英飞凌推出SECORA™ ID V2安全芯片与eID-OS原生系统双解决方案，突破性实现6.8Mbps数据传输速率（提升80%）与0.5秒核验响应。通过40nm工艺集成指纹卡内匹配与Integrity Guard 32安全架构，为全球电子护照、数字身份证提供军用级（EAL6+）安全认证与快速落地能力。核心作用▶ 电子护照个人化时间缩短至8秒/本（传统方案15秒）▶ 生物特征数据泄露风险降低100%（本地化匹配）▶ 证照页碳足迹减少28%（超薄模块材料优化）产品关键竞争力1. 极速核验引擎：SECORA V2：6.8Mbps非接传输（行业平均3.5Mbps）eID-OS：0.5秒全流程认证（含生物特征比对）2.隐私保护突破：Match on Card技术：指纹数据永不离开芯片沙盒环境：原生代码集成不影响EAL6+认证3. 绿色制造创新：超薄耦合模块：页面厚度降至0.3mm材料成本降低22%，兼容再生基材4. 全球标准覆盖：●预集成Visa/Mastercard支付协议●EMVCo+ICAO双国际认证实际应用场景1. 智慧边境管控：电子护照自助通道：0.5秒/人通关（传统柜台45秒）生物签证核验：指纹比对错误率＜0.001%2. 数字民生服务：社保卡金融支付：单芯片支持医保+银联双应用电子驾照路检：交警PDA 3秒完成真伪核验3. 绿色证照升级：再生塑料电子护照：超薄模块减重30%碳中和身份证：材料碳足迹降低28%英飞凌双方案以“EAL6+安全+6.8Mbps速率”重新定义电子证照标准，其超薄模块技术推动行业年减碳量达8万吨。SECORA ID V2已应用于欧盟数字疫苗护照项目，实现3秒跨国核验。随着金砖国家数字身份互认加速，英飞凌将推出支持多国eID堆叠的量子安全芯片，引领证照安全进入抗量子时代。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2025/8/1 11:40:38
Vishay推出第三代650V/1200V SiC肖特基二极管系列（VS-3C0xEJxx-M3），采用革命性SlimSMA HV(DO-221AC)封装。在0.95mm超薄厚度下实现3.2mm爬电距离，结合7.2nC超低容性电荷与MPS结构，为服务器电源/工业驱动器提供高频高效解决方案。核心作用▶ 服务器PSU效率提升1.2%（满足80 PLUS钛金）▶ 工业驱动器体积缩减35%（超薄封装优势）▶ 并联均流偏差＜5%（正温度系数特性）产品关键竞争力1. 绝缘革命：●3.2mm爬电距离（行业标准2.5mm）●CTI 600级材料耐电弧性提升3倍2. 高频性能：●7.2nC@650V（竞品＞15nC）●零反向恢复电流（Qrr=0μC）3. 热管理突破：●175℃结温下漏电流仅5μA●1.30V@2A超低正向压降4. 机械创新：●0.95mm厚度兼容柔性板设计●J-STD-020 MSL1级防潮认证实际应用场景●钛金服务器电源：PFC级1200V/2A二极管并联阵列●光伏优化器：650V MPPT防反二极管●医疗X光机：1200V高频逆变模块●车载OBC：SiC桥臂并联均流设计Vishay第三代SiC二极管以绝缘与薄型化双重突破，重新定义高压电源密度边界。其3.2mm爬电距离结合CTI 600材料，为潮湿/粉尘环境提供终极防护方案。该系列已导入多家头部服务器厂商，实测100kHz工况下温升降15℃。随着全球电气安全标准升级，此技术平台将延伸至1700V光伏市场，推动绿色能源设备可靠性革新。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/8/1 11:38:25
