HIP4086和HIP4086A（称为HIP4086/A）是三相N沟道MOSFET驱动器。这两个部分都是专门针对PWM电机控制的。这些驱动器具有灵活的输入协议，用于驱动每种可能的开关组合。用户甚至可以覆盖开关磁阻应用的直通保护。HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间（0。5μs至4μs。5μs），这使得它们非常适合通常用于电机驱动的低频（高达100kHz）。HIP4086和HIP4086A之间的唯一区别是HIP4086A禁用了内置电荷泵。这在需要非常安静的EMI性能的应用中很有用（电荷泵在10MHz下工作）。HIP4086的优点是内置电荷泵允许高侧驱动器无限长的导通时间。为了确保高侧驱动器引导电容器在接通之前完全充电，当首次施加VDD时，激活可编程引导刷新脉冲。当激活时，刷新脉冲接通所有三个低侧桥式FET，同时关断三个高侧桥式FET以对高侧启动电容器充电。刷新脉冲清除后，正常操作开始。HIP4086/A的另一个有用特性是可编程欠压设定点。设定值范围为6。6V至8。5V。规格参数激励器数量:6 Driver输出端数量:6 Output输出电流:500 mA电源电压-最小:7 V电源电压-最大:15 V上升时间:20 ns下降时间:10 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:HIP4086封装:Reel封装:Cut Tape高度:0 mm长度:15.4 mm宽度:7.5 mm单位重量:640 mg特性•以三相桥式配置独立驱动6个N沟道MOSFET•自举电源最大电压可达95VDC，偏置电源为7V至15V•1.25A峰值关断电流•用户可编程死区时间（0.5μs至4.5μs）•Bootstrap和可选的电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。•可编程引导刷新时间•驱动1000pF负载，典型上升时间为20ns，下降时间为10ns•可编程欠压设定点应用•48V位置控制...
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2025/4/1 14:14:38
ISL9122A是一款高度集成的非反相降压升压开关稳压器，可接受高于或低于稳压输出电压的输入电压。它具有极低的静态电流消耗，在调节模式下为1300nA，在强制旁路模式下为120nA，而在关机模式下为8nA。它在10µA负载（VIN=3.6V，VOUT=3.3V）下提供84%的效率，峰值效率大于97%。它支持1.8V至5.5V的输入电压。ISL9122A具有自动旁路功能，适用于输入电压接近输出电压的情况，并且可以在降压和升压模式之间自动转换，而不会产生明显的输出干扰。除了自动旁路功能外，如果不需要电压调节，还可以选择强制旁路节能模式。强制旁路节能模式可通过I2C接口总线访问。ISL9122A能够提供高达500mA的输出电流（VIN=3.6V，VOUT=3.3V），并且由于其自适应频率滞后控制架构而具有出色的效率。ISL9122A专为独立应用而设计，支持通电复位（POR）时的默认输出电压。POR后，可以通过使用I2C接口总线将输出电压调节在1.8V至5.375V的范围内。可根据要求提供特定的默认输出电压。ISL9122A只需要一个EIA 0603尺寸的电感器和两个外部电容器。电源解决方案尺寸通过1.8mm x 1.0mm WLCSP最小化，也有3.0mm x 2.0mm 8 Ld塑料DFN。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8拓扑结构:Buck-Boost输出电压:1.8 V to 5.375 V输出电流:500 mA输出端数量:1 Output输入电压 - 最小值:1.8 V输入电压 - 最大值:5.5 V静态电流:1.3 uA系列:ISL9122封装:Reel封装:Cut Tape商标:Renesas / Intersil输入电压:1.8 V to 5.5 V单位重量:14.200 mg特性•1300nA静态电流•10µA负载时效率...
