串行端口接口HMC960LP4E 提供一个四线串行端口，用于与主控制器进行简单通信。典型的串行端口操作可在 SCK 时钟频率高达 30 MHz 下运行。关于 HMC960LP4E 的 SPI 访问细节将在以下章节中提供。请注意，下述 READ 操作之前必须始终先执行一次对寄存器 0 的 WRITE 操作，以定义要查询的寄存器。此外，请注意每个 READ 周期实际上也是一个 WRITE 周期——在读取数据的同时，发送到 SPI 的数据也会被存储到 HMC960LP4E 中（当 SEN 信号变高时）。如果不需要此行为，建议在 READ 操作期间向寄存器 0 写入数据，以确保器件状态不受影响。上电复位与软复位HMC960LP4E 电子元器件内置上电复位（POR）功能和可通过串行端口访问的软复位（SR）功能。POR 在 HMC960LP4E 电源循环时触发；SR 则通过 SPI 接口实现：先向寄存器 0h 写入 20h，再写入 00h。所有芯片寄存器将在上电后约 250 微秒内恢复至默认状态。串行端口写操作主机在 SCK 的下降沿改变数据，而 HMC960LP4E 在 SCK 的上升沿读取数据。一个典型的 WRITE 周期如下图所示，共包含 32 个时钟周期：主机同时拉低 SEN（低电平有效的串行端口使能信号），并将数据的最高有效位（MSB）置于 SDI 线上，随后在 SCK 上产生一个上升沿。HMC960LP4E 在 SEN 之后的第一个 SCK 上升沿读取 SDI 上的 MSB。HMC960LP4E 在接下来的 23 个 SCK 上升沿中依次接收 D23:D0 数据位（共 24 位数据）。主机在接下来的 5 个 SCK 下降沿上放置 5 位寄存器地址 A4:A0（从 MSB 到 LSB），HMC960LP4E 在对应的 SCK 上升沿读取这些地址位。主机在接下来的 3 个 SC...
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2026/3/5 11:13:51
最大与最小编码速率LTC2209 的最大编码速率为 160Msps。为使 ADC 正常工作，编码信号应具有 50%（±5%）的占空比。每个高电平周期必须至少持续 3.65ns，以确保 ADC 内部电路有足够的时间建立并正常运行。使用变压器配合差分正弦驱动，或采用对称差分逻辑（如 PECL 或 LVDS），可轻松实现精确的 50% 占空比。当使用单端 ENCODE 信号时，不对称的上升和下降时间可能导致占空比严重偏离 50%。若输入时钟不具备 50% 占空比，可选用时钟占空比稳定器电路。该电路利用 ENC 引脚的上升沿对模拟输入进行采样；其下降沿被忽略，并由锁相环（PLL）生成一个内部下降沿。输入时钟占空比可在 30% 至 70% 范围内变化，而时钟占空比稳定器将维持恒定的 50% 内部占空比。若时钟长时间关闭，占空比稳定器电路需要一百个时钟周期才能使 PLL 锁定到输入时钟。若要使用时钟占空比稳定器，MODE 引脚必须通过外部电阻连接至 1/3VDD 或 2/3VDD。LTC2209 电子元件采样率的下限由采样保持电路的电压跌落决定。该 ADC 的流水线架构依赖于在小容量电容器上存储模拟信号。结漏电流会放电这些电容器。因此，LTC2209 规定的最低工作频率为 1Msps。
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2026/3/4 11:46:43
驱动编码输入LTC2209 的噪声性能不仅取决于模拟输入，同样也取决于编码信号的质量。编码输入设计为差分驱动，主要目的是提高对共模噪声源的抗干扰能力。每个输入端通过一个 6kΩ 电阻偏置至 1.6V 偏置电压。该偏置电阻设定了变压器耦合驱动电路的直流工作点，也可用于设定单端驱动电路的逻辑阈值。编码信号上存在的任何噪声都会导致额外的孔径抖动，该抖动将以均方根（RMS）方式与 ADC 固有的孔径抖动相加。在对抖动敏感的应用中（高输入频率），请考虑以下事项：应使用差分驱动。尽可能使用较大的幅度。若采用变压器耦合，可使用更高的匝数比以增大信号幅度。若 ADC 由固定频率的正弦信号时钟驱动，应对编码信号进行滤波，以降低宽带噪声。平衡两个编码输入端的电容和串联电阻，使任何耦合噪声在两个输入端均表现为共模噪声。编码输入的共模电压范围为 1.2V 至 VDD。每个输入端均可从地电平驱动至 VDD，适用于单端驱动模式。
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2026/3/4 11:43:34