近日，英伟达向台积电大幅追加30万颗H20芯片订单，专供中国大陆市场，凸显阿里巴巴、字节跳动、腾讯、百度等陆系云端服务提供商（CSP）AI投资持续升温。这一动作直接点燃AI服务器代工链需求，工业富联、英业达、神达等代工厂迎来订单高峰，业务增长显著。据路透社报道，英伟达近日向台积电追加生产30万颗H20芯片的订单，目标明确指向中国大陆市场。此次追加源于陆系CSP（如阿里、字节、腾讯、百度）对AI算力的强劲需求——为应对自身AI模型研发及超大规模数据中心建设，这些企业在2025年4月美国政府升级AI芯片管制措施前已提前备货，但持续扩大的AI投资仍推动英伟达进一步增产。受此带动，鸿海集团旗下工业富联（FII）等AI服务器代工厂迎来业务爆发。工业富联2025年第二季度云端运算业务营收同比增超50%，其中AI服务器营收增幅超60%，CSP服务器营收更同比暴增超150%，直接反映陆系客户拉货动能强劲。英业达作为深耕大陆市场的代工厂，已打入百度、阿里、腾讯、字节跳动四大CSP的AI服务器供应链，当前出货以L10（机柜组装与测试）及L11（服务器整合与机架布建）为主。尽管此前美国禁令导致客户提前储备H20库存（可覆盖全年需求），但随着禁售令调整，英业达预计下半年出货将转向主机板（L6）等高单价产品，有望通过产品组合优化提升毛利率。阿里云作为大陆AI基础设施（Iaas）龙头，2024年市占达23%，其近期推出的高性能AI编程模型进一步催动算力需求。业内认为，陆系CSP对H20的持续采购及AI服务器建置，将成为2025年服务器代工链增长的核心驱动力。英伟达30万颗H20芯片的追加订单，不仅是陆系CSP AI投资热潮的直接体现，更标志着2025年AI服务器代工链进入高景气周期。随着算力需求从模型训练向更多场景渗透，代工厂通过技术升级与产品组合优化，有望持续分享AI基础设施建设的红利。免责声明：本...
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2025/8/1 11:33:51
近日，AMD对旗下Instinct MI350 AI加速器启动价格调整，售价从15,000美元跃升至25,500美元，涨幅达70%。这一变动引发行业热议，其背后是AI算力需求激增与产品性能优势的双重支撑。作为对标英伟达B200的竞品，MI350此前凭借性价比优势占据市场，此次调价或预示高端AI加速器赛道竞争格局的新变化。据汇丰银行最新研究报告，AMD近日将Instinct MI350 AI加速器的售价从15,000美元上调至25,500美元，涨幅达70%。该产品作为AMD在AI算力领域的主力机型，直接对标英伟达的B200加速器，此前以“高性能+相对低价”策略赢得市场青睐。此次大幅调价，业内分析主要源于两方面因素：一是AI大模型训练、高性能计算等场景对高端算力的需求持续攀升；二是AMD通过技术迭代巩固了MI350的性能优势，为其定价权提供支撑。回顾AMD的AI加速器布局，Instinct系列自推出以来便以迭代速度和性价比见长。MI350作为最新一代产品，在浮点运算能力、内存带宽等核心指标上接近英伟达B200，但此前售价更具竞争力。尽管此次涨价可能短期影响部分客户的采购节奏，但汇丰报告指出，随着AI技术向更多行业渗透（如自动驾驶、生物计算），市场对高端加速器的需求仍将持续增长，AMD有望通过技术维持市场份额。值得关注的是，AMD在研发领域的持续投入被视为其核心优势。报告提到，2025年AMD在AI芯片架构优化、Chiplet封装技术等方面的突破，为其产品性能提升和成本控制提供了空间。此次调价或也反映出AMD对未来市场供需关系的乐观预期——在算力需求激增的背景下，高端AI加速器的价格弹性可能高于传统半导体产品。AMD MI350 AI加速器70%的涨幅，既是市场供需变化的直接体现，也是其技术竞争力升级的信号。随着AI应用场景的拓展和算力需求的持续释放，高端AI加速器赛道或迎来新一...
