HMC680LP4(E)是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为30至400 MHz，可编程提供-4 dB至+19 dB增益，步进为1 dB。 HMC680LP4(E)在最大增益状态下的噪声系数为5 dB，任意状态下的输出IP3最高为+40 dBm。 这款高线性度DVGA还提供差分RF输出，可用来直接对接Tx以及Rx应用中的SAW滤波器以及Rx链路上的数模转换器。 HMC680LP4(E)采用RoHS兼容型4x4 mm QFN无引脚封装，支持CMOS/TTL。应用蜂窝/3G基础设施WiBro / WiMAX / 4G微波无线电和VSAT测试设备和传感器IF与RF应用
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2022/9/23 15:41:03
ADL5336包括一对可变增益放大器(VGA)，设计用于级联中频应用。放大器具有线性dB增益控制，在低频至1 GHz范围内工作。得益于ADI公司用于实现高性能可变增益控制的创新技术——已获专利的X-AMP?架构，该器件在整个控制范围内具有出色的增益性能，并且在整个频率范围内具有出色的平坦度。 各VGA具有24 dB的增益控制范围，其最大增益可以在6 dB范围内通过SPI独立编程。VGA可以级联，以提供48 dB的总增益范围。当通过1:4巴伦连接到50 Ω信号源时，增益会提高6 dB。第二VGA具有一个SPI可编程输入开关，用于从两路外部输入中选择其一。 从一个200 Ω信号源或从一个50 Ω信号源通过1:4巴伦驱动时，复合放大器的噪声系数(NF)在最大增益时为6.8 dB。各VGA的输出可以将100 Ω负载驱动到5 V p-p最大值。 各VGA具有独立的方波检波器，用于实现自主的自动增益控制(AGC)。各检波器设定点可以在?24 dBV至?3 dBV范围内，以3 dB步长通过SPI独立编程。当两个VGA均处于AGC模式并且具有相同的设定点时，如果从最大增益倒退18 dB，则复合噪声系数(NF)提高到9 dB。 ADL5336采用5 V电源供电，典型电源电流为80 mA，禁用时的功耗为4 mA。它采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造，提供32引脚、裸露焊盘LFCSP封装，额定温度范围为?40°C至+85°C。
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2022/9/23 15:38:17
HMC742A是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为70 MHz至4 GHz，可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益，步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB，任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。 双模增益控制接口支持三线式串行输入或6位并行字。 HMC742A还提供用户可选上电状态和串行输出，从而级联其他Hittite串行控制元件。 HMC742A采用符合RoHS标准的5x5 mm QFN无铅封装，同时只需极少量的外部元件。应用蜂窝/3G基础设施WiBro / WiMAX / 4G微波无线电和VSAT测试设备和传感器IF和RF应用
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2022/9/23 15:36:19
HMC8120是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)可变增益放大器和/或驱动器放大器，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8120提供高达22 dB的增益、21 dBm输出P1dB、30 dBm OIP3和22 dBm PSAT，采用4 V电源供电时功耗仅为250 mA。 提供两个增益控制电压（VCTL1和VCTL2）以实现高达15 dB的可变增益控制。 HMC8120提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0.05 mil、长度为7 mil的焊线连接。应用E频段通信系统高容量无线回程无线电系统测试与测量
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2022/9/23 15:31:01