LTC2209是一款CMOS流水线多步转换器，带有前端PGA（可编程增益放大器）。如文中图片所示，该转换器具有五级流水线ADC级；采样模拟输入将在七个时钟周期后转换为数字值。模拟输入采用差分方式以提高共模噪声抑制能力并最大化输入范围。此外，差分输入驱动将减少采样和保持电路的偶次谐波。编码输入也采用差分方式以提高共模噪声抑制能力。LTC2209电子元器件根据差分ENC+/ENC-输入引脚的状态有两个工作相位。为简洁起见，当ENC+大于ENC-时，本文将其称为ENC高电平；当ENC+小于ENC-时，称为ENC低电平。如文中图片所示，每个流水线级包含一个ADC、一个重构DAC和一个级间放大器。工作时，ADC对该级的输入进行量化，DAC从输入中减去量化值以产生残差。残差被放大并由残差放大器输出。各级流水线交替工作，因此当奇数级输出其残差时，偶数级正在采集该残差，反之亦然。当ENC为低电平时，模拟输入被差分采样到模块图中的"输入采样/保持"电容上。在ENC从低电平跳变到高电平的瞬间，采样电容上的电压被保持。当ENC为高电平时，采样电容上保持的输入电压由采样/保持放大器缓冲，该放大器驱动第一级流水线ADC。第一级在ENC高电平期间采集采样/保持放大器的输出。当ENC回到低电平时，第一级产生其残差，该残差被第二级采集。同时，输入采样/保持电路返回采集模拟输入。当ENC变为高电平时，第二级产生其残差，该残差被第三级采集。第三级和第四级重复相同的过程，最终在第四级产生残差，该残差被送到第五级进行最终评估。第一级之后的每个ADC级都有额外的范围以适应闪存和放大器的失调误差。所有ADC级的结果被数字延迟，以便在送入输出缓冲器之前，可以在校正逻辑中正确组合。
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2026/3/4 11:36:12
LTC2209是一款160Msps（每秒百万采样）16位模数转换器（ADC），专为数字化高频、宽动态范围信号而设计，输入频率可达700MHz。该ADC的输入范围可通过PGA（可编程增益放大器）前端进行优化。LTC2209电子元件非常适合要求苛刻的通信应用，其交流性能包括77.3dBFS的噪声基底和100dB的无杂散动态范围（SFDR）。70fsRMS的超低抖动允许对高输入频率进行欠采样，并具有出色的噪声性能。最大直流规格包括±5.5LSB的积分非线性（INL）和±1LSB的差分非线性（DNL，无丢码）。数字输出可以是差分LVDS或单端CMOS。CMOS输出有两种格式选项：以全数据速率运行的单总线，或以半数据速率运行的解复用总线。独立的输出电源允许CMOS输出摆幅范围为0.5V至3.6V。ENC+和ENC-输入可以差分或单端方式驱动，输入信号可以是正弦波、PECL、LVDS、TTL或CMOS。可选的时钟占空比稳定器允许在宽范围的时钟占空比下实现全速高性能工作。具备的特征采样率：160Msps77.3dBFS噪声基底100dB SFDR250MHz时SFDR84dB（1.5VP-P输入范围）PGA前端（2.25VP-P或1.5VP-P输入范围）700MHz全功率带宽S/H可选内部沟渠可选数据输出随机化器LVDS或CMOS输出单路3.3V电源功耗：1.53W时钟占空比稳定器引脚兼容系列：130Msps:LTC2208（16位），LTC2208-14（14位）105Msps:LTC2217（16位）64针（9mm×9mm）QFN封装
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2026/3/4 11:12:36
LTC4266 使用标准的 SMBus/I²C 两线接口与主机通信。该器件为纯从设备，通过标准 SMBus 协议与主机主设备通信。中断信号通过 INT 引脚通知主机。LTC4266 电子元件要求 VDD 和 VEE 电源轨均存在，串行接口方可正常工作。总线寻址LTC4266 的主串行总线地址为 010xxxxb，其中低四位由 AD3–AD0 引脚设定，允许在单条总线上最多连接 16 个 LTC4266。所有 LTC4266 还响应地址 0110000b，使主机能够在单次事务中向多个 LTC4266 写入相同命令（通常为配置命令）。若 LTC4266 正在断言 INT 引脚，它还将根据 SMBus 规范响应警报响应地址 (0001100b)。中断与 SMBALERT大多数 LTC4266 端口事件可被配置为触发中断，即断言 INT 引脚以通知主机相关事件。这消除了主机轮询 LTC4266 的需求，从而减少串行总线流量并节省主机 CPU 周期。多个 LTC4266 可共享一条公共 INT 线路，主机可通过 SMBALERT 协议（ARA）确定是哪个 LTC4266 引发了中断。
