芯片公司安森美（Onsemi）公布的财报显示，2024年第一季度该公司营收为18.6亿美元，小幅超出华尔街预期的18.5亿美元；每股收益为1.08美元，同样超出预期的1.04美元；毛利率尽管同比小幅下滑，但维持在45.8%。面对电动汽车市场销售疲软，安森美表示由于成本降低，使得毛利率保持稳定。该公司CEO Hassane El-Khoury表示，过去三年中对业务进行的结构性改革，使得公司能够在充满挑战的市场中维持毛利率。安森美预计第二季度营收为16.8亿~17.8亿美元之间，低于预期的18.3亿美元；调整后的每股收益为86~98美分，低于平均预期。这一预测引发华尔街分析师对汽车芯片需求复苏的担忧，有可能导致安森美芯片订单下滑，以及客户库存增长。据悉，安森美主要供应用于电动汽车传动系统的芯片，以及用于摄像头和传感器等驾驶辅助系统的产品。该公司生产的碳化硅芯片可提高效率，扩大电动汽车续航里程。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
17
2024/5/10 16:08:05
英飞凌科技股份公司发布全新PSOC™ Edge微控制器（MCU）系列的详细信息，该系列产品的设计针对机器学习（ML）应用进行了优化。新推出的PSOC™ Edge MCU三个系列E81、E83 和 E84在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件，使开发人员能够快速将概念转化为产品，并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。英飞凌全新的PSOC™ Edge E81、E83和E84 MCU基于高性能的Arm® Cortex®-M55内核，支持Arm® Helium™ DSP指令集并搭配Arm® Ethos™-U55神经网络处理器，以及Cortex®-M33内核搭配英飞凌超低功耗NNLite（一种用于加速神经网络的专有硬件加速器）。此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi® 6、BT/BLE的连接和Matter协议等。PSOC™ Edge E81 采用Arm® Helium™ DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC™ Edge E83和E84内置Arm® Ethos™-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex®-M系统相比，其机器学习性能提升了480倍，并且它们支持英飞凌NNlite神经网络加速器，适用于低功耗计算领域的机器学习应用。PSOC™ Edge E8x系列的目标应用包括家电和工业设备中的人机界面（HMI）、智能家居和安全系统、机器人和可穿戴设备。这三个系列均支持通过语音/音频感应来实现激活和控制，其中E83和E84 MCU为先进HMI的实现提供了增强功能，包括机器学习唤醒、视觉位...
浏览次数：
22
2024/5/6 16:06:53
德州仪器（TI）4月23日在一份声明中表示，第二季度销售额预计将高达39.5亿美元，这超出分析师预计的37.8亿美元。TI预计每股利润为1.05美元至1.25美元，而分析师预测为1.17美元。该公司的乐观预测，加上消费电子产品需求的改善，表明模拟芯片库存调整可能正在缓解，工业和汽车零部件需求的下滑可能正在缓解。Summit Insights分析师Kinngai Chan表示：“投资者希望看到需求复苏的迹象或渠道库存调整完成的迹象。TI的前景满足了他们的需求。”TI的芯片有助于为电子设备供电并允许数字处理器与“现实世界”进行通信。研究公司Counterpoint的数据显示，在经历连续八个季度的低迷之后，2024年前三个月全球个人电脑出货量增长约3%。Kinngai Chan表示，虽然模拟公司的销售额仍将下降，但该行业在未来几个季度将出现更典型的季节性需求。TI表示，该公司最大的细分市场——工业设备制造商的大多数客户已经完成库存削减工作。但有些企业仍在完成这个过程。首席财务官Rafael Lizardi在接受采访时表示，这导致需求复苏不平衡。该芯片制造商表示，将继续实行不对未来需求做出广泛预测的政策。TI第一季度营收下降16%至36.6亿美元，创下2020年以来的最低水平。TI是全球最大的模拟半导体和嵌入式处理器制造商，在芯片制造商中拥有最广泛的客户群，是从航天硬件到消费电子产品等各个行业的经济信心的风向标。该公司认为，这应该会让TI相对于竞争对手（尤其是中国的新兴竞争对手）更具有优势。到2026年，该公司每年为新工厂和设备投入约50亿美元的预算，这一支出将影响盈利能力。“这就是我们必须斗争的地方，”Lizardi说。“中国是竞争最激烈的市场，在那里我们拥有最优秀、最敏捷的竞争对手。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
浏览次数：
16
2024/5/6 16:04:46