ADRF6520包括一对匹配的完全差分低噪声、低失真可编程滤波器和可变增益放大器(VGA)。每个通道都能够抑制较大的带外干扰信号，同时忠实放大所需信号，因而模数转换器(ADC)的带宽和分辨率要求得以降低。两个通道匹配出色，而且在所有增益和带宽设置下都具有很高的无杂散动态范围，因此ADRF6520非常适合具有密集星座图、多个载波并存在邻近干扰的正交(IQ)通信系统。可通过串行端口接口(SPI)编程滤波器转折频率、使能和直流失调校正环路使能特性。滤波器之前的第一个VGA提供27 dB的连续增益控制以及18 dB的最大增益，并设置差分输入阻抗为100 Ω。滤波器提供4极点巴特沃兹响应，具有1.0 dB转折频率：36、72、144、288、432、576和720 MHz。对于超出720 MHz的工作频率，可禁用并完全旁路滤波器，从而将-1 dB带宽扩展到1.25 GHz。提供宽带RMS检波器，用于监控滤波器输入端的信号。滤波器之后紧跟6 dB固定增益放大器。后置滤波器VGA提供27 dB的连续增益控制以及21 dB的最大增益。输出缓冲器提供额外的9 dB增益并提供20 Ω的差分输出阻抗。它们能够以优于55 dBc的HD3驱动1.5 V p-p至100 Ω负载。如果希望进行完全直流耦合操作，可以通过SPI禁用单个通道上独立的内置直流失调校正环路。高通转折频率由引脚CHP1和CHP2引脚上的外部电容和后置滤波器VGA增益确定。ADRF6520采用3.15 V至3.45 V电源供电，最大功耗为410 mA。完全禁用时，功耗低于5 mA。ADRF6520采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造，提供32引脚、裸露焊盘LFCSP封装，额定温度范围为−40°C至+85°C。应用点到点及点到多点无线电基带IQ接收机分集接收机ADC驱动器仪器仪表医疗
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2022/9/23 15:29:24
ADL6316 是一款发射可变增益放大器 (VGA)，它可提供从射频数模转换器 (RF DAC)、收发器和片内系统 (SoC) 到功率放大器的接口。集成式平衡/不平衡转换器和混合耦合器可以在 500 MHz 至 1000 MHz 的频率范围内实现高性能 RF 能力。为了优化性能与功率水平，ADL6316 包含了电压可变衰减器 (VVA)、高线性度放大器和数字分级衰减器 (DSA)。集成到 ADL6316 中的所有套件都可以通过 4 线串行端口接口 (SPI) 进行编程。ADL6316 采用高级硅锗 (SiGe)、双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺制成。应用FDD/TDD 宽带通信系统中的 2G/3G/4G/长期演进 (LTE)
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2022/9/23 15:27:21
ADL5206 是一款宽带宽、可变增益放大器 (VGA)，具有数字控制功能（也称为数字增益放大器 (DGA)），可在整个增益范围内提供精确的增益控制、高输出输出三阶互调点 (OIP3) 和低噪声系数。39.4 dBm（300 MHz、5 V 电源和最大增益）的出色 OIP3 性能使 ADL5206 成为各种接收器应用的出色增益控制设备。对于宽输入动态范围应用，ADL5206 提供 2 dB 至 32 dB 的宽增益范围，步长为 1 dB。增益可通过多个增益控制和接口选项进行调整:并行、串行外设接口 (SPI)，或增益升压和降压控制。ADL5206 可以通过向 PWUP 引脚施加适当的逻辑电平来独立上电。在 5 V 电源下，ADL5206 的静态电流典型值为 112 mA 。禁用时，ADL5206 只消耗 8 mA ，并提供出色的输入输出隔离。当设备被禁用时，增益设置保持不变。ADL5206 采用 ADI公司高速硅锗 (SiGe) 双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺制成，具有精确的增益调整能力和良好的失真特性。ADL5206 放大器采用紧凑型、耐热增强型、 4 mm × 4 mm、 20 引脚 LFCSP 封装，工作温度范围为 40°C 至 +85°C。请注意，在整个数据手册中，多功能引脚（如 CS/GS1/D3）由整个引脚名称或引脚的单一功能指代。应用差分 ADC 驱动器高中频（IF）采样接收器高输出功率 IF 放大DOCSIS FDx 上行放大器仪器仪表
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2022/9/23 15:24:51