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2026/3/4 11:08:46
MOSFET 故障检测LTC4266 的 PSE 端口设计可承受一定程度的滥用，但在极端情况下，外部 MOSFET 仍可能损坏。失效的 MOSFET 可能出现源极与漏极短路，导致端口在应关闭时仍表现为导通状态；此状况还会引起检测电阻熔毁，从而关闭端口，但会导致 LTC4266 的 SENSE 引脚电压异常升高。失效的 MOSFET 也可能出现栅极与漏极短路，导致 LTC4266 的 GATE 引脚电压异常升高。LTC4266 的 SENSE 和 GATE 引脚设计可耐受高达 80V 的故障电压而不受损。若 LTC4266 电子元件检测到上述任一条件持续超过 180μs，它将禁用该端口的所有功能、降低该端口的栅极驱动下拉电流，并报告“FET Bad”故障。这通常属于永久性故障，但主机可通过复位该端口或复位整个芯片尝试恢复（前提是端口复位未能清除故障）。如果 MOSFET 确实已损坏，故障将迅速重现，端口会再次自行禁用。LTC4266 的其余端口不受影响。开路或缺失的 MOSFET 不会触发“FET Bad”故障，但如果 LTC4266 尝试向该端口供电，则会引发 ISTART 故障。
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2026/3/4 11:07:00
端口的工作模式决定了 LTC4266 何时运行检测周期。在手动模式下，端口将保持空闲状态，直到主机发出检测命令。随后它将执行检测、报告结果，并返回空闲状态等待下一条命令。在半自动模式下，LTC4266 电子元件会自主轮询端口以查找 PD，但不会施加电源，除非主机明确下令。每次检测周期结束时，端口状态寄存器都会更新。如果检测到有效签名电阻且启用了分类功能，端口将对 PD 进行分类并报告该结果。之后，端口将至少等待 100ms（若启用中跨模式则为 2 秒），然后重复检测周期，以确保端口状态寄存器中的数据是最新的。如果端口处于半自动模式且高功率操作已启用，则仅当当前检测结果为“检测到 Good”时，端口才会响应加电命令而开启电源。任何其他检测结果在收到加电命令时都将生成 ISTAR 故障。如果未处于高功率模式，端口将忽略检测结果，并在收到命令时施加电源，从而维持与 LTC4259A 的向后兼容性。AUTO 引脚模式的行为类似于半自动模式；但在报告“检测到 Good”且端口已完成分类（如已启用分类）后，它会自动施加电源，无需主机干预。在 AUTO 引脚模式下，ICUT 和 ILIM 阈值会自动设定。当端口初始上电时 AUTO 引脚为低电平、处于关断模式，或相应的检测使能位被清零时，签名检测电路将被禁用。
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2026/3/4 11:03:00
向后兼容性LTC4266 该电子元器件在软件和引脚功能上均设计为与早期 PSE 芯片向后兼容。现有系统中使用 LTC4258 或 LTC4259A（或兼容器件）的，可直接替换为 LTC4266，无需修改软件或 PCB 布局；仅需对物料清单（BOM）进行微小调整，即可实现完全符合 802.3at 标准的设计。由于具备向后兼容特性，当按推荐方式运行 LTC4266 时，部分内部寄存器可能冗余或未使用。特殊兼容性模式说明：LTC4266 可使用 0.5Ω 或 0.25Ω 的检测电阻，而 LTC425x 系列始终使用 0.5Ω。为保持兼容性，若 AUTO 引脚在上电时为低电平，则 LTC4266 默认采用 0.5Ω 检测电阻；若为上电高电平，则默认采用 0.25Ω。该电阻值设置可在上电后随时重新配置。特别是那些使用 0.25Ω 检测电阻且将 AUTO 引脚拉低的系统，必须在上电后重新配置电阻设置。LTC4259A 包含交流和直流断开检测电路，而 LTC4266 仅支持直流断开检测。为保持兼容性，用于启用 LTC4259A 中交流断开功能的寄存器位，在 LTC4266 中虽被实现，但实际只是镜像了用于直流断开的位。LTC4258 和 LTC4259A 要求在 OUTn 引脚与外部 MOSFET 的漏极之间接入 10kΩ 电阻。使用 LTC4266 时，这些电阻必须短接或用零欧姆跳线替代。LTC4258 和 LTC4259A 包含一个 BYP 引脚，通过 0.1μF 电容去耦至 AGND。该引脚在 LTC4266 上改为 MID 引脚。对于端点应用，应移除此电容；对于中跨应用，则应替换为零欧姆跳线。
