BFCG-1952+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，在毫米波频率下实现了微型尺寸和高可重复性的性能。16.8-21GHz的通带损耗低至0.9dB，典型的阻带抑制在25dB到38.5GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。规格参数频率:18.8 GHz带宽:4.2 GHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:0.9 dB点击购买：BFCG-1952+特性•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•卫星通信尺寸图
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2024/11/27 13:33:36
BFHK-1982+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。17.5–22.2 GHz的通带损耗低至2.8 dB，典型的阻带抑制在80 dB至39 GHz和55 dB至53 GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:19.7 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C特性超高阻带抑制结构——典型值为80 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2024/11/27 13:29:02
BFHK-2492+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。22-28 GHz的通带损耗低至3.3 dB，典型的阻带抑制在80 dB到50 GHz和55 dB到67 GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:24.9 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C点击购买：BFHK-2492+特性超高阻带抑制结构——典型值为80 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2024/11/27 13:23:55
TPCW-183+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）50欧姆传输线，通过18GHz具有低插入损耗，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了0.3dB的典型插入损耗。传输线采用微小的0603陶瓷形状，带有可检查的环绕式端子，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数频率:18 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:1.1 dB点击购买：TPCW-183+特性低插入损耗，典型值0.3dB。回波损耗，典型值10dB。0603表面安装占地面积用于小型电路LTCC滤波器的多功能“灯座”功率处理：7.5W应用测试和测量设备通信、电子战、雷达和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统卫星通信尺寸图
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2024/11/27 13:16:18
英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN™ 650 V G5晶体管输出电容中存储的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和栅极电荷（Qg）均减少了多达 60%。凭借这些特性，新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比，其功率损耗大幅降低，根据具体使用情况可降低20%-60%。这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作，因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650 V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻，或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。该新型高压晶体管产品系列提供多种 RDS(on) 封装组合。十种 RDS(on) 级产品采用各种SMD封装，如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有产品均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。未来，CoolGaN™将过渡到 12 英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN™产能，并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年，该市场规模将达到 20 亿美元。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:49:21
2024年11月26日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化，在同类器件中，不仅在反向恢复电荷（Qrr）和正向压降之间实现了权衡，还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101标准的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率，这些器件融合了低至45 ns的快速恢复时间，低至105 nC的Qrr（典型值），低至1.45 V的正向压降和低至3.0 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器在尺寸为4.2 mm x 1.4 mm的紧凑封装中提供了高达21 A的非重复峰值浪涌电流，厚度低至1.08 mm，最小爬电距离仅2.2 mm。器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、发电和储能系统，以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。 整流器采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可...
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2024/11/27 11:46:38
据报道，近期业界传出，台积电通知海内外设备供应商，暂缓2026年设备需求及设备交付计划，等待后续安排。业界人士认为，AI趋势并未变，此举主要是考虑特朗普上台后政策的不确定性，必须先观察形势，之后再重新评估需求，以应对未来时局变化。目前台积电全力扩充CoWoS产能，2024~2025两年产能目标连续逾倍增，且还是供不应求。报道重点介绍了台积电的建设进度，包括其从群创光电台南四厂新收购的工厂（AP8厂），该工厂预计将于2025年3月至4月完工。设备安装计划于2025年下半年进行，生产贡献将于当年晚些时候开始。据报道，台积电还在与群创光电谈判收购第二家工厂。与此同时，其嘉义工厂的目标是在2025年底前交付设备，并在2026年初安装，重点是SoIC（集成芯片系统）扩展，生产可能在2026年底开始。客户方面，业内消息称，台积电计划在2025年将其CoWoS封装产能增加一倍以上，英伟达将消耗高达60%的扩大产能，而AMD和ASIC开发商则努力增加其份额。台积电的每月CoWoS产能目前预计在2024年将达到每月35000片，为十多个主要客户提供服务，其中英伟达占据一半以上的可用产能。展望2025年，台积电每月的CoWoS产能将达到75000片，其中英伟达已通过预订获得60%的产能。这一重要分配反映了市场对英伟达H200和Blackwell系列的强劲需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/27 11:43:12
11月25日消息，据台媒《经济日报》报道称，近日业内传出消息称，处理器大厂AMD有意进入移动芯片领域，相关产品将采用台积电3nm制程生产，有利于助攻台积电3nm产能利用率维持“超满载”盛况，订单能见度直达2026下半年。对于相关传闻，AMD不予评论。台积电也不评论市场传闻，亦不评论与单一客户的业务细节。根据传闻显示，在AMD MI300系列AI加速器（APU）在AI服务器领域快速冲刺之际，也在规划要推出面向移动设备的APU，预计将采用台积电3nm制程。值得注意的是，AMD此前已经与三星进行合作，将其RDNA GPU IP授权给了三星，使得三星自研的手机SoC Exynos 2200加入了基于AMD RDNA 2构架打造Xclipse GPU，使得三星能够支持光线追踪等图像处理能力。鉴于AMD已在智能手机芯片领域与三星进行了合作，业界预计，其新款移动APU也有望率先被用于三星旗舰智能手机，而该APU可能会是交由台积电3nm代工。当然也不能排除，AMD是将其相关IP授权的给三星，使得其可以将之整合到自己的旗舰SoC当中。报道称，AMD今年有望续居台积电前三大客户，并与台积电延伸封装合作。根据AMD与台积电技术论坛公布的信息，AMD MI300系列不仅采用台积5nm家族制程，并藉由台积电3DFabirc平台多种技术整合，例如将5nm GPU与CPU以SoIC-X技术堆叠于底层芯片，并再整合在CoWoS封装，实现百万兆级高速运算创新。市场研究机构TrendForce此前的报告也指出，台积电不仅最大客户苹果积极采用3nm制程，AMD、联发科、高通等主要客户也相继导入台积电3nm。随着客户群在3nm应用日益多元，台积电3nm家族订单能见度并已延长至2026下半年。根据预计，台积电3nm今年相关产能较去年大增三倍，但仍无法满足客户订单，传闻台积电已陆续祭出多项措施来扩充更多产能，并加速产...