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2025/8/1 11:31:32
全球分立半导体与无源元件巨头Vishay Intertechnology（NYSE: VSH）正式推出3/8英寸方形单匝金属陶瓷微调器M61，瞄准工业电子设备中电路校准与PCB布局的核心痛点。该器件通过扩展轴、交叉插槽转子及手指旋钮三类操作选项，结合顶部/侧面多向引脚配置，首次在微型化封装中实现人机交互友好性与电路板空间优化的协同突破。作为Vishay Sfernice系列的新成员，M61以全密封金属陶瓷结构为核心，在10Ω~2MΩ阻值范围、-55℃~+125℃工作温度区间内提供±100ppm/℃的温度稳定性，成为焊接设备、3D打印机、电动工具等工业场景的理想选择。技术难点与创新应对方案工业电路校准的传统瓶颈在高温、多尘、振动的工业环境中，传统微调器常面临三大挑战：●空间占用矛盾：小型化需求与手动调节便利性难以兼顾；●环境适应性差：清洗流程导致密封失效，温漂引发参数偏移；●布局灵活性不足：单引脚配置限制PCB走线与元件排列。M61的针对性革新●空间优化：3/8英寸（9.5mm）方形封装搭配可选旋钮/扩展轴，实现手指直接操作，无需额外工具，减少外围空间预留；●环境强化：全密封设计抵御电路板清洗溶剂侵蚀，85℃环境下0.5W额定功率保障高温稳定性；●布局自由：多引脚配置支持垂直或水平安装，适应高密度PCB的边角与狭缝区域。在工业系统中的核心作用M61不仅是一款基础调节元件，更是系统精度的“动态校准器”：●实时补偿电路偏差：宽阻值范围覆盖传感器信号调理、电源反馈回路等多场景需求；●降低生产失效率：出厂前的快速校准能力，避免因电阻容差导致的整机性能波动；●延长设备寿命：金属陶瓷材料抗老化特性，减少维护频次。产品关键竞争力分析1. 极端环境耐受性●工作温度：-55℃~125℃（超越常规工业级-40℃~85℃标准）●密封等级：IP67等效（防尘、耐化学清洗剂）2. 电气性能优...
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2025/7/30 13:41:01
近日，服务器CPU市场迎来历史性转折——AMD凭借EPYC系列产品的强势表现，市场份额突破50%，与英特尔形成分庭抗礼之势，彻底终结了后者在该领域的长期主导地位。这一数据来自PassMark最新服务器CPU市场占有率调查，标志着数据中心算力竞争正式进入“双雄时代”。从2%到50%：AMD的逆袭轨迹时间回拨至2017年，AMD在服务器CPU市场的份额仅约2%，几乎处于边缘地位。但短短几年间，其通过EPYC产品线的持续迭代，实现了惊人跨越。核心驱动力在于Zen架构的引入——2017年推出的EPYC Naples系列首次将Zen架构带入数据中心，凭借高核心数、高能效比等优势，迅速赢得企业客户认可。此后，EPYC系列不断进化（如Rome、Milan、Genoa等代际），性能与生态适配能力持续提升，最终在2025年将市场份额推至50%的临界点。英特尔至强遇冷：架构与节点的双重挑战对比之下，英特尔至强平台（Xeon）的颓势成为AMD崛起的关键背景。近年来，英特尔虽持续优化至强架构，但在制程节点研发上进展缓慢，导致产品性能提升受限。同时，领导层变动与战略调整的滞后，进一步削弱了其市场响应能力。英特尔现任首席执行官陈立武曾公开承认，公司在行业标准制定与技术节点竞争中已大幅落后，甚至跌出全球前十大半导体公司之列。技术驱动：EPYC如何赢得数据中心青睐AMD的逆袭，本质是技术需求与市场供给的精准匹配。随着云计算、AI等场景对算力的要求从“单核性能”转向“多核并行与能效比”，EPYC系列凭借Zen架构的高扩展性、高内存带宽优势，更贴合数据中心降本增效的需求。例如，EPYC Genoa处理器单芯片集成96个核心，支持12通道DDR5内存，在虚拟化、高性能计算等场景中表现突出，成为企业升级服务器的首选之一。行业影响：从“一家独大”到“双雄竞争”AMD市场份额突破50%，不仅改变了服务器CPU市场的竞...
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2025/7/28 13:52:03
随着全球AI算力需求持续爆发，服务器市场正经历结构性转型。据TrendForce集邦咨询最新调研，当前传统服务器需求趋于稳定，众多ODM厂商正加速布局AI服务器赛道。其中，英伟达基于Blackwell架构的新一代GPU产品成为行业关注焦点，其2025年市场表现或将改写高端GPU竞争格局。Blackwell GPU成英伟达高端主力，2025年占比或超80%TrendForce集邦咨询数据显示，自2024年第二季度起，英伟达Blackwell平台产品（如GB200 Rack、HGX B200）已进入量产爬坡阶段，而下一代B300、GB300系列正通过客户验证，预计2025年将全面铺开。机构预测，2025年Blackwell GPU在英伟达高端GPU出货量中的占比将突破80%，成为绝对主力。北美云厂商扩容AI数据中心，带动ODM厂商订单增长北美云计算巨头甲骨文（Oracle）近期加速扩建AI数据中心，为产业链注入新动能。富士康凭借与甲骨文的深度合作，AI服务器订单量显著提升；超微电脑则通过切入GB200 Rack项目，将AI服务器作为2025年核心增长引擎；广达依托与Meta、AWS、Google的长期合作基础，不仅拓展了GB200/GB300 Rack业务，还成功拿下甲骨文订单，在AI服务器领域表现亮眼；纬颖科技则持续深化与Meta、Microsoft的合作，并以AWS Trainium AI机型（ASIC方案）为主力，预计2025年下半年业绩将迎来新增长。液冷技术成高端AI服务器标配，数据中心设计理念升级值得关注的是，随着GB200/GB300 Rack在2025年大规模出货，液冷散热方案在高端AI芯片中的渗透率持续提升。相较于传统气冷系统，液冷架构需配套更复杂的设施（如机柜/机房级冷却液管线、冷却水塔、流体分配单元CDU），因此新建数据中心多采用“液冷兼容”设计理念，从规划...