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2026/3/4 11:01:06
PoE 基础常见的以太网数据连接由两根或四根铜线（通常称为 CAT-5 电缆）组成，每端通过变压器耦合，以避免地环路。PoE 系统利用这种耦合结构，在数据变压器的中心抽头之间施加电压，从而从 PSE 向 PD 传输电力，同时不影响数据传输。上图显示了一个高层 PoE 系统示意图。为避免损坏不期望接收直流电压的传统数据设备，PoE 规范定义了一种协议，用于确定 PSE 何时可以施加和移除电力。有效的 PD 必须在其输入端具有特定的 25kΩ 共模电阻。当此类 PD 连接到电缆时，PSE 会检测到该特征电阻并开启电源。当 PD 随后断开连接时，PSE 会感测到开路并关闭电源。在发生过流或短路故障时，PSE 也会关闭电源。当检测到 PD 后，PSE 可选择查找分类签名，该签名告知 PSE 该 PD 可汲取的最大功率。PSE 可利用此信息在多个端口间分配电力、监控 PD 的电流消耗，或拒绝那些所需功率超过 PSE 可用功率的 PD。分类步骤是可选的；如果 PSE 选择不分类 PD，则必须假设该 PD 是一个 13W（完整 802.3af 功率）设备。
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2026/3/4 10:56:52
LTC4266 是一款四通道 PSE 控制器，专为符合 IEEE 802.3 Type 1 和 Type 2（高功率）标准的以太网供电系统设计。外部功率 MOSFET 可提升系统可靠性、降低通道电阻、减少功耗，并消除在 Type 2 功率等级下对散热片的需求。外部功率元件还允许系统在非常高的功率水平下运行，同时保持与 IEEE 标准的兼容性。80V 额定功率引脚可提供强大的外部故障保护。LTC4266 电子元件包含电源管理功能，包括电流和电压回读以及可编程的 ICUT 和 ILIM 阈值。提供的 C 语言库简化了电源管理软件的开发；可选的 AUTO 引脚模式支持完全符合 IEEE 标准的独立运行，无需软件。专有的四点 PD 检测电路可最大限度减少误检，同时支持传统电话操作。中跨操作由内置的两事件分类和退避计时支持。主机通信通过 1MHz I²C 串行接口实现。LTC4266 提供 5mm × 7mm QFN 封装，相比竞争方案显著节省电路板空间。同时也可提供与传统兼容的 36 引脚 SSOP 封装。特征600mA时130mW/端口高级电源管理8位可编程电流限制（ILIM）7位可编程过载电流（ICUT）预选端口的快速关闭14.5位端口电流/电压监测2-事件分类极高可靠性的4点局部放电检测2点强制电压2点强制电流高电容传统设备检测LTC4259A-1和LTC4258引脚和软件兼容1MHz I2C兼容串行控制接口跨中退避定时器支持25W以上的专有功率水平提供38针5mm×7mm QFN和36针SSOP封装
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2026/3/4 10:35:24
ISL85413是一款300mA同步降压稳压器，输入范围为3。5V至40V。它为各种应用提供了一种易于使用、高效的低BOM计数解决方案。ISL85413集成了高侧和低侧NMOS FET，并具有PFM模式，可提高轻负载下的效率。如果需要强制PWM模式，可以禁用此功能。该部件以默认频率700kHz切换。通过集成NMOS器件并提供内部配置，只需要最少的外部组件，从而减少了BOM数量和设计复杂性。凭借广泛的VIN范围和减少的BOM，该零件为各种应用提供了易于实施的设计解决方案，同时提供了卓越的性能。该电子元器件将为高压工业应用提供非常稳健的设计，并为电池供电的应用提供高效的解决方案。该零件采用无铅3mmx3mm TDFN塑料封装，工作结温范围为-40°C至+125°C。具备的特征•3.5V至40V的宽输入电压范围•同步运行，效率高•无需补偿•集成高侧和低侧NMOS器件•轻载时可选择PFM或强制PWM模式•内部开关频率700kHz•连续输出电流高达300mA•内部软启动•所需外部组件最少•电源良好，启用可用功能应用程序