TDK株式会社新近推出了爱普科斯 (EPCOS) B43659系列焊片式铝电解电容器。新系列元件是一款结构更紧凑的新一代通用型产品，工作电压为450 V（直流），具有更高的CV值，功能及适合应用和之前系列产品相同。不过，B43659系列元件的尺寸更为紧凑，仅为22 mm x 25 mm 至 35 mm x 50 mm（直径 x 高度），电容范围为140 µF 至 1030 µF不等。另外，新元件标配带2个端子的标准本版，也可视需要提供带3个端子的版本，以确保正确安装。新元件的主要性能特点包括：高纹波电流能力，可达7.01 A（120 Hz, +60 °C），在最高工作温度+105 °C条件下具有≥2000小时的使用寿命。客户可利用基于Web的AlCap工具 (https://www.tdk-electronics.tdk.com.cn/zh/524040/design-support/design-tools/alcap-useful-life-calculation-tool) 快捷计算元件在特定应用条件下的使用寿命。凭借高可靠性和紧凑尺寸，这些符合RoHS要求的铝电解电容器广泛适合各种应用，比如开关电源、变频器、不间断电源 (UPS)、医疗器械和光伏逆变器等。特性和应用主要应用电源变频器不间断电源医疗器械光伏逆变器不适合汽车应用（除非另有说明）主要特点和优势更高的CV值、更紧凑高可靠性高纹波电流能力可选带3个端子的版本以确保正确安装符合RoHS要求免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
19
2024/4/26 16:21:16
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型汽车级IHDF边绕通孔电感器---IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。这款器件边绕线圈的直流内阻（DCR）低至1.1mΩ，极大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-1A额定电流提高75%。器件采用超薄封装，便于设计师满足AEC-Q200标准严格的机械冲击和振动要求，同时降低基板高度，节省空间。电感器符合AEC-Q200标准，工作电压高达 500 VDC，适用于DC/DC转换器、逆变器、电机和开关噪声抑制，典型应用包括电动（EV）和混合动力汽车（HEV）车载充电器等大电流、高温车载系统。Vishay可根据要求定制IHDF-1300AE-1A固定方向、端接类型、标称电感值和额定隔离电压。为降低晶须生长风险，电感器采用热浸镀锡工艺。器件符合 RoHS 和Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表：外形尺寸1300高度 (mm)15.4电感 (µH)1.0~5.0DCR最大值(mΩ)0.79~1.11温升电流 (A)59~72饱和电流 (A)78~230(1)SRF典型值 (MHz)15~39(1) 直流电流（A）造成L0下降约20 %免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
18
2024/4/26 16:15:36
英飞凌科技股份公司发布全新PSOC™ Edge微控制器（MCU）系列的详细信息，该系列产品的设计针对机器学习（ML）应用进行了优化。新推出的PSOC™ Edge MCU三个系列E81、E83 和 E84在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件，使开发人员能够快速将概念转化为产品，并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。英飞凌科技工业MCU、物联网、无线和计算业务高级副总裁 Steve Tateosian 表示： “下一代物联网边缘设备要求在不影响功耗的情况下继续提高性能。英飞凌创新的PSOC™ Edge E8系列半导体产品不仅利用机器学习功能实现实时响应式AI，还平衡了性能与功耗要求，并为联网家用设备、可穿戴设备和工业应用提供了嵌入式安全性。作为MCU提供商，我们致力于为扩展未来物联网系统功能提供解决方案。”英飞凌全新的PSOC™ Edge E81、E83和E84 MCU基于高性能的Arm® Cortex®-M55内核，支持Arm® Helium™ DSP指令集并搭配Arm® Ethos™-U55神经网络处理器，以及Cortex®-M33内核搭配英飞凌超低功耗NNLite（一种用于加速神经网络的专有硬件加速器）。此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi® 6、BT/BLE的连接和Matter协议等。PSOC™ Edge E81 采用Arm® Helium™ DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC™ Edge E83和E84内置Arm® Ethos™-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex...