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2025/7/28 13:49:44
2025年，英伟达正式启动SOCAMM（新型内存模块）部署计划，预计规模达60万至80万个，这一动作被视为内存市场的重要转折点。作为HBM（高带宽内存）的潜在替代方案，SOCAMM虽初期部署量较小，却可能引发内存技术与基板行业的深度变革，为AI时代的高性能计算需求提供新解法。SOCAMM定位：HBM替代的“潜力选手”英伟达将SOCAMM定位为HBM的补充与潜在替代方案，其首批应用将落地于GB300 Blackwell平台及AI PC Digits产品。尽管2025年SOCAMM的60万-80万模块部署量远低于同期900万个HBM订单，但业内认为，这一技术突破标志着内存市场从“单一高带宽”向“性能-成本平衡”的转型尝试。技术优势：带宽、功耗、尺寸的“三重优化”美光科技作为首家通过量产认证的供应商，率先验证了SOCAMM的技术价值。据美光披露，相比服务器传统RDIMM模块，SOCAMM带宽提升2.5倍，同时尺寸与功耗均减少约三分之一。这一特性精准契合AI工作负载对“高算力+低能耗”的双重需求，尤其在AI服务器与工作站场景中，可有效平衡性能与经济性。应用场景：从专业到消费的“跨界野心”初期，SOCAMM将集中应用于AI服务器与高端工作站，但英伟达将其纳入AI PC Digits产品线的动作，释放出明确的消费市场拓展信号。业内分析指出，这种“专业-消费”场景的跨界融合，是SOCAMM实现规模化应用的关键——通过覆盖更广泛的使用场景，推动技术成本进一步下降，形成正向循环。产业影响：基板行业迎来“新需求拐点”SOCAMM的崛起不仅改变内存格局，更重塑了基板（PCB）行业的竞争态势。由于该模块需定制化设计的PCB，全球基板供应商正面临新的需求类别。目前，美光已率先量产，三星、SK海力士也在加速洽谈供应合作，全球TOP级DRAM厂商的竞争从“内存性能”延伸至“基板适配能力”。未来展望：小订...
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2025/7/28 13:41:49
金升阳2025年推出LMB系列双向工业电源，通过90%电能回馈技术与305V超限电网耐受能力，解决锂电池化成分容、老化检测等高能耗场景痛点。产品覆盖2.25-16.5kW功率段，支持230V中压输出及60kW智能并联，3ms无缝切换实现年省电费超3万元/台（工业电价0.8元/kWh），已通过EN62477安全认证。核心作用●能效革命：90%电能回馈使锂电池产线能耗降低40%●电网友好：THDI0.99避免电网污染罚款●维护智能：单机故障自动退出，系统功率无损持续运行产品关键竞争力●效率标杆：≥30%负载时效率维持90%（竞品普遍●电网韧性：支持三相无零线运行，安装成本降30%●环境强固：-10℃~60℃宽温运行（45℃满功率不降额）●扩展灵活：CAN总线并联60kW，功率密度达22W/cm³实际应用场景●锂电池分容：16.5kW系统循环检测（单机日回馈电能240kWh）●储能电站维保：电池组老化测试（-10℃低温满功率运行）●电动汽车维修：动力电池深度充放电（1.1倍容性负载启动）●光伏储能调试：230V中压模拟电网波动（305V耐压保障安全）金升阳以 “能量回馈×电网免疫×智能扩展” 技术三角，重新定义工业电源价值标准。LMB系列将推动锂电池制造能耗降低，维保效率提升，为新能源产业年节省百亿级电费支出，加速“双碳”目标下绿色智造进程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/25 13:45:05
