ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、20引脚基板栅格阵列(LGA)封装，在9 kHz至30 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。该宽带开关采用+3.3 V和−2.5 V双电源电压供电，提供CMOS/LVTTL逻辑兼容控制。规格参数开关配置:SPDT最小频率:9 kHz最大频率:30 GHz介入损耗:2 dB关闭隔离—典型值:60 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LGA-20技术:Si高控制电压:5 V湿度敏感性:Yes开关数量:Dual空闲时间—最大值:1.1 us运行时间—最大值:1.1 us工作电源电流:100 uA产品类型:RF Switch ICs电源电压-最大:5.4 V电源电压-最小:3 V单位重量:24 mg点击购买：ADRF5021BCCZN特性• 超宽带频率范围：9 kHz至30 GHz• 非反射式50 Ω设计• 低插入损耗：2.0 dB至30 GHz• 高隔离度：60 dB至30 GHz• 高输入线性度• 1 dB功率压缩(P1dB)：28 dBm（典型值）• 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）• 高功率处理• 24 dBm（通过路径）• 24 dBm（端接路径）• ESD灵敏度：1级、1 kV人体模型(HBM)• 20引脚、3 mm × 3 mm基板栅格阵列封装• 无低频杂散• 射频(RF)建立时间（高达最终RF输出的0.1 dB）：6.2 μs应用测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军用无线电雷达电子对抗(ECM) 宽带电信系统引脚图
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2025/2/6 14:47:52
MACOM提供一系列全面的低电容、平面和台面硅PIN二极管芯片，这些芯片使用陶瓷玻璃和氮化硅钝化技术。硅PIN芯片系列器件涵盖了控制电路应用的广泛性能要求。它们有多种I区长度可供选择，并且经过优化设计，在考虑低电容、低串联电阻和高击穿电压时，可以最大限度地减少参数权衡。它们的小尺寸和低寄生效应使其成为宽带、高频、微带混合组件的理想选择。PIN二极管芯片的衰减器线是平面或台面结构，由于其较厚的I区和可预测的Rs与I特性，它们非常适合低失真衰减器和开关电路。芯片的结构中包含了经过时间考验的MACOM硬玻璃CERMACHIP®。硬玻璃钝化完全封装了整个PIN结区域，从而形成了一个密封的芯片，该芯片在许多军事应用中都是合格的。这些CERMACHIP®二极管的电压范围很广，高达3000伏，能够控制千瓦的射频功率。规格参数制造商:MACOM产品种类:PIN 二极管Vr - 反向电压 :1 kV最大二极管电容:0.3 pF最大串联电阻（中频最大时）:1 OhmsIf - 正向电流:1 A最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C最小工作频率:500 kHz最大工作频率:8 GHz载流子寿命:3 us产品类型:PIN Diodes单位重量:324.450 mg点击购买：MA4P604-131二极管特性·开关和衰减器芯片·符合RoHS标准·高隔离度·低损耗·快速切换速度·额定电压3000V·氧化物钝化平面芯片·玻璃钝化CERMACHIP®·密封·I区长度的广泛选择
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2025/2/6 14:40:28
ADA4807-4（四通道）为低噪声、轨到轨输入和输出、电压反馈放大器。 结合了低功耗、低噪声、高速度和直流精密性能，因此非常适合功耗非常重要的各种应用，从高分辨率数据采集仪器到高性能电池供电和高器件密度系统。在业界同类高速轨到轨输入放大器中，ADA4807-4的输入电压噪声较低，各放大器的电源电流仅有1.0 mA，并提供宽带宽、高压摆率、快速建立时间和出色的失真性能。 此外，这些放大器具有非常低的输入失调电压和漂移性能，使其非常适合驱动多路复用、高精度和高吞吐量16/18位逐次逼近型寄存器(SAR)和24位Δ-Σ型ADC。这些放大器的额定电源电压范围为+3 V、+5 V和±5 V，额定工作温度范围为−40°C至+125°C工业温度范围。 ADA4807-4采用14引脚TSSOP封装。规格参数通道数量:4 ChannelGBP-增益带宽产品:200 MHzSR - 转换速率 :225 V/us电压增益 dB:130 dBCMRR - 共模抑制比:110 dB每个通道的输出电流:60 mAIb - 输入偏流:1 uAVos - 输入偏置电压 :20 uV电源电压-最大:11 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C单位重量:57 mg特性• 低噪声3.1 nV/√Hz (100 kHz)0.7 pA/√Hz (100 kHz)• 低失真(HD2/HD3)-141/-144 dBc (1 kHz)-112/-115 dBc (100 kHz)-84/-79 dBc (1 MHz)• 高速性能-3dB带宽： 180 MHz压摆率： 225 V/µs0.1%建立时间： 47 ns• 低输入失调电压和漂移±20/±175 µV（典型值/最大值）0.7/...