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2025/4/1 14:08:36
HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动器IC，采用16引脚塑料SOIC（N）和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器使基于电桥的设计变得简单灵活，专门针对PWM电机控制和UPS应用。该设备的工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用。与HIP4081类似，它具有灵活的输入协议，用于驱动所有可能的开关组合，但会导致直通情况的开关组合除外。HIP4082的低驱动电流允许更小的封装，并且具有更宽的可编程死区时间范围（0.1至4.5µs），使其成为高达200kHz开关频率的理想选择。HIP4082不包含内部电荷泵，但确实包含上部驱动电路的非锁存电平移位转换控制。这组功能和规格针对尺寸和成本很重要的应用进行了优化。对于需要更高驱动能力的应用，建议使用HIP4080A和HIP4081A。规格参数激励器数量:4 Driver输出端数量:4 Output输出电流:1.25 A电源电压-最小:8.5 V电源电压-最大:15 V上升时间:9 ns下降时间:9 ns最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:HIP4082封装:Tube商标:Renesas / Intersil高度:0 mm长度:9.9 mm宽度:3.9 mm单位重量:140 mg特性•以半桥或全桥配置独立驱动4个N沟道FET•自举电源最大电压可达95VDC•在50°C的自由空气中驱动1000pF负载，上升和下降时间通常为15ns•用户可编程死区时间（0.1至4.5µs）•DIS（禁用）在拉低时覆盖输入控制并刷新自举电容器•输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容•射击防护•欠压保护•无铅可用应用• 使用旋转变压器的电机控制方案• 小型工业机器人
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2025/4/1 14:04:10
BFHK-3142+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。28-36GHz的通带损耗低至2.8dB，典型的阻带抑制在75dB到54GHz和40dB到67GHz。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:31.7 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1812 (4532 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性超高阻带抑制结构——典型值为75 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2025/3/31 14:01:36
BFHK-4951+LTCC带通滤波器利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构，实现了微型尺寸和高性能重复性。4.3-5.3 GHz的通带损耗低至3.2 dB，典型的阻带抑制在73 dB到12.3 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑，该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。规格参数产品:Bandpass Filters频率:4.8 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1812 (4532 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHK封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性超高阻带抑制结构——典型值为73 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812（4.5mm x 3.2mm）表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构，防止滤波器失谐通过采用LGA（陆地网格阵列）减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节尺寸图
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2025/3/31 13:55:15
TSY-172LNB+（符合RoHS标准）是一种低压、低电流、低噪声宽带旁路放大器，采用GaAs E-PHEMT技术制造，在宽频范围内提供极高的动态范围。它具有集成开关，使用户能够绕过放大器。TSY-172LNB+封装在8芯2 x 2 mm MCLP封装中，具有良好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 1.7 GHz工作电源电压:2.7 V工作电源电流:7.7 mA增益:10.1 dBNF—噪声系数:1.9 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:GaAsP1dB - 压缩点:17.4 dBmOIP3 - 三阶截点:22.4 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:TSY封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:6 dB通道数量:2 ChannelPd-功率耗散:200 mW特性非常宽带，30 MHz至1.7 GHz整个频带内的低NF，1.4 dB低电流和低电压（2.7V和7.7mA）内部旁路切换适用于低相位噪声应用P1dB:典型值+17.5 dBm。应用无线基站系统测试和测量系统多频带接收机尺寸图
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2025/3/31 13:48:40
LVA-123+（符合RoHS标准）是一款采用GaAs HBT技术制造的超宽带放大器，在宽频范围内具有出色的增益平坦度。此外，LVA-123+在该频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。铅饰面是镍上的锡银。它在不同批次之间具有可重复的性能，并封装在3x3 mm的8引脚封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:10 MHz to 12 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:52 mA增益:8.1 dBNF—噪声系数:5.9 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:GaAs InGaPP1dB - 压缩点:5.3 dBm OIP3 - 三阶截点:15.5 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:LVA封装:Reel封装:Cut Tape特性•出色的增益平坦度，±0.6 dB，0.05-6 GHz•增益，典型值17.3 dB。2 GHz•出色的输入回波损耗，典型值为20dB。2 GHz应用•基站基础设施•测试仪器•MMDS和无线局域网•LTE•卫星通信•航空电子设备尺寸图
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2025/3/31 13:43:03