浏览次数：
16
2024/4/26 16:11:29
据《钜亨网》报道，全球半导体产业正逐步走出低谷，随着行情回温，美台韩芯片大厂开始为下一轮上行周期做准备，同时产业链也正在重建，在各国政府大手笔补贴下，芯片大厂纷纷启动新一轮建厂行动，加大布局抢占市场。在需求缓慢恢复以及价格触及反弹的推动下，全球三大存储芯片厂最新一季的财报都传来喜讯，三星公布的财测数字显示今年第一季营收年增11%至约71万亿韩元，营业利润更大幅年增931%至6.6万亿韩元左右，创2022年第三季以来的最高纪录。美光也结束连5季亏损，2月为止的第二季营收年增58%至58.2亿美元，季增率亦达23%，净利转亏为盈至7.93亿美元，因DRAM及NAND Flash需求及物价同步上升，SK海力士业绩更早在去年第四季回升，营收年增47.4%至11.3万亿韩元，超过市场最高预期，营业利润3460亿韩元，结束自2022年第四季以来持续的营业亏损。业绩回升之际，美韩厂商也逐渐恢复产能供给，并在AI浪潮推动下积极推动HBM扩产，三星据悉今年首季在南韩平泽跟中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升约30%但对进一步增产仍谨慎以对，希望避免影响NAND Flash的价格涨势，铠侠跟西部数据上月则率先将产能利用率恢复至近九成，可望带动今年NAND Flash产业供给位元年增率达10.9%。在DRAM方面，根据市场研究机构Omdia报告，三星将今年次季平均每月投片量调升至60万片，月增率13%，下半年料将增至66万片，DRAM产量恢复到减产前水准；SK海力士投片量也逐渐恢复，第二季每月平均投片量从第一季39万片增至41万片，下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。至于HBM方面，韩国厂商扩产则超过预期，三星高层在「Memcon 2024」全球半导体大会上表示，该公司今年HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于年初预测的2.4倍，在AI浪潮带动...
浏览次数：
12
2024/4/26 16:09:02
据韩媒BusinessKorea报道，三星电子和SK海力士正在激烈竞争，以引领人工智能（AI）时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产来获得优势。据业内人士透露，三星电子和SK海力士近日宣布了下一代半导体量产计划，重点在于谁能最先将这些新产品推向市场，吸引更多的关注。今年1月份，SK海力士开始量产第五代8层HBM3E，并取得优势。三星计划在今年上半年开始量产自己的8层HBM3E。但三星电子率先开发12层HBM3E，并于今年2月份开发成功。三星的目标是在今年晚些时候开始大规模生产，并向英伟达供货。与此同时，SK海力士今年上半年将向英伟达交付12层HBM3E样品。两家公司还竞相开发第六代HBM4，三星电子制定了明年开发HBM4并于2026年开始量产的路线图，三星HBM4计划提供三种选择：8层、12层和16层。SK海力士则计划在2026年实现HBM4量产，为了实现这一目标，该公司与台积电合作，SK海力士计划使用台积电的逻辑工艺技术生产HBM4。为了对抗SK海力士-台积电联盟，三星电子作为唯一一家拥有完整生产、代工和封装工艺的半导体公司，强调其为客户提供定制化HBM解决方案的能力。在DRAM领域，竞争仍在继续。三星电子最近发布了用于设备内置人工智能的LPDDR5X内存，其速度达到创纪录的10.7Gbps，超过了SK海力士用于移动设备的LPDDR5T的9.6Gbps。此外，三星电子计划于今年年底开始量产第六代10纳米DRAM，并于2026年开始量产第七代10纳米DRAM。SK海力士则计划于三年后推出第六代10纳米DRAM。据机构数据显示，去年第四季度，三星电子占据45.5%的DRAM市场份额，而SK海力士则占据31.8%。但在HBM市场，SK海力士拥有53%的市场份额，三星则为35%。下一代半导体的发展可能会显著改变市场格局，致使两家公司保持高度警惕。免责声...