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2025/2/6 14:33:01
ADM3055E 是一款配备集成隔离式 DC/DC 转换器的 5 kV rms 隔离式控域网 (CAN) 物理层收发器。ADM3055E 满足 CAN 柔性数据 (FD) 速率要求，可以在高达 5 Mbps 及以上的速率下工作，并且符合 ISO 11898-2 标准。该器件利用 Analog Devices, Inc. 的 iCoupler® 技术将 3 通道隔离器、CAN 收发器和 Analog Devices 的 isoPower® DC/DC 转换器组合到单个小外形集成电路 (SOIC) 表面安装封装中。该器件由单个 5 V 电源供电，为 CAN 和 CAN FD 应用实现了一套完全隔离的解决方案。通过连续调节开关频率，可以将 DC/DC 转换器高频开关过程中产生的辐射发射保持低于 EN 55022 B 级限制。ADM3055E 在 CAN 控制器和物理层总线之间提供完全隔离。针对 5 kV 耐受电压、565 VPEAK 工作电压、10 kV 浪涌测试电压和 8.3 mm 爬电距离和净空的安全和监管审批（申请中）可确保 ADM3055E 满足应用隔离要求。穿越隔离时的低传播延迟支持使用更长的总线电缆。可以在低数据速率下对标准 CAN 使用坡度控制模式。总线空闲或节点离线时，待机模式可较大限度地降低功耗。安静模式允许忽略 TXD 输入，仅用于侦听。主要超时功能可防止总线在故障条件下锁定。电流限制和热关断功能可防止发生输出短路。该器件完全适应 −40°C 至 +105°C 的工业温度范围。规格参数数据速率:12 Mb/s激励器数量:1 Driver接收机数量:1 Receiver电源电压-最小:500 mV电源电压-最大:6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C工作电源电流:177 mAESD 保护:4 kV封装...
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2025/2/6 14:24:05
ADR4550器件为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，B、C和D级的最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供出色的温度稳定性和噪声性能。这些器件具有较低的热感应输出电压滞回，并且长期输出电压漂移低，从而提高了时间和温度变化下的系统精度。最大工作电流为950μA，最大压差低至300 mV，因此非常适合便携式设备应用。ADR4550系列基准电压源采用8引脚SOIC封装，可提供较宽的输出电压范围，额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。ADR4550提供D级（采用8引脚LCC封装）和C级，温度范围为0°C至70°C。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8参考类型:Series Precision References输出电压:5 V初始准确度:0.02 %温度系数:2 PPM / C串联VREF—输入电压—最大值:15 V分流电流—最大值:10 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C准确性:120 ppm/mA商标:Analog Devices开发套件:EVAL-CN0348-SDPZ高度:1.5 mm (Max)长度:5 mm (Max)负载调节:120 ppm/mA工作电源电流:950 uA输出电流:10 mA宽度:4 mm (Max)单位重量:540 mg特性• 最大温度系数(TCVOUT)：• 0.8 ppm/°C（D级0°C至70°C）• 1 ppm/°C（C级0°C至70°C）• 2 ppm/°C（B级−40°C至+125°C）• 4 ppm/°C（A级−40°C至+1...
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2025/2/6 14:18:06
ADL5375是一款宽带正交调制器，工作频率范围：400 MHz ～ 6 GHz。 其出众的相位精度与幅度平衡非常适合于通信系统中的高性能的中频或射频调制。该器件具有宽基带带宽，以及输出增益平坦度，在450 MHz至3.8 GHz范围内其变动幅度不超过1 dB。 这些特性以及不超过−14 dB的宽带输出回损，使得ADL5375成为宽带零IF或低IF至RF应用、宽带数字预失真发射机和多频段无线电设计的理想选择。ADL5375可接收双路差分基带输入和一个单端LO。 它产生单端50 Ω输出。 该产品的两个版本分别提供500 mV (ADL5375-05) 和1500 mV (ADL5375-15) 的输入基带偏置电平。ADL5375采用的硅-锗双极性工艺制造。 提供24引脚、裸露焊盘、无铅LFCSP_VQ封装。 额定温度范围为−40 ℃至+85 ℃。 提供一款无铅评估板。规格参数调制格式:Quadrature输出功率:0.85 dBm工作电源电压:4.75 V to 5.25 V工作电源电流:174 mA技术:Si最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LFCSP-24商标:Analog Devices高度:1 mm接口类型:LO长度:4 mm湿度敏感性:Yes封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReelPd-功率耗散:1.5 W特性• 输出频率范围： 400 MHz至6 GHz• 1 dB输出压缩： ≥9.4 dBm（450 MHz至4 GHz）• 输出回损： ≤12 dB（450 MHz至4.5 GHz）• 噪底： -160 dBm/Hz (900 MHz)• 边带抑制： ≤−50 dBc (900 MHz)• 载波馈通： ≤−40 dBm (900 MHz)• IQ3dB带宽： ≥ 750 MHz• 基带输...