SXLP-27+是Mini-Circuits的一款低通滤波器芯片，其中心或截止频率（fo/fc）为30MHz，符合ROHS标准，外壳HF1139，8针。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters端接类型:SMD/SMT系列:SXLP封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性•高拒绝率•锋利的切割•屏蔽包装•可水洗•成本低应用•国防通信•接收器/发射器•谐波抑制尺寸图
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2025/3/31 13:16:38
PHA-102+（符合RoHS标准）是一款采用PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围，并具有出色的增益平坦度。此外，PHA-102+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。PHA-102+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:50 MHz to 6 GHz工作电源电压:9 V工作电源电流:192 mA增益:14.6 dBNF—噪声系数:6.7 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-3技术:SiP1dB - 压缩点:26.1 dBmOIP3 - 三阶截点:44.8 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PHA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:14 dBPd-功率耗散:3.18 W特性超宽带，50 MHz至6 GHz在0.05-3GHz范围内具有出色的增益平坦度14.3±0.3dB高线性，0.9 GHz时为+26.4 dBm P1dB和+50 dBm OIP3可用作AH102a、b的替代品应用无线网络无线局域网LTEWiMAXS波段雷达尺寸图
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2025/3/31 11:55:58
Mini-Circuits的EP2-5G+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，设计用于24至30 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用，包括相控阵雷达、5G应用以及仪器仪表等。该型号在2 x 2 mm 6引脚QFN封装中提供了高达0.5W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2-5G+采用GaAs IPD技术制造，不仅提供可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数产品:Splitters/Combiners频率:24 GHz to 30 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:MC1630-1最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.3 dB单位重量:28.350 mg特性宽带，24至30 GHz高隔离，典型值24dB。27GHz适用于5G应用的低成本分路器振幅不平衡性极佳，典型值为0.1 dB。27GHz相位不平衡良好，27GHz时为4°尺寸小，2x2毫米可水洗应用5克相控阵仪器雷达卫星通信简单示意图
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2025/3/31 11:49:28
Mini-Circuits的EP2-28+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，设计用于25至35 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内高性能的应用，包括相控阵雷达、5G应用以及仪器仪表等。该型号在2 x 2 mm 6引脚QFN封装中提供了高达0.63 W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2-28+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Splitters/Combiners频率:25 GHz to 35 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:MC1630-1最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.8 dB安装:Board Mount特性宽带，25至35 GHz高隔离，典型值35dB。29 GHz适用于5G应用的低成本分路器振幅不平衡性极佳，典型值为0.02 dB。29 GHz相位不平衡良好，29 GHz时为2°尺寸小，2x2毫米可水洗应用5G相控阵仪器雷达卫星通信简单示意图
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2025/3/31 11:41:52
Mini-Circuits的LVA-6183PN+是一种基于GaAs HBT工艺制造的超低相位噪声分布式MMIC放大器。该放大器工作频率为6至18 GHz，具有高动态范围和超低相位噪声，增益为19.9 dB，P1dB为+19.6 dBm，OIP3为+28.7 dBm，噪声系数为4.1 dB。LVA-6183PN+非常适合与低噪声信号源和高灵敏度收发器信号链一起使用，用于商业、工业和国防应用。规格参数工作频率:6 GHz to 18 GHz工作电源电压:6 V增益:19.9 dBNF—噪声系数:5.7 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24P1dB - 压缩点:19.6 dBOIP3 - 三阶截点:28.7 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 105 C系列:LVA封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits输入返回损失:20 dB隔离分贝:41.3 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:1.27 W产品类型:RF Amplifier特性宽带，6至18 GHz超低相位噪声，典型-10 kHz偏移时为165 dBc/Hz输出P1dB，典型值+19.6 dBm输出IP3，典型+28.7 dBm4x4 mm 24引脚QFN型封装应用测试与测量雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统信号分配网络尺寸图
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2025/3/28 14:08:31
TDA5200接收器芯片是一款功耗极低的单芯片ASK单转换接收机，适用于868-870 MHz和433-435 MHz的接收频带。IC提供了高度的集成，只需要几个外部组件。该设备包含低噪声放大器（LNA）、双平衡混频器、完全集成的VCO、PLL合成器、晶体振荡器、带RSSI发生器的限幅器、数据滤波器、数据比较器（限幅器）和峰值检测器。此外，还有一个断电功能，可以节省电池寿命。规格参数类型:Receiver工作频率:870 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C封装 / 箱体:TSSOP-28安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape商标:Infineon Technologies频率范围:433 MHz to 435 MHz, 868 MHz to 870 MHz湿度敏感性:Yes产品类型:RF Receiver系列:TDx5200特性•低电源电流（868 MHz时I s=4.8 mA，434 MHz时I s=4.6 mA）•电源电压范围5 V±10%•电源电流极低的断电模式（典型值为50 nA）•完全集成的VCO和PLL合成器•射频输入灵敏度•可选择的频率范围约为868-870 MHz和433-435 MHz•可选择的参考频率•具有RSSI生成功能的限制器，工作频率为10.7 MHz•带外部电容器的二阶低通数据滤波器•具有自调节阈值的数据切片器应用•无钥匙进入系统•远程控制系统•报警系统•低比特率通信系统引脚配置图