浏览次数：
17
2024/4/26 16:06:18
Microchip 推出可配置的配套驱动板系列，使用基于碳化硅（SiC）或硅（Si）技术的混合功率驱动模块在可持续发展和减排这个重要目标的推动下，航空业需要高效和低排放的飞机。为了实现这些目标，航空动力系统开发商正在向电作动系统转型，推动多电飞机（MEA）蓬勃发展。为了向航空业提供全面的电作动解决方案，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新的集成作动电源解决方案。新解决方案将配套的栅极驱动板与我们采用碳化硅或硅技术的扩展型混合动力驱动（HPD）模块相结合，功率范围为 5 kVA 至 20 kVA。无论功率输出如何，新的集成作动电源解决方案都能保持相同的基底面。配套的栅极驱动板可与 Microchip 的 HPD 模块集成，为飞行控制、制动和起落架等系统的电气化提供一体化电机驱动解决方案。Microchip 的电源解决方案可根据最终应用的要求进行扩展，从用于无人机的较小作动系统到用于电动垂直起降（eVTOL）飞机、MEA和全电动飞机的大功率作动系统。Microchip负责分立式产品部的副总裁 Leon Gross 表示：“我们开发的配套栅极驱动板可与我们现有的 HPD 模块配合使用，为市场提供即插即用的 MEA 电源解决方案。有了这个解决方案，客户就不再需要设计和开发自己的驱动电路，从而可以减少设计时间、资源和成本。”这些高可靠性器件的测试条件符合 DO-160 《机载设备的环境条件和测试程序》，具有多种保护功能，包括击穿检测、短路保护、失饱和保护、欠压锁定（UVLO）和有源miller钳位。栅极驱动电路板由基于符合 TIA/EIA-644 标准的低电压差分信号（LVDS）的外部 PWM 信号驱动，具有低电磁干扰（EMI）和良好的抗噪能力。栅极驱动板通过从 HPD 模块中的分流器和直流母线电压获取反馈，为直流母线电流、相电流和电磁阀...
浏览次数：
21
2024/4/24 15:34:15
随着传统工控行业对大功率DC/DC电源需求不断增加，为更好地响应市场需求，金升阳重磅推出400W R3系列DC/DC宽压电源——URF24_HB-400WR3-N系列。该系列产品可广泛应用于工控、电力、轨道交通等相关行业。该系列产品采用国际标准的1/2砖式封装，效率高达95.5%，同时具备超宽的工作温度范围、高隔离电压、支持并联均流，具有全面的保护功能等。不仅有品质承诺，还有服务保障与技术支持，该系列产品以其高可靠性及综合性能为客户提供更优选择。一、产品优势1）优良的温度降额曲线温度性能对于产品稳定性有着不可忽视的影响，URF24_HB-400WR3-N系列产品可实现工作温度范围 -40 to +100℃（壳温），同时，满足标称输入100℃壳温下可带满载的优良性能。 2）优异且全面的性能产品具备并联均流功能，最大并联数量可达4个，通过并联自搭最高可满足约1600W的大功率需求，并且并联均流后输出电压仍可满足输出精度±1%（typ.），除了拥有优良的温度性能，并联均流功能，该系列产品还具备2250VDC高隔离电压，输出效率95.5%，纹波噪声低至200mV（typ.）等优点；同时，URF24_HB-400WR3-N系列具有输出过压、过流、过温、短路保护等全面的保护功能，可有效防止客户系统或设备工作异常造成不必要的损失。二、 产品应用 该系列产品可广泛应用于工控、通信、电力、轨道交通等相关行业，适应于大功率且有高可靠性需求的场景，为其提供高稳定、高性能、高可靠性的优质电源。三、 产品特点• 宽输入电压范围：9-40VDC• 效率高达95.5%• 隔离电压 2250VDC• 输出短路、过流、过压保护，过温保护• 支持并联均流功能• 工作温度范围 Tc： -40℃ to +100℃• 国际标准 1/2 砖 免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
浏览次数：
12
2024/4/24 15:30:45
英飞凌科技股份公司推出其最新功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。与上一代产品相比，英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超过1.3 mΩ。该产品以5 x 6 mm² 封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。此外，IAUCN08S7N013 还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的认证。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
16
2024/4/22 11:08:11