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2025/2/6 14:05:01
HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC)，利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术，采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。HMC434采用3 V单直流电源供电，工作频率范围为接近直流（方波）或200 MHz（正弦波）至8 GHz输入频率。HMC434具有单端输入和输出，可减少元件数量并降低成本。100 kHz偏置时的低加性单边带(SSB)相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持最佳系统噪声性能。规格参数产品种类:预定标器RoHS:N最大工作频率:8 GHz最小工作频率:0 Hz分度:8电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape商标:Analog Devices安装风格:SMD/SMT工作电源电流:62 mA工作电源电压:3 V输出功率:- 2 dBm封装 / 箱体:SOT-23-6产品类型:Prescaler点击购买：HMC434E特性• 超低SSB相位噪声： -150 dBc/Hz• 单端输入/输出• 输出功率：-2 dBm（典型值）• 单电源供电：3 V• 超小型、2.90 mm × 2.80 mm、6引脚SOT-23表贴封装应用DC到C波段PLL预分频器甚小口径终端（VSAT）无线电未经许可的国家信息基础设施和点对点无线电IEEE 802.11a和高性能无线局域网（HiperLAN）WLAN光纤蜂窝/3G基础设施引脚图
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2025/2/6 13:53:20
AD7896是一款快速、12位ADC，采用+2.7 V至5.5 V单电源供电，提供8引脚小型DIP和8引脚SOIC两种封装。该器件内置一个8微秒（µs）逐次逼近型模数转换器、一个片内采样保持放大器、一个片内时钟和一个高速串行接口。AD7896通过一个高速串行接口端口输出数据，这个双线串行接口具有一个串行时钟输入和一个串行数据输出，通过外部串行时钟可访问该器件中的串行数据。除线性度、满量程和失调误差等传统直流精度规格外，AD7896的动态性能参数也做了详细规定，包括谐波失真和信噪比。该器件可接受的模拟输入范围为0 V至VDD，采用+2.7 V至+5.5 V单电源供电，典型功耗仅9 mW。VDD输入同时用作器件的基准电压，因而无需外部基准电压。AD7896提供两种采样模式：一种是高采样速率模式；另一种是针对低功耗应用的专有自动省电模式，即一旦完成转换，器件便自动进入省电模式，并在下一个转换周期开始前“唤醒”。规格参数封装 / 箱体:SOIC-8分辨率:12 bit通道数量:1 Channel接口类型:Serial采样比:100 kS/s输入类型:Single-Ended结构:SAR模拟电源电压:2.7 V to 5.5 V数字电源电压:2.7 V to 5.5 VSNR – 信噪比:70 dB最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C封装:Tube商标:Analog DevicesDNL - 微分非线性:+/- 1 LSB增益误差:+/- 3 LSB高度:1.5 mmINL - 积分非线性:+/- 1 LSB输入电压:5.5 V长度:5 mmADC 输入端数量:1 Input转换器数量:1 Converter工作电源电压:5 V输出类型:CMOS/TTLPd-功率耗散:10.8 mW功耗:9 mW特性• 吞吐量：100 kHz• 快速12位采样ADC，转换时间为8...