许多射频设计人员都对 Franklin Douglass 的名言深有同感：“没有斗争就没有进步。”在为 5G 进行设计时，尤其如此。科技有望改变无线通信，但也会带来设计难题。利用功率放大器模块 (PAM) 来化解。以下是你需要知道的一切。 5G 是无线通信市场领域有史以来十分重要的强大技术之一。与 4G 相比，5G 在数据速率、延迟和容量方面都有显著提升，有望成为行业乃至全球真正的变革性技术。 然而，这些根本性的性能改进也对底层射频 (RF) 硬件产生了更大的压力，并提出了更严格的要求。功率放大器 (PA) 是射频硬件中非常重要的部件之一，随着 5G 的普及，它的重要性不断提升。为了帮助缓解为 5G 设计射频放大器的挑战，近年来，功率放大器模块 (PAM) 已成为一个重要的工具。 在这篇博文中，我们将讨论功率放大器及其在 5G 中的作用，以及 Qorvo 如何利用功率放大器模块来帮助支持未来的 5G 基础设施。 1.png 什么是功率放大器？ 在处理射频信号时，特别是在 5G 的高频段，电压电平可能非常低。这是一个挑战，因为电磁 (EM) 信号在较低的振幅下更容易受到系统级噪声的影响（即，信噪比降低）。除此之外，较低电压信号通常缺乏驱动下游电路或天线所需的强度。 为了解决这些挑战，开发人员使用了功率放大器。射频功率放大器是一个电路模块，用于增加射频信号的振幅、功率输出或驱动能力。一般来说，射频功率放大器位于系统天线附近，为发射天线提供高功率信号。 使用功率放大器的目的是增强信号，同时保持从输入到输出的高保真度。因此，线性度、效率和输出功率是功率放大器的几个重要规格参数。...
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2022/9/23 11:39:48
HMC635LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片，工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供18.5 dB的增益、+27 dBm输出IP3及+22 dBm的输出功率（1 dB增益压缩时），功耗为280 mA（+5V电源）。 HMC635LC4非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器，或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器，可提供高达+23.5 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω，非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。[1]增益、功率和噪声系数测量结果已经扣除板损耗。应用点对点无线电点对多点无线电和VSAT军事和太空混频器LO驱动器
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2022/9/22 17:00:26
2022年9月21日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）i.MX RT1170微控制器的汽车数字仪表盘方案。 图示1-大联大世平基于NXP产品的汽车数字仪表盘方案的展示板图 汽车仪表盘作为人与汽车的交互界面，为驾驶者提供车辆运行参数信息，是汽车必不可少的一部分。从第一代机械式仪表盘到第二代电气式仪表盘，再到如今的第三代数字液晶仪表盘，随着数字技术不断被应用到仪表盘中，其显示的内容也更加丰富、功能也愈发强大。并且近几年新能源汽车行业的高速发展，车用数字仪表盘的渗透率更是不断走高。在此背景下，大联大世平基于NXP i.MX RT1170微控制器推出了汽车数字仪表盘方案，不仅能够直观、准确的显示车辆的各种属性，还能带给驾驶者更智能化的交互体验。 图示2-大联大世平基于NXP产品的汽车数字仪表盘方案的场景应用图 NXP的i.MX RT1170 MCU是NXP首款GHz级别的微控制器，其采用主频高达1GHz的Arm Cortex -M7内核和400MHz的Cortex-M4内核的双核设计，同时提供先进的安全性，并支持宽温度工作范围，拥有卓越的计算能力、多种媒体功能以及实时功能，并易于使用，是数字仪表盘的理想选择。 本方案基于i.MX RT1170设计，高性能的Cortex-M7核作为主核专注于图像显示处理，高能效的Cortex-M4作为从核通过CAN总线接收速度、里程、电量等车辆信息，再通过MU（Messaging Unit）数据传递单元传输至主核并显示于仪表界面。除此之外，方案采用了开源轻量级显示图形库LVGL，液晶屏分辨率为720x1280，并借助通用图形加速引擎...
