT*技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，与竞争对手的型号不同，PHA-1H＋在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗，不需要外部匹配元件，并且表现出卓越的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性超高IP3高磅，典型值为P1dB+22 dBm。2 GHz，+5V低噪声系数，2.2 dB@2 GHz，+5V可用于+4.0V宽带高动态范围，无需外部匹配组件可用作WJ AH1a、b的替代品适用于低相位噪声应用应用基站基础设施便携式无线有线电视和DBSMMDS和无线局域网LTE
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2025/5/12 14:30:45