7月22日，在京畿道城南市举办的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇透露：三星计划从第7代16层HBM“HBM4E”开始逐步引入混合键合技术，并将在第8代20层HBM“HBM5”中实现全面量产。这一技术升级标志着HBM（高带宽存储器）向更高层数、更薄形态的关键突破。HBM技术升级背景：传统键合工艺遇瓶颈HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM芯片来提升数据处理速度的存储器，其性能核心在于“键合”工艺——即连接各层DRAM的技术。目前，主流HBM产品（如第5代HBM3E）最高堆叠12层，主要采用热压键合（TC）技术。但随着HBM层数向16层及以上扩展，传统TC键合的局限性逐渐显现：堆叠间隙难以进一步缩小，且散热性能受限。金大宇常务指出：“当HBM层数超过16层时，传统热压键合将无法满足工艺需求。若键合间距缩小至15μm以下，必须转向无焊料的混合键合技术。”混合键合技术优势：更薄、更高效混合键合是一种颠覆性工艺，其通过直接连接DRAM的铜电极，消除传统微凸块（焊球）结构。这一改变不仅能大幅减少HBM厚度（更适合高密度封装），还能提升散热效率——由于铜电极直接接触，热量传导路径更短，有助于缓解高功耗下的散热难题。根据三星规划，第7代16层HBM4E将同时采用TC键合与混合键合技术，逐步过渡；而第8代20层HBM5则将完全依赖混合键合，实现量产。目前，商业化最新的HBM3E产品仍以12层为主，预计第6代16层HBM4将延续传统键合工艺，为技术升级预留缓冲期。行业影响：推动HBM性能与密度双提升三星作为全球存储器龙头，其技术路线对HBM行业发展具有风向标意义。混合键合的引入，不仅将解决高层数HBM的物理限制，更可能推动HBM向更小尺寸、更高带宽的方向演进，满足AI、高性能计算等领域对存储器性能的苛刻需求。业内分析认为，随着HBM层数突破...
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2025/7/25 13:40:09
2025年第二季度，全球半导体巨头德州仪器（TI）交出了一份亮眼的成绩单。数据显示，公司Q2实现营收44.5亿美元，同比增长16%，环比增长9%；运营利润达15.6亿美元，同比增长25%，超出分析师预期的14.7亿美元。这一成绩不仅延续了Q1的增长势头，更凸显了其在模拟芯片领域的领先地位。核心业务全线增长，模拟芯片成主力从业务结构看，德州仪器两大核心板块均实现双位数增长。其中，模拟芯片业务Q2营收34.52亿美元，同比增长18%，运营利润13.25亿美元，同比增幅达27%，成为整体增长的主要驱动力；嵌入式处理芯片业务营收6.79亿美元，同比增长10%，运营利润8500万美元，同比增长6%。公司表示，模拟芯片的强劲需求主要来自工业、汽车及消费电子领域的持续扩张，而嵌入式处理芯片的增长则受益于边缘计算和物联网设备的普及。Q3预期谨慎，关税影响成变量尽管Q2业绩超预期，德州仪器对Q3的展望保持谨慎。公司预计Q3营收区间为44.5亿至48.0亿美元，中位值略高于分析师预期的45.7亿美元。不过，公司首席执行官Haviv Ilan特别指出，当前财测未纳入美国近期税法变动的影响，而全球关税政策与贸易局势的波动正在重塑供应链格局。“第二季度的强劲表现中，部分增长可能源于客户对关税环境的提前应对。”他表示，部分客户或因预期关税上调而提前下单，间接推动了Q2的业绩增长。600亿投资扩产，加速本土制造布局为应对供应链不确定性并提升产能弹性，德州仪器正在加速本土制造能力的建设。6月，公司宣布将在美国得克萨斯州和犹他州投资超过600亿美元，新建7座300毫米晶圆厂，创下美国成熟制程芯片生产的投资纪录。项目预计将创造超6万个就业岗位，重点生产模拟及嵌入式处理芯片。Haviv Ilan强调：“通过建设可靠、低成本的大规模产能，我们旨在为苹果、福特、美敦力等美国企业提供更稳定的芯片供应，共同释放本土创新...