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2022/9/22 11:32:36
宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年9月19日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出0603、0805和0806三款外形尺寸小型器件---IHHP-0603ZH-01、IHHP-0805ZH-01和IHHP-0806ZH-01，扩充其IHHP系列超薄、大电流功率电感器。Vishay Dale IHHP-0603ZH-01、IHHP-0805ZH-01和IHHP-0806ZH-01具有DCR低，磁芯损耗小的特点，最大高度仅为0.8 mm，用于物联网（IoT）设备和便携式电子产品，既节省空间又提高效率。 日前发布的器件适用于笔记本电脑、平板电脑、物联网和其他手持电池供电电子设备的DC/DC转换器和电源模块。功率电感器使用磁合金，噪声低，采用磁屏蔽防止周边器件产生的干扰。 IHHP-0603ZH-01、IHHP-0805ZH-01和IHHP-0806ZH-01最大DCR低至24 mΩ，饱和电流高达5.2 A，温升电流达4.9 A。器件工作温度-55 °C至+125 °C，采用符合RoHS标准、100 %无铅（Pb）铁粉合金复合屏蔽结构封装。 器件规格表： (?) 直流电流 (A) 会导致ΔT下降约40 C (?) 直流电流 (A) 会导致L0下降约30 % 新款电感器现可提供样品并已量产，大宗订货供货周期为14周。
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2022/9/19 15:30:10
LFCN-4400+陶瓷滤波器的特征出色的功率处理能力，8W尺寸小7节温度稳定密封LTCC结构受美国专利6943646保护具备的应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用
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2022/9/19 15:23:58
ADCLK950是一款超快时钟扇出缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅-锗（SiGe）双极性工艺制造，设计用于要求低抖动的高速应用。该器件具有两个差分输入，通过IN_SEL控制引脚进行选择。两个输入均配备中心抽头、差分、100 Ω片内端接电阻，接受直流耦合LVPECL、CML、3.3 V CMOS（单端）以及交流耦合1.8 V CMOS、LVDS和LVPECL输入。提供VREFx引脚用于偏置交流耦合输入。ADCLK950内置10个全摆幅射极耦合逻辑（ECL）输出驱动器。对于LVPECL（正ECL）工作模式，VCC偏置至正电源，VEE偏置至接地。对于ECL工作模式，VCC偏置至接地，VEE偏置至负电源。输出级旨在从各端将800 mW直接驱动至端接于VCC− 2 V的50 Ω负载，从而获得1.6 V的总差分输出摆幅。ADCLK950采用40引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为−40°C至+85°C标准工业温度范围。
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2022/9/19 15:19:54
除了体积更小、更薄、更轻之外，用户对于功能丰富的移动设备的电源管理的要求也越来越高。当我们需要高精度供电电压时，通常可以使用LDO稳压器。但在选择LDO稳压器时，不能仅仅根据数据手册中所描述的输出电压精度来做判断，还必须查看纹波抑制比和负载的瞬态响应等特性。东芝的TCR5BM和TCR8BM系列LDO稳压器通过设计新的电路结构实现了高精度电压的输出，同时保证了低压差（输入输出电压差），为移动设备提供稳定可靠的电源。 负载瞬态响应和纹波抑制比 连接到LDO稳压器输出端的负载电流可能会突然增加或减少。此时，输出电压也可能会随之暂时波动。当波动较大时，可能会造成设备故障或停机等不良影响。负载瞬态响应由输出电流逐步变化时输出电压波动的峰值表示，该值越小，供电电压越稳定。 由于连接在线路上的各种器件的运行，电源线上也存在不同频率分量的电压波动。对于电源IC而言，叠加在输入电源线上的电压波动是一个需要解决的问题。这些波动被称为纹波电压，LDO稳压器的一个特性就是可以抑制叠加在输入电压上的纹波电压传导至输出端。纹波抑制比即是表示此特性的值。 TCR5BM/8BM系列提升了负载瞬态响应和纹波抑制比。它具有良好的动态响应性能，可抑制电流的突变，并能以最小的电压波动提供稳定的电压运行。此外，通过优化各频带的增益等，在较宽的频率范围内可以获得良好的纹波抑制比。 正是具有这些特性，TCR5BM/8BM可以最大限度地减小负载的电流波动和输入噪声对输出的影响，为负载提供稳定的工作电压。 压差电压特性 TCR5BM/8BM系列不仅改善了负载瞬态响应和纹波抑制比，还改善了压差特性。 将高于输入电压的电压...