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2025/2/5 16:20:31
TC1-1TX+是Mini-Circuits的一款射频变压器电子元器件，其工作频率最小0.3MHz，最大500MHz，并且符合ROHS标准。规格参数端接类型:SMD/SMT频率范围:400 kHz to 500 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C通道数量:Single封装 / 箱体:3.81 mm x 3.81 mm x 4.06 mm长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm商标:Mini-Circuits最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW单位重量:2.093 g点击购买：TC1-1TX+特性可用频率超过0.4-500 MHz振幅不平衡性极佳，典型值为0.1 dB。相位不平衡，典型值为2度。在1dB带宽内良好的退货损失带引线的塑料底座可水洗应用VHF/UHF接收机/发射机推挽式放大器尺寸图
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2025/2/5 14:23:03
AD679是一个完整的、多用途的14位单片模数转换器，由采样保持放大器（SHA）、微处理器兼容总线接口、电压参考和时钟生成电路组成。AD679用于交流（或动态）参数，如S/N+D比、THD和IMD，这些参数在信号处理应用中很重要。此外，AD679K、B和T等级完全指定用于测量应用中重要的直流参数。在两次读取操作（8+6）中访问14个数据位，并进行左对齐。单极模式的数据格式为直接二进制，双极模式的数据形式为二进制补码。输入的满标度范围为10V，全功率带宽为1MHz，全线性带宽为500kHz。高输入阻抗（10 MQ）允许直接连接到无缓冲源，而不会降低信号质量。转换可以在微处理器控制下或通过与系统时钟异步的外部时钟启动。该产品采用ADI公司的BiMOS工艺制造，将低功耗CMOS逻辑与高精度、低噪声双极电路相结合；激光微调薄膜电阻器提供高精度。该转换器利用递归子测距算法，该算法包括纠错和闪存转换器电路，以实现高速和高分辨率。AD679在+5 V和±12 V电源下工作，功耗为560 mW（典型值）。该部件有28引脚塑料DIP、陶瓷DIP和44 J引脚陶瓷表面安装封装。规格参数分辨率:14 bit通道数量:1 Channel接口类型:Parallel采样比:128 kS/s输入类型:Single-Ended结构:Pipeline模拟电源电压:0 V to 10 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C增益误差:0.11 %FSR高度:4.95 mmINL - 积分非线性:+/- 2.5 LSB输入电压:10 V, +/- 5 V长度:39.75 mmADC 输入端数量:1 Input转换器数量:1 Converter工作电源电压:5 V, 12 VPd-功率耗散:745 mW功耗:560 mW特性交流和直流特性和规定（K、B、T级）每秒128k转换1 MHz全功率带宽...
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2025/1/24 14:01:19
AD7847为完整的双通道、12位乘法数模转换器，在CMOS单芯片上集成输出放大器，无需用户进行外部调整便可实现全部额定性能。两款器件均与微处理器兼容，并配有高速数据锁存器和接口逻辑。AD7847接受12位并行数据，数据通过WR输入和各DAC单独的芯片选择(Chip Select)输入载入相应的DAC锁存器。输出放大器能在一个2 kΩ负载上产生±10 V电压。二者采用内部补偿，由于在晶圆水平上进行激光调整，因此输入失调电压较低。在AD7847上，放大器反馈电阻在内部与VOUT相连。规格参数分辨率:12 bit安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-24封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Analog Devices单位重量:1.098 g特性• 两个12位MDAC，内置输出放大器• 0.3"、24引脚DIP和24引脚SOIC封装，节省空间应用自动测试设备函数生成波形重建可编程电源同步应用引脚图
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2025/1/24 13:52:51
BFHK-6251+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。5.35–6.7 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在76 dB到15.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数频率:6.1 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Mini-Circuits特性超高阻带抑制结构——典型值为76 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试和测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2025/1/24 13:37:59
Mini-Circuits的BBFCG2-672+是一款阻抗比为1:2的微型陶瓷RF平衡-不平衡转换器滤波器，适用于6375至7175 MHz的各种无线通信应用。该型号具有低插入损耗、低相位不平衡（相对于180°）和低振幅不平衡。该装置采用LTCC技术制造，采用小巧坚固的陶瓷封装（0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸），适用于恶劣的工作环境。特性紧凑型设计，将巴伦和过滤器集成在一个包装中典型低通带插入损耗。1.9分贝杰出的CMRR，典型。29分贝小0805表面安装占地面积应用5G Sub-6 GHz MIMO无线基础设施系统卫星通信尺寸图
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2025/1/23 14:37:03
BAT-10+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达2 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，2 W典型的出色回波损耗。22分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:29:23
BAT-15+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.4 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.4 W典型的出色回波损耗。20分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:14:30
BAT-5+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.5 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.5 W典型的出色回波损耗。23分贝 1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施 5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:10:36
BAT-7+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达1.5 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，1.5 W典型的出色回波损耗。22分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:06:32
BAT-30+是一种宽带、双向、吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs半导体工艺制造。该型号在直流至60 GHz范围内运行，实现了出色的衰减精度和平坦度，同时在整个频带内保持了出色的回波损耗。该型号可以处理高达0.9 W的输入功率，使其成为测试与测量、卫星通信、雷达、电子战、ECM防御系统、电信基础设施和5G等广泛应用的理想选择。特性宽带，直流至60 GHz高功率处理，0.9 W典型的出色回波损耗。21分贝1.5x1.5 mm，6引线QFN型封装应用测试和测量设备卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统电信基础设施5G低于6 GHz和毫米波尺寸图
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2025/1/23 14:00:48