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2025/7/25 11:58:25
苹果计划于2025年9月或10月推出新一代iPad Pro，此次升级被视为近年来最重大的设计革新。 据彭博社记者Mark Gurman披露，新款iPad Pro将搭载性能更强的自研M5芯片，并首次采用双前置镜头设计，全面提升AI性能与摄像体验，有望激发新一轮换机需求，台积电、大立光、玉晶光、鸿海等供应链厂商将直接受益。核心升级：M5芯片+双镜头，性能与体验双突破新款iPad Pro的核心升级包括两大亮点：●M5芯片：由台积电以3nm（N3P）制程独家代工，性能较上一代M4芯片提升至少10%，进一步强化AI运算能力与多任务处理效率；●双前置镜头：打破现有M4版iPad Pro单颗前置镜头的局限，首次配置“纵向”与“横向”双镜头，用户无需调整设备方向即可实现更便捷的摄像与视频通话体验。分析指出，双镜头设计不仅优化日常使用场景，更可能为部分AI应用（如实时背景虚化、动态追踪）提供硬件支持，延续苹果“软硬协同”的创新策略。供应链受益：镜头厂订单倍增，代工与芯片厂稳占主导从供应链分工看：●鸿海：继续独家负责iPad Pro的组装代工，延续其与苹果的深度合作；●台积电：作为M5芯片唯一供应商，凭借制程技术巩固与苹果的绑定关系；●大立光、玉晶光：分食双前置镜头模组订单，镜头需求因新增一颗而直接倍增，成为此次升级的最大受益者之一。法人机构认为，随着用户对“工作+娱乐”一体化设备的需求增长，新款iPad Pro的拉货力度预计从近期开始增强，并持续至2026年初，为供应链出货提供强劲动能。发布节奏：遵循18个月更新周期，9月或成关键节点回顾苹果产品周期，现行M4版iPad Pro于2024年5月发布，按约18个月的更新周期推算，M5版量产及发布时间锁定2025年下半年。结合供应链动态，9月或10月成为最可能的发布窗口，与苹果秋季新品季形成联动。苹果此次对iPad Pro的重大升级，不仅通过M5...
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2025/7/25 11:56:30
全球汽车芯片龙头恩智浦半导体公布2025年第二季度财报，营收同比下降6.4%至29.3亿美元，略高于分析师预期的29亿美元。 尽管每股收益2.72美元超出市场预期，但整体业绩仍受通信与基础设施部门大幅下滑拖累，反映出半导体行业在结构性调整中的分化态势。部门表现：通信业务领跌，汽车业务暂稳恩智浦的核心业务覆盖汽车、工业、通信及物联网领域。财报显示，第二季度：●通信与基础设施部门：营收同比骤降27%至3.2亿美元，成为最大拖累项；●工业与物联网部门：营收下降11%，延续需求疲软趋势；●汽车部门：营收同比持平，占公司总营收比重超50%，仍是核心支柱。公司预计第三季度营收将达30.5亿~32.5亿美元，中值31.5亿美元高于分析师预期的30.7亿美元，释放边际改善信号。行业挑战：关税扰动与电动汽车需求波动恩智浦的业绩承压与多重外部因素相关。其一，美国政府关税政策扰动全球供应链，导致客户订单不确定性增加；其二，汽车行业虽占其营收半壁江山，但全球电动汽车市场增速放缓（尤其中国以外地区），叠加前期芯片供应过剩影响，相关产品销售已连续18个月承压。恩智浦CEO Kurt Sievers曾在4月表示，随着客户订单趋于稳定，第二季度或为“业绩转折点”。但从实际数据看，通信与工业部门的疲软仍凸显非汽车领域的复苏滞后。未来展望：汽车业务韧性待考尽管Q3营收预期边际上调，但恩智浦的长期增长仍高度依赖汽车行业的技术升级与需求回暖。分析指出，若全球电动汽车市场能逐步消化过剩产能，同时智能驾驶、车联网等新兴应用加速落地，恩智浦凭借其在汽车芯片领域的技术积累，或有望重返增长轨道。恩智浦Q2财报折射出半导体行业的结构性分化：汽车业务虽暂稳，但通信与工业领域的疲软仍需时间消化。在关税政策与电动汽车需求波动的双重影响下，这家芯片巨头需在供应链韧性与技术迭代中寻找新平衡点。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于...