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2026/3/3 13:43:49
元件布局与布线建议印刷电路板（PCB）布局对 RAA211230 的正常工作至关重要。为实现良好性能，推荐遵循以下指南：输入电容应采用大容量电容与低等效串联电感（ESL）的小型陶瓷电容组合，并尽可能靠近 IC 放置。输入陶瓷电容应尽量贴近 IC。尽量减小电源环路（包括输入陶瓷电容、IC 的 VIN 引脚和 PGND 引脚）的尺寸，以最小化因 PCB 走线寄生电感引起的开关节点电压振铃。缩小环路尺寸也有助于改善电磁干扰（EMI）性能。自举电容应放置在 IC 附近，连接 BST 与 SW 引脚，并与 IC 位于 PCB 同一侧。瑞萨推荐使用 0.1μF 陶瓷电容。相位节点的铜箔面积应保持较小以降低寄生电容，但需足够大以承载负载电流。电感应尽量靠近稳压器放置。输出电压反馈信号走线应远离 SW 和 BST 节点。反馈电阻应靠近稳压器的 FB 引脚放置。输出电容应尽量靠近电感器放置。
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2026/3/3 13:40:58
RAA211230 是一款集成式 24V、3A 同步降压稳压器电子元器件，采用电流模式恒定导通时间（COT）控制。该器件具备全面的保护功能，包括输入欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、输出欠压保护（OUVP）和过温保护（OTP）。该器件提供 6 引脚 TSOT23 封装。特性：输入电压范围：4.5V 至 24V最大输出电流：3A集成高侧（85mΩ）和低侧（45mΩ）MOSFET静态电流：400μA最小导通时间：60ns最小关断时间：275ns基准电压：0.765V，精度 ±2%轻载条件下支持 PFM 模式电流模式恒定导通时间（COT）控制，内置补偿内部软启动时间：0.8ms保护功能：低侧过流限制（LSOC）、输入欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、带打嗝模式的输出欠压保护（OUVP）精确的使能（EN）阈值6 引脚 TSOT23 封装应用领域：通用电源工业电源系统嵌入式系统及 I/O 供电
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2026/3/3 13:34:22
SL85014是一款高效、单片、同步降压稳压器电子元件，可以从3.8V到18V的输入电源提供14A的连续输出电流。热过载保护热过载保护功能用于限制芯片的最大结温，从而控制稳压器内的最大功耗。芯片内置传感器可监测结温（TJ）。当结温超过 +160°C 时，会向故障监控电路发送信号，导致开关稳压器和 LDO 关闭。当 IC 的结温下降 10°C 后，开关稳压器将重新启动并执行软启动过程。在持续热过载条件下，开关稳压器将以“打嗝”模式运行。为确保连续正常工作，请勿使结温超过 +125°C 的额定值。BOOT 欠压检测高侧 FET 的内部驱动器配备有 BOOT 欠压（UV）检测电路。若 BOOT 与 PHASE 之间的电压差降至 2.8V 以下，UV 检测电路将允许低侧 MOSFET 导通 250ns，以对自举电容进行充电。虽然 ISL85014 内部已集成自举二极管，但可通过使用外部电源电压和肖特基自举二极管来提升效率。该外部二极管可由固定的 5V 外部电源供电，或在开关稳压器输出为 5V 时由其输出端供电。自举二极管可选用低成本型号，例如 BAT54（可参考下图）。
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2026/3/3 13:31:45