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2024/11/27 11:35:27
Mini-Circuits的LFCG-530+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到530 MHz，支持各种应用。该模型提供了1 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达3.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 530 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1 dB点击购买：LFCG-530+特性•低损耗，典型值为1dB•典型高抑制30dB•出色的功率处理能力，3.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•PCB上直流线路的射频抑制•A/D转换器的抗混叠尺寸图
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2024/11/26 14:14:38
Mini-Circuits的LFCG-2600+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到2600 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.1 dB的典型通带插入损耗，并且由于战略性地构建了布局，组件之间的相互作用最小，因此提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 2600 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1.1 dB单位重量:1.207 g点击购买：LFCG-2600+特性•低损耗，典型值为1.1 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，4.5W•尺寸极小的0805（2.0毫米x 1.25毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线尺寸图
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2024/11/26 14:09:20
Mini-Circuits EP2K1+是一款MMIC分路器/合路器，设计用于2至26.5 GHz的宽带工作。该型号在微型设备封装（4x4x1 mm）中提供了出色的额定功率，具有高达2.5 W的功率处理（作为分流器）和高达1.2A的直流电流通过。它采用GaAs IPD技术制造，提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。规格参数频率:14.25 GHz带宽:24.5 GHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:2.4 dB单位重量:2.638 g点击购买：EP2K1+特性•宽带，2至26.5 GHz，可在1.8至28 GHz范围内使用•出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。•相位不平衡良好，典型值为1至5度。•尺寸小，4x4毫米•高ESD水平*•可水洗•直流通电应用•WIMAX•ISM•仪器仪表•雷达•无线局域网•卫星通信•LTE尺寸图
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2024/11/26 14:00:57
Mini-Circuits的LFCG-1700+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到1700 MHz，支持各种应用。该模型提供了0.9 dB的通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率，并提供从-55°C到+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 1700 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0805 (2012 metric)最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:0.9 dB点击购买：LFCG-1700+特性•低损耗，典型值为0.9 dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力，5.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•实验室使用尺寸图
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2024/11/26 13:55:28
Mini-Circuits的LFCG-3400+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到3400 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.3 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达4.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 3.4 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C介入损耗:1.3 dB点击购买：LFCG-3400+特性•低损耗，典型值为1.3 dB•典型高抑制40 dB•出色的功率处理能力，4.5W•尺寸极小的0805（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用尺寸图
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2024/11/26 13:50:03
Mini-Circuits新型定向耦合器DCW-6-722+提供了工作带宽和尺寸组合；低插入损耗使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。规格参数频率:4.4 GHz to 7.2 GHz带宽:2800 MHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C点击购买：DCW-6-722+特性•宽带，4400-7200 MHz•输入/输出端口具有出色的回波损耗，是信号分接的理想选择•超小尺寸，0603（1.6 x 0.8毫米）•温度稳定•LTCC结构应用•5G 6GHZ以下•无线网络尺寸图
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2024/11/26 13:46:02
ZABT-2150-5AFT+是一款专为卫星通信和无线基础设施应用而设计的偏置三通。ZABT-2150-5AFT+内置于坚固的屏蔽外壳中，配备了用于L波段端口的SMA连接器和用于DC端口的馈通端子。ZABT-2150-5AFT+非常适合为卫星上变频器和LNB供电，其中中频和直流都注入到一根同轴电缆上。规格参数端接类型:SMA系列:ZABT商标:Mini-Circuits安装:Connector特性卫星系统中的简单安装集成L波段+直流偏置三通低射频插入损耗：0.5 dB典型800-2150 MHz高直流电流，5A直流端口馈通端子应用卫星中频频带卫星接收器/发射器测试配件直流阻断尺寸图
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2024/11/26 13:41:28
Mini-Circuits的LFCW-103+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到10 GHz，支持各种应用。该模型提供了1.5 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达2.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0603陶瓷形状，带有环绕式端子，非常适合密集的PCB布局，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数频率:DC to 10 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C介入损耗:1.5 dB单位重量:28.350 mg点击购买：LFCW-103+特性•低损耗，典型值为1.5 dB•良好的抑制能力，典型值为40 dB•尺寸极小的0603（0.063 X 0.032 X 0.024英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•电信和宽带无线系统•军事应用•卫星通信调制解调器尺寸图
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2024/11/26 13:35:46
Mini-Circuits的XLF-13H+三段无反射滤波器采用了一种新颖的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。规格参数频率:DC to 1000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C介入损耗:1.9 dB点击购买：XLF-13H+ 特性阻带内匹配50Ω，消除不必要的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为47dB。温度稳定，最高可达+105°C尺寸小，4 x 4毫米应用手机ISM应用程序电视广播超高频雷达引脚配置
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2024/11/26 13:30:42
Mini-Circuits的XHF-53H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。规格参数频率:5 GHz to 11 GHz带宽:6 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:1.1 dB点击购买：XHF-53H+特性•阻带内匹配50Ω，消除不必要的反射•可级联•阻带抑制良好，典型值为54 dB。•温度稳定，最高可达105°C•尺寸小，4 x 4毫米应用•移动•ISM应用程序•X波段卫星•WiFi WiMAX引脚配置
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2024/11/26 13:24:38