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2025/7/25 11:53:23
英飞凌推出PSoC™ 4 HVMS车规级微控制器，通过单芯片集成高压供电（直连12V电池）与第五代CAPSENSE™触控技术，实现空间受限型车载系统的革命性集成。该系列搭载128KB闪存，符合ISO26262 ASIL-B标准，支持-40~125℃全温域运行，已批量用于方向盘检测、智能门把手等场景。核心作用●空间释放：QFN 5×5mm封装实现触控+通信+电源三合一●安全升级：ASIL-B认证保障方向盘手部检测功能安全●交互革新：0.1mm触控分辨率（车窗防夹控制精度提升3倍）产品关键竞争力●高压直连：内置LDO支持6-40V宽输入（无需外部电源IC）●触控标杆：第五代CAPSENSE™信噪比达200:1（较前代提升3倍）●通信全能：原生支持LIN/CXPI车载网络协议●开发生态：ModusToolbox™提供符合ISO26262的安全库实际应用场景●智能门把手：雨天电容补偿（第五代CAPSENSE™抗水渍干扰）●天窗防夹：0.1mm触控分辨率实现5N力度精准检测●PTC加热器：125℃环境温度下闭环控制（内置运放+ADC）●座椅调节：LIN总线级联控制减少80%线束英飞凌通过 “高压直连×触控进化×功能安全” 三维创新，重新定义空间受限型汽车电子设计标准。PSoC™ 4 HVMS系列将加速车载机械按钮的淘汰进程，推动智能座舱HMI组件成本下降30%，为2025年L3+自动驾驶普及提供底层交互保障。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/24 13:54:12
Bourns推出革命性不锈钢基板厚膜电阻TFOS30-1-150T，通过AEC-Q200车规认证并实现150W超高功率密度。产品采用特种钢基材替代传统陶瓷，工作温度横跨-65℃至+175℃极端区间，专为新能源储能系统、工业电源等高能场景打造。核心作用●安全升级：175℃满负荷运行，太阳能逆变器故障率下降40%●空间革命：30×15mm尺寸实现150W功率（体积较陶瓷方案缩小60%）●环境适配：极寒地区电梯制动系统-65℃冷启动保障产品关键竞争力●功率密度王者：150W@175℃（竞品极限100W）●车规级可靠性：AEC-Q200认证+3000次温度循环验证●定制灵活性：支持基板尺寸/阻值/引脚三维度定制●生态兼容性：无缝替换传统陶瓷厚膜电阻实际应用场景●储能系统：电池包预充电电路（175℃耐受短路电流冲击）●光伏逆变器：DC/AC转换支路（16W/mK导热保障满功率输出）●工业电梯：再生制动能量回收（-65℃极寒环境稳定运行）●新能源车：电驱系统动态刹车（AEC-Q200保障功能安全）Bourns以 “不锈钢基材×车规可靠性×极限功率密度” 三重创新，重新定义高能电子电路保护标准。随着全球碳中和进程加速，该技术将推动储能系统功率密度提升50%，工业电源故障率下降30%，为新能源革命提供底层硬件保障。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/24 13:51:38
2025年第二季度，美国对华AI芯片出口管制政策出现微调，英伟达H20与AMD MI308系列芯片获准恢复向中国大陆供货。这一变动被视为美国在“维护国安”与“保留商业利益”间的平衡之举，不仅缓解了英伟达、AMD的库存压力，更推动台积电、致茂、台光电等半导体链厂商加速去化库存，产业链迎来阶段性利好。政策调整背景与影响出口管制精准化：●美国商务部采用“分级审批”机制，允许非AI芯片（如H20、MI308）对华出口，但保留对算力密度、互联带宽等核心指标的限制；●英伟达CEO黄仁勋此前估算，中国大陆AI市场规模达500亿美元，2025年4月全面禁令导致其损失25亿美元营收，并计提45亿美元库存损失。供应链库存回冲：●英伟达第二季度大陆市场出货恢复后，H20芯片库存去化速度提升30%，预计可冲回8亿美元损失；●AMD为冲刺业绩，加速MI325X（采用台积电N5制程）量产，并搭配CoWoS封装技术，带动致茂（SLT测试设备）、颖崴（测试座）等厂商订单增长。核心技术升级与产业链协同1. 制程与封装迭代：●台积电N3制程成为AMD Turin CPU主力工艺，单颗芯片算力密度提升至400TOPS/W；●CoWoS封装技术升级至2.5D/3D混合模式，支持MI325X与HBM3E内存的高带宽互联。2. 测试设备需求爆发：●致茂SLT Tester（系统级测试设备）需求量随AI加速器出货增长，2025年订单同比预增45%；●颖崴配合CPU/GPU FT（最终测试）的测试座产品，单价提升至1200美元/套。全球竞争格局演变●台系厂商主导地位强化：台积电在AI芯片代工领域市占率超70%，金像电（PCB）、台光电（CCL）等材料商同步受益；●美厂策略分化：英伟达聚焦H20与H100的差异化组合，AMD则通过MI325X的“高性价比”路线争夺云计算市场。未来趋势展望●政策不确定性持续：2026年美国大...