SL85014是一款高效、单片、同步降压稳压器电子元器件，可以从3.8V到18V的输入电源提供14A的连续输出电流。PWM 控制方案ISL85014 采用电流模式脉冲宽度调制（PWM）控制方案，以实现快速瞬态响应。电流环路由振荡器、PWM 比较器、电流检测电路和斜率补偿电路组成。电流检测电路的增益通常为 55mV/A，斜率补偿值为 780mV/tSS（tSS = 周期）。电流环路的控制参考电压来自误差放大器（EA）的输出，该输出将 FB 引脚处的反馈信号与内部集成的 0.6V 基准电压进行比较。若使用内部补偿，需通过一个 200Ω 电阻将 COMP 引脚接地。当使用默认频率 600kHz 时（可通过悬空 FREQ 引脚或在 SYNC 引脚施加 600kHz 方波实现），电压环路 internally compensated with a 30pF and 800kΩ RC network（内部由 30pF 电容和 800kΩ 电阻组成的 RC 网络进行补偿）。当频率设置为 300kHz 时，电压环路则由 30pF 电容和 1200kΩ 电阻组成的 RC 网络进行内部补偿。PWM 操作由振荡器产生的时钟信号启动。在每个 PWM 周期开始时，高侧 MOSFET 导通，MOSFET 中的电流开始上升。当电流放大器 CSA 的输出与斜率补偿（780mV/tSS）之和达到电流环路的控制参考电压（COMP）时，PWM 比较器向 PWM 逻辑发送信号，关闭上管 MOSFET 并开启下管 MOSFET。下管 MOSFET 保持导通直至当前 PWM 周期结束。下图展示了连续导通模式（CCM）下的典型工作波形。虚线表示补偿斜坡与电流检测放大器输出之和。
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2026/3/3 13:25:59
SL85014是一款高效、单片、同步降压稳压器，可以从3.8V到18V的输入电源提供14A的连续输出电流。该设备采用电流模式控制架构，具有快速的瞬态响应和出色的回路稳定性。ISL85014电子元器件集成了极低导通电阻的高侧和低侧FET，以最大限度地提高效率并减少外部组件数量。最小的BOM和易于布局的占地面积对空间约束系统非常友好。该设备的工作频率可以使用FREQ引脚设置：600kHz（FREQ=浮动）和300kHz（FREQ=GND）。该设备还可以与高达1MHz的外部时钟同步。高侧和低侧MOSFET电流限制以及反向电流限制在过电流事件中完全保护稳压器。可选的OCP方案可以适应各种应用。其他保护措施，如输入/输出过压和过温，也集成在设备中，并在发生故障时提供所需的系统级安全。ISL85014采用节省空间的15Ld 3.5mmx3.5mm无铅TQFN封装，具有出色的热性能和0.8mm的最大高度。具备的特征•电源输入电压范围可变3.8V至18V•PWM输出电压可从0.6V调节•输出负载高达14A•预偏置启动，固定3ms软启动•可选择300kHz、600kHz的fSW，以及高达1MHz的外部同步•峰值电流模式控制•DCM/CCM•热补偿电流限制•内部/外部补偿•开漏PG窗口比较器•输出过压和热保护•输入过压保护•集成启动二极管，带欠压检测功能•可选的OCP方案•打嗝OCP•上锁•紧凑型尺寸3.5mmx3.5mm，15升TQFN
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2026/3/3 13:16:51
ICL7660S 和 ICL7660A 超级电压转换器是单片 CMOS 电压转换集成电路，相较于其他同类器件具有显著的性能优势。它们可直接替代行业标准型 ICL7660，提供扩展的工作电源电压范围（最高达 12V），同时降低供电电流。芯片内集成了“频率提升”引脚，使用户即使在使用较小电容的情况下，也能实现更低的输出阻抗。关键参数在整个商业级和工业级温度范围内均得到保证。该电子元件ICL7660S 和 ICL7660A 可将正输入电压转换为负输出电压，输入范围为 1.5V 至 12V，对应互补输出电压范围为 -1.5V 至 -12V。仅需两个非关键外部电容器，分别用于电荷泵和电荷存储功能。这两款器件还可配置为电压倍增器，在 12V 输入时可产生高达 22.8V 的输出电压；亦可用作电压乘法器或分压器。每颗芯片内部包含一个串联直流电源稳压器、RC 振荡器、电平 translator 以及四个输出功率 MOS 开关。当未加载时，振荡器在 5.0V 输入电源电压下标称工作频率为 10kHz。该频率可通过在“OSC”端子外接电容予以降低，或由外部时钟信号驱动。“LV”端子可接地以 bypass 内部串联稳压器，从而改善低压（LV）工作状态下的性能。在中高电压范围（3.5V 至 12V）下，LV 引脚应保持悬空，以防器件闩锁。在某些应用中，需在 VOUT 与 CAP- 之间外接一只肖特基二极管，以确保无闩锁运行。
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2026/3/3 11:37:46