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2025/3/28 13:53:52
ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦，能够利用高端本振注入，在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现较佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm)，以及出色的互调性能。在手机应用中，带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度，非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用，ADL5367能在低至3V的电压下工作，并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模转换器，来优化应用的互调或噪声性能。本振电流可以通过外部电阻进行设置，以将与期望性能等级相当的直流电流降到较低。额外的逻辑引脚能够在需要时关断(ADL5367基于BiCMOS高性能IC工艺制造， 采用5 mm × 5 mm 20引脚LFCSP封装，工作温度范围为-40°C至+85°C，现可提供评估版。规格参数射频:500 MHz to 1.7 GHz转换损失——最大:7.7 dBNF—噪声系数:8.3 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LFCSP-20商标:Analog Devices开发套件:ADL5367-EVALZ最大工作频率:1.7 GHz湿度敏感性:Yes工作电源电流:97 mA工作电源电压:3.3 V, 5 V封装:Reel特新• IF频率范围：DC至450 MHz• 10 dBm阻塞单边带噪声指数：17 dB• 输入P1dB ：25 dBm• 本振驱动：0 dBm(典型值)• 单端50Ω RF与本振输入端口• 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关• 单电源电压：3.3至5 V...
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2025/3/28 13:47:21
KAT-8+是一种采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造的吸收式固定衰减器。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.2W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:9 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:8 dB最大 VSWR:1.7商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1.2 W特性•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的VSWR，典型值为1.12:1•高功率处理，1.2W应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/3/28 13:39:38
KAT-12+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.1W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。规格参数封装 / 箱体:MCLP-6衰减:13 dB最大频率:43.5 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel衰减器步长:12 dB最大 VSWR:1.8商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 85 C最小频率:0 Hz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1.1 W产品类型:Attenuators系列:KAT特性•小包装，2x2 MCLP™•超宽带，DC-43.5 GHz•出色的驻波比，典型值为1.16:1•高功率处理，1.1W应用•5G•测试和测量•雷达•沟通•防御尺寸图
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2025/3/28 13:31:19
TCW1-2700+是Mini-Circuits的一款射频放大器芯片，其截止频率最低为700MHz，具备2dB的插入损耗，并且需要在-55℃到100℃之间进行工作。规格参数频率:1.7 GHz带宽:2000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0603 (1608 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:TCW1封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.4 dB安装:Board Mount特性宽带，700至2700 MHz微型尺寸0603（1.6x0.8mm）LTCC结构成本低可水洗应用无线局域网A/D转换无线网络发射器和接收器蜂窝尺寸图
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2025/3/28 13:22:45
Mini-Circuits的EP2RCW+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，专为直流至8.0 GHz的宽带操作而设计，支持许多需要在宽频范围内高性能的应用，包括通过WiMax和WiFi的所有LTE频段，以及仪器仪表等。该型号在微小的5 x 5mm QFN封装中提供了高达0.6W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有低插入损耗、良好的隔离以及低相位和幅度不平衡。EP2RCW+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。规格参数频率:DC to 8 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:DG1677-2最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EP2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:4.3 dB特性•宽带，直流至8.0 GHz•出色的隔离性能，典型值为21dB。4 GHz•出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。至8 GHz•相位不平衡良好，典型值为1.0度。4 GHz•尺寸小，5x5毫米•可水洗应用•WIMAX•ISM•仪器仪表•雷达•无线局域网•卫星通信•LTE
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