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2025/7/24 13:46:37
随着2025年下半年电子行业传统旺季临近，NAND Flash市场价格迎来明确反弹信号。据业界最新预测，第三季度NAND Flash涨价已成定局，其中512Gb以下容量产品预计涨幅超过15%，1Tb以上高容量产品涨幅则集中在5%至10%之间，市场供需格局正加速调整。涨价核心驱动：原厂持续减产，供给紧缩效应显现此次价格反弹的主因可追溯至2024年下半年起，NAND Flash原厂启动的持续减产策略。以美光、SanDisk等头部厂商为代表，行业通过大幅缩减NAND晶圆投片量，主动调节市场供给节奏。这一措施经过近一年的传导，终于在2025年第三季度形成显著的供给紧缩效应，推动价格明显回升。具体来看，512Gb以下小容量产品因应用场景广泛（如消费电子、嵌入式存储等），且前期减产力度更大，供需失衡更为突出，故涨幅预计超15%；而1Tb以上高容量产品主要面向数据中心、企业级存储等需求相对稳定的领域，减产影响较弱，涨幅控制在5%-10%区间。市场背景：电子旺季需求支撑，价格反弹获双重驱动2025年下半年，全球消费电子、PC、智能手机等终端市场进入传统销售旺季，下游厂商备货需求增加，进一步强化了NAND Flash的涨价预期。原厂减产与需求回暖的双重作用下，市场价格得以形成有效支撑，反弹趋势愈发明确。结语：2025年第三季度NAND Flash涨价潮的来临，既是原厂通过减产调节市场的结果，也反映出下游电子行业需求逐步回暖的积极信号。对于存储产业链而言，价格反弹有望缓解原厂盈利压力，同时需关注终端市场对成本上升的承接能力，未来供需动态仍需持续观察。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/7/22 11:20:23
Bourns最新推出的BTN02G与BTN04G系列表贴式NTC热敏电阻，以±1%的电阻公差和±1%的B值公差重新定义温度传感精度标准。该系列采用EIA 0402（BTN04G）及0201（BTN02G）超小型封装，支持-40°C至+125°C工业级工作温度范围，专为应对行动装置、多节锂电池组、LCD显示器等紧凑型电子设备的热管理挑战而设计。通过半导体陶瓷与内部电极的创新结构，实现在宽温区内阻值平稳线性变化，为高敏感度电子系统提供可靠温度补偿。核心作用在电池管理、显示驱动等关键系统中，BTN02G/BTN04G通过三重核心功能实现热安全管理：●精准温感：±1%电阻公差实现±0.5℃测量精度，预防锂电池热失控●实时补偿：快速响应温度变化（τ●系统简化：直接表贴设计取代外置探头，降低BOM成本30%以上产品关键竞争力●精度领跑：行业顶尖的±1%电阻公差（竞品普遍≥±2%）●超微尺寸：BTN04G仅0402封装（1.0×0.5mm），比上一代缩小60%●环境适应性：-40℃~125℃宽温区性能，满足汽车电子Grade 2标准●合规优势：无卤素材料+RoHS认证，出口设备免检适配实际应用场景1. 锂电池热安全管理在16串锂电池组（67.2V）中直接贴装于电芯表面，通过±1%阻值变化精准预警热失控风险，响应速度比传统热电偶提升5倍。2. LCD显示色温补偿集成于电视/手机显示屏驱动板，实时校正背光LED因温升导致的色偏，补偿精度达98%。3. 快充适配器过热保护在GaN快充模块中监测变压器热点温度，触发温度阈值可设定为±1℃精度。4. 物联网传感器节点为BLE模组提供0.1mA级超低功耗温度传感，延长钮扣电池寿命50%。Bourns BTN02G/BTN04G系列通过...
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2025/7/21 13:52:03