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用超亮InGaN芯片技术，典型发光强度分别达到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封装解决方案提高四倍。日前发布的LED亮度高、体积小，是需要在恶劣环境下可靠工作的小型高功率产品的完美选择。典型应用包括医用光疗；农业设备和能源发电系统信号灯；办公、娱乐和通信设备指示灯和背光；LCD开关和通用指示牌。此外，VLMTG2332ABCA-0在20 mA下典型波长为525 nm，是健身追踪器和其他通过绿光吸收率不同进行心率检测设备的理想选择。VLMB2332T1U2-08在20 mA下典型波长为465 nm，适用于那些利用短波长蓝光检测微小颗粒的烟雾探测器。LED的MiniLED封装采用的引线框嵌入白色热塑材料。器件半强角为± 60°，视角达120°，适用于均匀照明和背光，典型正向电压2.9 V。VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08按包装单位、发光强度和颜色分装。LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
13
2024/4/22 10:37:19
据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步，是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外，三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。业界人士表示，三星此举旨在满足人工智能（AI）热潮下对于NAND闪存的需求。随着人工智能领域从“训练”转向“推理”，需要处理大量数据，如图像和视频，因此需要大容量存储设备。观察人士还指出，三星对于其NAND业务在第一季度的盈利比较乐观。三星即将推出的第九代V-NAND采用双层键合技术提高生产效率，打破了业内专家的预测，此前曾认为要达到300层，需要三层键合技术。研究机构TechInsights预测，三星将在2025年下半年量产第十代V-NAND，可达430层，直接跳过350层。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
12
2024/4/22 10:34:01
研究机构Omdia近日表示，今年全球面板出货量将增长2%~3%，出货面积有望增长9%~15%。今年一季度全球主要面板厂商营收都较去年增长，面板产业复苏明显，获利改善。Omdia资深研究总监表示，疫情后人工智能（AI）需求带动面板需求，面板价格预计将在第三季度达到高点并维持。第四季度由于需求下降，面板价格可能下滑。Omdia研究总监表示，为避免陷入产业景气循环，出现亏损压力，面板厂商近年已着手转型，但转型不可一蹴而就，今年才是真正的转型元年。对于苹果iPad转为采用OLED面板，机构认为主要影响在于MiniLED背光模组市场。不过，电视用MiniLED背光源市场仍有望快速增长，MicroLED发展还在“地平线”，后续发展有待观察；OLED面板则需求火热。此外，机构表示，韩国面板厂商LG显示有望出售其位于广州的8.5代面板厂，买家可能是京东方；夏普的广州10.5代厂有机会卖给华星光电。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
16
2024/4/22 10:27:58
针对家电、智能家居等民用行业，金升阳推出高性价比5W开板电源LO05-10Bxx系列，该系列拥有宽输入电压：85-264VAC，内置电容：裸机满足EMI Class A，提供2年质保，拥有3000VAC隔离耐压，纹波噪声≤150mV，符合EN62368/60335/61558认证要求，安全可靠，可广泛应用于工业、办公/民用等领域。一、产品优势1）性能优异① 宽输入电压范围：85-264VAC/100-370VDC；② 输出电压：拥有5/12/15/24V共4种输出电压，匹配多种电压需求；③ 效率高达82%；④ 工作温度宽：-25℃ to +70℃；⑤ 低纹波噪声：≤150mV2）安全可靠① 提供2年质保，满足2000m海拔应用；② 隔离电压高：输入—输出3000VAC，漏电流＜5mA；③ 保护齐全：输出过流/短路保护；④ EMC性能：EMI满足CLASS A，搭配外围满足脉冲群抗扰3级、浪涌抗扰3级；⑤ 设计参考UL/EN/IEC62368、IEC/EN61558，且符合白色家电60335设计要求；二、产品应用LO05-10Bxx系列内置电容，裸机满足EMI，广泛适用于家电、智能家具等民用领域。三、产品特点• 宽范围输入：85-264VAC/100-370VDC；• 型号多样：5/12/15/24V；• 工作温度宽：-25℃ to +70℃；• 输出具备过流/短路保护；• EMI满足CLASS A，搭配外围满足脉冲群抗扰3级、浪涌抗扰3级• 2年质保，3000VAC隔离电压，满足2000m海拔应用• 设计参考IEC/EN61558/60335、IEC/EN/UL62368免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
16