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2022/9/19 15:08:43
以电池供电的IoT（物联网）设备除了功能日益强大外，还需要能更持久地驱动此类设备。 足该需求，需要同时降低电池和设备两方面的平均功耗，而具体的办法是使待机（休眠）周期尽可能长于执行感测和数据通信的活动周期。 TCR3U系列显著降低了现有产品空载时的偏置电流。此外，该电路的配置确保当输入电压降到预设输出电压以下时，现有产品的偏置电流不会突然升高。另一方面，尽管电流消耗较低，但该系列产品仍可实现出色的负载瞬态响应性能，即使在主动运行期间输出电流突然变化，也能稳定运行。 关于偏置电流 当输出电流不流动时，偏置电流流向IDO稳压器的输入端。其为LDO稳压器本身运行所需要。 LDO稳压器的输出端用作传感和数据通信等各种功能模块的电源。但是，这些功能并不总是可以运行，也可能无法运行。鉴于在这种情况下流向LDO稳压器的电流很小，因此通过采取措施，尽可能缩短运行周期来降低整个设备的平均电流（功率）消耗。此时，只有偏置电流来自电池，因此该特性对于降低电流消耗而言十分重要。 TCR3U系列已成功地大大降低了来自现有产品的偏置电流。在输出电流低于20μA的区域，它被抑制为0.4μA或更低，这有助于节省电力，进而更持久地驱动整个设备。 此外，与现有产品相比，TCR3U系列在降低偏置电流的同时还改善了负载瞬态响应特性。 一般而言，降低偏置电流会削弱稳压器的性能。其中一个突出表现就是负载瞬态响应，它表明在输出电流突然升高或降低时输出电压的波动幅度。尽管偏置电流和该性能之间存在平衡关系，但TCR3UG系列产品已经通过审查电路配置并经过详细考量，成功改善了这两个方面的问题。 ...
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2022/9/19 14:48:09
重要参数一般规格频率范围： DC-2.0 GHz电压驻波比（最大值）： 1.3至1GHz，最大1.5至2GHz插入损耗： 0.5 dB至1 GHz，0.75 dB至2 GHz射频功率： 100瓦平均5 kW峰值连接器*： SMA母头标准产品详情介绍3428型宽带同轴移相器是ARRA宽带移相器系列的一部分。ARRA的3428型宽带移相器在微波频谱的低端提供了增强的相变能力。尽管行程更长，仍可保持低插入损耗和低VSWR。相位变化是通过一个固定的驱动旋钮来控制的。校准的5位读数确保高分辨率和参考指示。相位设置的可重复性和稳定性来自于精确的设计和制造。
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2022/9/16 10:16:01
产品详情介绍这些模型是压控衰减器或调制器。集成的混合线性化器可实现每伏10 dB的控制功能。这些单元的插入损耗低，并且在所有设置下均不反射。电压控制衰减器/调制器频率范围（GHz）插入损耗（dB）驻波比（最大值）噪声与频率（±dB）大纲型号。 *1.0-2.01.61.50.3-1.61个3752-60D2.0-4.01.81.50.3-1.624752-60D2.5-5.021.60.3-1.624-5752-60D4.0-8.02.41.70.3-1.635752-60D5.0-10.02.61.70.5-1.635-6752-60D6.0-12.02.71.80.7-1.636752-60D8.0-18.02.7 *2.00.7-1.646-9752-60D重要参数一般规格频率范围：1.0-18.0 GHz衰减范围：0-60 dB射频功率： +20 dBm，生存+30 dBm控制电压：0-6伏连接器：SMA母头
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2022/9/16 9:42:01
重要参数 一般规格 极宽带： DC-18.0 GHz 衰减值：3、6、10 和20 dB标准 射频功率： +25°C时平均2瓦 标称阻抗： 50欧姆 温度范围： -55°C至+ 85°C 产品详情介绍 一般规格 校准衰减器套件 频率范围： DC-18.0 GHz 衰减值：3、6、10 和20 dB 校准点（GHz）： DC，2.0、4.0、8.0、12.4和18.0
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2022/9/16 9:40:10