2024/4/17 16:28:16
TDK株式会社新近推出了B40910*系列混合聚合物电容器。该系列元件为贴片式装设计，在室温条件下具有非常低的等效串联电阻 (ESR) 值（分别为17 mΩ和22 mΩ），因此提供了高达4.6A（100kHz，+125°C）纹波电流处理能力。此外，不同于标准型液态电解电容器，新系列元件的ESR不会随着温度变化而变化。这些元件尺寸小巧，仅为10 x 10.2 mm 或 10 x 12.5 mm（直径x高度），额定电压为63V，电容范围为82 µF至120 µF。新元件的工作温度范围为 -40°C 至 +145°C，支持回流焊，可满足汽车和工业领域的严苛应用要求。在额定电压和最大纹波电流IAC,max的工作条件下，其寿命可超过4000小时。特性和应用主要应用汽车电子设备工业电子设备主要特点和优势更高的文波电流处理能力：高达 4.6 A超低 ESR 值，且在温度范围内ESR波动很小高工作温度：最高达+145 °C长使用寿命：4000 h @ +135 °C表面安装设备，支持回流焊免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
15
2024/4/15 16:51:45
智能电源和智能感知技术的安森美，推出微型模拟前端 (AFE)--CEM102，能以超低的电流实现超高精度的电化学传感。CEM102具备小巧外形和业内超低功耗，工程师采用它能为工业、环境和医疗保健应用开发小巧的多用途解决方案，如空气和气体检测、食品加工和农业监测，以及连续血糖监测等医疗可穿戴设备。从生命和环境科学到工业材料和食品加工，测量化学物质可以为提高安全性、效率和认知提供更有价值的参考信息。在实验室、采矿作业和材料制造中，电化学传感器如电位计或腐蚀传感器是提供生产系统反馈和管理危险物质的重要工具，不仅能确保流程的正常运行，还保障了员工和操作的安全。CEM102支持打造体积极小且超低功耗的解决方案，是依赖电池供电的电化学传感器应用的理想之选。便携式气体检测等工业安全设备，可在工人身处偏远环境或需要移动时提醒他们注意潜在危险 。CEM102 被设计为与 RSL15 Bluetooth® 5.2微控制器配合使用，RSL15提供行业功耗最低的蓝牙低功耗技术。作为一个完整的电子解决方案，它使生物传感器和环境传感器能精确测量化学电流，同时以超低系统功耗和宽电源电压范围运行。该组合产品是安森美模拟和混合信号产品组合的一部分，旨在简化开发流程，促进下一代电流型传感器技术的集成和创新。它为设计人员创建高性能、高能效和互联的应用提供了极大的灵活性。此外，与其他产品相比，该解决方案具有更高的精度、降噪和低功耗。它还简化了物料清单（BoM），易于校准，并降低制造复杂性。该系统具有宽电源电压范围(1.3 V至 3.6 V) ，可使用 1.5 V 氧化银电池或 3 V 纽扣电池工作。其运行功耗在禁用模式下仅为 50 nA，在传感器偏置模式下为 2 uA，在 18 位 ADC 连续转换的测量模式下为 3.5 uA。CEM102具备以下特性：完整的双通道电化学测量解决方案（系统级）支持 1到...
浏览次数：
11
2024/4/15 16:47:42
恩智浦半导体近日发布S32N55处理器， S32N系列超高集成度车载处理器家族的首位成员。S32N55作为最近发布的S32 CoreRide中央计算解决方案的核心，可提供安全、实时和应用处理的可扩展组合，满足汽车制造商的多样化中央计算需求。S32N55处理器在安全、集中、实时汽车控制方面表现出色，实现这种控制需要高性能、确定性计算能力来支持最高级别的功能安全。通过软件定义的硬件强制隔离，S32N55可以承载数十种具有不同重要性级别的汽车功能，同时避免不同功能间的干扰。重要意义汽车动力系统、底盘控制、车身和其他核心汽车功能一直作为独立的电子控制单元（ECU）实现，每个单元都有自己的微控制器和布线。现在，多种汽车功能可以安全地整合到具有多个隔离执行环境的S32N55处理器中，突破SDV集成障碍。这种“超高集成度”能力使汽车制造商能够大幅降低ECU硬件成本。所用材料的减少和重量的减轻也有助于实现可持续性，延长行驶里程。最后，更少的ECU和显著减少的布线可以帮助汽车制造商降低制造复杂性，缩短制造时间。借助S32N55的“从内核到引脚”硬件隔离和虚拟化技术，其资源可以动态分区，随着时间的推移以最合适的方式满足不断变化的汽车功能需求。汽车功能的硬件强制隔离使汽车制造商能够安全地整合ECU，简化软件开发并支持整个使用周期内的增强和升级。汽车功能可以独立管理，包括故障处理和复位。通过S32N55的功能安全、高颗粒度的无线（OTA）升级功能，它们可以独立完成软件更新，这是SDV随时间推移增强其功能的关键能力。恩智浦资深副总裁兼汽车处理器总经理Ray Cornyn表示：“S32N55处理器是恩智浦全新S32 CoreRide平台的实时汽车控制中枢。凭借优秀的实时性能、关键硬件强制隔离和车联网功能的强大组合，它可以用更少的设备提供更多功能，同时降低成本，并提供升级功能，帮助改进面向未来的汽车。”...
浏览次数：
13
2024/4/15 16:42:22